在漏電流達(dá)到30mA時(shí)即可動(dòng)作：無漏電流時(shí)，漏電脫扣器的永久磁鐵將銜鐵吸合,處于正常工作狀態(tài)。
2011-12-08 10:43:45
3988 
漏電流會(huì)導(dǎo)致功耗，尤其是在較低閾值電壓下。了解MOS晶體管中可以找到的六種泄漏電流。 在討論MOS晶體管時(shí)，短通道器件中基本上有六種類型的漏電流元件： 反向偏置PN結(jié)漏電流 亞閾值漏電流
2023-05-03 16:27:007786 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）漏電流增加的原因有多種，以下是對(duì)這些原因的分析： 正向電壓的增加 ：當(dāng)IGBT的控制極壓加上一定的電壓時(shí)，例如正向電壓，漏結(jié)區(qū)就會(huì)被壓縮。這時(shí)候漏極和源極之間就會(huì)產(chǎn)生
2023-12-13 16:01:59847 ?！ ?.3.功率MOSFET的基本特性 2.3.1靜態(tài)特性MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性?！ ÷O電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時(shí)，ID與UGS的關(guān)系近似線性
2019-06-14 00:37:57
(引起不必要的低邊FET導(dǎo)通)，使低邊(或同步)FET出現(xiàn)柵極尖峰電壓。實(shí)際上，當(dāng)Q2的漏源極的電壓升高時(shí)，電流就會(huì)經(jīng)由柵漏電容CGD 流入總柵極電阻RG ，如圖3(a)所示。因此，它會(huì)導(dǎo)致同步FET Q2
2019-05-13 14:11:31
MOSFET的結(jié)構(gòu)原理，漏電流等相關(guān)問題，新型MOSFET等等。
2015-03-09 18:57:08
第四部份似乎很相似，這樣做可行么？問題分析：系統(tǒng)短路的時(shí)候，功率MOSFET相當(dāng)于工作在放大的線性區(qū)，降低驅(qū)動(dòng)電壓，可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流，從而降低系統(tǒng)的短路電流，從短路保護(hù)的角度而言，確實(shí)有一定
2016-12-21 11:39:07
柵漏電流噪聲特性是什么？柵漏電流噪聲有哪幾種模型？這幾種模型具有什么特性和局限性？
2021-04-14 06:53:21
常見的柵漏電流噪聲模型有哪幾種，這幾種模型的特性是什么？有什么局限性？
2021-04-09 06:44:22
什么是耐壓測試？什么是接地電阻測試？漏電流主要測試哪幾項(xiàng)？
2021-09-29 06:30:30
漏電流會(huì)對(duì)AD采樣的精度造成什么影響？輸入電壓誤差計(jì)算補(bǔ)償公式是什么？
2021-09-30 07:04:35
什么是對(duì)地漏電流？什么是外殼漏電流？
2021-10-11 07:53:44
我的輸入交流電220VAC，現(xiàn)在要對(duì)其進(jìn)行漏電流檢測。當(dāng)漏電流大于某個(gè)值時(shí)，MCU發(fā)出指令切斷連接這個(gè)220VAC的繼電器達(dá)到保護(hù)的目的，請(qǐng)問這個(gè)要如何實(shí)現(xiàn)？
2019-01-07 15:55:16
任何超級(jí)電容器都會(huì)在通電的情況下，通過內(nèi)部并聯(lián)電阻EPR放電，這個(gè)放電電流稱為漏電流，它會(huì)影響超級(jí)電容器單元的自放電。由于漏電流的存在，內(nèi)部并聯(lián)電阻的大小將決定串聯(lián)的超級(jí)電容器單元上的電壓分配，當(dāng)
2021-04-01 08:49:16
】MOSFETBIPOLARIGBT基本結(jié)構(gòu)控制柵極電壓基極電流柵極電壓容許電流?△○開關(guān)○?△導(dǎo)通電阻?△○MOSFET是指半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)為Metal（金屬）- Oxide（半導(dǎo)體氧化物）- Semiconductor（半導(dǎo)體
2019-05-06 05:00:17
