氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而設(shè)計(jì)，在極小的芯片級(jí)封裝中，實(shí)現(xiàn)?350 V、80 mΩ?最大?RDS(on)和26 A 峰值電流，是多電平轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電、太陽(yáng)能逆變器
2022-04-08 16:01:44
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司?(EPC)宣布推出通過車規(guī)認(rèn)證的晶體管和集成電路最新成員，針對(duì)飛行時(shí)間激光雷達(dá)（ToF激光雷達(dá)）應(yīng)用，讓客戶實(shí)現(xiàn)具有更高的性能和更小型化的解決方案，用于機(jī)器人、無人機(jī)、3D傳感器
2022-04-28 17:59:424194 
宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。? EPC2071是面向要求高功率密度的應(yīng)用的理想器件，包括用于新型服務(wù)器
2022-05-17 17:51:112990 
宜普電源轉(zhuǎn)換公司?為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。? EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度
2022-06-01 10:22:412953 
GaN晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有較小的尺寸，非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用EPC的GaN EPC2032進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。 EPC
2021-03-23 16:19:563138 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
面向高功率密度且低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換，EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級(jí)實(shí)現(xiàn)性能更高和尺寸更小的解決方案。
2020-12-22 09:16:201319 EPC公司和ADI公司推出參考設(shè)計(jì)，采用全面優(yōu)化的新型模擬控制器來驅(qū)動(dòng)EPC的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN?FET相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)2 MHz的開關(guān)頻率，從而實(shí)現(xiàn)高功率密度和低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換。
2022-03-16 09:42:381168 
表面貼裝型 N 通道 350 V 6.3A（Ta） 模具
2024-02-01 19:02:36
EPC2001C–增強(qiáng)型功率晶體管
2023-03-28 18:19:32
BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN
2023-03-29 22:47:11
BOARD DEV FOR EPC2001 100V GAN
2023-03-29 22:53:09
EVAL BOARD GAN EPC2020/EPC2021
2023-03-30 11:52:57
50V以下。需要說明的一點(diǎn)是，捕捉波形時(shí)使用的是1GHz示波器和探頭。結(jié)論GaN晶體管與其驅(qū)動(dòng)器的封裝集成消除了共源電感，從而實(shí)現(xiàn)了高電流壓擺率。它還減少了柵極環(huán)路電感，以盡可能地降低關(guān)閉過程中的柵極應(yīng)力，并且提升器件的關(guān)斷保持能力。集成也使得設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">GaN FET搭建高效的過熱和電流保護(hù)電路。
2018-08-30 15:28:30
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管?！ “措娏魅萘糠诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時(shí)，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測(cè)，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
300V，一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號(hào)的晶體管。 3．行推動(dòng)管的選用彩色電視機(jī)中使用的行推動(dòng)管，應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
和更高導(dǎo)熱系數(shù)。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。 此MMIC可用于10引線金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝
2020-12-03 11:46:10
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類模式工作時(shí)，該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類模式工作時(shí)，該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管，專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 當(dāng)在VCC = 50V的模式S脈沖突發(fā)條件下以C類模式運(yùn)行時(shí)，此通用基本設(shè)備可提供
2021-04-01 10:11:46
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術(shù)通過芯片和線材技術(shù)組裝
2021-04-01 09:57:55
9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。相關(guān)
