作為白熾燈的直接替代光源，LED球泡燈的用量將得到巨大的提升。其品質(zhì)也會(huì)參差不齊。作為L(zhǎng)ED球泡燈內(nèi)部不可或缺的驅(qū)動(dòng)電源，其品質(zhì)很大程度上決定了一個(gè)球泡燈的安全與否及品質(zhì)好壞。
2016-02-17 09:11:05
14588 一個(gè)非常普遍的需求是為最終產(chǎn)品選擇內(nèi)部 AC-DC 電源，功率范圍在幾瓦到幾百瓦之間。在低端，替代方案可能是外部電源或“適配器”，但高于 100W 左右，通常選擇內(nèi)置產(chǎn)品作為內(nèi)置模塊，可能安裝在機(jī)箱或 PCB 上。勇敢的人甚至可能會(huì)考慮內(nèi)部設(shè)計(jì)，尤其是在所需的性能非標(biāo)準(zhǔn)的情況下。
2022-07-15 14:54:491029 
開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。
2022-08-12 11:53:21815 只有在腦海中建立了一個(gè)個(gè)邏輯模型，理解FPGA內(nèi)部邏輯結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)，才能明白為什么寫Verilog和寫C整體思路是不一樣的，才能理解順序執(zhí)行語(yǔ)言和并行執(zhí)行語(yǔ)言的設(shè)計(jì)方法上的差異。在看到一段簡(jiǎn)單程序的時(shí)候應(yīng)該想到是什么樣的功能電路。
2022-08-25 11:12:00739 “內(nèi)部功率MOSFET降壓穩(wěn)壓器 IC--FP6180”詳細(xì)介紹內(nèi)部功率MOSFET降壓穩(wěn)壓器型號(hào)/規(guī)格：FP6180品牌/商標(biāo)：遠(yuǎn)翔科技\該FP6180是一個(gè)內(nèi)置的內(nèi)部功率MOSFET降壓穩(wěn)壓器
2020-11-09 15:55:21
一些 STM32 產(chǎn)品能夠使能/失能內(nèi)部電源監(jiān)視器，通過(guò) PDR_ON 引腳電平進(jìn)行控制實(shí)現(xiàn)。PDR_ON 引腳電平為低時(shí)， 內(nèi)部電源監(jiān)視器關(guān)閉；當(dāng) PDR_ON 引腳電平為高時(shí)，內(nèi)部電源監(jiān)視器使能
2021-08-05 07:21:17
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。與功率開(kāi)關(guān)
2020-08-04 08:00:00
使用了3.3V供電，執(zhí)行CS1256的內(nèi)部電源測(cè)試。1/8Vdd的測(cè)試結(jié)果是0X1992xx，這樣的數(shù)值正確嗎？如果AD滿幅24bit是內(nèi)部VREF 1.19左右的話，這個(gè)值只有0.024，遠(yuǎn)沒(méi)有電源電壓3.3V的1/8。不知道理解的是否錯(cuò)誤。
2020-08-07 07:20:43
EPM7064內(nèi)部邏輯和作用設(shè)備中的DMA控制器由CPLD器件EPM7064實(shí)現(xiàn),這主要有下面幾方面的考慮：（1）設(shè)備接口緩存器采用專用FIFO芯片IDT7208,它的數(shù)據(jù)總線可以和FAS368M
2011-06-02 09:34:29
目錄ISP的主要內(nèi)部構(gòu)成：ISP內(nèi)部包含 CPU、SUP IP（各種功能模塊的通稱）、IF 等設(shè)備ISP的控制結(jié)構(gòu)：1、ISP邏輯 2、運(yùn)行在其上的firmwareISP上的Firmware包含三部分：AP對(duì)ISP的操控方式：外置：I2C/SPI。 內(nèi)...
