，所以器件的不匹配性隨著器件尺寸的減小越加明顯。在短溝道CMOS電路中由于不匹配性引起的特性變化可能會限制器件尺寸的減小而影響工藝水平的發(fā)展，這樣不匹配性的消除就顯得更重要。
2020-08-11 15:29:09
2739 
本文報道了TSV過程的細節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究了TSV的電學特性，結果表明TSV具有低電阻和低電容；小的TSV-硅漏電流和大約83%的高TSV產(chǎn)率。
2022-06-16 14:02:432749 
咱們前幾期講的一直是NMOS，導電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結構上的不同點在于半導體基板的材料恰恰相反，是在N型摻雜基板的基礎上加了兩塊重摻雜的P型半導體，這兩塊兩塊重摻雜的P型半導體分別為PMOS的源級和漏極，金屬部分和NMOS一樣仍然作為柵極。PMOS導電靠的是溝道中的空穴。
2023-02-16 11:41:196888 
管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。
2023-02-16 17:00:154430 
MOSFET器件是數(shù)字集成電路的最小單位，因為MOSFET的開關特性和輸出曲線特性，由PMOS和NMOS組成的CMOS門電路，則為數(shù)字集成電路最基本的電路結構。
2023-07-11 10:49:588009 
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 10:42 編輯
0.18μm CMOS工藝的2.5GHz環(huán)形壓控振蕩器設計 誰能給點入門資料以及提供可以用的電路圖萬分感激
2013-04-11 19:56:29
。并研究了非對稱晶閘管的制作工藝,樣品測試結果表明,6.5kV非對稱型晶閘管的設計參數(shù)和制作工藝方案是合理可行的。【關鍵詞】：電力半導體器件;;非對稱晶閘管;;模擬;;優(yōu)化設計;;制作工藝【DOI
2010-05-04 08:06:51
CMOS是一個簡單的前道工藝，大家能說說具體process嗎
2024-01-12 14:55:10
問:為什么現(xiàn)在的CMOS工藝一般都是用P襯底而不是N襯底？兩者有什么區(qū)別?。看?為什么CMOS工藝采用P襯底，而不用N襯底？這主要從兩個方面來考慮：一個是材料和工藝問題；另一個是電氣性能問題。P型
2012-05-22 09:38:48
CMOS工藝鋰電池保護電路圖的實現(xiàn)
2012-08-06 11:06:35
做得非常小，并且CMOS的集成密度非常高。因此，一般高壓、大功率的MOS管大部分還都得用垂直生產(chǎn)工藝制造的NMOS或PMOS管。
2012-05-21 17:38:20
。由于雙極性器件固有的特性優(yōu)于CMOS器件，因此一些研究人員認為射頻CMOS只適用于具有較低性能標準，如ISM等低性能系統(tǒng)，或者可以通過改進CMOS工藝，如蝕刻電感器下面的基底來提高其性能。射頻
2021-07-29 07:00:00
這種場合，大部分都是從工藝，導通電阻 Rds 來解釋，但隨著半導體工藝的進步，現(xiàn)今的 PMOS 與 NMOS 之間差距已經(jīng)不大了，從 SOT-23 的封裝來看，兩者的大小也是差不多的。個人覺得...
2021-10-28 07:04:20
、上位機等，給新手綜合學習的平臺，給老司機交流的平臺。所有文章來源于項目實戰(zhàn)，屬于原創(chuàng)。一、原理介紹如上圖，PMOS管是壓控型器件，Vgs大于開啟電壓時，內(nèi)部溝道在場強的作用下導通，Vgs小于開啟...
