。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性,也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?! ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?! ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料,SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點,被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
每個橋臂需要4個MOSFET以及各自的驅(qū)動,增加了系統(tǒng)復(fù)雜度,再比如每個橋臂需要各自的鉗位二極管,增加了系統(tǒng)成本?! ”疚闹?,將介紹我們8KW LLC變換器的設(shè)計方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
通時由電容驅(qū)動的柵極 - 源極電壓,其源于半橋配置中第二個碳化硅MOSFET的高dv/dt開關(guān)?! 」?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET設(shè)計中在此類問題一般可以通過柵極驅(qū)動器和硅MOSFET柵極之間插入一個高阻值電阻,或找到
2023-03-14 14:05:02
,因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。 (4)碳化硅器件可工作在高溫,碳化硅器件已有工作在600oC的報道,而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力?! ?6
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
充電器、電機和太陽能逆變器,不僅可以從這些新器件中受益匪淺,不僅在效率上,而且在尺寸上,可實現(xiàn)高功率、高溫操作。但是,不僅器件的特性讓人對新設(shè)計充滿好奇,也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅(SiC)技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
本帖最后由 ewaysqian 于 2024-2-21 14:26 編輯
碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場強度、高電流密度、快速開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和抗輻射性能等獨特特點,在電子器件領(lǐng)域有著
2022-02-17 14:36:16
領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,工程師們越來越多地在尋找新的解決方案,并對技術(shù)提出更多的要求,以滿足消費者和行業(yè)的需求。碳化硅半導(dǎo)體是滿足這些需求的優(yōu)選答案,其本身也在不斷改進,以期提供與舊技術(shù)相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
反向恢復(fù)電流,其關(guān)斷過程很快,開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高,可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境??膳渲脼閱蝹€或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復(fù)的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
精細(xì)化,集成化方向發(fā)展?! ?b class="flag-6" style="color: red">在新技術(shù)驅(qū)動下,汽車電子行業(yè)迎來新一輪技術(shù)革命,行業(yè)整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下,車用電路板也會向上成長。車用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13
在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。 在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時間,能以更低成本實現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
明顯優(yōu)勢,可以用來做成高耐壓的肖特基二極管,目前650V-1700V碳化硅肖特基二極管在消費、工業(yè)、汽車、軍工等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用?! ?3 碳化硅肖特基二極管結(jié)構(gòu)簡析 肖特基二極管:以金屬為陽極,以N
2023-02-28 16:55:45
,能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量。 碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點,應(yīng)用開關(guān)頻率可達(dá)到1MHz,在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢明顯,其中碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費國,半導(dǎo)體消費量占全球消費量的比重超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點,可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗,提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機控制器
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC ) 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
柵極電壓,在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間,也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?! ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點,可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
,利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統(tǒng)中的功率器件,可以降低驅(qū)動器損耗,提高開關(guān)頻率,降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET,驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
近年來,因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動,碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度,更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
系統(tǒng)能做得越小巧,則電動車的電池續(xù)航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地,氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴散,與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
,在這些環(huán)境中,傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能,包括飛機、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天,SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來,預(yù)計多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
,獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資,創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度,實現(xiàn)雙倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案,議程分為:功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個部分。
2023-09-05 06:13:28
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合,可提供最佳的性價比。混合碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管,也是一個不錯的選擇,與純硅解決方案相比,可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
和高性能的碳化硅 MOSFET之間,在某些場合性價比更優(yōu)于超結(jié)MOSFET和碳化硅MOSFET,可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡,具有重要的應(yīng)用價值,特別適用于對功率密度提升有需求,同時更強
2023-02-28 16:48:24
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
不同的2A通道控制。它經(jīng)過精心設(shè)計和優(yōu)化,可驅(qū)動外部電源開關(guān)器件,可以是碳化硅(SiC)MOSFET或常開JFET器件(用戶可在板級選擇配置)??梢允褂闷渌β书_關(guān)器件,例如常關(guān)JFET,以及IGBT甚至
2019-05-13 09:37:52
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明,在高負(fù)載范圍和低開關(guān)速度(《5V/ns)下,SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動與傳統(tǒng)方法相比,導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機驅(qū)動器等應(yīng)用中,dv/dt 通常限制為 5V/ns,電流源驅(qū)動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
,能夠在 MOSFET 關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負(fù)電壓、高充電/放電脈沖電流,并且足夠快以在納秒范圍內(nèi)操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅(qū)動器,可輕松用于驅(qū)動碳化硅(SiC)MOSFET以及標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-27 09:52:17