2021-07-26 06:42:48
TI
內(nèi)部工程師的
電源設(shè)計(jì)資料整合！?。?/div>
2013-07-29 12:13:43
1、如何把bpftrace program轉(zhuǎn)化成抽象語(yǔ)法樹(shù)AST下圖是BPF內(nèi)部邏輯圖，可以看出如何從bpftrace program經(jīng)過(guò)AST，LLVM IR，BPF bytecode這幾個(gè)階段
2022-07-07 16:54:17
討論。與功率開(kāi)關(guān)有關(guān)的損耗功率開(kāi)關(guān)是典型的開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部最主要的兩個(gè)損耗源之一。損耗基本上可分為兩部分：導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。導(dǎo)通損耗是當(dāng)功率器件已被開(kāi)通，且驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)波形已經(jīng)穩(wěn)定以后，功率開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)
2019-09-02 08:00:00
的熱量，故一般分壓電阻為大功率電阻，溫度上限為120℃變壓器是電源內(nèi)最重要的器件之一，其發(fā)熱溫度有限制，目前國(guó)內(nèi)的3C認(rèn)證將變壓器溫度限制在120℃內(nèi)，歐洲UL認(rèn)證將變壓器溫度限制在115℃內(nèi);另外，一般
2021-10-18 09:39:06
變頻電源內(nèi)部IGBT模塊的作用是怎樣的：IGBT是變頻電源中的一種，是能源變換與傳輸?shù)暮诵?b class="flag-6" style="color: red">器件。他是將變頻電源里的直流變?yōu)榻涣鞴╇姍C(jī)使用，跟其他電子器件相比的話，IGBT具有可靠性、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、節(jié)能、安裝...
2021-12-28 06:25:45
變頻電源內(nèi)部的元器件有很多，每一個(gè)都發(fā)揮著發(fā)的重要作用。里面的元器件有：整流濾波模塊、LC濾波模塊、控制電路模塊、輔助電源模塊等等。他們都在變頻電源內(nèi)部有著什么樣的重要作用呢，今天中港揚(yáng)盛的技術(shù)員
2021-11-16 07:51:39
一臺(tái)中港揚(yáng)盛的變頻電源組成必然是由很多電力元器件組成而來(lái)的，電力電子裝置內(nèi)部有很多地的連接, 尤其是新型變頻電源主回路、控制回路中應(yīng)用了更多種類的大功率電子元器件。無(wú)論是變頻機(jī)組、變頻感應(yīng)加熱電源
2021-11-15 08:38:16
咨詢關(guān)于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)、功率開(kāi)關(guān)器件及其驅(qū)動(dòng)電路
2020-11-26 22:19:10
NoC為FPGA設(shè)計(jì)提供了哪些優(yōu)勢(shì)？NoC在FPGA內(nèi)部邏輯互連中發(fā)揮的作用是什么？如何利用片上高速網(wǎng)絡(luò)創(chuàng)新地實(shí)現(xiàn)FPGA內(nèi)部超高帶寬邏輯互連？
2021-06-17 11:35:28
推動(dòng)FPGA調(diào)試技術(shù)改變的原因是什么外部邏輯分析儀受到的限制是什么如何用內(nèi)部邏輯分析儀調(diào)試FPGA
2021-04-30 06:44:08
如何解決電源模塊內(nèi)部電磁干擾的問(wèn)題呢？
2023-03-07 18:04:41
字控制邏輯電路整合到一個(gè)封裝內(nèi)，將各種保護(hù)電路集于一身，使外圍元器件降到最少，節(jié)省外圍系統(tǒng)成本。高性能、PSR（原邊反饋）單片開(kāi)關(guān)電源控制器；內(nèi)建700V功率開(kāi)關(guān)管，最.小功率10W、精準(zhǔn)的CV/CC
2020-03-23 14:59:44
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。與功率開(kāi)關(guān)有關(guān)的損耗功率開(kāi)關(guān)是典型的開(kāi)關(guān)電源
2019-07-01 10:20:34
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論?！ ∨c功率
