AMCOM的AM08011039WM-00（SN-R）是種光纖寬帶GaAs MMIC功率放大器。具備25dB的小信號增益值，在8V偏置電壓下，在8到11GHz頻率段上的輸出功率>
2024-02-27 09:25:49
AMCOM的AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R是款寬帶GaN MMIC功率放大器。AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R在7.5到
2024-03-15 09:36:37
AMCOM的AM09012541WM-B-XX是款寬帶GaAs MMIC功率放大器。具備25dB的小信號增益值，在8V偏置電壓和5%脈沖運(yùn)作下，在8至11GHz頻段中具備42dBm的輸出功率。由于
2024-03-04 09:49:08
QPA4563C增益單元放大器產(chǎn)品介紹QPA4563C報價QPA4563C代理QPA4563C咨詢熱線QPA4563C現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPA4563C是一種高性能的SiGe
2018-07-20 09:45:43
產(chǎn)品。最小的RF/微波放大器是單片微波集成電路(MMIC)器件。這類器件經(jīng)常被用作增益模塊，來補(bǔ)償系統(tǒng)和電路中無源信號的損失。提供MMIC放大器芯片和帶封裝的MMIC放大器模塊的公司很多，包括安捷倫
2019-07-08 07:50:49
功率放大器基本電路特點(diǎn)是什么？如何去改進(jìn)功率放大器的基本電路？如何去完善功率放大器實(shí)用電路？
2021-06-08 06:37:08
有時需要在有較大共模信號的情況下測量小信號。在這類應(yīng)用中，通常使用兩個或三個運(yùn)算放大器的集成儀表放大器。盡管儀表放大器具有出色的共模抑制比(CMRR)，但價格因素,性能指標(biāo)阻礙了其在此類應(yīng)用中
2019-07-24 06:36:28
根據(jù)電壓控制增益電路理論及放大器設(shè)計原理，設(shè)計制作了一種基于GaAs工藝的可變增益功率放大器單片微波集成電路（ MMIC）。采用電路仿真ADS軟件進(jìn)行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的影響。
2021-04-06 08:32:23
參數(shù)和環(huán)境條件的監(jiān)控以及系統(tǒng)故障保護(hù)。這些高功率系統(tǒng)產(chǎn)生大量熱量，這會對放大器性能和平均故障間隔時間（MTBF）產(chǎn)生影響。這些系統(tǒng)所需的RF放大器MMIC很昂貴;]今天的半導(dǎo)體RF放大器的復(fù)雜性
2018-12-20 18:24:06
運(yùn)算放大器有反相放大器和正向放大器，性能有什么差別，有什么不同的應(yīng)用？
2019-03-26 07:55:24
反饋的基本概念反饋的分類負(fù)反饋放大器的框圖及一般表達(dá)式負(fù)反饋對放大器性能的影響負(fù)反饋放大器的四種組態(tài)深度負(fù)反饋對放大電路的近似計算負(fù)反饋放大器自激振蕩及消除方法
2021-02-24 06:56:35
本文首先闡述了輸入失調(diào)電壓對運(yùn)算放大器性能的影響，以及零漂移、斬波穩(wěn)定運(yùn)算放大器與通用運(yùn)算放大器在性能上的差異。
2021-06-17 10:12:33
運(yùn)算放大器常見指標(biāo)及特點(diǎn)
2021-03-16 11:45:39
凌力爾特推出運(yùn)用SiGe 工藝的運(yùn)算放大器系列
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出運(yùn)算放大器系列 LTC6246、LTC6247 和 LTC6248，該系列器件運(yùn)用一種節(jié)省功率的 SiGe
2009-11-13 09:16:39
775 軌至軌運(yùn)算放大器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出運(yùn)算放大器系列 LTC6246、LTC6247 和 LTC6248，該系列器件運(yùn)用一種節(jié)省功率的 SiGe 工藝，實(shí)現(xiàn)了 180MHz 增益帶
2009-11-13 09:37:141180 儀表放大器的特點(diǎn)和電路設(shè)計原理
儀表放大器的特點(diǎn)
高共模抑制比
共模
2010-03-10 16:54:403122 SGA4286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:19:00
1 SGA3386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-13 11:19:007 RFMD的SGC-6289Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用具有有源偏置網(wǎng)絡(luò)的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC-6289Z被設(shè)計成直接從5V電源
2018-09-13 11:19:007 SGA6389Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-13 11:19:007 SGA6386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-13 11:19:004 SGA4286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:007 該SGA6586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:003 SGA5589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:003 SGA3286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物
2018-09-12 11:25:004 SGA2486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:007 SGA2486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:009 SGA3363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:003 SGA3286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物
2018-09-11 11:25:001 SGA3263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:003 SGA3363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:001 SGA4186Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 該SGA3463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:001 SGA4263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:005 SGA789Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-10 11:25:007 RFDD的SGB-223是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達(dá)林頓配置與有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGB-2233被設(shè)計成直接從3V到5V電源運(yùn)行