2018-11-12 10:26:20
`產(chǎn)品型號(hào)：NPTB00025B產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對(duì)DC-4000MHz的寬帶運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化散熱增強(qiáng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝100％射頻測(cè)試具有高達(dá)32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報(bào)價(jià)QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
`SUMITOMO的SGNE045MKGaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供了更高的增益。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是高電壓的低
2021-03-30 11:32:19
v-1 s-1，是硅基晶體管的四分之一。低電子遷移率阻滯了透明晶體管的電流承載能力。目前，薄膜晶體管受限于低電流、低速率、且需高壓驅(qū)動(dòng)。當(dāng)務(wù)之急是找出能生產(chǎn)透明高性能器件的替代材料?！ √娲鷮?dǎo)電氧化物
2020-11-27 16:30:52
（IGBT）絕緣柵雙極晶體管結(jié)合了巨型晶體管GTR和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)。它具有良好的性能和廣泛的應(yīng)用。IGBT也是三端器件：柵極、集電極和發(fā)射極。晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)包括電流放大因數(shù)
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
更高的功率耗散，因?yàn)檩敵?b class="flag-6" style="color: red">晶體管不能飽和。在更高的頻率下，更大的相移也是可能的，這可能會(huì)導(dǎo)致負(fù)反饋下的不穩(wěn)定?！ ∵_(dá)林頓晶體管原理圖通常描繪了在單個(gè)大圓圈內(nèi)連接在一起的一對(duì)晶體管元件?；パa(bǔ)達(dá)林頓或
2023-02-16 18:19:11
（GaN）技術(shù)實(shí)現(xiàn)比使用傳統(tǒng)硅功率晶體管更高的效率。氮化鎵具有極高的電子遷移率和低溫度系數(shù)，這使得功率晶體管具有非常低的導(dǎo)通電阻（R上），從而最大限度地減少了導(dǎo)通狀態(tài)傳導(dǎo)損耗。橫向晶體管結(jié)構(gòu)還實(shí)現(xiàn)了極低
2023-02-21 15:57:35
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
導(dǎo)致電子節(jié)氣門EPC警告燈點(diǎn)亮的原因有哪些？如何解決POLO電子節(jié)氣門EPC燈亮的問題？
2021-05-14 06:07:41
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
`手機(jī)EOS保護(hù)方案如何通過350V的測(cè)試？ 自從OPPO 手機(jī)的快充作為賣點(diǎn)，大家都覺得滿足了自己的很大需求，快充電流從1A到2A ， 到目前已經(jīng)在測(cè)試的5A，手機(jī)快充的需求日益增長(zhǎng)，然而滿足快充
2017-07-31 13:59:25
的開關(guān)動(dòng)作關(guān)于數(shù)字晶體管的用語(yǔ)選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導(dǎo)體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場(chǎng)也存在整并壓力，這一點(diǎn)從英飛凌收購(gòu)IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
EPC標(biāo)簽芯片的面積不足1平方毫米，可實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制96（128）字節(jié)信息存儲(chǔ)，它的標(biāo)識(shí)容量上限是：全球2.68億家公司，每個(gè)公司出產(chǎn)1600萬(wàn)種產(chǎn)品，每種產(chǎn)品生產(chǎn)680億個(gè)。這樣大的容量可以將全球每年
2019-06-21 06:06:31
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時(shí)的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢(shì)。對(duì)晶體管
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優(yōu)勢(shì) 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
集成電路［7］。圖7顯示了單片功率級(jí)GaN IC的框圖和實(shí)際芯片照片。將這種單片集成電路的實(shí)驗(yàn)測(cè)量效率（如圖8所示）與使用具有相同導(dǎo)通電阻的eGaN?晶體管的分立電路進(jìn)行比較，并由uPI半導(dǎo)體uP1966
2023-02-24 15:15:04
的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實(shí)現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該
2022-06-15 11:43:25
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制，單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
各位前輩可有辦法不用變壓器產(chǎn)生穩(wěn)定的350V直流電壓？
2011-11-19 14:28:56
進(jìn)一步減少所需的組件。 憑借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術(shù)，PTVA127002EV展現(xiàn)出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進(jìn)行測(cè)量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