2023-03-16 16:37:04
開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗有哪些
2021-03-11 07:22:34
如何用圖畫(huà)對(duì)一顆芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu)進(jìn)行剖析？電源芯片的內(nèi)部全部單元模塊的功能是讓你實(shí)現(xiàn)的？在IC 內(nèi)部，如何來(lái)設(shè)置每一個(gè)晶體管的工作狀態(tài)
2021-03-11 07:28:23
= 350 mV共模= 1.25 V.我需要將這些引腳連接到FPGA。我想將FPGA內(nèi)部差分終端用于輸入。我的問(wèn)題是：1）我應(yīng)該將引腳連接到HP或HR庫(kù)嗎？2）連接到ADC的銀行的Vcco值應(yīng)該是多少？3
2020-03-23 09:58:00
Achronix 最新基于臺(tái)積電（TSMC）的7nm FinFET工藝的Speedster7t FPGA器件包含了革命性的新型二維片上網(wǎng)絡(luò)（2D NoC）。2D NoC如同在FPGA可編程邏輯結(jié)構(gòu)上
2020-05-12 08:00:00
安路哪些器件自帶大容量內(nèi)部儲(chǔ)存器？
2023-08-11 08:19:50
體積內(nèi)的功率密度大大提高，因此如果電源裝置內(nèi)部的元器件對(duì)其工作環(huán)境溫度的要求沒(méi)有相應(yīng)提高，必然會(huì)使電路性能變壞，元器件過(guò)早失效。因此在大功率直流開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)該設(shè)過(guò)熱保護(hù)電路。本文采用溫度繼電器來(lái)檢測(cè)電源
2019-12-25 18:07:40
AD7147的環(huán)境時(shí)的內(nèi)部校準(zhǔn)邏輯電路的工作原理是什么，是否其在做環(huán)境補(bǔ)償時(shí)，是有一個(gè)內(nèi)部的標(biāo)準(zhǔn)電容作為參考？
2018-08-08 06:54:11
調(diào)試FPGA時(shí)，TD軟件是否支持內(nèi)部邏輯分析（抓波形）功能?
2023-08-11 10:32:27
選購(gòu)電源必備知識(shí) 電源內(nèi)部構(gòu)造及功能詳解 選購(gòu)電源必備知識(shí) 電源內(nèi)部構(gòu)造及功能詳解 對(duì)于很多剛?cè)腴T的朋友來(lái)說(shuō)，對(duì)電源內(nèi)部工作原理和結(jié)構(gòu)都不太熟悉。為了讓大家在知道如何通過(guò)外表選購(gòu)電源之后，能夠
2011-02-23 01:17:03
一種用于離線式開(kāi)關(guān)電源的內(nèi)部電源電路:結(jié)合高壓?jiǎn)?dòng)恒流源設(shè)計(jì)了一種用于離線式開(kāi)關(guān)電源的內(nèi)部電源電路。采用0.6μm BCD工藝模型對(duì)該電路進(jìn)行了仿真，結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的電路在
2009-12-14 09:32:16
20 外部和內(nèi)部計(jì)算機(jī)電源的高效架構(gòu)
2010-06-03 10:51:1738 隨著FPGA設(shè)計(jì)復(fù)雜度的增加,傳統(tǒng)測(cè)試方法受到限制。在高速集成FPGA測(cè)試中，其內(nèi)部信號(hào)的實(shí)時(shí)獲取和分析比較困難。介紹了Quartus II中SingalTap II嵌入式邏輯分析器的使用，并給出一個(gè)
2010-12-17 15:25:1716 cpu的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
1.算術(shù)邏輯單元ALU(Arithmetic Logic Unit) ALU是運(yùn)算器的核心。它是以全加器為基礎(chǔ)，輔之以移位寄存器及相應(yīng)控制邏輯組合而成的電路
2008-01-15 10:32:3521520 介紹ADμC812內(nèi)部 ADC的應(yīng)用,給出安全應(yīng)用A/D轉(zhuǎn)換器的電源條件,并詳細(xì)介紹ADμC812內(nèi)部ADC的C51驅(qū)動(dòng)程序及ADC轉(zhuǎn)換模塊的電路構(gòu)成中應(yīng)注意的事項(xiàng)。
關(guān)鍵詞 ADμC812 A/D轉(zhuǎn)換 C51驅(qū)動(dòng)