2018-09-10 11:25:002 RFMD的SGC2363Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，具有專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC2363Z設(shè)計成直接從3V電源運(yùn)行
2018-09-10 11:25:002 RFMD的SGC4363Z是一個高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達(dá)林頓配置和專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC4363Z設(shè)計成直接從3V電源運(yùn)行
2018-09-10 11:25:0010 RFMD的SGC4463Z是一個高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達(dá)林頓配置和專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC4463Z被設(shè)計成直接從3V電源運(yùn)行
2018-09-10 11:25:005 RFMD的SGC4263Z是一個高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達(dá)林頓配置和專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。與典型的達(dá)林頓放大器相比，SGC4263Z
2018-09-07 11:25:003 RFMD的SGC4563Z是一個高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達(dá)林頓配置和專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC4563Z設(shè)計成直接從3V電源運(yùn)行
2018-09-07 11:25:002 RFMD的SGC-6289Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用具有有源偏置網(wǎng)絡(luò)的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC-6289Z被設(shè)計成直接從5V電源
2018-09-07 11:25:002 RFDD的SGC4486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達(dá)林頓配置與專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。設(shè)計用于直接從3V電源，SGC448 6Z
2018-09-07 11:25:003 RFDD的SGC-6489Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達(dá)林頓配置與有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。設(shè)計成直接從5V電源運(yùn)行，與傳統(tǒng)的達(dá)林頓
2018-09-07 11:25:0012 RFMD的SGC6389Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，具有專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC-6389Z被設(shè)計成直接從5V電源
2018-09-07 11:25:009 SGA6286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:002 SGA6389Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:001 SGA6486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:009 SGA6386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:000 SGA6589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:002 該SGA6586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:006 SGA6489Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:005 RFMD的SGC2363Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，具有專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。SGC2363Z設(shè)計成直接從3V電源運(yùn)行
2018-09-07 11:25:001 SGA6489Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-06 11:25:005 SGA6289Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-06 11:25:004 SGA0363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。只有兩個直流阻斷電容器，一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈所需的操作。
2018-07-25 11:25:511 SGA0163Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。只有兩個直流阻斷電容器，一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈所需的操作。
2018-09-05 11:25:001 SGA2263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA2163Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:002 SGA2463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:001 SGA2286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:004 SGA2363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA2186Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:002 SGA4363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:007 SGA2386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:009 SGA4486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:000 該SGA4463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:0012 SGA4386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:005 