零漂移放大器：現(xiàn)可輕松用于高精度電路中

　　顧名思義，零漂移放大器是指失調(diào)電壓漂移非常接近于0的放大器。它使用自穩(wěn)零或斬波技術(shù)（或兼而有之），并隨時(shí)間和溫度連續(xù)自校正直流誤差。這使得放大器能夠?qū)崿F(xiàn)μV級(jí)失調(diào)和極低的失調(diào)漂移。因此，它尤為適用于高增益和高精密性能的信號(hào)調(diào)理電路中。例如，傳感器（比如溫度、壓力或稱重傳感器）一般產(chǎn)生低電平輸出電壓，因此需要一個(gè)放大器來放大信號(hào)，同時(shí)不應(yīng)引入更多誤差。零漂移放大器針對(duì)超低失調(diào)電壓和漂移、高共模抑制、高電源抑制以及更低的1/f噪聲而設(shè)計(jì)，是在高要求系統(tǒng)應(yīng)用中（比如檢測(cè)應(yīng)用）實(shí)現(xiàn)高分辨率的理想選擇，具有較長(zhǎng)的產(chǎn)品生命周期。

　　零漂移放大器的基本架構(gòu)

　　圖1顯示了基本斬波放大器（單位增益配置）的電路圖。直流增益路徑包括輸入斬波開關(guān)網(wǎng)絡(luò)（CHOPIN）、第一跨導(dǎo)放大器（Gm1）、輸出斬波開關(guān)網(wǎng)絡(luò)（CHOPOUT）、第二跨導(dǎo)放大器（Gm2）和頻率補(bǔ)償電容（C1和C2）。CHOP和CHOP‘通過時(shí)鐘發(fā)生器和函數(shù)控制，可校正不希望出現(xiàn)的放大器直流失調(diào)電壓（VOS）。

　　圖2顯示了相關(guān)時(shí)序圖以及預(yù)期輸出電壓（VOUT）。當(dāng)CHOP時(shí)鐘信號(hào)為高電平（A階段），放大器Gm1的差分輸入和輸出連接至信號(hào)路徑，并且無反轉(zhuǎn)。由于存在VOS，因此產(chǎn)生正輸出電壓VOUT。當(dāng)CHOP’時(shí)鐘信號(hào)為高電平（B階段），Gm1的輸入和輸出連接信號(hào)路徑且反轉(zhuǎn)，并由于VOS而產(chǎn)生負(fù)輸出電壓。來自Gm1的正負(fù)輸出電壓使輸出電壓等于±VOS。時(shí)域中的這種斬波概念類似于頻域中的調(diào)制。換言之，Gm1失調(diào)電壓由CHOPOUT向上調(diào)制到斬波頻率。另一方面，輸入信號(hào)經(jīng)由CHOPIN和CHOPOUT斬波兩次。這與向上調(diào)制然后向下調(diào)制到原始頻率的輸入信號(hào)相等。因此，進(jìn)入輸出端的輸入信號(hào)不發(fā)生反轉(zhuǎn)。

　　正負(fù)輸出電壓（來自Gm1的±VOS）以電壓紋波的形式出現(xiàn)在VOUT（圖2）。此外，CHOP和CHOP‘時(shí)鐘通過開關(guān)相關(guān)的寄生電容耦合至差分輸入引腳。時(shí)鐘改變狀態(tài)后，電荷注入差分輸入引腳。這些注入的電荷經(jīng)由有限輸入源阻抗轉(zhuǎn)換為輸出電壓毛刺。毛刺的幅度和形狀取決于輸入源阻抗以及差分輸入引腳上注入電荷的數(shù)量和匹配程度。這些輸出紋波和毛刺會(huì)產(chǎn)生開關(guān)偽像，并在噪聲頻譜中的斬波頻率和其整數(shù)倍數(shù)頻率處出現(xiàn)增長(zhǎng)。此外，每個(gè)零漂移放大器的開關(guān)偽像幅度和頻率各有不同，并且各元件之間也有所不同。本文中，術(shù)語(yǔ)“斬波”和“開關(guān)頻率”可以互換使用。

