貿澤電子即日起備貨Maxim Integrated 的DS28E39和DS28E84 DeepCover?認證器。
2019-07-31 16:32:46
741 貿澤電子即日起開始備貨Osram Opto Semiconductors的Osconiq? S 3030 QD LED。該中功率LED采用量子點 （QD） 可調諧光轉換技術。
2019-10-15 16:08:161135 貿澤電子即日起開售NXP Semiconductors的Layerscape? LS1046A Freeway （FRWY-LS1046A） 評估板。
2019-10-30 17:19:511288 貿澤電子即日起開始供應Osram Opto Semiconductors的Oslon? Pure 1010 LED。
2019-10-31 14:44:411502 貿澤電子即日起備貨NXP? Semiconductors i.MX 7ULP應用處理器。
2019-11-12 14:11:581110 電子元器件分銷商貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨Samtec的5G汽車與交通運輸連接解決方案，并可當天發(fā)貨。
2019-12-13 14:28:35825 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。
2020-03-16 15:04:331201 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨Microchip Technology的全新AgileSwitch?相臂SiC MOSFET模塊。
2020-10-15 14:17:12948 貿澤電子即日起開始備貨Laird Connectivity的FlexPIFA 6E天線。
2021-11-18 09:56:311679 
貿澤電子宣布即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機存取存儲器 （FRAM） 和高密度電阻式隨機存取存儲器 （ReRAM） 產品。
2021-12-13 14:06:53960 
（Mouser Electronics） 即日起開始備貨Vishay Intertechnology的VEMI256A-SD2雙通道EMI濾波器。
2022-02-08 11:18:401629 
80S51的IO該如何利用晶體管驅動外圍設備？ 80C51單片機的P1、P2、P3都是準雙向IO，P0是開漏IO。對開漏IO來說，外接上拉電阻后，特性與準雙向IO類似。準雙向IO的特點是，高電平
2012-08-17 21:33:22
80W晶體管與電子管混合純甲類功放電路[hide]80W晶體管電子管混合純甲類功放的制作[/hide]
2009-12-15 10:48:06
GaN為5G sub-6GHz大規(guī)模MIMO基站應用提供的優(yōu)勢LDMOS的優(yōu)勢是什么如何選擇正確的晶體管技術
2021-03-09 07:52:21
與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
LDMOS晶體管的應用，也使得LDMOS的技術不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數(shù)情況下它將取代雙極型晶體管技術。與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型
2019-06-26 07:33:30
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
一、晶體管如何表示0和1 從第一臺計算機到EDVAC，這些計算機使用的都是電子管和二極管等元件，利用這些元件的開關特性實現(xiàn)二進制的計算。然而電子管元件有許多明顯的缺點。例如，在運行時產生的熱量
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
在合理設置靜態(tài)工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路。如圖Z0212所示?！ ?晶體管的端口電壓和電流的關系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數(shù)
2021-05-13 07:56:25
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構成
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據(jù)應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
如果說起來，電子管也算得上是晶體管的“前輩”了。但是，如今電子管在電子電路設計領域中的地位已經(jīng)漸漸地被晶體管所取代，只有在少數(shù)對于音頻質量有著極高要求的產品中，才會出現(xiàn)電子管的身影。那么晶體管
2016-01-26 16:52:08
2023年2月27日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨ams OSRAM的Mira220全局快門傳感器。此
2023-02-28 09:31:06
、航空航天和國防應用提供產品和解決方案。高電壓、高功率、堅固耐用的晶體管，具有無與倫比的效率和出色的熱性能。正在尋找無可爭議且可靠的無線電覆蓋范圍？從我們專為 0.4-1 GHz 操作而設計的完整移動
2021-06-28 18:02:51
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產品組合。我們目前的產品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導體技術。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管，專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統(tǒng)而設計。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20％的占空比工作，在瞬時工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號：IGT2731L120產品名稱： S波段晶體管 產品特性GaN HEMT技術對SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
