首先我們介紹增強型MOS管，也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強型，我們下面都會介紹到。
2023-02-22 16:55:15
1852 
MS80F751x系列MCU是增強型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外設(shè)運行，24MHz內(nèi)核運行，工作電壓2.1V-5.5V，GPIO最多可達(dá)30個，內(nèi)置LCD/LED驅(qū)動模塊
2023-05-06 09:28:45
2.5A功率增強型電機驅(qū)動模塊的特性是什么？2.5A功率增強型電機驅(qū)動模塊有哪些功能？
2021-10-15 09:13:09
2.5A功率增強型電機驅(qū)動模塊的優(yōu)點有哪些？2.5A功率增強型電機驅(qū)動模塊的產(chǎn)品參數(shù)有哪些？2.5A功率增強型電機驅(qū)動模塊的注意事項有哪些？
2021-06-29 09:05:41
簡介：CH557是一款兼容MCS51的增強型E8051內(nèi)核單片機，內(nèi)置64KB Flash-ROM, 8K+256 RAM, 內(nèi)置4端口USB root-hub 根集線器，支持USB2.0全速
2022-06-01 06:24:11
WCDMA無線接口技術(shù)第5章 WCDMA無線接口技術(shù)在WCDMA系統(tǒng)中，移動用戶終端UE通過無線接口上的無線信道與系統(tǒng)固定網(wǎng)絡(luò)相連，該無線接口稱為Uu接口，是WCDMA系統(tǒng)中
2009-09-18 16:48:46
`描述此參考設(shè)計演示的是采用 ISO7842 和 SN65MLVD203 的增強型隔離式全雙工 M-LVDS 收發(fā)器節(jié)點的性能。單一增強型數(shù)字隔離器代替了兩個基本數(shù)字隔離器，降低了成本并節(jié)省
2015-04-29 10:38:17
描述此參考設(shè)計演示的是采用 ISO7842 和 SN65MLVD203 的增強型隔離式全雙工 M-LVDS 收發(fā)器節(jié)點的性能。單一增強型數(shù)字隔離器代替了兩個基本數(shù)字隔離器，降低了成本并節(jié)省了 PCB
2018-08-18 06:18:32
請問各位大神，能不能列舉出增強型51有3個定時器以上，PDIP40封裝的，另外能附帶技術(shù)手冊嗎
2012-10-23 21:11:49
[url=]增強型MCS-51單片機[/url]
2016-12-11 11:13:28
增強型MCS-51單片機結(jié)構(gòu)
2016-12-19 22:47:07
增強型NFC技術(shù)如何讓移動設(shè)備可靠地仿真非接觸式卡片？
2021-05-21 06:56:39
關(guān)于 增強型PMOS管開啟電壓Vgs疑問 有以下三個問題，請教各位大神：1、如下圖：增強型PMOS管G極接地（Vg=0V），按我的理解，只有在S極電壓高于0v（至少零點幾伏）的時候才能導(dǎo)通，可是下圖
2017-11-22 10:01:58
文中，將回顧這三種方法，并分享直列式電機電流感應(yīng)使用增強型脈沖寬度調(diào)制（PWM）抑制的五大優(yōu)勢?！ ∪鐖D1所示，基本上有三種不同的方法來測量三相電動機驅(qū)動系統(tǒng)中的電流：低側(cè)、直流鏈路和直列測量。圖1所示
2016-12-09 17:22:03
增強型數(shù)據(jù)速率GSM演進(jìn)技術(shù)EDGE概述一、EDGE簡述EDGE是英文EnhancedDataRatefor GSM Evolution 的縮寫，即增強型數(shù)據(jù)速率GSM演進(jìn)技術(shù)。 EDGE是一種從
2009-11-13 21:30:43
能否介紹增強型Howland電流源、EHCS 實現(xiàn)過程、復(fù)合放大器技術(shù)應(yīng)用？
2019-01-25 18:13:07
描述TIDA-00366 參考設(shè)計為額定功率高達(dá) 10kW 的 3 相逆變器提供了參考解決方案，該逆變器采用增強型隔離式雙 IGBT 柵極驅(qū)動器 UCC21520、增強型隔離式放大器 AMC1301
2018-10-17 15:53:28
Bondout、增強型Hooks芯片和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品芯片：這些名詞是指仿真器所使用的、用來替代目標(biāo)MCU的三種仿真處理器。只有Bondout和增強型Hooks芯片能夠?qū)崿F(xiàn)單片調(diào)試，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品芯片不能。和標(biāo)準(zhǔn)