　　圖1. 斬波架構(gòu)

　　圖2. 斬波時(shí)序圖

　　數(shù)據(jù)手冊(cè)中的開關(guān)偽像

　　一般而言，零漂移放大器具有較大的寬帶噪聲和較低的開關(guān)頻率，范圍從幾千赫茲到幾十k赫茲。這限制了它們只能用于直流和低于100 Hz的應(yīng)用，以使開關(guān)頻率保持在目標(biāo)信號(hào)帶寬外。對(duì)于要求在更高帶寬下具有高精度和低漂移的應(yīng)用，使用開關(guān)頻率較高的零漂移放大器很重要。事實(shí)上，開關(guān)頻率有時(shí)候可以看成零漂移放大器的品質(zhì)因數(shù)。較新的零漂移放大器采用高級(jí)設(shè)計(jì)架構(gòu)，針對(duì)在高很多的頻率下具有較小開關(guān)偽像而設(shè)計(jì)。例如，除了在4.8 MHz處對(duì)失調(diào)電壓進(jìn)行斬波，高電壓、雙通道、零漂移放大器ADA4522-2還采用專利的失調(diào)和紋波校正環(huán)路，最大程度減少開關(guān)偽像。校正環(huán)路工作頻率為800 kHz，用于消除失調(diào)電壓±VOS（如圖2所示）。將±VOS下降至其初始值的1%能改善40 dB開關(guān)偽像。這樣可以減少系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)精度目標(biāo)的工作量。

　　檢測(cè)開關(guān)偽像最簡(jiǎn)單的方法是觀察放大器的電壓噪聲密度頻譜。圖3顯示了ADA4522-2折合到輸入的電壓噪聲密度圖。注意，通道B在其800 kHz開關(guān)頻率處表現(xiàn)出了噪聲頻譜的增加。正如前文所述，這種噪聲頻譜的增加是電荷注入失配產(chǎn)生的副作用。由于失配取決于器件對(duì)器件以及通道對(duì)通道，因此噪聲尖峰的幅度也有所不同，且并非所有器件都會(huì)表現(xiàn)出噪聲尖峰。例如，同一個(gè)器件的通道A在800 kHz開關(guān)頻率處并未表現(xiàn)出任何噪聲尖峰。各器件之間的開關(guān)頻率還可有10%到20%的差異，具體取決于片上時(shí)鐘振蕩器頻率的變化。

　　圖3. ADA4522-2電壓噪聲密度

　　不同零漂移放大器之間的噪聲對(duì)比

　　圖4顯示了三個(gè)不同高電壓、零漂移放大器折合到輸入的電壓噪聲密度。注意，測(cè)試的全部三個(gè)零漂移放大器都表現(xiàn)出了一定程度的開關(guān)偽像。某些開關(guān)偽像還在其整數(shù)倍頻率處重復(fù)。這些開關(guān)偽像可能非常大，并有可能在電路設(shè)計(jì)中引入誤差。因此，了解它們對(duì)電路的影響，然后找到減輕影響的方法很重要。如果放大器具有高于開關(guān)頻率的閉環(huán)頻率，那么這種噪聲頻譜的增加將會(huì)積分至整個(gè)帶寬中，并反映在輸出端。不僅如此，折合到輸入的電壓噪聲還會(huì)被放大器噪聲增益放大。例如，假定放大器配置為增益100，那么折合到輸出的有效噪聲電壓密度同樣會(huì)增加100倍。

　　圖4. 不同零漂移放大器的電壓噪聲密度

　　圖5. 積分輸出電壓噪聲

　　積分至放大器輸出端的總RMS噪聲取決于放大器帶寬。輸出電壓噪聲隨可用帶寬而滾降；因此，增益越高或帶寬越寬，則輸出放大器噪聲的幅度也就越大。圖5顯示了積分輸出電壓噪聲與頻率的關(guān)系。這張圖對(duì)于理解相對(duì)頻率的總積分噪聲很有用。例如，如果放大器的帶寬通過濾波而限制在100 kHz，那么放大器的固有電壓噪聲引起的總輸出噪聲可由該圖得知，如下所示：

