IPM自舉電路設(shè)計(jì)難題探討

　　實(shí)現(xiàn)自舉有兩個(gè)關(guān)鍵問題：一是自舉電容的初始充電;二是自舉電容充完電后，當(dāng)下臂關(guān)斷后上臂并未立即導(dǎo)通，而在從下臂關(guān)斷到上臂導(dǎo)通期間，電容會(huì)放電，因此必須保證少量放電后電容電壓仍有驅(qū)動(dòng)能力。如果以上兩個(gè)問題未能處理好，將導(dǎo)致即使PWM波形正常，IPM也不能工作，因?yàn)樽耘e電壓不足以驅(qū)動(dòng)上臂導(dǎo)通。

　　本文介紹了IPM自舉電路的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和原理，并重點(diǎn)研究了自舉電容初始充電問題，通過在控制程序中執(zhí)行簡(jiǎn)單的初始充電語句，很好地解決了上述關(guān)鍵問題，并在項(xiàng)目中取得良好的充電效果。

　　1 IPM模塊自舉電路基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和原理

　　電壓自舉，就是利用電路自身產(chǎn)生比輸入電壓更高的電壓。

　　基于電容儲(chǔ)能的電壓自舉電路通常是利用電容對(duì)電荷的存儲(chǔ)作用來實(shí)現(xiàn)電荷的轉(zhuǎn)移，從而實(shí)現(xiàn)電壓的提升。電壓自舉電路利用電荷轉(zhuǎn)移的方式進(jìn)行工作，通過存儲(chǔ)電容，把電荷從輸入轉(zhuǎn)移到輸出，提供負(fù)載所需要的電流。圖1給出了雙倍壓電壓自舉電路的基本原理。

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　　假設(shè)所有開關(guān)均為理想開關(guān)，電容為理想電容。當(dāng)開關(guān)S1和S3閉合時(shí)，電源VCC給電容C充電使其電壓達(dá)到VCC。然后開關(guān)S1和S3斷開，S2閉合，直接接到電容C的低壓端，此時(shí)電容C上仍然保持有前一個(gè)相位存儲(chǔ)的電荷VCC×C。由于在S2閉合時(shí)，電容C上的電荷量不能突變，因此有：(V0-VCC)×C=VCC×C，即V0=2VCC。

　　在沒有直流負(fù)載的情況下，通過圖1所示的電路，在理想情況下，輸出可達(dá)到輸入電壓的兩倍。

　　2 自舉電路設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵問題研究

　　本項(xiàng)目的IPM型號(hào)選用IGCM20F60GA[2]。圖2是IPM自舉電路原理圖。由圖2可知，自舉元件一端接電路的輸入部分，另一端接到同相位的輸出電路部分，借輸入、輸出的同相變化，把自己抬舉起來，即自舉元件引入的是正極性的反饋。

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　　對(duì)原理圖中第一路自舉電路進(jìn)行分析[3-4]。IPM模塊自舉電路僅由自舉電阻R62、自舉二極管D9和自舉電容E1組成，因此簡(jiǎn)單可靠。其電路基本工作過程為：當(dāng)VS因?yàn)橄聵虮酃β势骷?dǎo)通被拉低到接近地電位GND時(shí)，控制電源VCC會(huì)通過R62和D9給自舉電容E1充電。當(dāng)上橋臂導(dǎo)通，VS上升到直流母線電壓后，自舉二極管D9反向截止，從而將直流母線電壓與VCC隔離，以防止直流母線側(cè)的高壓串到控制電源低壓側(cè)而燒壞元器件。此時(shí)E1放電，給上橋臂功率器件的門極提供驅(qū)動(dòng)電壓。當(dāng)VS再次被拉低時(shí)，E1將再次通過VCC充電以補(bǔ)充上橋臂導(dǎo)通期間E1上損失的電壓。這種自舉供電方式就是利用VS端的電平在高低電平之間不停地?cái)[動(dòng)來實(shí)現(xiàn)的。如圖2所示，自舉電路給E1充電，E1的電壓基于上橋臂輸出晶體管源極電壓上下浮動(dòng)。

　　由于運(yùn)行過程中反復(fù)地對(duì)自舉電容進(jìn)行充放電，因此必須選擇適當(dāng)?shù)?a target="_blank">參數(shù)，保證自舉電容上的電壓在電機(jī)運(yùn)行時(shí)保持高于欠壓鎖定電平。

　　由上述分析可知，要保證E1的跌落電壓能夠得到及時(shí)、完全的補(bǔ)充，自舉電路對(duì)下橋臂最小導(dǎo)通時(shí)間有一定的要求。但是若能正確選擇各元器件參數(shù)，自舉電路對(duì)下橋臂最小導(dǎo)通時(shí)間的限制將會(huì)大大降低。

　　2.1 自舉電容E1的選擇

　　自舉電容E1需要根據(jù)自舉電容所能得到的最低充電電壓來選擇。實(shí)際應(yīng)用中可以應(yīng)用以下簡(jiǎn)化公式來初步計(jì)算E1：

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　　式中，ΔVBS為自舉電路在上橋臂功率器件導(dǎo)通時(shí)所允許的最大電壓降，VF為自舉二極管正向壓降，VBSmin為所要求的最低上橋臂驅(qū)動(dòng)電壓，VBSUV為上橋臂控制電壓的欠壓保護(hù)值，Vsat為下橋臂功率器件的飽和壓降，THON為上橋臂的最大導(dǎo)通時(shí)間，ILeak為IPM模塊規(guī)格書中所提供的上橋臂功率器件驅(qū)動(dòng)所需的最大額定電流值。這樣只要選定ΔVBS即可快速計(jì)算出E1。但是考慮到各元器件參數(shù)的分布性和應(yīng)用電路的可靠性，實(shí)際使用的E1應(yīng)當(dāng)選擇為計(jì)算值的2～3倍。本項(xiàng)目選擇的是47 μF/25 V的電解電容。

　　2.2 自舉電阻R62的選擇

　　自舉電阻R62的作用是限制dVBS/dt。為了保證自舉電容能夠在下橋臂最小導(dǎo)通時(shí)間充電ΔVBS，所以：

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　　式中，TLON為下橋臂的最小導(dǎo)通時(shí)間。本項(xiàng)目中自舉電阻R62取22 Ω。

　　2.3 自舉二極管D9的選擇

　　因?yàn)樽耘e二極管起到隔離直流母線高壓和控制電源低壓的作用，必須阻斷直流干線上的高壓，才能保護(hù)IC器件不受損壞, 所以選擇D9時(shí)應(yīng)當(dāng)重點(diǎn)考慮二極管耐壓、反向截止時(shí)間和正向?qū)妷航祹讉€(gè)參數(shù)。二極管承受的電流是柵極電荷與開關(guān)頻率之積。為了減少電荷損失，應(yīng)選擇耐高壓的反向漏電流小的超快恢復(fù)二極管。本項(xiàng)目選用的自舉二極管型號(hào)為BYV36C。