2011-08-11 14:20:22
LKT4101 8位增強型防盜版加密芯片采用增強型8051智能卡內(nèi)核，芯片內(nèi)部嵌入凌科芯安公司的LKCOS智能操作系統(tǒng)，支持UART接口。在KEIL C軟件環(huán)境下采用標(biāo)準(zhǔn)C語言編寫操作代碼，編譯程序后下載到智能芯片中。用戶可將關(guān)鍵算法程序內(nèi)嵌入芯片中，從根本上杜絕程序被破解的可能。
2014-03-04 14:43:21
MS8005F 增強型 8051 MCU MS8005F 是一顆通用型 1T 8051 Core MCU。在同樣的系統(tǒng)時鐘下，比傳統(tǒng)的 8051 運行更快 速，性能更優(yōu)越，指令代碼完全兼容傳統(tǒng)
2022-06-07 17:51:53
MS8005F 增強型 8051 MCUMS8005F 是一顆通用型 1T 8051 Core MCU。在同樣的系統(tǒng)時鐘下，比傳統(tǒng)的 8051 運行更快速，性能更優(yōu)越，指令代碼完全兼容傳統(tǒng)
2022-05-31 09:26:16
內(nèi)核的成功，該增強型內(nèi)核進(jìn)行了更多的技術(shù)改進(jìn)，其中有更大的程序和數(shù)據(jù)存儲器、更深及更強的硬件棧、更多的復(fù)位方法、14條額外的編程指令(包括可以減少代碼量的“C”效率優(yōu)化)、更強的外設(shè)支持、更短的中斷延遲
2008-11-25 09:48:50
NCP1611增強型高效功率因數(shù)控制器的典型應(yīng)用。 NCP1611設(shè)計用于基于創(chuàng)新的電流控制頻率折返（CCFF）方法驅(qū)動PFC升壓級
2019-05-07 09:26:44
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=363]N溝道增強型MOSFETTDM3512 [/td] [td]描述 該TDM3512采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。 這個 裝置是適合用作負(fù)載開關(guān)或在PWM 應(yīng)用。 一般特征 [tr][td]lRDS（ON）
2018-09-04 16:31:45
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
N溝道增強型功率MOSFETCN2302資料下載內(nèi)容主要介紹了：CN2302功能和特性CN2302引腳功能CN2302電路示意圖
2021-03-25 07:31:51
概述：SI4800雖然有8個腳，但卻不屬于集成電路，而屬于N溝道增強型場效應(yīng)三極管，主要應(yīng)用在DC—DC變換器、直流電機控制、鋰離子電池應(yīng)用、筆記本個人電腦等場合。
2021-04-12 07:47:36
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強型場效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時，因為漏源之間被兩個背靠背的PN
2012-07-06 16:30:55
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強型場效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時，因為漏源之間被兩個背靠背的PN
2012-07-06 16:34:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
N溝道增強型場效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時，因為漏源之間被兩個背靠背的PN
2012-07-05 11:27:29
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
N溝道增強型場效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時，因為漏源之間被兩個背靠背的PN
2012-07-04 17:48:54
的。N溝道增強型絕緣柵場效應(yīng)管就是增強型NMOS。先從NMOS的工作原理講起：對于增強型NMOS，絕緣層中沒有電荷，所以柵不通電時，絕緣層下的溝道仍為P型半導(dǎo)體，而而NMOS的漏極和源極是N型的，則源極
