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電子發(fā)燒友網>模擬技術>一種基于微電容測量電路的模擬開關的電荷注入效應設計淺析

一種基于微電容測量電路的模擬開關的電荷注入效應設計淺析

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一文解析什么是電荷泵電源

電荷泵(Charge Pump)是“開關電容技術”眾多應用中的一種。利用開關電容充放電不同的連接方式,以非常簡單的電路實現(xiàn)DC/DC的升壓、降壓、負壓等變換器功能。
2020-09-04 15:17:185522

ADG1211/ADG1212/ADG1213:低電容、低電荷注入、±15 V/+12 V<em>I</em>CMOS;四路SPST開關數(shù)據(jù)表

ADG1211/ADG1212/ADG1213:低電容、低電荷注入、±15 V/+12 VICMOS;四路SPST開關數(shù)據(jù)表
2021-04-14 14:39:599

DN38-新型微功耗、低電荷注入模擬開關的應用

DN38-新型微功耗、低電荷注入模擬開關的應用
2021-04-19 19:41:431

ADG1221/ADG1222/ADG1223:低電容、低電荷注入、±15 V/+12 V<i>CMOS?雙SPST開關產品手冊

ADG1221/ADG1222/ADG1223:低電容、低電荷注入、±15 V/+12 VCMOS?雙SPST開關產品手冊
2021-04-22 21:27:555

ADG1201:SOT-23數(shù)據(jù)表中的低電容、低電荷注入、±15 V/+12 V、iCMOS、SPST

ADG1201:SOT-23數(shù)據(jù)表中的低電容、低電荷注入、±15 V/+12 V、iCMOS、SPST
2021-04-22 21:31:416

ADG636:1 PC電荷注入,100 pA漏電,CMOS±5 V/+5 V/+3 V雙SPDT開關數(shù)據(jù)表

ADG636:1 PC電荷注入,100 pA漏電,CMOS±5 V/+5 V/+3 V雙SPDT開關數(shù)據(jù)表
2021-05-09 17:16:3510

ADG1236:低電容,低電荷注入,±15 V/12 V<em>I</em>CMOS,雙SPDT開關數(shù)據(jù)表

ADG1236:低電容,低電荷注入,±15 V/12 VICMOS,雙SPDT開關數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:36:122

LTC221/LTC222:微功耗、低電荷注入、帶數(shù)據(jù)鎖存器的四路CMOS模擬開關數(shù)據(jù)表

LTC221/LTC222:微功耗、低電荷注入、帶數(shù)據(jù)鎖存器的四路CMOS模擬開關數(shù)據(jù)表
2021-05-20 14:35:141

LTC201A/LTC202/LTC203:微功耗、低電荷注入、四路CMOS模擬開關產品手冊

LTC201A/LTC202/LTC203:微功耗、低電荷注入、四路CMOS模擬開關產品手冊
2021-05-21 17:00:193

開關三極管,加速電容的分析!

由于電荷存儲效應,晶體管BE之間有一接電容,與Rb構成RC電路,時間常數(shù)較大影響了晶體管的導通和截至速度(即開關速度)。
2022-11-11 09:08:20905

開關電容電路簡介

介于兩者之間的所有產品。 本文將介紹開關電容電路領域,首先概述,然后深入探討基本電路模塊:開關電容電阻器。 什么是開關電容電路? 開關電容電路一種離散時間電路,利用由開關控制的電容器進出的電荷轉移。開關活動通常由定義明確的非
2023-01-27 17:52:004130

什么是開關電容電路開關電容電阻器電路模塊分析

開關電容電路一種離散時間電路,利用由開關控制的電容器進出的電荷轉移。開關活動通常由定義明確的非重疊時鐘控制,因此電荷傳入和傳出是明確定義和確定的。
2023-02-08 13:55:481093

電荷泵倍壓輸出電路設計

電荷泵設計非常巧妙,只需要幾個簡單的器件,就能實現(xiàn)倍壓或者負壓。電荷泵,也稱為開關電容式電壓變換器,它通過電容電荷的積累效應而產生高壓,使電流逆勢由低電勢流向高電勢。
2023-04-19 14:54:02849

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