2021-07-19 07:10:33
PMOS全稱是P型金屬氧化物半導體(positive channel Metal Oxide Semiconductor)，MOSFET為壓控型器件。當電壓Vgs低于閾值Vth時，PMOS在場強的作用
2022-01-13 08:22:48
COMS工藝制程技術主要包括了：1.典型工藝技術：①雙極型工藝技術② PMOS工藝技術③NMOS工藝技術④ CMOS工藝技術2.特殊工藝技術。BiCOMS工藝技術，BCD工藝技術，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
我在測試PMOS管的導通特性發(fā)現(xiàn)了這個問題，大家?guī)臀铱纯词悄睦锏膯栴}，電路圖見附件。
2017-12-29 15:26:33
`SOD323系列普容TVS單向/雙向瞬變二極管 18V DCSD18-HESD 保護和 TVS 浪涌二極管保護您的系統(tǒng)免受 ESD 和浪涌沖擊。我們的保護二極管的特性包括超低電容、低泄漏電流、低鉗
2021-07-12 09:20:36
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術簡介編號：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導電特性可分為三大類：絕緣體導體半導體
2021-07-09 10:26:01
申請理由：項目描述：1.研究該傳感器的功能2.將該傳感器與變噴桿相結合，檢測噴桿轉換過程的位置變化，提高噴桿的動態(tài)響應特性，實時控制噴桿變形啟停。
2016-10-08 16:35:04
隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動通訊技術的進步，射頻微波器件的性能與速度成為人們關注的重點，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設計的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說，有哪些選擇途徑？為什么要選擇標準CMOS工藝集成肖特基二極管？
2019-08-01 08:18:10
什么是PMOS管？PMOS管有哪些特性？PMOS管有什么導通條件？
2021-06-16 08:07:07
最近幾年，我們已經(jīng)開始看到一些有關射頻(RF)CMOS工藝的參考文獻和針對這些工藝的RF模型參考文獻。本文將探討這類RF所指代的真正含義，并闡述它們對RF電路設計人員的重要性。我們可以從三個角度
2019-06-25 08:17:16
有哪些方法可以獲得MOS變容管單調(diào)的調(diào)諧特性？MOS變容管反型與積累型MOS變容管
2021-04-07 06:24:34
1 MOS管導通截止原理NMOS管的主回路電流方向為D—>S，導通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。PMOS管的主回路電流方向為S—>D，導通條件為
2023-02-17 13:58:02
小弟正在做一個單相UPS逆變系統(tǒng)的仿真研究，現(xiàn)在遇到一個問題，請教一下大家~！在simulink中我用電壓外環(huán)、電流內(nèi)環(huán)實現(xiàn)逆變器的控制，那么我該怎么產(chǎn)生SPWM波呢？也就是我的三角波載波的幅值該怎么得到？是通過閉環(huán)反饋回來的值還是設定一個固定的值？
2014-03-18 15:45:25
摘要: 本文設計了一種CMOS工藝下的欠壓保護電路，首先分析了電路的工作原理，而后給出了各MOS管的參數(shù)計算，并給出pspice仿真的結果。此電路結構簡單，工藝實現(xiàn)容易，可用于高壓和功率集成電路
2018-08-27 15:54:31
的變?nèi)荻O管作為壓控器件，然而在用實際工藝實現(xiàn)電路時，會發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實現(xiàn)的器件來代替一般的變?nèi)荻O管，MOS變容管便應
2019-06-27 06:58:23
、數(shù)據(jù)傳輸帶寬帶來了巨大壓力,所以為了保障容災系統(tǒng)高效穩(wěn)定地運行,需要建立一個存儲容量優(yōu)化機制來減少數(shù)據(jù)對存儲容量需求。本課題以“基于重復數(shù)據(jù)刪除技術的容災系統(tǒng)的研究”為題,在深入研究容災備份中存儲容量
2010-04-24 09:19:47
如何利用0.18μm CMOS工藝去設計16:1復用器？以及怎樣去驗證這種復用器？