2012-07-05 11:30:45
的。N溝道增強型絕緣柵場效應(yīng)管就是增強型NMOS。先從NMOS的工作原理講起：對于增強型NMOS，絕緣層中沒有電荷，所以柵不通電時，絕緣層下的溝道仍為P型半導(dǎo)體，而而NMOS的漏極和源極是N型的，則源極
2012-07-06 16:39:10
`N通道增強型MOSFETTDM3518 [/td] [td]描述 該TDM3518采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。 這個 裝置是適合用作負(fù)載開關(guān)或在PWM 應(yīng)用。 一般特征
2018-09-04 16:36:16
`PE42440MLBB-Z 增強型SP4T RF開關(guān)產(chǎn)品介紹 產(chǎn)品名稱：增強型SP4T RF開關(guān) PE42440MLBB-Z 產(chǎn)品特征HaRPTM 增強技術(shù)無與倫比的線性度極低的插入損耗
2019-05-08 18:22:15
一般說明PW2202是硅N溝增強型vdmosfet，采用自對準(zhǔn)平面技術(shù)，降低了傳導(dǎo)損耗，改善了開關(guān)性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于系統(tǒng)的各種功率開關(guān)電路中特征 VDS=200V，ID=2A RDS（開）
2020-12-11 16:37:57
概述：CN2305是上海如韻電子出品的一款P溝道增強型功率MOSFET，它采用先進(jìn)工藝，提供較低的導(dǎo)通電阻，低柵極電荷和低工作電壓，柵極電壓可低至2.5V。CN2305適合用于電池保護(hù)，或PWM開關(guān)中的應(yīng)用。
2021-04-13 06:46:20
借助其增強型 NDEF 功能（ANDEF），ST25TV512C 和 ST25TV02KC 標(biāo)簽IC具備了上下文自動NDEF消息傳遞服務(wù)。最終用戶只需簡單地“點擊”標(biāo)簽，便可動態(tài)生成相應(yīng)的響應(yīng)
2023-09-13 06:33:45
用STC增強型51單片機計數(shù)編碼器脈沖數(shù)有時候會出現(xiàn)漏記脈沖的現(xiàn)象，脈沖頻率也不高，不超過5K，有什么好的計數(shù)辦法?有時候編碼器沒動，也會出現(xiàn)迅速計數(shù)的現(xiàn)象？
2019-07-08 04:35:19
器件功能和配置(STM32F103xx增強型)STM32F103xx增強型模塊框架圖STM32F103xx增強型VFQFPN36管腳圖STM32F103xx增強型LQFP100管腳圖
2021-08-05 06:50:21
Q1為N溝道增強型場效應(yīng)管 該電路實際動作：當(dāng)接通220V交流電，開關(guān)S為斷開時，Q1導(dǎo)通，燈亮；當(dāng)開關(guān)S閉合時，Q1截止，燈滅。問題：即然Q1為N溝道增強型
2010-11-16 12:28:04
增強型并行端口EPP的主要特點是：提供了一個并行端口雙向溝通，即一種方法來讀取和寫入外圍設(shè)備連接到您的PC的并行端口。交易是8位寬和原子。主機（PC）始終是交易的始作俑者，讀取或?qū)懭搿Ｓ袥]有突發(fā)
2012-03-22 16:56:03
【老款芯片】80C51內(nèi)核增強型單片機芯片
2016-12-10 16:30:47
32KB Flash，48MHz，增強型PWM。 廣泛應(yīng)用于四軸飛行器，電機，數(shù)字電源、云臺、無線充等領(lǐng)域。CMS32F030系列MCU是中微半導(dǎo)體基于ARM-Cortex M0推出的基礎(chǔ)型MCU
2021-11-19 10:04:16
對于N溝道增強型MOS管而言，為何漏源電壓增大到一定反型層會消失？此時柵極和襯底間不是仍然有一個正壓嗎
2023-03-31 15:31:55
描述TIDA-01540 參考設(shè)計可為增強型隔離式 10kW 三相逆變器降低系統(tǒng)成本并支持緊湊型設(shè)計。此設(shè)計在單個封裝和自舉配置中使用雙柵極驅(qū)動器來為柵極驅(qū)動電源產(chǎn)生浮動電壓，從而實現(xiàn)較低的系統(tǒng)成本
2018-12-06 14:17:15
隱時間）?！ ?直列式電流檢測 結(jié)合高共模輸入電壓，增強型PWM抑制有助于進(jìn)行直列式電流監(jiān)測。由于處于惡劣環(huán)境中，電流感應(yīng)放大器必須具備穩(wěn)健性。除此要求外，該放大器還必須具有較高的交流和直流精度
