瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1252 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311170 中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-13 16:38:50712 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請教個問題本人有臺開關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個大容，四個場效應(yīng)管組成的對管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開電沒問題。只要工作就燒開關(guān)管，大功率場效應(yīng)管，兩個對管。問問是怎么回事，會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一個項目，直流輸出有600V，輸出與控制板完全隔離，現(xiàn)在我想通過電阻分壓的方式對其進行采樣。分別對輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因為輸出地相對板子地是懸浮的，所以分壓電路設(shè)計上難把握。請問板上大聲有沒有有經(jīng)驗的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時，它充當(dāng)增強型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當(dāng)柵極施加正電壓時，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
`N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
，合適于功率MOSFET的應(yīng)用。這種結(jié)構(gòu)稱為垂直導(dǎo)電雙擴散MOS結(jié)構(gòu)VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
電源，這樣就可以將N溝道同步整流功率MOSFET管放在高端。圖6：次級同步整流管放高端（左）、低端（4）通訊系統(tǒng)48V輸入系統(tǒng)的熱插撥如果是-48V的系統(tǒng)，熱插撥的功率MOSFET使用N溝道類型，放在
2016-12-07 11:36:11
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
。高邊連接的MOSFET或IGBT的工作電壓可高達+600V，IRS26302D廣泛用于通用逆變器和空調(diào)器逆變器以及馬達控制。它為44腳PLCC封裝工藝。一、IRS26302DJBPF外觀圖
2021-05-18 07:25:34
`ISA04N65A N溝道MOSFETTO-220F 應(yīng)用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?充電器?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS待機功率?低門電荷 ?LCD面板電源?峰值電流與脈沖寬度曲線 [/td][td]?ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N溝道 MOSFETISU04N65A N溝道MOSFETTO-251 應(yīng)用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?電視主要電源?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS電源?低門電荷
2018-09-06 13:45:25
LT1158上單個輸入引腳的典型應(yīng)用同步控制圖騰柱配置中的兩個N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器
2019-05-14 09:23:01
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動IC，提供兩個輸出，用于直接驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，使用自舉技術(shù)
2021-11-23 13:57:47
子的歐姆區(qū)域（ohmic region），MOSFET“完全導(dǎo)通”。在對比圖中，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強。施加
2018-03-03 13:58:23
】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A
2020-06-05 10:24:53
AO系列MOS管。SL2060場效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L
2020-06-13 11:47:55
：廠家直銷，價格優(yōu)勢，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。SL2060場效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A
2020-06-19 10:57:37
SL2302 20V4.2A 36毫歐 SOT23【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道
2020-06-19 10:59:26
10場效應(yīng)管100V25A N溝道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-09 10:23:37
】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A
2020-06-05 10:20:57
、背光驅(qū)動芯片/MOS管SL3009N溝道SOP-830V 9ASL4354N溝道SOP-830V20A可替換 AO4354SL4406N溝道SOP-830V13A可替換 AO4406A
2020-08-03 14:29:24
，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。SL2060場效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V
2020-06-19 11:00:56
SL3020雙管30V16A 19毫歐DFN3.3x3.3-8-EPSL3020 N溝道場效應(yīng)管 30V16A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得
2020-06-20 10:04:16
SL3042 30V88A 8.5毫歐DFN5x6A-8_EPSL3042 N溝道場效應(yīng)管 30V88A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴
2020-06-20 10:05:27
SL3400 30V5.7A 18毫歐SOT23-3LSL3400 N溝道場效應(yīng)管 30V5.7A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作
2020-06-20 10:11:31
`SL3402 30V4A 40毫歐SOT23-3LSL3402 N溝道場效應(yīng)管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實力中低
2020-06-22 10:53:25
SL3404 30V5.7A 19毫歐SOT23-3LSL3404 N溝道場效應(yīng)管 30V5.7A的功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-22 11:03:37
SL3404 30V5.7A 19毫歐SOT23-3LSL3404 N溝道場效應(yīng)管 30V5.7A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作
2020-06-24 10:37:08
SL3406 30V4A 50毫歐 SOT23-3LSL3406 N溝道場效應(yīng)管30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實力中低
2020-06-24 10:39:23
SL3414 20V6A 20毫歐SOT23-3LSL3414 N溝道場效應(yīng)管20V6A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實力中低
2020-06-24 10:40:54
SL3414E 20V4A 20毫歐SOT23-3L帶靜電保護SL3414EN溝道場效應(yīng)管20V6A帶靜電保護的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得
2020-06-29 16:31:55
，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝
2020-06-29 16:40:19
SL3422 55V2.1A 90毫歐SOT23-3LSL3422 N溝道場效應(yīng)管55V2.1A功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實力
2020-07-01 16:55:47
10場效應(yīng)管100V35A N溝道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-09 10:36:41