2009-06-16 08:45:35934 
PC機(jī)電源內(nèi)部結(jié)構(gòu)
我們要看電源是由什么組成的，最好的方法是我們打開(kāi)電源的外殼，看看電源的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
二極管組成，另一種是將四個(gè)二極管封裝在一起。
2010-01-15 16:58:102144 RCC器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及應(yīng)用，反激式開(kāi)關(guān)電源集成電路包括振蕩器、小占空比產(chǎn)生電路、占空比選擇電路和消隱電路。
2012-03-12 16:36:552855 
某500強(qiáng)內(nèi)部資料開(kāi)關(guān)電源PCB排版基本要點(diǎn)
2015-12-15 18:36:490 陽(yáng)光電源逆變器設(shè)計(jì)內(nèi)部資料陽(yáng)光電源逆變器設(shè)計(jì)內(nèi)部資料
2016-06-22 15:56:1142 一。內(nèi)部類基礎(chǔ) 二。深入理解內(nèi)部類 三。內(nèi)部類的使用場(chǎng)景和好處 四。常見(jiàn)的與內(nèi)部類相關(guān)的筆試面試題 若有不正之處，請(qǐng)多諒解并歡迎批評(píng)指正。 一。內(nèi)部類基礎(chǔ) 在Java中，可以將一個(gè)類定義在另一個(gè)
2017-09-27 16:15:330 CD4049是六反相緩沖器，具有僅用一電源電壓（VCC）進(jìn)行邏輯電平轉(zhuǎn)換的特征。用作邏輯電平轉(zhuǎn)換時(shí)，輸入高電平電壓（V IH）超過(guò)電源電壓V CD。該器件主要用作COS/MOS到DTL/TTL
2017-11-17 09:55:2255060 
了深入 的研 究，并分析 比較 了各種不 同偏王方法 的特 點(diǎn)，從而為正確分析和設(shè)計(jì)單 電源運(yùn)放偏王電路提供依據(jù) 。 單電源運(yùn)放內(nèi)部電路分析通用單電源運(yùn)放的內(nèi)部 電路原 理圖基本相 同 ，這里L(fēng)M358作為對(duì)象進(jìn)行分析 。LM358的內(nèi)部 電路原 理 圖如圖
2017-12-07 15:48:5415 如果線路因波動(dòng)而導(dǎo)致過(guò)壓，則內(nèi)部功率MOSFET會(huì)在處于漏源極范圍內(nèi)的多種電壓條件下關(guān)閉并可能導(dǎo)致雪崩擊穿。 即使電源開(kāi)關(guān)的內(nèi)部MOSFET能夠在瞬態(tài)或異常條件下耐受一定程度的電能應(yīng)力，也應(yīng)當(dāng)將其
2018-06-12 09:19:001057 
本文將以DC/DC降壓電源芯片為例詳細(xì)解說(shuō)一顆電源芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)，它和板級(jí)的線路設(shè)計(jì)有何異同？芯片內(nèi)部的參考電壓又被稱為帶隙基準(zhǔn)電壓，值為1.2V左右。同時(shí)開(kāi)關(guān)電源的基本原理是利用PWM方波來(lái)驅(qū)動(dòng)功率MOS管。
2018-02-21 08:40:0076501 
壓接型IGBT器件內(nèi)部各組件直接堆疊在一起，通過(guò)外部壓力使得各組件間保持良好的機(jī)械與電氣接觸，進(jìn)而引入一定比例的接觸電阻和接觸熱阻，所以器件內(nèi)部的壓力分布不僅影響器件內(nèi)部的電流分布和溫度分布，還將
2018-02-27 11:22:102 器件具有一個(gè)內(nèi)部電路，該電路可以基于不同內(nèi)部晶體管結(jié)點(diǎn)閾值電壓產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于溫度的可變輸出電壓。該指示器可用于測(cè)量介于-40℃到+85℃之間的器件溫度。要獲得精確的結(jié)果，用戶必須對(duì)電路進(jìn)行校準(zhǔn)。
2018-04-20 10:51:3212 電源不像處理器，可以看規(guī)格知性能;電源也不像顯卡，由一顆關(guān)鍵的GPU來(lái)決定檔次。一款好的電源除了滿足功率需求以外，還必須考量穩(wěn)定、節(jié)能、靜音、安全等多方面的因素。