2020-12-24 17:34:32
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強型MOSFET 描述：TDM3412采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。一般描述：?頻道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
ESD增強型器件的特點是什么？如何對ESD增強型器件進(jìn)行仿真分析？
2021-05-12 06:45:03
周立功 增強型80C51單片機速成與實戰(zhàn)
2012-08-06 13:25:00
；最大瞬態(tài)隔離電壓，VOITM；及最大重復(fù)峰值隔離電壓，VIORM（參見白皮書“高壓增強型隔離：定義與測試方法”中的解釋）。
2019-08-01 07:38:09
本文利用32位DSP-TMS320F2812自身的增強型SPI接口，結(jié)合性價比高的串行接口Flash，高效地實現(xiàn)了對系統(tǒng)存儲容量的擴展。
2021-04-27 06:22:15
FPGA有哪些配置方式？FPGA配置流程是怎樣的？增強型配置片工作原理是什么？
2021-05-07 06:27:07
想要用增強型51單片機實驗板實現(xiàn)紅外線遙控，有沒有可以參考的案例嗎？
2021-04-02 07:05:14
嗨，我想用PIC24FJ256GA705的增強型CRC從MAX31820計算1線CRC。結(jié)果是0，因為CRC也在緩沖器中，數(shù)據(jù)是正確的，并且發(fā)送的CRC是正確的。但是CRC模塊的計算是錯誤的，那么
2020-04-08 10:07:48
stc15w4k32s4單片機的6路增強型pwm怎么設(shè)置占空比為零？我把t1，t2都設(shè)置為0，但是波形的頻率卻變成了原來的一半，并且是50%的占空比。
2019-09-02 21:12:54
ARD00609，MCP19111支持PMBus的POL參考設(shè)計。 MCP19111是一款數(shù)字增強型PWM控制器。它將純模擬PWM控制器與監(jiān)控微控制器相結(jié)合，使其成為一種快速，經(jīng)濟高效且可配置的電源
2019-05-17 09:16:31
標(biāo)準(zhǔn)51單片機和增強型51單片機芯片引腳圖
2013-12-01 23:16:01
，將回顧這三種方法，并分享直列式電機電流感應(yīng)使用增強型脈沖寬度調(diào)制（PWM）抑制的五大優(yōu)勢。如圖1所示，基本上有三種不同的方法來測量三相電動機驅(qū)動系統(tǒng)中的電流：低側(cè)、直流鏈路和直列測量。圖1所示的是傳統(tǒng)
2018-10-15 09:52:41
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-13 15:41 編輯
請用一句話通俗易懂的話解釋下增強型捕獲 eCAP的功能，謝謝
2018-06-13 02:08:55
您好：我的芯片上寫的型號如下：TMS320C6748BZCE E23A3J3W GI A37521 527 ZCE請問，第二排的單獨的E 是指增強型？還是加密？這類芯片在連接JTAG的時候有什么特殊要求嗎
2019-01-16 10:11:13
增強型驅(qū)動程序(可混合顯示包括點線圖像字符漢字，可格式化輸出并自帶多種數(shù)字轉(zhuǎn)字符功能).rar (117.37 KB )
2019-08-14 03:51:55
本帖最后由 dewfn 于 2013-3-27 20:07 編輯
高手進(jìn)來看看這個電路圖是不是畫錯了MOS管 圖上畫的是耗盡型，可是我查到的是增強型圖上型號是SI4435可是我查到
2013-03-27 13:48:45
20V N-溝道增強型MOSFET
20V N-溝道增強型MOSFET簡介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 溝道增強型MOSFET管
20V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:36:2023 20V N溝道增強型MOSFET管
20V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:39:0026 30V N溝道增強型MOSFET管
30V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 溝道增強型MOSFET管