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
功率半導(dǎo)體技術(shù)的不斷改進使功率轉(zhuǎn)換器更加高效和緊湊。碳化硅 CoolSiC? MOSFET因其卓越的效率,尤其是在部分負(fù)載下而被視為電驅(qū)動應(yīng)用的新趨勢。甚至可以實現(xiàn)無風(fēng)扇設(shè)計,從而實現(xiàn)集成度更高
2023-02-22 16:42:00
安森美半導(dǎo)體已成為主要汽車半導(dǎo)體技術(shù)的一個全球領(lǐng)袖。 安森美半導(dǎo)體是自動駕駛系統(tǒng)的圖像傳感器、電源管理和互通互聯(lián)領(lǐng)域的一個公認(rèn)的佼佼者。此外,公司的廣泛電源方案組合,包括模塊和碳化硅(SiC)/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
安森美半導(dǎo)體電源方案部(PSG)加速了擴展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅(qū)動器產(chǎn)品陣容,針對汽車應(yīng)用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車認(rèn)證的器件數(shù)現(xiàn)已超過4,000,是該行業(yè)中最大的供應(yīng)商
2018-10-25 08:53:48
是基本半導(dǎo)體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅(qū)動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品?! ≡摦a(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝,采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
,導(dǎo)通電阻更低;碳化硅具有高電子飽和速度的特性,使器件可工作在更高的開關(guān)頻率;同時,碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性,使電力
2023-02-22 16:06:08
位功能,可用于各種開關(guān)拓?fù)淇刂?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳,為設(shè)計人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案,可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源,其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
的門檻變得越來越低,價格也在逐步下降,應(yīng)用領(lǐng)域也在慢慢扭轉(zhuǎn)被海外品牌一統(tǒng)天下的局面。據(jù)統(tǒng)計,目前國內(nèi)多家龍頭企業(yè)已開始嘗試與內(nèi)資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當(dāng)前國內(nèi)品牌尚不具備競爭優(yōu)勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
)和1200V 碳化硅隔離全橋DC/DC方案(下圖)因此碳化硅MOSFET在軟開關(guān)橋式高輸入電壓隔離DC/DC電路中優(yōu)勢明顯,簡化拓?fù)?,實現(xiàn)高效和高功率密度。特別是它的超快體二極管特性使無論諧振LLC
2016-08-25 14:39:53
小于5ns; · 選用低傳輸延時,上升下降時間短的推挽芯片。 總之,相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時,對于驅(qū)動器也提出了更高要求,為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗,并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件,其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用。可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者:大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁(電動汽車充電站)應(yīng)用的功率級提供了藍(lán)圖。此設(shè)計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相電機半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級,并能夠監(jiān)控和保護各種故障情況。圖1:電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅MOSFET橋臂電路串?dāng)_抑制方法_鐘志遠(yuǎn)
2017-01-04 16:32:5017 近年來,以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件越來越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管,以其寬帶隙,高電場強度,良好散熱特性,以及高可靠性等特點,為客戶
2018-09-24 09:13:007217 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID,在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:563764 硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面
2019-12-09 13:58:0223531 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳(Cree Inc., 美國納斯達(dá)克上市代碼:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合,適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用,助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用,提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加,以滿足更低的碳排放目標(biāo),基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進一步完善其豐富的碳化硅MOSFET分立和模塊產(chǎn)品組合
2021-10-09 16:17:461644 電動出行和可再生能源系統(tǒng)需要能夠提高性能效率和加快開發(fā)時間的電源管理解決方案。為滿足這些要求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布與Mersen合作推出150千伏安(kVA)三相碳化硅電源協(xié)議棧參考設(shè)計。
2021-12-14 09:44:591588 在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透,碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè),均發(fā)表了對行業(yè)發(fā)展的積極展望,并計劃投資擴大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開。 激進的擴產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872 基于進一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機的結(jié)構(gòu)設(shè)計方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計方案。為了進一步
2022-12-21 14:02:33836 摘 要 基于進一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機的結(jié)構(gòu)設(shè)計方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計方案
2022-12-21 14:05:031414 碳化硅具備耐高溫、耐高壓、高頻率、高效率等特性,發(fā)展勢頭迅猛?;?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅特性,碳化硅驅(qū)動器相較于硅器件驅(qū)動器有其特殊要求,面臨不同的設(shè)計挑戰(zhàn)。青銅劍技術(shù)針對碳化硅的應(yīng)用特點,推出了2CP0335V33-LV100等碳化硅驅(qū)動器,可滿足多樣化需求。
2022-12-29 11:34:26964 硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾**幾個方面。
2023-02-03 14:54:471076 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點。因此,碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:151182 隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴展。
2023-08-10 18:17:49855 環(huán)球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè),預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進行認(rèn)證,并于2025年量產(chǎn)。
2023-10-27 15:07:43394 點擊藍(lán)字?關(guān)注我們 安森美(onsemi) 中國區(qū)汽車市場技術(shù)應(yīng)用負(fù)責(zé)人、碳化硅首席專家吳桐博士 近日就碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈迭代趨勢以及完善產(chǎn)業(yè)鏈背后 安森美的公司業(yè)績、 運營模式、市場前景與產(chǎn)業(yè)合作等內(nèi)容
2023-11-01 19:15:02394 碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322 ,從而具有較高的導(dǎo)電能力和熱導(dǎo)率。相比傳統(tǒng)的硅MOSFET,在高溫環(huán)境下,碳化硅MOSFET表現(xiàn)更加出色。這意味著碳化硅MOSFET能夠在高溫條件下提供更高的功率密度和更高的效率。高溫特性使得碳化硅MOSFET成為高頻開關(guān)電路的理想選擇。 2. 快速開關(guān)速度: 碳化硅MOSFET具有極
2023-12-21 10:51:03357 ,高耐壓,高可靠性。可以實現(xiàn)節(jié)能降耗,小體積,低重量,高功率密度等特性,在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。 一. 碳化硅MOSFET常見封裝TO247 碳化硅MOSFET是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的場效應(yīng)晶體管。它的工
2024-02-21 18:24:15412
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