2021-04-09 06:39:47
本文研究了一個用0.6μm CMOS工藝實現(xiàn)的功率放大器， E型功率放大器具有很高的效率，它工作在開關狀態(tài)，電路結構簡單，理想功率效率為 100%，適應于恒包絡信號的放大，例如FM和GMSK等通信系統(tǒng)。
2021-04-23 07:04:31
本文采用0.18 μm CMOS工藝設計了一種適用于TI-ADC的高速、低功耗開環(huán)T&H電路。
2021-04-20 06:58:59
三角波信號發(fā)生器的原理是什么？三角波信號發(fā)生器的設計約束是什么？如何采用CMOS工藝去設計三角波信號發(fā)生器？
2021-04-13 06:26:12
本文給出了使用CMOS工藝設計的單片集成超高速4：1復接器。
2021-04-12 06:55:55
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）在阻變存儲器研究工作中取得進展，并被美國化學協(xié)會ACS Nano雜志在線報道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機存儲器（ReRAM）具有低廉的價格
2010-12-29 15:13:32
本文選擇了SoC芯片廣泛使用的深亞微米CMOS工藝，實現(xiàn)了一個10位的高速DAC。該DAC可作為SoC設計中的IP硬核，在多種不同應用領域的系統(tǒng)設計中實現(xiàn)復用。
2021-04-14 06:22:33
近年來，有關將CMOS工藝在射頻（RF）技術中應用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標準
2019-08-22 06:24:40
，標準CMOS工藝技術在速度上仍有潛力可挖。 （1）隨著深亞微米工藝技術的開發(fā)，標準 CMOS工藝仍有速度潛力。 器件尺寸細微化一直是設計師追求的目標，器件尺寸小意味著寄生電容小，這種特性有利于制造高速
2018-11-26 16:45:00
化組織（ISO）7637和ISO 16750等行業(yè)標準給出的標準脈沖波形之外，還具有獨特且廣泛的傳導抗擾度測試套件。表1列出了幾種欠壓和過壓汽車瞬變特性。 瞬態(tài)原因幅度和持續(xù)時間相關標準負載突降高輸出
2019-03-19 06:45:10
CAD/CAE/CAM 一體化技術課題，以其中的三個關鍵性問題：沖壓方向的確定、壓料面的創(chuàng)建以及工藝補充的自動添加為主要研究內(nèi)容，進行了從理論分析到程序設計的深入研究，該研究成果作為大型覆蓋件模具智能
2009-04-16 13:34:15
背壓是什么？背壓是如何形成的？注塑成型工藝中的背壓到底有多重要？適當調(diào)校背壓的好處有哪些？過高的背壓易出現(xiàn)哪些問題？如何去調(diào)校注塑背壓？
2021-07-13 08:38:01
不同特征尺寸的MOS晶體管,計算了由這些晶體管組成的靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)單粒子翻轉的臨界電荷Qcrit、LET閾值(LETth),建立了LETth與臨界電荷之間的解析關系,研究了特征工藝尺寸
2010-04-22 11:50:00
幾個傳統(tǒng)的工藝如壓裝，注油，焊接等。其中壓裝工藝在電機裝配中應用最多，也最為廣泛。如壓軸承到轉子，壓卡簧，壓硅鋼片到轉子，壓換向器，壓軸承到殼體等等。只是一個簡單的壓裝其中涉及的知識點之深，也是讓人感嘆
2018-10-11 11:10:07
，還有幾個傳統(tǒng)的工藝如壓裝，注油，焊接等?！ ∑渲?b class="flag-6" style="color: red">壓裝工藝在電機裝配中應用最多，也最為廣泛。如壓軸承到轉子，壓卡簧，壓硅鋼片到轉子，壓換向器，壓軸承到殼體等等。只是一個簡單的壓裝其中涉及的知識點之深
2023-03-08 16:21:51
程 序 控 制 電 壓 源 及 其 電 磁 兼 容 性 設 計
2012-08-20 16:14:23
礦山車輛胎壓監(jiān)測是以無損檢測技術為基礎，通過研究車輛胎壓的實時信號，了解礦山車輛的輪胎氣壓的變化特性，從而達到礦山車輛安全監(jiān)控提供依據(jù)。
2020-03-11 06:52:27
，電流也應該是從s到d吧，那USBVCC怎么供電的呢？方向不對啊4、當Vin是0的時候，通過穩(wěn)壓器不會輸出5V，所以G的電位經(jīng)過比較器的輸出應該是0，S的電位因為穩(wěn)壓器不會輸出5V所以也是0，這樣Vgs沒有壓差，不能滿足PMOS開通條件，那USBVCC是怎么供電的呢？
2016-09-22 10:56:56