30V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 N加P溝道增強型MOSFET管
N加P溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:3925 接入HSDPA解決WCDMA問題 增強型無線技術(shù)淺析
高速下行分組接入（HSDPA）是為解決WCDMA系統(tǒng)覆蓋與容量之間的矛盾、消除干擾、提升系統(tǒng)容量和數(shù)據(jù)傳輸速率等問題，滿足
2009-05-21 01:27:05358 WCDMA增強型上行鏈路技術(shù)研究
增強型上行鏈路（Enhanced Uplink）是3G中R6的技術(shù)特征，通過采用基站（Node B）控制的調(diào)度、結(jié)合軟合并的快速混合自動重傳請求（HARQ）、更
2009-05-21 01:29:15556 引入HSDPA對WCDMA網(wǎng)絡(luò)的影響及應(yīng)對
HSDPA技術(shù)是WCDMA制式在R5標(biāo)準(zhǔn)中引入的增強型技術(shù)，通過共享信道傳輸、高階調(diào)制、更短的時間間隔(TT
2009-06-01 19:44:34365 摘要 增強型上行鏈路（Enhanced Uplink）是3G中R6的技術(shù)特征，通過采用基站（Node B）控制的調(diào)度、結(jié)合軟合并的快速混合自動重傳請求（HARQ）、更短的時幀（TTI）等關(guān)鍵技術(shù)
2009-06-15 19:53:30492 高速下行分組接入（HSDPA）是為解決WCDMA系統(tǒng)覆蓋與容量之間的矛盾、消除干擾、提升系統(tǒng)容量和數(shù)據(jù)傳輸速率等問題，滿足用戶業(yè)務(wù)需求而產(chǎn)生的新技術(shù)，是3GPP在R5協(xié)議中為了滿足
2009-06-15 20:07:21373 HSDPA技術(shù)是WCDMA制式在R5標(biāo)準(zhǔn)中引入的增強型技術(shù)，通過共享信道傳輸、高階調(diào)制、更短的時間間隔(TTI)、快速鏈路適配、快速調(diào)度、快速混合自動重傳請求等技術(shù)，大幅提升了下
2009-06-18 09:59:25332 HSDPA技術(shù)是WCDMA制式在R5標(biāo)準(zhǔn)中引入的增強型技術(shù)，通過共享信道傳輸、高階調(diào)制、更短的時間間隔(TTI)、快速鏈路適配、快速調(diào)度、快速混合自動重傳請求等技術(shù)，大幅提升了下行數(shù)
2009-06-18 10:01:11459 摘要 為了支持互動多媒體等需要高速上行數(shù)據(jù)速率的業(yè)務(wù)，TD-SCDMA在Release 6中引入了高速上行分組接入（HSUPA）技術(shù)。鑒于目前WCDMA上行增強技術(shù)日趨成熟，而TD-SCDMA上行增強技術(shù)
2009-06-19 13:12:12718 高速下行分組接入（HSDPA）是為解決WCDMA系統(tǒng)覆蓋與容量之間的矛盾、消除干擾、提升系統(tǒng)容量和數(shù)據(jù)傳輸速率等問題，滿足用戶業(yè)務(wù)需求而產(chǎn)生的新技術(shù)，是3GPP在R5協(xié)議中為了滿足
2009-06-20 09:49:41441 N溝道增強型MOSFET
N溝道增強型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強型
2009-09-16 09:38:1810437 增強型MOS晶體管,增強型MOS晶體管是什么意思
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上
2010-03-05 15:34:432329 可用的增強型產(chǎn)品
2021-04-24 13:56:150 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《8位增強型USB單片機CH558技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
2022-09-09 10:30:502 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《8位增強型USB單片機CH554技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
2022-09-09 10:12:014
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論