】MOSFETBIPOLARIGBT基本結(jié)構(gòu)控制柵極電壓基極電流柵極電壓容許電流?△○開關(guān)○?△導(dǎo)通電阻?△○MOSFET是指半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)為Metal（金屬）- Oxide（半導(dǎo)體氧化物）- Semiconductor（半導(dǎo)體
2019-03-27 06:20:04
MOS管的漏電流在微型可穿戴設(shè)備中，對(duì)于電池的功耗要求很高，所以為了省電，其實(shí)電路也是很多的，最省電的無疑就是直接斷開電池的供電了。這種方案要用到一個(gè)NMOS和一個(gè)PMOS組合使用，NMOS作為下管
2021-10-12 16:45:51
MOS管的漏電流是什么意思？MOS管的漏電流主要有什么組成？
2021-09-28 07:41:51
損傷。實(shí)際柵氧化層可承受的電壓遠(yuǎn)高于額定電壓，但是會(huì)隨制造工藝的不同而改變，因此保持VGS在額定電壓以內(nèi)可以保證應(yīng)用的可靠性。ID - 連續(xù)漏電流ID定義為芯片在最大額定結(jié)溫TJ(max)下，管表面溫度
2019-08-20 07:00:00
MOSFET自建模工具系統(tǒng)介紹從器件手冊(cè)中獲取MOSFET建模特性曲線Saber軟件MOSFET直流特性中漏電流與柵源電壓曲線（Id_Vgs)自建模一Saber軟件MOSFET直流特性中漏電流與柵源電壓
2017-04-12 20:43:49
鄙人需要測量十幾pA的電流，，以下是我設(shè)計(jì)的方案，但是怕RF電阻噪聲太大，請(qǐng)教電路設(shè)計(jì)和噪聲分析？拜托了@
2018-09-11 10:05:01
“漏電流”與“泄露電流”兩個(gè)專業(yè)名詞十分相似，導(dǎo)致很多工程師對(duì)著兩個(gè)量經(jīng)?；煜?，傻傻分不清楚。實(shí)際上他們之間的實(shí)質(zhì)截然不同，一個(gè)是用電器在輸入正常電壓下的測試，另一個(gè)是用電器不同電下，用另外的幾千
2018-10-20 21:55:38
損傷。實(shí)際柵氧化層可承受的電壓遠(yuǎn)高于額定電壓，但是會(huì)隨制造工藝的不同而改變，因此保持VGS在額定電壓以內(nèi)可以保證應(yīng)用的可靠性。ID - 連續(xù)漏電流ID定義為芯片在最大額定結(jié)溫TJ(max)下，管表面溫度
2019-11-15 07:00:00
、輸入阻抗高；3、工作頻率范圍寬，開關(guān)速度高(開關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒)，開關(guān)損耗??；4、有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且 MOSFET 的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作 Hi-Fi 音響；5、功率 MOSFET 可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無需均流電阻。
2016-05-23 11:40:20
稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對(duì)于這種簡單的結(jié)構(gòu)，器件源漏是完全對(duì)稱的，只有在應(yīng)用中根據(jù)源漏電流的流向才能最后確認(rèn)具體的源和漏。 MOSFET有什么優(yōu)點(diǎn)
2012-01-06 22:55:02
稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對(duì)于這種簡單的結(jié)構(gòu)，器件源漏是完全對(duì)稱的，只有在應(yīng)用中根據(jù)源漏電流的流向才能最后確認(rèn)具體的源和漏。 MOSFET有什么優(yōu)點(diǎn)
2012-12-10 21:37:15
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
，導(dǎo)致Cp上的電壓降低。反激開關(guān)MOSFET 源極流出的電流（Is）波形的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析。 很多工程師在電源開發(fā)調(diào)試過程中，測的的波形的一些關(guān)鍵點(diǎn)不是很清楚，下面針對(duì)反激電源實(shí)測波形來分析一下。問題一
2018-10-10 20:44:59