各位，請問華強pcb的工藝可以打孔徑10mil，變徑20mil的過孔嗎？
2019-09-06 03:01:32
請問在Cadence中如何測量MOS電容的伏容特性曲線？
2021-06-24 06:53:00
因為設計電路需要正負10v的輸入電壓，因此設計高壓的柵壓自舉開關，VDD=15 ,VSS=-15 CLK=-15到15 VIN幅值10電路工作狀態(tài)為CLK為高電平時，上面接VDD的PMOS和下面接
2021-06-24 06:42:08
串聯(lián)諧振裝置用一節(jié)分壓器變比怎么計算？串聯(lián)諧振裝置介紹串聯(lián)諧振也稱為串聯(lián)諧振耐壓裝置，是替代直流耐壓采用工頻輸出的方式用于高電壓電氣設備的絕緣強度，串諧振是由變頻電源，勵磁變壓器，電抗器、補償，交流
2020-12-14 16:57:42
，G極電壓拉低，PMOS導通；而無負電， 即0V時，NPN關斷，G極應為6V，PMOS截止。但在仿真中，如附件所示，仿真結果不符。查詢datasheet，采用的IRF9130 PMOS管的開啟電壓Vth為 -4~-2V，仿真壓差在應當是符合的吧，但結果不符是為什么呢？
2019-11-06 01:33:07
全球知名的半導體廠商羅姆(ROHM)公司推出了采用CMOS工藝的具有超低電流消耗特性的高精度監(jiān)控IC，它們符合汽車應用的AEC-Q100標準，在整個工作溫度范圍內(nèi)釋放電壓精度為±50 mV。電壓監(jiān)控
2019-03-18 05:17:04
之前一直聽說
Pmos的
工藝難度難于Nmos，但是一直沒高清楚具體是為什么？不知道論壇的大大們有誰了解的，能給一個比較完整的答案。渣渣在這里拜謝了！?。。。?/div>
2015-05-07 17:07:11
本文在通過對多種傳統(tǒng)充電方式的研究，綜合各種方式的優(yōu)點，提出了限壓變流脈沖充電方式，使實際充電電流接近充電可接受電流，縮短充電時間，并有效防止極化，快速、高效、安全。同時，應對電池組中單個電池狀態(tài)
2021-02-25 07:33:11
霍爾IC芯片的制造工藝霍爾IC傳感器是一種磁性傳感器，通過感應磁場的變化，輸出不同種類的電信號。霍爾IC芯片主要有三種制造工藝，分別為 Bipolar、CMOS 和 BiCMOS 工藝，不同工藝的產(chǎn)品具有不同的電參數(shù)與磁參數(shù)特性?；魻栁㈦娮涌路迹?**）現(xiàn)為您分別介紹三種不同工藝產(chǎn)品的特點。
2016-10-26 16:48:22
CMOS觸發(fā)器在CP邊沿的工作特性研究
對時鐘脈沖(簡稱CP)邊沿時間的要求,是觸發(fā)器品質(zhì)評價的重要指標之一。觸發(fā)器只有在CP邊沿陡峭(短的邊沿時
2009-10-17 08:52:121622 
基于交叉耦合NMOS 單元,提出了一種低壓、快速穩(wěn)定的CMOS 電荷泵電路。一個二極管連接的NMOS 管與自舉電容相并聯(lián),對電路進行預充電,從而改善了電荷泵電路的穩(wěn)定建立特性。PMOS 串聯(lián)開
2011-11-02 11:25:47
71 PMOS 驅動電路 :
2012-04-01 15:31:2114031 
研究了在熱載流子注入HCI(hot2carrier injection) 和負偏溫NBT (negative bias temperature) 兩種偏置條件下pMOS 器件的可靠性. 測量了pMOS 器件應力前后的電流電壓特性和典型的器件參數(shù)漂移,并與單獨
2012-04-23 15:39:3747 近年來，有關將CMOS工藝在射頻（RF）技術中應用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利
2012-05-21 10:06:191850 
CMOS工藝，具體的是CMOS結構對集成電路設計有幫助，謝謝
2016-03-18 15:35:5221 不同吸油率油浸紙板介電特性及電導特性研究_徐征宇
2017-01-08 13:26:490 本文研究了在CMOS工藝中I/O電路的ESD保護結構設計以及相關版圖的要求，其中重點討論了PAD到VSS電流通路的建立。
2017-09-07 18:29:517 近年來，有關將CMOS工藝在射頻（RF）技術中應用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標準
2017-11-25 11:07:014628 
而mems即微機電系統(tǒng),是一門新興學科和領域,跟ic有很大的關聯(lián),當然mems工藝也和cmos工藝會有很大的相似之處,現(xiàn)在的發(fā)展方向應該是把二者集成到一套的工藝上來.