用于開發(fā)穩(wěn)健的物聯(lián)網(wǎng)及可穿戴應用 2018年6月4日 – 專注于新產品引入 (NPI) 并提供極豐富產品類型的業(yè)界頂級半導體和電子元件分銷商貿澤電子即日起備貨 Semiconductor
2018-09-21 11:51:15
型摻雜半導體材料隔開。PNP晶體管中的大多數(shù)電流載流子是空穴s，而電子是少數(shù)電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉的。電流在PNP中吸收到基極，由于PNP是電流控制器件，適度的基極
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:24:16
化鎵晶體管SGN36H120M1H砷化鎵晶體管SGNH360M1H砷化鎵晶體管SGN31E030MK砷化鎵晶體管SGK5254-30A-R砷化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:32:19
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
設計芯片和智能設備產品時，卻不得不考慮其影響。 芯片里程表 明尼蘇達大學電氣工程教授Chris H. Kim早在10多年前就開始對晶體管老化對芯片和電子系統(tǒng)的影響開始進行研究和試驗。他最早提出
2017-06-15 11:41:33
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
200，000個電子，而單個電子晶體管僅包含一個或幾個電子，因此將大大降低功耗并提高集成電路的集成度。1989年，J.H.F.Scott-Thomas等研究人員發(fā)現(xiàn)了庫侖阻塞現(xiàn)象。當施加電壓時，如果量子點中
2023-02-03 09:36:05
v-
1 s-
1，是硅基
晶體管的四分之一。低
電子遷移率阻滯了透明
晶體管的電流承載能力。目前，薄膜
晶體管受限于低電流、低速率、且需高壓驅動。當務之急是找出能生產透明高性能器件的替代材料?！ √娲鷮щ娧趸?/div>
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
做了一個單結晶體管仿真（電力電子技術的初學者）。有個問題請教于各位高手。1：開關初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關打開，點擊仿真后，點擊開關閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數(shù)字晶體管啟動。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數(shù)字晶體管啟動。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
有誰知道貿澤電子賣的運放里面有假貨嗎？
2020-06-06 15:40:23
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構成
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半橋LLC諧振轉換器的拓撲結構。在較高頻率下，無源諧振電路（例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器）的尺寸明顯減小，從而提高了功率密度。此外，還需要考慮功率晶體管（Q1和Q2）的選擇，以權衡
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
低熱阻：0.2℃/W 運用GaNonSiC高電子遷移率晶體管(HEMT)完成的零碎劣勢包括： 具有簡化阻抗婚配的單端設計，替代需求額定分解的較低功率器件 最頂峰值功率和功率增益，可增加零碎
2012-12-06 17:09:16
所需的組件，降低系統(tǒng)成本，提高可靠性。 英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應用和氣象觀察應用的L波段雷達系統(tǒng)。雷達系統(tǒng)在特定頻率范圍內發(fā)射高能電子脈沖，然后檢測脈沖
2018-11-29 11:38:26
ART1K6FHG功率LDMOS晶體管 這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進耐用技術 (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1
2024-02-29 20:57:46
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場
2010-09-17 18:29:31
20 什么是RF LDMOS晶體管
DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴
2010-03-05 16:22:596177 恩智浦半導體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產品線的擴展產品。
2013-06-21 11:09:261535 2013年12月6日 – 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始供應新一代具有 USB 3.0 和圖形支持的 Intel? Atom? 22nm 64 位多核處理器，該處理器旨在用于從智能手機到智能嵌入式系統(tǒng)的高性能低功耗應用。
2013-12-09 09:56:531083 2013年12月24日 – 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始供應 Analog Devices Inc （ADI） 的新型 ADuM144x 4 通道數(shù)字隔離器，堪稱現(xiàn)在所有數(shù)字隔離器中功耗最低的隔離器。