一種準(zhǔn)確地預(yù)測由泄漏電流引起的 PLL 基準(zhǔn)雜散噪聲之簡單方法
2019-05-27 15:55:17
本文將介紹使用源-測量單元測量二極管的泄漏電流以及MOSFET的亞閾區(qū)電流（sub-thresh old current）。
2021-04-14 06:56:04
ADA4530-1的參考電路CN0407能夠檢測fA級(jí)電流，但電路中使用的開關(guān)ADG1419的漏電流為nA級(jí)，需要什么樣的處理來避免ADG1419的漏電流對(duì)被測電流信號(hào)的影響？謝謝。
2023-11-17 08:23:41
了具備MOSFET寄生參數(shù)和電路板寄生參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)通孔封裝傳統(tǒng)的TO247（即：電源電流路徑和驅(qū)動(dòng)電流路徑是相同的）。第三節(jié)將對(duì)最新推出的TO247 4引腳封裝做詳盡的電路分析，以表明TO247 4引腳
2018-10-08 15:19:33
開關(guān)MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
開關(guān)箱中漏電保護(hù)器的額定漏電動(dòng)作電流是多少？額定漏電動(dòng)作時(shí)間是多少？配電箱、開關(guān)箱送電操作順序是什么？
2021-07-22 09:28:45
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片，并與OBIRCH對(duì)比定位效果，然后用FIB做定點(diǎn)截面切割，觀察到金屬化薄膜鋁條被熔斷。案例分析：據(jù)客戶反饋，應(yīng)用于新能源汽車
2018-11-02 16:25:31
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
`要求漏電流小于300PA`
2018-04-17 15:31:30
本人最近在學(xué)習(xí)自舉電容的選擇方法，期間查閱資料，說到影響自舉電容大小，要考慮的因素包括一條是驅(qū)動(dòng)芯片所接MOS管的柵源極間正向漏電流。一直對(duì)于漏電流不清楚其含義，原來只知道反向漏電流，現(xiàn)在又來了正向漏電流，所以想請(qǐng)教一下漏電流的意義，包括正反漏電流，希望講的詳細(xì)些，謝謝！
2016-11-01 16:12:48
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
，F(xiàn)ET的作用并不是立即斷開輸入與輸出之間的連接，而是減輕那些具有破壞力的浪涌電流帶來的嚴(yán)重后果。這需要通過一個(gè)控制器來調(diào)節(jié)輸入電壓（VIN）和輸出電壓（VOUT）之間MOSFET上的柵源偏壓，使MOSFET處于飽和狀態(tài)。
2019-08-06 06:28:49
電路漏電流形成及預(yù)防知識(shí) 介紹了印制電路板漏電流的形成及影響，對(duì)不同環(huán)境條件下的印制板印制線間絕緣電阻進(jìn)行了測試，得出了電路漏電流的控制方法，為可能出現(xiàn)的因電路漏電流導(dǎo)致的故障分析
2009-12-23 16:22:21
。因而同時(shí)具備了MOS管、GTR的優(yōu)點(diǎn)。二．絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的特點(diǎn)：這種器件的特點(diǎn)是集MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)于一身。輸入阻抗高，速度快，熱穩(wěn)定性好。通態(tài)電壓低，耐壓高，電流大。它
2009-05-12 20:44:23
耐壓和漏電流漏電是否可以理解為產(chǎn)品接地不良；而耐壓不通過是產(chǎn)品絕緣沒做好？
2022-07-07 14:47:07
如何去仿真MOSFET噪聲？MOSFET噪聲有哪幾種？
2021-06-22 07:26:47
目前用到一款有源倍頻器HMC368，pHEMT的MMIC，其中pin21和23為Vg1和Vg2，也就是pHEMT的柵壓，我看到數(shù)據(jù)手冊(cè)上要求的Vg口供電為負(fù)壓，-2~0V，這個(gè)柵壓應(yīng)該是影響漏電流
2018-08-23 19:40:08
我正在嘗試確定CY7C1041CV33的I/O引腳的漏電流。數(shù)據(jù)表說明了設(shè)備的輸入泄漏電流和輸出泄漏電流。I/O管腳的漏電流等于輸入和輸出漏電流之和嗎？