2018-05-29 11:49:358622 對(duì)于一套MES系統(tǒng)，我們不僅要看到它表面上有哪些功能，更重要的是要看到MES系統(tǒng)的內(nèi)部運(yùn)行邏輯，就像是一部車子，一般我們只關(guān)注怎么開(kāi)就行了，至于車子內(nèi)部發(fā)動(dòng)機(jī)是如何運(yùn)作的，剎車系統(tǒng)是如何協(xié)調(diào)
2018-12-26 08:00:0015 所謂“地彈”，是指芯片內(nèi)部“地”電平相對(duì)于電路板“地”電平的變化現(xiàn)象。以電路板“地”為參考，就像是芯片內(nèi)部的“地”電平不斷的跳動(dòng)，因此形象的稱之為地彈（ground bounce）。當(dāng)器件輸出端有一個(gè)狀態(tài)跳變到另一個(gè)狀態(tài)時(shí)，地彈現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致器件邏輯輸入端產(chǎn)生毛刺。
2019-06-27 15:18:042675 
FPGA采用了邏輯單元陣列LCA(Logic Cell Array)這樣一個(gè)概念，內(nèi)部包括可配置邏輯模塊CLB(Configurable Logic Block)、輸出輸入模塊IOB(Input Output Block)和內(nèi)部連線(Interconnect)三個(gè)部分。
2019-06-27 17:52:5625584 解剖常見(jiàn)電子元器件，了解其內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2020-01-15 16:35:039153 了革命性的新型二維片上網(wǎng)絡(luò)（2D NoC）。2D NoC如同在FPGA可編程邏輯結(jié)構(gòu)上運(yùn)行的高速公路網(wǎng)絡(luò)一樣，為FPGA外部高速接口和內(nèi)部可編程邏輯的數(shù)據(jù)傳輸提供了超高帶寬（~27Tbps
2020-03-04 15:59:391517 電源模塊內(nèi)部的磁性元器件，如高頻變壓器和功率電感，在電源正常工作時(shí)，會(huì)在其周圍空間散發(fā)著高頻泄露磁場(chǎng)，尤其當(dāng)變壓器和功率電感為防止磁芯飽和而在磁柱上開(kāi)氣隙時(shí)，其磁場(chǎng)泄露更為嚴(yán)重。當(dāng)磁場(chǎng)泄漏源靠近濾波
2020-03-28 09:10:394712 電源模塊內(nèi)部的磁性元器件，如高頻變壓器和功率電感，在電源正常工作時(shí)，會(huì)在其周圍空間散發(fā)著高頻泄露磁場(chǎng)，尤其當(dāng)變壓器和功率電感為防止磁芯飽和而在磁柱上開(kāi)氣隙時(shí)，其磁場(chǎng)泄露更為嚴(yán)重。當(dāng)磁場(chǎng)泄漏源靠近濾波
2020-03-31 08:51:282913 
IGBT是一種電壓控制型的大功率復(fù)合半導(dǎo)體器件，內(nèi)部輸入級(jí)為MOS場(chǎng)效應(yīng)管，輸出級(jí)為大功率的雙極型三極管。
2020-04-19 09:28:3216651 
可編程邏輯器件（ProgrammableLogicDevice，PLD）是一種半定制集成電路，在其內(nèi)部集成了大量的門和觸發(fā)器等基本邏輯單元電路（LEs），用戶通過(guò)編程來(lái)改變PLD內(nèi)部電路的邏輯關(guān)系或連線，就可以得到所需要的設(shè)計(jì)電路。
2020-06-04 14:26:277379 IR推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 （RDS（on）） 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
2020-08-30 08:33:00702 功率器件結(jié)溫和殼頂溫度，差多少？ 測(cè)量和校核開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如MOSFET或IGBT的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過(guò)程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)
2020-10-19 10:26:573493 
電源不像處理器，可以看規(guī)格知性能;電源也不像顯卡，由一顆關(guān)鍵的GPU來(lái)決定檔次。一款好的電源除了滿足功率需求以外，還必須考量穩(wěn)定、節(jié)能、靜音、安全等多方面的因素。在沒(méi)有專業(yè)設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)的情況下，我們只有了解一些電源的基本原理和元器件知識(shí)，才能做到對(duì)電源“一目了然”。