　　表1. 輸出積分噪聲

　　使用通用乘法系數(shù)（稱為波峰因數(shù)）將RMS電壓轉(zhuǎn)換為峰峰值電壓，則峰峰值噪聲預(yù)計(jì)值如表1第三列所示。在一個(gè)5 V系統(tǒng)中，ADA4522-2提供18.6位峰峰值分辨率，而放大器B提供16.8位峰峰值分辨率。較低的總積分輸出噪聲總是有必要的，因?yàn)樗黾恿诵旁氡龋檎麄€(gè)系統(tǒng)帶來了更高的分辨率。

　　圖5中需注意的另一個(gè)有意思的地方是積分噪聲在噪聲尖峰頻率處以階躍類函數(shù)的方式遞增。噪聲尖峰（噪聲能量增加）雖然很窄，但卻會(huì)大幅增加總輸出積分噪聲。

　　時(shí)域中的開關(guān)偽像

　　很多時(shí)候，在頻域的電壓噪聲密度頻譜中可以清楚地看到開關(guān)偽像。為了理解基于時(shí)間的開關(guān)偽像特性，可以將放大器配置為緩沖器，將其同相引腳接地，并通過示波器直接觀察輸出。圖6顯示了兩個(gè)零漂移放大器的典型輸出。注意，放大器A在多個(gè)幅度中表現(xiàn)出了輸出電壓尖峰。尖峰每隔0.66 μs就重復(fù)一次。這與圖4中1.51 MHz處看到的噪聲尖峰匹配。另一方面，ADA4522-2在時(shí)域中未表現(xiàn)出任何開關(guān)偽像（藍(lán)色圖形）。換言之，噪聲尖峰低于測(cè)量系統(tǒng)的噪底，無法測(cè)出。這樣，設(shè)計(jì)人員可以在驅(qū)動(dòng)ADC的應(yīng)用中使用ADA4522-2，并十分自信地知道噪聲尖峰不會(huì)有任何問題。

　　圖6. 時(shí)域中的輸出電壓噪聲

　　減少開關(guān)偽像的濾波器

　　圖7. 帶濾波器的零漂移放大器

　　圖8. 帶后置濾波器的單位增益零漂移放大器電壓噪聲密度

　　有多種方法可以減少開關(guān)偽像的影響。這些方法最終都有賴于限制放大器帶寬，使其低于開關(guān)頻率。使用濾波器是抑制噪聲尖峰的有效方式。最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)是在放大器輸出端放置一個(gè)電阻-電容網(wǎng)絡(luò)，形成低通濾波器（圖 7A）。圖8顯示了零漂移放大器的電壓噪聲密度，后置濾波器設(shè)計(jì)為低于開關(guān)頻率10%或20%。800 kHz時(shí)的噪聲尖峰從36 nV/Hz（無后置濾波器）下降到4.1 nV/Hz（后置濾波器為80 kHz），低于放大器的低頻寬帶噪聲水平。由于后置濾波器位于開關(guān)頻率以下20%頻率處（后置濾波器為8 kHz），噪聲尖峰不再可見，而ADA4522-2與其他任何傳統(tǒng)放大器都別無二致。

　　某些應(yīng)用可能無法在放大器輸出端使用RC網(wǎng)絡(luò)。放大器輸出電流流過濾波器電阻，導(dǎo)致電壓失調(diào)，引起輸出誤差。這種情況下，可以選擇在反饋環(huán)路兩端放置一個(gè)反饋電容來過濾噪聲尖峰（圖7（b））。圖9顯示的是放大器配置為增益10時(shí)，無濾波以及在開關(guān)頻率下方10%處有后置濾波器或反饋濾波器情況下的輸出電壓噪聲密度。后置濾波器配置作為低通濾波器而言，比反饋電容更為有效。