2019-09-20 14:49:30
本人最近在學(xué)習(xí)自舉電容的選擇方法， 期間查閱資料，說到影響自舉電容大小，要考慮的因素包括一條是驅(qū)動(dòng)芯片所接MOS管的柵源極間正向漏電流。 一直對(duì)于漏電流不清楚其含義，原來只知道反向漏電流，現(xiàn)在又來了正向漏電流， 所以想請(qǐng)教一下漏電流的意義，包括正反漏電流，希望講的詳細(xì)些，謝謝！
2020-04-16 00:14:19
ADA4530-1的參考電路CN0407能夠檢測fA級(jí)電流，但電路中使用的開關(guān)ADG1419的漏電流為nA級(jí)，需要什么樣的處理來避免ADG1419的漏電流對(duì)被測電流信號(hào)的影響？謝謝。
2019-01-30 11:20:33
漏電流偏大，在40uA-100uA不等,一般來說，這都是因?yàn)闄C(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致的MLCC開裂，部分可在外觀看到裂紋，部分裂紋在內(nèi)部。尤其是大容量的MLCC，疊層間距本身就比較小，特別容易造成開裂。 先查
2019-04-13 18:55:29
能會(huì)對(duì)MOSFET的頻率穩(wěn)定性、相位噪聲和總體性能產(chǎn)生負(fù)面影響。在振蕩器中，閃爍噪聲本身表現(xiàn)為靠近載波的邊帶，其他形式的噪聲從載波延伸出來，頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加，閃爍噪聲會(huì)逐漸衰減，直到
2023-09-01 16:59:12
如果電子管的絲極由交流供電，當(dāng)陰極與絲極間漏電流 大，容易受到50Hz交流電的調(diào)制，在音頻擴(kuò)大機(jī)上會(huì)產(chǎn)生哼 聲千擾；電視機(jī)熒光屏上會(huì)出現(xiàn)黑色滾道橫條，漏電嚴(yán)重時(shí) 將影響到陰極電位，使控制柵與陰極
2018-10-17 16:52:30
1中的t1），源極電壓（VGS）正接近MOSFET的閾值電壓，VTH和漏電流為零。因此，在此期間的功率損耗為零。在t2時(shí)段，MOSFET的寄生輸入電容（CISS）開始充電，而漏極電流開始流經(jīng)
2022-11-16 08:00:15
泄漏電流測試儀的原理和使用說明
泄漏電流測試儀，泄漏電流是指在沒有故障施加電壓的情況下，電氣中帶相互絕緣的
2008-11-23 13:08:297293
電容器的漏電流
電容器的介質(zhì)并不是絕對(duì)絕緣的，當(dāng)在電容器兩端力[J上直流電壓時(shí)，它便會(huì)產(chǎn)生漏電流。一般電解電容器的漏電流較
2009-08-21 16:48:047751 姆與大阪大學(xué)研究生院工學(xué)研究科助教細(xì)井卓治、京都大學(xué)研究生院工學(xué)研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點(diǎn)是將透過柵極絕緣膜的漏電流減小了90％，并將
2012-12-17 09:03:36962 ，可測量漏電保護(hù)器的漏電動(dòng)作電流值、分?jǐn)鄷r(shí)間和漏電不動(dòng)作電流值，對(duì)提高漏電保護(hù)器工作的可靠性提供了主要技術(shù)參數(shù)，檢測過程具有較高的自動(dòng)化水平，可對(duì)在線運(yùn)行與非在線運(yùn)行的漏電保護(hù)器進(jìn)行檢測。 系統(tǒng)以LPC2132為核心
2017-10-12 18:06:58
19 對(duì)絕緣子泄漏電流的分析是進(jìn)行覆冰閃絡(luò)預(yù)警的一個(gè)重要方法，而絕緣子的泄漏電流特征除與絕緣子串本身特性有關(guān)之外，還受到覆冰類型的影響。對(duì)玻璃絕緣子進(jìn)行人工覆冰試驗(yàn)，研究了雨凇、混合凇和霧凇條件下，絕緣子
2017-12-14 14:48:0811 針對(duì)非隔離型級(jí)聯(lián)H橋逆變器的漏電流問題，首先建立帶有寄生電容參數(shù)的逆變器共模等效模型，分別分析單電感電路與對(duì)稱電感電路中漏電流的特點(diǎn)及其影響因素，指出在對(duì)稱電感電路中通過優(yōu)化調(diào)制策略可以有效抑制系統(tǒng)