2013-12-24 17:47:27829 貿澤電子（Mouser Electronics） 即日起開始分銷NXP Semiconductors的 QN902x超低功耗藍牙片上系統(tǒng) （SoCs） 和 QN9020藍牙開發(fā)套件。QN902x
2016-05-05 15:43:581159 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始供應OSRAM Opto Semiconductors的SFH 4715AS和SFH 4716AS紅外LED （IRED），此為IR
2018-04-17 16:32:001055 貿澤電子(Mouser)即日起開始供應恩智浦(NXP)S32V234視覺與感測融合處理器。S32V234的設計可支援視覺與感測器融合應用中的安全運算應用，包括先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、前方攝影機
2018-02-05 05:55:111219 最新半導體和電子元件的全球授權分銷商貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨Hirose Electric Company的IX Industrial系列I/O 連接器
2018-04-25 14:32:00981 近日，半導體和電子元件的全球授權分銷商貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨Hirose Electric Company的IX Industrial系列I/O 連接器
2018-04-17 17:48:001853 貿澤電子 （Mouser Electronics）即日起開始備貨LTM8065 μModule降壓穩(wěn)壓器，這是Analog Devices， Inc旗下Linear Technology公司的一款
2018-04-28 10:52:001056 最新半導體和電子元件的全球授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨NXP Semiconductors的S32R274雷達微控制器。S32R274結合了信號處理加速
2018-06-08 00:22:003246 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起備貨NXP Semiconductors的S32R274雷達微控制器。S32R274結合了信號處理加速與多核架構，其在工業(yè)和自動化應用中的性能最高可達前代產品的四倍，能滿足現(xiàn)代波束成形以及快速線性調頻雷達系統(tǒng)的高性能計算需求。
2018-05-04 15:27:001122 專注于新產品引入 （NPI） 并提供極豐富產品類型的業(yè)界頂級半導體和電子元件分銷商貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始分銷TDK Group旗下子公司InvenSense
2018-05-10 17:15:001207 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始供貨GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板 （IMS） 評估平臺。IMS評估平臺價格親民，對于汽車、消費電子、工業(yè)和服務器或數(shù)據(jù)中心應用中的功率系統(tǒng)而言，能夠改善熱傳導性能、提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。
2018-05-10 10:17:001473 貿澤電子（Mouser Electronics） 即日起開始備貨Silicon Labs的兩款全新zigbee互聯(lián)家居參考設計。zigbee智能插座參考設計和zigbee占位傳感器參考設計透過業(yè)界
2018-05-14 11:51:00864 最新半導體和電子元件的全球授權分銷商貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起備貨Renesas Electronics的RX130系列32位單片機。RX130單片機采用全新的電容式
2018-05-16 15:52:00716 最新半導體和電子元件的全球授權分銷商貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起備貨STMicroelectronics （ST） 的ACEPACK? IGBT模塊。Adaptable
2018-05-16 15:11:001090 貿澤電子（ Mouser Electronics） 即日起備貨Maxim Integrated 的MAX77734 電源管理IC （PMIC）。此款超小尺寸、超低功耗的PMIC可幫助設計師延長可穿戴設備以及耳戴式智能設備的鋰離子電池壽命。
2018-05-14 09:49:001262 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開售 Murata的DMH系列超級電容。此系列超級電容具有僅0.4mm的超薄身材，適用于可穿戴設備、醫(yī)療貼片、電子紙、智能卡和其他空間受限移動裝置的峰值功率輔助。
2018-05-17 09:20:001147 專注于引入新品并提供海量庫存的半導體與電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨TE Connectivity (TE) 的ELCON Micro電源連接器。
2019-03-09 09:21:52705 即日起備貨NXP Semiconductors的i.MX RT117F跨界處理器。該處理器在NXP著名的EdgeReady產品組合基礎上加以擴展，提供了安全的低成本嵌入式3D人臉識別解決方案。通過
2022-12-07 14:41:281533 2023 年9 月20 日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨NXP Semiconductors
2023-09-25 09:45:34112 已全部加載完成
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