2021-03-18 08:10:1317 內(nèi)部iCoupler?技術(shù)柵極驅(qū)動(dòng)器傳輸隔離數(shù)據(jù)電源
2021-06-11 13:41:221 、LSI、（內(nèi)部高速，內(nèi)部低速，），高速時(shí)鐘主要用于系統(tǒng)內(nèi)核和總線上的外設(shè)時(shí)鐘。低速時(shí)鐘主要用于獨(dú)立看門狗IWDG、實(shí)時(shí)時(shí)鐘RTC。 1、HSI是高速內(nèi)部時(shí)鐘，RC振蕩器，頻率為8MHz，上電后默認(rèn)的系統(tǒng)時(shí)時(shí)鐘 SYSCLK = 8MHz，F(xiàn)lash編程時(shí)鐘。 2、LSI是低速內(nèi)部時(shí)鐘，
2021-07-22 10:38:5715727 無(wú)刷直流BLDC內(nèi)部資料(深圳市核達(dá)中遠(yuǎn)通電源技術(shù)有限公司招聘電話)-BLDCM的基本組成? ??無(wú)刷直流電機(jī)主要由永磁電動(dòng)機(jī)本體，轉(zhuǎn)子位置檢測(cè)器和功率開(kāi)關(guān)逆變器件三個(gè)部分組成。電力電子開(kāi)關(guān)逆變器
2021-09-23 12:20:1827 變頻電源內(nèi)部的元器件有很多，每一個(gè)都發(fā)揮著發(fā)的重要作用。里面的元器件有：整流濾波模塊、LC濾波模塊、控制電路模塊、輔助電源模塊等等。他們都在變頻電源內(nèi)部有著什么樣的重要作用呢，今天中港揚(yáng)盛的技術(shù)員
2021-11-09 09:51:042 變頻電源內(nèi)部IGBT模塊的作用是怎樣的：IGBT是變頻電源中的一種，是能源變換與傳輸?shù)暮诵?b class="flag-6" style="color: red">器件。他是將變頻電源里的直流變?yōu)榻涣鞴╇姍C(jī)使用，跟其他電子器件相比的話，IGBT具有可靠性、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、節(jié)能、安裝...
2022-01-06 11:28:2011 開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。
2022-03-21 17:31:393727 邏輯單元（Logic Element，LE）在FPGA器件內(nèi)部，用于完成用戶邏輯的最小單元。一個(gè)邏輯陣列包含16個(gè)邏輯單元以及一些其他資源， 在一個(gè)邏輯陣列內(nèi)部的16個(gè)邏輯單元有更為緊密的聯(lián)系，可以實(shí)現(xiàn)特有的功能。
2022-06-15 16:50:212604 電源不像處理器，可以看規(guī)格知性能;電源也不像顯卡，由一顆關(guān)鍵的GPU來(lái)決定檔次。一款好的電源除了滿足功率需求以外，還必須考量穩(wěn)定、節(jié)能、靜音、安全等多方面的因素。
2022-08-04 11:19:421184 這個(gè)圖包含了電源芯片的內(nèi)部全部單元模塊，BUCK結(jié)構(gòu)我們已經(jīng)很理解了，這個(gè)芯片的主要功能是實(shí)現(xiàn)對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)，并通過(guò)FB腳檢測(cè)輸出狀態(tài)來(lái)形成環(huán)路控制PWM驅(qū)動(dòng)功率MOS管，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓或者恒流輸出。這是一個(gè)非同步模式電源，即續(xù)流器件為外部二極管，而不是內(nèi)部MOS管。
2022-08-12 14:26:362016 大家好，我們都知道無(wú)論是**功率半導(dǎo)體模塊封裝設(shè)計(jì)**還是**功率變換器的母線**設(shè)計(jì)，工程師們都在力求 **雜散電感最小化** ，因?yàn)檫@樣可以有效減小器件的 **開(kāi)關(guān)振蕩及過(guò)壓風(fēng)險(xiǎn)** ，今天我們結(jié)合主流功率半導(dǎo)體廠商的SiC MOSFET模塊，聊一下低雜感模塊封裝內(nèi)部是如何設(shè)計(jì)的？
2023-01-21 15:45:00913 
開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。
2023-01-29 09:35:17535 當(dāng)器件內(nèi)部，載流子在不連續(xù)的材料上移動(dòng)時(shí)，會(huì)隨機(jī)的遭遇到捕獲和釋放，進(jìn)而產(chǎn)生閃爍噪聲。