對mems不是特別的了）
2018-07-13 14:40:0019763 本文首先介紹了CMOS反相器的傳輸特性，其次介紹了cmos反相器概念，最后介紹了CMOS反相器的工作原理。
2018-08-16 14:51:0422529 由前面的基礎可知，CMOS只能實現(xiàn)基本邏輯的非，比如或邏輯，與邏輯，如果不加反相器，CMOS只能實現(xiàn)或非，與非邏輯。原因就是上拉邏輯只能用PMOS實現(xiàn)，下拉邏輯只能由NMOS實現(xiàn)，而PMOS的導通需要輸入信號為0，NMOS導通需要輸入信號為1。
2018-09-07 14:43:205465 
不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路（見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路）出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡單
2018-11-27 16:46:263162 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是CMOS工藝制程技術的詳細資料說明。主要包括了：1.典型工藝技術：①雙極型工藝技術② PMOS工藝技術③NMOS工藝技術④ CMOS工藝技術2.特殊工藝技術。BiCOMS工藝技術，BCD工藝技術，HV-CMOSI藝技術。
2019-01-08 08:00:0075 隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動通訊技術的進步，射頻的性能與速度成為人們關注的重點，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設計的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說，選擇
2020-09-25 10:44:002 不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關系，對中國本土 MEMS 制造工廠和實驗室的建議
2022-12-13 11:42:001674 用MOS做高側開關時，PMOS比NMOS更便于控制，不用額外的電荷泵升壓，柵極拉低和置高就能控制通斷。而隨著半導體工藝的進步，PMOS在導通內(nèi)阻方面的參數(shù)漸漸好轉，逐步縮小了與NMOS的差距，使得
2021-11-07 13:51:0364 CMOS工藝流程介紹，帶圖片。
n阱的形成 1. 外延生長
2022-07-01 11:23:2027 Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 結構在制作 CMOS 之前完成，帶有MEMS 微結構部分的硅片可以作為 CMOS 工藝的初始材料。
2022-10-13 14:52:435875 CMOS 集成電路的基礎工藝之一就是雙阱工藝，它包括兩個區(qū)域，即n-MOS和p-MOS 有源區(qū)
2022-11-14 09:34:516645 在網(wǎng)上查了一些關于 PMOS 和 NMOS 哪個更適合用于電源開關這種場合，大部分都是從工藝，導通電阻 Rds 來解釋，但隨著半導體工藝的進步，現(xiàn)今的 PMOS 與 NMOS 之間差距已經(jīng)不大了，從 SOT-23 的封裝來看，兩者的大小也是差不多的。個人覺得，PMOS 用于電源開關更多是為了方便控制。
2023-03-10 13:49:594763 
利用CMOS設計電路需先自行學習NMOS和PMOS的基本原理。
2023-04-11 09:01:564871 CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎上發(fā)展起來的。
2023-07-06 14:25:011786 
因為CMOS工藝易于集成化，并且相對較低的電路功耗，所以。個人電腦、互聯(lián)網(wǎng)絡和數(shù)字革命，強烈推動了對CMOS集成電路芯片的需求，基于CMOS工藝設計、加工、生產(chǎn)出來的芯片是電子工業(yè)中最常見的IC芯片
2023-07-24 17:05:381131 
等。CMOS反相器的工作原理是利用n型金屬氧化物半導體場效應晶體管（NMOS）和p型金屬氧化物半導體場效應晶體管（PMOS）兩種晶體管的互補特性，將它們組合成一個電路，以實現(xiàn)信號的放大、邏輯變換等功能。 在CMOS反相器中，NMOS和PMOS晶體管的連接方式相對固定，即
2023-09-12 10:57:241753 PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補型式，也稱為CMOS技術，其中C代表互補（Complementary
2023-12-07 09:15:361025 NMOS和PMOS是常見的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的兩種類型，它們在電子器件中起到不同的作用。NMOS和PMOS的符號和電路結構差異體現(xiàn)了它們的不同工作原理和特性。接下來，我們
2023-12-18 13:56:221530 影響CMOS反相器特性的因素? CMOS反相器是一種常見的數(shù)字電路，用于將輸入信號取反輸出。它由一個P型MOS管和一個N型MOS管組成，通過控制兩個管的開關狀態(tài)，實現(xiàn)輸入信號的取反輸出。CMOS
2024-01-26 14:21:10277 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術是將雙極型晶體管、CMOS（互補金屬氧化物半導體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）晶體管技術組合在單個芯片上的高級制造工藝。
2024-03-18 09:47:41186 
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