該SGA4586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:0011 SGA5286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA5289Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 該SGA4563Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:005 SGA5389Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:004 SGA5386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-25 11:25:553 SGA586Z是一種高性能的SiGe (異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-04 11:25:007 SGA5586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-03 11:25:0012 SGA589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-03 11:25:0010 QPA4463A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達(dá)林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個DC阻塞電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-08-29 11:26:002 RFMD的CGA-3318Z是一種高性能硅鍺HBT MMIC放大器。設(shè)計具有優(yōu)異的線性度的SiGe工藝技術(shù)在一個特殊的價格。達(dá)林頓配置用于寬帶性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電
2018-08-27 11:26:001 QPA4263A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達(dá)林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個DC阻塞電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-08-20 11:27:0011 QPA4363A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達(dá)林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個DC阻塞電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-08-20 11:27:001 QPA789A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達(dá)林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個DC阻塞電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-08-20 11:27:003 RFMD的SGB-2233是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達(dá)林頓配置與有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。設(shè)計成直接從3VTO 5V電源運(yùn)行，SGB-223不需要典型的達(dá)林頓放大器的降壓電阻器。
2018-07-27 11:30:0012 SGA5263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:007 RFDD的SGC2463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達(dá)林頓配置與專利有源偏置網(wǎng)絡(luò)。有源偏置網(wǎng)絡(luò)提供穩(wěn)定的電流超過溫度和處理β變化。設(shè)計成直接從3V電源運(yùn)行，與典型的達(dá)林頓
2018-07-26 11:30:004 SGA789Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:0012 SGA6589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:008 SGA3563Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發(fā)射器的達(dá)林頓配置提供了高的FT和優(yōu)異的熱性能。異質(zhì)結(jié)增加擊穿電壓并最小化結(jié)之間的漏電流。發(fā)射極結(jié)非線性的消除導(dǎo)致互調(diào)產(chǎn)物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:0011 關(guān)鍵詞： RF MMIC , 高功率放大器 , 射頻模塊 , ASB 世強(qiáng)與領(lǐng)先的MMIC電路和射頻模塊的設(shè)計和生產(chǎn)商——ASB簽約，進(jìn)一步擴(kuò)充RF MMIC、高功率放大器、射頻模塊等產(chǎn)品線，為通信
2019-02-27 09:08:01405 Custom MMIC功率放大器適用于C，X，K，Ku和Ka頻率段設(shè)計的GaN和GaAs rf射頻功率放大器MMIC。 通常情況下，Custom MMIC最先進(jìn)性的RF/微波射頻系統(tǒng)設(shè)計和子組件
2020-07-13 09:41:05607 Maxim推出的業(yè)內(nèi)首款完全集成的帶有片內(nèi)連續(xù)波多普勒（CWD）波束成型器的SiGe可變增益放大器（VGA） MAX2036/MAX2038，器件專為高性能超聲成像應(yīng)用而設(shè)計。MAX2036
2020-08-10 10:40:30382 Custom MMIC驅(qū)動器放大器的設(shè)計是為了在發(fā)射機(jī)鏈中的最終功率放大器之前為增益級提供良好的線性或效率性能。CustomMMIC驅(qū)動器放大器使用諸如InGaPHBT、功率PHEMT
2020-11-03 15:27:53344 Custom MMIC驅(qū)動器放大器的設(shè)計是為了在發(fā)射機(jī)鏈中的最終功率放大器之前為增益級提供良好的線性或效率性能。CustomMMIC驅(qū)動器放大器使用諸如InGaPHBT、功率PHEMT
2020-11-03 15:31:15476 有害的相位噪聲會導(dǎo)致信號完整性差，從而導(dǎo)致不合格的性能。Custom MMIC低相位噪聲放大器生產(chǎn)線解決了這一問題，在10 kHz失調(diào)的情況下，該放大器的相位噪聲性能低到-165 dBc/Hz
2020-11-06 15:42:10605 MMIC放大器偏置程序應(yīng)用筆記
2021-06-03 08:41:2715 差分放大器的特點(diǎn) 差分放大器的優(yōu)缺點(diǎn) 差分放大器的作用 差分放大器是電子電路中最常見的一種放大器，它以其高精度、低噪聲、強(qiáng)抗干擾等特點(diǎn)而備受青睞。本文將從差分放大器的特點(diǎn)、優(yōu)缺點(diǎn)、作用等方面來進(jìn)行
2023-09-04 16:52:145947
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