2017-12-28 15:13:490 針對(duì)非隔離型三相三橋臂光伏逆變器無法有效抑制漏電流的問題，提出基于三相四橋臂拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">漏電流解決方案。建立非隔離型三相四橋臂光伏逆變器系統(tǒng)共模模型，分析了影響系統(tǒng)漏電流的主要因素和變量，提出一種基于布爾
2018-03-21 14:26:317 漏電流是PN結(jié)在電壓反偏置時(shí)通過二極管的電流。發(fā)光二極管通常都工作在正向?qū)顟B(tài)下，漏電流指標(biāo)沒有多大意義。
2019-07-30 16:36:3359835 
隔離變壓器輸出一端接地的漏電流測試。測試的漏電流有電氣設(shè)備絕緣漏電流和隔離變壓器與調(diào)壓器由于分布電容形成的容性漏電流。
2019-09-13 15:14:0035878 調(diào)整三相漏電電流平衡工作最常用也最有效的是：查找排除最大漏電相的漏電故障。
2019-10-22 17:39:135846 測量泄漏電流是電氣預(yù)防性試驗(yàn)中一個(gè)重要的試驗(yàn)項(xiàng)目，但影響泄露電流值的因素很多，針對(duì)影響測量泄漏電流的幾種因素，從原理上進(jìn)行了分析探討，并提出了相應(yīng)的排除方法。
2019-11-26 11:48:009 CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì)，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對(duì)于常規(guī)體MOSFET，當(dāng)氧化層厚度＜2 nm時(shí)，大量載流子以不同機(jī)制通過柵介質(zhì)形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流
2020-08-20 14:53:253245 
耐壓測試是偵測流過被測物絕緣系統(tǒng)之漏電流，以一高于工作電壓之電壓施加于絕緣系統(tǒng);而電源泄漏電流（接觸電流）則是在被測物正常操作下，以一最不利的條件（電壓、頻率）對(duì)被測物量測漏電流。簡單地說，耐壓測試之漏電流為無工作電源下所量測之漏電流，電源泄漏電流（接觸電流）為正常操作下所量測之漏電流 。
2020-08-21 14:53:3310166 作者：Bruce Trump 資深模擬工程師 CMOS和JFET放大器輸入偏置電流的來源，發(fā)現(xiàn)其主要由一個(gè)或幾個(gè)反向偏置的PN節(jié)的漏電流組成。這些漏電流隨著溫度升高而顯著的增大。 PN節(jié)的反向偏置
2020-12-03 14:01:316453 
一般漏電流分為四種,分別為:半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。
2020-12-26 01:31:331749 汽車線束漏電流測試要求精確的電壓、漏電流、以及接觸電阻測試。
2021-01-14 17:59:492080 影響測量泄漏電流的因素及排除方法(通信電源技術(shù)期刊錄用通知)-測量泄漏電流是電氣預(yù)防性試驗(yàn)中一個(gè)重要的試驗(yàn)項(xiàng)目 ,但影響泄露電流值的因素很多 ,
針對(duì)影響測量泄漏電流的幾種因素 ,從原理上進(jìn)行了分析探討 ,并提出了相應(yīng)的排除方法。
2021-09-17 10:32:3825 驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)總漏電流由驅(qū)動(dòng)器本身漏電流、電機(jī)電纜線漏電流、電機(jī)漏電流組成。驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)漏電流大小取決于驅(qū)動(dòng)器逆變IGBT的開關(guān)頻率，逆變IGBT的開關(guān)的速度，直流母線電壓的幅值，電機(jī)的繞組對(duì)機(jī)殼的分布電容（i=C*dU/dt），因此，IGBT的開關(guān)頻率由10kHz降低到5kHz時(shí)，漏電流明顯降低
2023-05-17 10:19:53734 
泄漏電流是一種普遍存在于電器電子設(shè)備中的現(xiàn)象。當(dāng)設(shè)備中的絕緣被破壞或未經(jīng)充分絕緣而形成的電流，被稱為泄漏電流。泄漏電流對(duì)電器電子設(shè)備正常運(yùn)行產(chǎn)生了很大的影響。為了保證設(shè)備的正常工作，我們需要及時(shí)檢測泄漏電流。電流探頭就是在這個(gè)過程中起著重要的作用。