】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A
2020-06-05 10:23:09
及方案解決，提供原裝正品芯片、提供技術(shù)支持、提供優(yōu)先貨源，保障客戶利益，為客戶提供全方面服務(wù)。我司還提供MOS管，支持樣品測試供應(yīng)【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A
2020-07-27 17:15:08
場效應(yīng)管30V39A N溝道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:31:13
SL4184 40V60A 9毫歐TO-252SL4184 N溝道場效應(yīng)管40V60A功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實力中低壓MOS
2020-07-01 16:58:17
`SL4430 30V18A 4.5毫歐SOP-8SL4430 N溝道耐壓30V18A系列中低壓MOS管 【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-08-03 14:48:45
溝道 TO-252 替代AOD484 功率MOS管SL403-30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道替代AOD403SL48430V41A14毫歐TO-252封裝 N溝道替代
2020-06-04 13:58:07
`、【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道
2021-06-16 10:03:36
06場效應(yīng)管60V50A N溝道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:33:23
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLD80N06T 80A/60V TO-252 N溝道 MOS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷SLD80N06T 參數(shù)：60V80ATO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 15:06:41
具有高脈沖電流緩沖級的設(shè)計最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達600V耐負瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動電源
2021-05-11 19:40:19
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLN30N03T30V 30A N溝道 MOS，原裝現(xiàn)貨熱銷 SLN30N03T參數(shù)： 30V30ADFN3*3-8 N溝道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 14:57:10
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應(yīng)管
2021-03-24 10:35:56
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
圖1為二個P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號為：AO4459。Q3和R1實現(xiàn)恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
【中低壓MOS供應(yīng)】VS3622DE，30V/35A，雙N溝道高級功率MOSFET 【中低壓MOS供應(yīng)】VS4610AE，40V55A，N溝道高級功率MOSFET VS3622DE
2020-11-04 14:40:31
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
MOSFET作為開關(guān)使用串聯(lián)在電池負極和開關(guān)電源負極之間，但總是燒壞MOSFET，MOSFET選用的是IXFN420N10T，Ids可達420A，Vds最大100V，而開關(guān)電源是適配48V，電池是鉛酸電池
2016-09-06 12:51:58
`【MOS管原廠】HC36012參數(shù)：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場效應(yīng)管品牌：惠海型號：HC36012VDS：30V IDS：10A 封裝：TO-252溝道：N溝道 【20V
2020-11-02 16:02:10
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
。功率 MOSFET 的分類及優(yōu)缺點和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強型有不少的優(yōu)勢，但實際上
2019-11-17 08:00:00
，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強。施加的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應(yīng)用中
2021-04-09 09:20:10
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓，請問有懂這個的能說一下能實現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計，配有高端和低端驅(qū)動器，可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
600V MOSFET繼續(xù)擴展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通
2012-05-03 17:29:421434 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓，高速半橋預(yù)潛水員對功率MOSFET和IGBT。它具有高側(cè)和低側(cè)的輸入，以及具有內(nèi)部死區(qū)時間的兩個輸出通道，以避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)。輸入邏輯水平與3.3v/5v/15v信號兼容。浮高側(cè)通道可驅(qū)動N溝道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:37
56 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
在高溫下，溫度系數(shù)會顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的，在接近最高結(jié)溫時，溫度系數(shù)會讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 SVF12N60F/S/K 600V N溝道增強型場效應(yīng)管資料下載。
2022-02-16 14:52:580 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH600UNE
2023-02-20 20:06:390 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNE
2023-02-27 19:04:540 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB600UNEL
2023-02-27 19:10:050 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ600UNEL
2023-02-27 19:10:580 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNEL
2023-02-27 19:16:050 30 V、單 P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB47XP
2023-03-02 22:21:130 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB600UNE
2023-03-02 22:48:200 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ600UNE
2023-03-02 22:49:200 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30228 
這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級使用6個N溝道MOSFET IRFP450，即可為您提
2023-07-28 17:04:191358 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 （Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應(yīng)用場景：適用于高效率開關(guān)電源、電機驅(qū)動器和照明應(yīng)用等，可用于電源因數(shù)校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
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