只要問任何經(jīng)驗(yàn)豐富的電氣工程師——如我們今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 柵極前要放什么，你很可能會(huì)聽到“一個(gè)約 100 Ω 的電阻”。
2018-04-16 08:53:16
14343 
MOSFET的柵極電阻有什么關(guān)鍵作用？
2019-05-11 09:32:1113279 
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗，柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:002391 
等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效，因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點(diǎn)。
2022-08-23 09:27:541525 MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分，一個(gè)典型的N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個(gè)平面內(nèi)，半導(dǎo)體的另一個(gè)平面可以稱為體端，所以在一些書籍和資料中，也將MOSFET
2022-09-06 10:53:004095 為了穩(wěn)定性，必須在 MOSFET 柵極前面放一個(gè) 100 Ω 電阻嗎？
2023-03-13 10:18:05957 等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效，因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點(diǎn)。
2023-05-04 09:43:01735 
為什么有時(shí)候需要MOSFET柵極電阻？它應(yīng)該是什么價(jià)值？它應(yīng)該在下拉電阻之前還是之后？事實(shí)上，有許多電路是在沒有柵極電阻的情況下工作的，但添加一個(gè)可以防止一些潛在的問題。1000Ω很可能會(huì)起作用。
2023-07-06 11:10:48954 
MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動(dòng)器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級(jí)考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
本文就MOSFET的開關(guān)過程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關(guān)斷的過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)。
2023-12-04 16:00:48549 
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長(zhǎng)外
2018-08-27 20:50:45
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4441功能和特點(diǎn)LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應(yīng)用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
依存性溫度特性實(shí)測(cè)例見圖(1) ~ (3)所示關(guān)于容量特性的溫度依存性幾乎沒有差異。圖3: 容量溫度特性關(guān)于MOSFET的開關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的開關(guān)時(shí)間柵極電壓ON/OFF之后
2019-04-10 06:20:15
向下縮放時(shí)失去對(duì)漏電流的控制。 答案是利用第三個(gè)維度?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET晶體管從平面單柵極器件演變?yōu)槎?b class="flag-6" style="color: red">柵極3D單元，以增加電流驅(qū)動(dòng)并減輕短通道效應(yīng)?！ ∈褂?D還可以減少晶體管的面積。占據(jù)第三維可以
2023-02-24 15:20:59
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。MOSFET的開關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時(shí)間：Td(on）、上升時(shí)間：tr
2018-11-28 14:29:57
ID-VGS的溫度特性一致。另外，VGS(th)可用于推算Tj。VGS(th)的溫度特性中有直線性，因此可除以系數(shù)，根據(jù)VGS(th)的變化量計(jì)算溫度上升。關(guān)鍵要點(diǎn):?使MOSFET導(dǎo)通的電壓稱為“柵極閾值
2019-05-02 09:41:04
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
2個(gè)系列相關(guān)的技術(shù)信息鏈接。要想更深入了解產(chǎn)品，需要確認(rèn)技術(shù)規(guī)格的規(guī)格值和特性圖表，這一點(diǎn)是很重要的。關(guān)鍵要點(diǎn):?PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻、低柵極總電荷量特征、且
2018-11-28 14:27:08
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
橫向?qū)щ姷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET，如下圖所示，這個(gè)結(jié)構(gòu)及其工作原理以前的文章介紹過：功率MOSFET的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)，其由三個(gè)電極：G柵極、D漏極和S源極組成。圖1：平面橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET灰色Gate柵極的寬度
2017-01-06 14:46:20
基板材料。N 通道特性在n溝道增強(qiáng)模式下，沒有電流流過晶體管，直到柵極和端子源極的電壓超過最小電壓削減值。當(dāng)在漏極和端子源處施加電壓時(shí)，沒有可見的電流流動(dòng)。N溝道MOSFET的特性N溝道和P溝道
2023-02-02 16:26:45
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
誤導(dǎo)通的話，將有可能發(fā)生在高邊－低邊間流過直通電流（Flow-through Current）等問題。這種現(xiàn)象是SiC-MOSFET的特性之一–非常快速的開關(guān)引起的。低邊柵極電壓升高是由切換到高邊導(dǎo)
2018-11-30 11:31:17
兄弟姐妹們，做proteus仿真，發(fā)現(xiàn)里面找不著雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管3sk系列的怎么辦啊？？？
2012-12-05 22:55:00
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
大家好，問個(gè)在網(wǎng)上經(jīng)常碰到的問題，但我想再問得深入些。 關(guān)于MOSFET，就說NMOS管吧，平時(shí)說到柵極，大家都習(xí)慣性的串接一個(gè)柵極電阻大小從10歐--100歐不等。 而且有人說為了提高開通速度甚至
2013-02-08 15:28:29
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
混合SET/MOSFET 結(jié)構(gòu)與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結(jié)構(gòu)的傳輸特性去設(shè)計(jì)數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
記得作者2002年做研發(fā)的時(shí)候，在熱插撥的應(yīng)用中就開始關(guān)注到這個(gè)問題，那時(shí)候很難找到相關(guān)的資料，最后在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中根據(jù)相關(guān)的圖表找到導(dǎo)通電阻RDS(ON)的這個(gè)違背常理的特性，然后
2016-09-26 15:28:01
盡管MOSFET在開關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師對(duì)于MOSFET開關(guān)過程仍然有一些疑惑，本文先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷
2016-11-29 14:36:06
描述PCB加提羅用于制作 aeg 氣槍的 mosfet 柵極的 PCB。
2022-09-12 06:46:37