2023-05-18 09:45:211156 
漏電電流是指由于電器設(shè)備絕緣的破損、老化、安裝不良等原因，在電氣設(shè)備的工作過程中，引起的電流泄露到地線上的電流。漏電電流是指在電氣設(shè)備的工作過程中，出現(xiàn)了電路的電源線與地線之間的電流泄露現(xiàn)象，通常是由于設(shè)備絕緣失效或者絕緣破損所引起。
2023-06-03 09:54:443385 寄生漏電電流需要進(jìn)行長時(shí)間的測試
2022-03-02 17:08:271725 
據(jù)調(diào)查，很多用戶在使用貼片電容的過程中出現(xiàn)過電容漏電的現(xiàn)象，那么您知道是哪些原因?qū)е碌膯?，下面小編為?b class="flag-6" style="color: red">分析可能導(dǎo)致漏電的幾種原因并附上測電流方法。
2023-07-04 15:17:182031 降低MOSFET 1/f噪聲的三種辦法是什么？? MOSFET是一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，MOSFET存在著一種非常特殊的噪聲，即1/f噪聲。這種噪聲影響了MOSFET
2023-09-17 17:17:361208 漏電流是怎么產(chǎn)生的？如何控制漏電流的危害呢？ 漏電流是電器電路中的一種異常電流，指的是在電路中的部分電流從電源發(fā)出后，沒有按照預(yù)定的路徑通過相應(yīng)的負(fù)載或元件，而是決定性地流向了地線或其他非目標(biāo)路線
2023-10-29 11:45:513665 漏電流是指在電氣設(shè)備中，電流從電源到設(shè)備外殼之間的泄漏電流。變頻器漏電流濾波器是一種用于減少變頻器漏電流的裝置。變頻器漏電流濾波器的作用是通過濾波和屏蔽的方式，將漏電流降低到安全范圍內(nèi)，以保證設(shè)備的正常運(yùn)行和人身安全。接下來跟著薩頓斯一起來了解一下變頻器漏電流濾波器的原理及優(yōu)勢(shì)。
2023-11-02 13:18:50278 導(dǎo)致以下問題： 1. 信號(hào)失真：漏電流可能引入額外的噪聲，影響信號(hào)的準(zhǔn)確性和清晰度。特別是對(duì)于微弱的pA級(jí)電流信號(hào)，即使是微小的漏電流也足以干擾信號(hào)的正確傳輸，導(dǎo)致信號(hào)失真。 2. 數(shù)據(jù)丟失：由于布板的隨意性，沒有合理的屏蔽和隔離措施，
2023-11-06 11:14:17228 漏電流測試是電源模塊安規(guī)測試項(xiàng)目之一，目的是為了檢測漏電流是否超過了額定標(biāo)準(zhǔn)，防止漏電流過大造成設(shè)備損毀，甚至引發(fā)電擊安全事故。漏電流測試方法多樣，納米軟件將帶你了解如何用萬用表測量電源模塊的漏電流。
2023-11-06 15:44:521069 
對(duì)于一些面板上的撥碼開關(guān)等電路，為了增加抗ESD能力，通常需要串入TVS管。但要注意由于TVS管的漏電流過大，以致上拉電阻上的壓降過大，從而造成高電平過低，不能達(dá)到CMOS的高電平閾值。
2023-11-16 10:08:35536 
如何計(jì)算安規(guī)電容漏電流？
2023-12-15 16:54:55526 
耐壓測試是一種常用的電氣測試方法。在進(jìn)行耐壓測試時(shí)，需要對(duì)漏電流進(jìn)行計(jì)算，以確保測試過程中的安全。本文將詳細(xì)介紹耐壓測試中漏電流的計(jì)算方法。 一、漏電流的概念 漏電流是指在絕緣材料表面或內(nèi)部
2024-01-11 14:38:491355 
漏電保護(hù)開關(guān)的漏電動(dòng)作電流為多少? 漏電保護(hù)開關(guān)是一種用于監(jiān)測和保護(hù)電氣設(shè)備和人身安全的重要電器設(shè)備。當(dāng)電氣系統(tǒng)發(fā)生漏電故障時(shí)，漏電保護(hù)開關(guān)能夠及時(shí)檢測到漏電電流，并迅速切斷電路，以避免漏電電流
2024-02-03 09:13:15787 如何解決貼片電容漏電流的問題呢？ 貼片電容漏電流是電容器在正常工作條件下發(fā)生的一種特殊現(xiàn)象，會(huì)導(dǎo)致電路工作不穩(wěn)定甚至損壞。要解決貼片電容漏電流問題，需要找出漏電流的原因，并采取相應(yīng)的措施進(jìn)行修復(fù)
2024-02-03 14:37:45250
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