　　圖9. 開關(guān)偽像隨濾波而減少

　　在高增益配置下使用零漂移放大器會(huì)有所幫助

　　很多設(shè)計(jì)人員都會(huì)使用零漂移放大器，但并未在系統(tǒng)中觀察到任何開關(guān)偽像。放大器配置可能是其中一個(gè)原因。零漂移放大器具有低漂移和失調(diào)特性，常用來在高增益（比如100到1000的增益）配置中對(duì)低電平幅度傳感器信號(hào)執(zhí)行信號(hào)調(diào)理。在高增益配置下使用放大器的效果與在放大器端放置一個(gè)低通濾波器的效果是一樣的。隨著增益的增加，帶寬會(huì)下降。圖10顯示了高增益配置如何降低開關(guān)效應(yīng)。當(dāng)閉環(huán)增益為100時(shí)，開關(guān)偽像在噪聲曲線上幾乎不可見。

　　圖10. 放大器帶寬隨增益滾降

　　ADA4522-2用作零漂移放大器的優(yōu)勢(shì)

　　ADI最新的零漂移運(yùn)算放大器ADA4522-2 采用專利和創(chuàng)新的電路拓?fù)?，可?shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率，并且相比之前的產(chǎn)品能最大程度減少開關(guān)偽像。當(dāng)單位增益帶寬為3 MHz且開關(guān)頻率為800 kHz和4.8 MHz時(shí)，40的增益配置便足夠過濾開關(guān)偽像，無需外部低通濾波。該器件具有低失調(diào)電壓漂移（22 nV/°C最大值）、低噪聲（5.8 nV/Hz，增益配置為100）、低輸入偏置電流（150 pA最大值）、高共模抑制和電源抑制性能，是電子秤、電流檢測(cè)、溫度傳感器前端、稱重傳感器和橋式傳感器等精密應(yīng)用以及其他大量漂移關(guān)鍵型應(yīng)用的理想選擇。

　　結(jié)論

　　零漂移放大器具有極低的失調(diào)電壓和漂移，是要求針對(duì)低電平信號(hào)進(jìn)行高精度放大應(yīng)用的理想選擇。下文提供一些使用建議。

　　所有零漂移放大器都存在一定程度的開關(guān)偽像，這通常在電壓噪聲密度曲線中可以檢測(cè)到。

　　不同器件的開關(guān)偽像幅度也有所不同。

　　器件之間開關(guān)頻率的最大差異可達(dá)20%。

　　開關(guān)偽像可在頻域和時(shí)域中檢測(cè)到。取決于具體應(yīng)用，開關(guān)偽像可能導(dǎo)致誤差。

　　零漂移放大器通常用于高增益配置中；此時(shí)帶寬下降，因而很多情況下開關(guān)偽像不會(huì)導(dǎo)致任何問題。

　　減少開關(guān)偽像，從而降低輸出誤差量很重要。使用一個(gè)低通濾波器（RC后置濾波器或反饋電容）以便在開關(guān)頻率之前滾降放大器帶寬便可抑制偽像。

　　高開關(guān)頻率可降低濾波器對(duì)于較寬、可用、且無偽像帶寬的要求。

　　致謝

　　Emman Adrados為本文撰寫作出了貢獻(xiàn)，在此表示衷心感謝。

　　作者

　　Vicky Wong ［vicky.wong@analog.com］ 是ADI公司的應(yīng)用工程師，于2008年加入ADI，負(fù)責(zé)精密放大器和基準(zhǔn)電壓源產(chǎn)品。她擁有伊利諾伊大學(xué)香檳分校電氣工程學(xué)士和碩士學(xué)位。

　　Yoshinori Kusuda ［yoshinori.kusuda@analog.com］ 是線性和精密技術(shù)部門的IC設(shè)計(jì)工程師，工作地點(diǎn)在加利福尼亞圣何塞市。他主要負(fù)責(zé)精密CMOS放大器和開關(guān)電容設(shè)計(jì)， 分別于2002年和2004年獲得東京工業(yè)大學(xué)的電氣工程學(xué)士和碩士學(xué)位。