2023-05-08 17:10:471158 
我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">電源設(shè)計(jì)及調(diào)試過(guò)程中，當(dāng)碰到問(wèn)題的時(shí)候，應(yīng)該將自己的思想進(jìn)入電源內(nèi)部，以自己如果是電源控制部分，碰到這樣的問(wèn)題該如何解決。
2023-05-29 14:51:05650 
開(kāi)關(guān)電源的內(nèi)部損耗大致包括 開(kāi)關(guān)電源是現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的一種高效能、壓降小、重量輕的電源。它具有高效、小型、輕量等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用廣泛。但同時(shí)也存在著其內(nèi)部損耗這一問(wèn)題。開(kāi)關(guān)電源的內(nèi)部損耗主要包括幾個(gè)
2023-08-27 16:13:17743 在實(shí)際工程應(yīng)用原理設(shè)計(jì)時(shí)，往往會(huì)分很多的地，比如輸入電源地、內(nèi)部電源地、功率地、模擬地、邏輯地、數(shù)字地、機(jī)殼地等。
2023-10-16 09:31:47766 
過(guò)程中的損耗等。 首先，我們來(lái)了解開(kāi)關(guān)器件損耗。開(kāi)關(guān)電源通常包括開(kāi)關(guān)管和二極管等器件。在工作過(guò)程中，開(kāi)關(guān)管用于控制電能的流動(dòng)，當(dāng)開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，會(huì)有一定的電壓降和功率損耗。而當(dāng)開(kāi)關(guān)管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，會(huì)有一定的
2023-11-30 15:32:53502 的FPGA內(nèi)部信號(hào)引到引腳，然后用外部的邏輯分析儀捕獲數(shù)據(jù)。然而當(dāng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度增加時(shí)，這個(gè)方法就不再適合了，其中有幾個(gè)原因。第一是由于FPGA的功能增加了，而器件的引腳數(shù)目卻緩慢地增長(zhǎng)。因此，可用邏輯對(duì)I/O的比率減小了，參見(jiàn)圖1。此外，設(shè)計(jì)很復(fù)雜時(shí)
2023-12-20 13:35:01147 
AMAZINGIC晶焱科技：系統(tǒng)內(nèi)部電路中 主芯片內(nèi)部電源提供 EOS 防護(hù)
2023-12-29 10:21:52210 
電源芯片是現(xiàn)代電子設(shè)備中的關(guān)鍵部件，它們負(fù)責(zé)將電能從輸入端轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓，為其他元器件提供所需的工作電壓。電源芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)對(duì)其性能和可靠性具有重要影響。本文將對(duì)電源芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)介紹
2024-01-05 14:56:11948 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FP6180 內(nèi)置內(nèi)部功率MOSFETMO一般說(shuō)明》資料免費(fèi)下載
2024-01-10 14:16:360 Amazingic晶焱科技：提供系統(tǒng)內(nèi)部電路中 主芯片內(nèi)部電源提供 EOS 防護(hù)方案應(yīng)用
2024-01-24 10:22:16170 
集線器內(nèi)部采用了電器互聯(lián)，當(dāng)維護(hù)LAN的環(huán)境是邏輯總線或環(huán)型結(jié)構(gòu)時(shí)，完全可以用集線器建立一個(gè)物理上的星型或樹(shù)型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。
2024-03-22 15:22:15155 
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