所示。為了方便仿真，控制端直接接到了負(fù)載電源24V的電壓上，也就是一上電壓負(fù)載就應(yīng)該導(dǎo)通。圖中使用的晶體管只是LTspice仿真模型庫(kù)當(dāng)中現(xiàn)成的模型，沒有什么特殊的型號(hào)要求，并用一個(gè)PNP晶體管替代了圖
2016-06-03 18:29:59
關(guān)鍵詞 EPC-296x摘 要 EPC-296x 產(chǎn)品上各接口說明及使用方法
2009-11-02 14:51:47
28 RFID/EPC,RFID/EPC是什么意思
RFID是一項(xiàng)易于操控，簡(jiǎn)單實(shí)用且特別適合用于自動(dòng)化控制的靈活性應(yīng)用技術(shù)，其所具備的獨(dú)特優(yōu)越性是其它
2010-04-01 17:42:4913201 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。
2011-08-18 09:53:101681 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9004開發(fā)板，這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普200V增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)產(chǎn)品
2011-08-19 08:51:181085 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9005/EPC9006 開發(fā)板 ，這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)產(chǎn)品。 EPC9005開發(fā)板 EPC9005開發(fā)板能使用戶更方便地使用
2011-09-28 09:30:241206 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣佈推出採(cǎi)用增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)電晶體的EPC9003及EPC9006開發(fā)板， 展示最新推出、專為驅(qū)動(dòng)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)電晶體而優(yōu)化的積體電路閘極驅(qū)動(dòng)器可幫助工程師簡(jiǎn)單
2012-10-12 09:12:491308 低壓氮化鎵（GaN）器件市場(chǎng)越來越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應(yīng)商。
2017-10-18 17:22:0710585 EPC為汽車激光雷達(dá)（LiDAR）系統(tǒng)設(shè)計(jì)的新款80 V EPC2214獲得了美國(guó)汽車電子協(xié)會(huì)AEC Q101認(rèn)證。
2019-04-23 14:02:512611 EPC9144演示板內(nèi)的車規(guī)級(jí)EPC2216氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應(yīng)用，提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達(dá)28 A、脈寬則可低至1.2納秒，從而使得飛行時(shí)間及flash激光雷達(dá)系統(tǒng)更準(zhǔn)確、更精確及更快速。
2020-01-16 09:48:002893 EPC2152是一個(gè)單晶驅(qū)動(dòng)器并配以基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN? FET）、采用EPC專有的氮化鎵集成電路技術(shù)的半橋功率級(jí)。在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉(zhuǎn)換電路、自舉充電電路、柵極驅(qū)動(dòng)器
2020-03-20 09:14:392553 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 器件成為研發(fā)的重點(diǎn)，相關(guān)的應(yīng)用開發(fā)活動(dòng)也十分活躍。 EPC新近推出的EPC2218增強(qiáng)模式氮化鎵功率晶體管（eGaN FET）就是在這個(gè)大趨勢(shì)下應(yīng)運(yùn)而生的一款性能優(yōu)異的器件。 EPC2218是100V、60A和231A脈沖增強(qiáng)型GaN FET，該晶片的尺寸為3.5mm x 1.95
2021-08-17 18:03:152397 氮化鎵 （GaN） 繼續(xù)其接管宇宙光譜的使命。GaN 的長(zhǎng)期存在并未結(jié)束，它憑借其功率晶體管進(jìn)入太空，這是支持極端太空任務(wù)的電源和射頻應(yīng)用的理想選擇。EPC Space 通過其新的 eGaN
2022-07-27 08:03:05515 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:54580 
是一種高度移動(dòng)的半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體 (HEMT)，被證明在滿足新應(yīng)用方面具有真正的附加值。 GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用。板空間非常昂貴。eGaN?的FET，從EPC，在低電感，低電阻，
2022-08-08 09:38:242061 
EPC2106是增強(qiáng)型單片 GaN 晶體管半橋，將兩個(gè) eGaN 功率 FET 集成到單個(gè)器件中，從而消除了 PCB 上所需的互連電感和間隙空間。
2022-08-29 09:15:42562 GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11426 EPC EPC9194 三相 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器參考設(shè)計(jì)可提供高達(dá) 60Apk (40ARMS) 的輸出電流。 EPC 的 EPC9194 是一款 3 相 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器
2023-11-14 16:53:02646
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