、工作原理和應(yīng)用特性等相關(guān)內(nèi)容?；靖拍钸B接時(shí)通常打開而不施加任何柵極電壓的MOSFET稱為耗盡型MOSFET，也就是說，在耗盡型MOSFET中，電流從漏極端流向源極。這種類型的MOSFET也被稱為常開
2022-09-13 08:00:00
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程
2021-04-14 06:52:09
兩層電源板，板子設(shè)計(jì)中有4個(gè)MOSFET管串聯(lián)，由于只有兩層，四個(gè)MOSFET管的3個(gè)源級(jí)要過大電流，所以用銅連接在一起；四個(gè)MOSFET管柵極串聯(lián)的線走在器件源級(jí)和漏極之間（請(qǐng)看圖片），不知道這樣的柵極走線會(huì)不會(huì)受影響？
2018-07-24 16:19:28
(ON)與柵極電荷量Qg。?超級(jí)結(jié)MOSFET與平面MOSFET相比，具有trr速度更快、irr更大的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞Si-MOSFETIGBTSiC-MOSFET
2018-11-28 14:28:53
AN系列是以“漏極-源極間導(dǎo)通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開發(fā)的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
2019-03-08 22:39:53
`<font face="Verdana">高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用指南<br/>&
2009-03-27 16:08:33
功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路
2009-04-02 23:36:182182 
基于混合SET/MOSFET的比較器
據(jù)2001 年的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)未來發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長(zhǎng)度將達(dá)到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會(huì)影響到MOSFETs 的基本工作原理
2009-04-20 11:04:211169 
帶晶體濾波器的45MHz IF放大器
一個(gè)40673型雙柵極MOSFET與一個(gè)45MHz的晶體
2009-10-06 16:25:341118 
本文討論了屏蔽柵極MOSFET在中等電壓MOSFET(40～300V)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2011-03-30 16:44:242014 
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程
2011-09-14 17:39:17
65 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的振蕩現(xiàn)象
2019-04-18 06:16:0024537 
主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路
2019-07-02 15:06:293454 MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
安森美半導(dǎo)體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻率下提供同類最佳的傳播延遲、低靜態(tài)電流和低開關(guān)電流。這些NCP51530驅(qū)動(dòng)器適用于在高頻下工作的高效電源。
2019-10-03 09:32:003247 
不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)?；?b class="flag-6" style="color: red">柵極對(duì)源電容的RC值通常會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對(duì)源電容是一個(gè)重要
2020-03-09 08:00:0024 來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 柵極驅(qū)動(dòng)器的作用 柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 
LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評(píng)估板處于良好狀態(tài)。
2021-06-23 10:45:213357 
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的特性及應(yīng)用綜述
2021-06-25 10:17:3021 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 近日，東芝研發(fā)出新款4.5-kV雙柵極反向傳導(dǎo)注入增強(qiáng)型柵極晶體管（RC-IEGT）。經(jīng)測(cè)試證實(shí)，相比于傳統(tǒng)單柵極結(jié)構(gòu)，該產(chǎn)品在導(dǎo)通關(guān)斷時(shí)的總功耗（開關(guān)損耗）可降低24%。
2022-06-30 17:09:381097 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于制作aeg氣槍的mosfet柵極的PCB.zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-18 11:06:140 本文介紹了三個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET工作時(shí)的功率計(jì)算 以及通過實(shí)例進(jìn)行計(jì)算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中電流的計(jì)算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和驅(qū)動(dòng)功耗計(jì)算
2022-11-11 17:33:0335 在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管，可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意，齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-01-02 06:54:00771 從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 10:19:242519 
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性，因此，它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動(dòng)電阻的控制，但是，并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET都具有這樣的特性，和它們內(nèi)部結(jié)構(gòu)、單元尺寸以及電壓額定等多個(gè)因素相關(guān)。
2023-02-16 10:39:36581 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 在 MOSFET 中設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)安全可靠的柵極驅(qū)動(dòng)操作-AN90001
2023-03-01 18:38:548 本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 再次可以看到在關(guān)斷過程中也有類似的四個(gè)明顯不同的區(qū)間，但是它們都很大程度上受到柵極驅(qū)動(dòng)器電路特性的影響。在通常的應(yīng)用中，柵極驅(qū)動(dòng)電壓相對(duì)于柵極閾值會(huì)提高到較高水平，以便讓 MOSFET 充分導(dǎo)通得到最低的RDs(ON)。
2023-05-11 09:05:56389 
介紹
在設(shè)計(jì)電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源）時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機(jī)或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17223 
7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！
2023-12-15 09:46:07255 
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571
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