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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術>在1:5CW轉換器中具有N相和分相時鐘的GaN FET開關

在1:5CW轉換器中具有N相和分相時鐘的GaN FET開關

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2019-07-12 12:56:17

彌合基于CW測量的高速數(shù)據(jù)轉換器規(guī)范和調制信號的之間的差異

作者:Robert Keller,德州儀器 我們一般使用連續(xù)波 (CW) 信號來描述高速模數(shù)轉換器 (ADC) 和數(shù)模轉換器 (DAC)。這樣做的原因是:1)就 ADC 而言,CW 信號更易于通過
2018-09-19 14:27:16

彌合高速數(shù)據(jù)轉換器連續(xù)波和調制信號測量的區(qū)別

我們一般使用連續(xù)波 (CW) 信號來描述高速模數(shù)轉換器 (ADC) 和數(shù)模轉換器 (DAC)。這樣做的原因是:1)就 ADC 而言,CW 信號更易于通過 CW 生成器和窄帶通濾波無噪生成;2
2022-11-23 07:30:26

改進交錯式DC/DC轉換器

的電流。傳統(tǒng)方法是各均使用電流檢測方案。電流檢測一般用于保護目的,這種技術會增加交錯式轉換器的成本?! 榱死靡宦份斎霗z測兩的電流,控制必須分離各的電流。交錯式正向操作,主開關的占空比始終
2011-07-14 08:52:28

方波波形開關節(jié)點概述

。其120V / ns轉換速率下,從0V升到480V,并具有小于50V的過沖。 圖1:TI 600V半橋功率級——開關波形(a);設備封裝(b);半橋板圖(c)。 GaN FET具有低端子電容,因而
2019-08-26 04:45:13

模擬開關充當DC / DC轉換器

。ALD4213模擬開關內部的集成電平轉換器和邏輯門提供邏輯轉換,可將單個5V輸入轉換為±5V邏輯擺幅。該電路時鐘控制下閉合兩個開關S 1和S 4。一個時鐘周期的前半部分,C 1充電至等于輸入電壓V
2020-06-03 13:57:17

氮化鎵GaN技術助力電源管理革新

的諧振架構可以減少開關損耗并提高整體效率,也可以受益于GaN的卓越開關特性?! ≡S多應用需要從相對較高電壓(幾百伏)到低電壓的功率轉換以供電電路元件(如處理)。具有高輸入至輸出電壓比的開關模式功率轉換器
2018-11-20 10:56:25

氮化鎵晶體管高速電機驅動領域開辟新前沿

新的GaN FET完全替換現(xiàn)有的硅MOSFET,就享受帶來的益處,世界會變得輕松簡單。例如,柵極驅動電路和印刷電路板(PCB)布局實現(xiàn)高壓擺率具有獨特的挑戰(zhàn)性。如果處理不當,更高的dV/dt意味著
2017-08-21 14:36:14

電源工程師詳細講解:如何設計AC/DC降壓轉換器電路

系列的其他一些轉換器可主動避免聲頻范圍內進行開關操作,從而有效地獲得最大導通和斷開時間。TPS6420x系列起初是為電池供電型應用而設計,擁有1.8V~6.5V的輸入電壓范圍,以及非常低的靜態(tài)
2021-03-27 07:00:00

電源技巧#3:設計CCM反激式轉換器

低成本意味著它們已被廣泛用于商業(yè)和工業(yè)應用。本文將提供先前電源提示:反激式轉換器設計考慮討論的5A CCM反激式的53Vdc至12V的功率級設計公式。圖1顯示了一個詳細的60W反激式原理圖,工作
2018-09-12 09:19:55

電源技巧#1:反激式轉換器設計考慮因素

,工作頻率為250 kHz。當FET Q2導通時,輸入電壓施加在變壓的初級繞組上。繞組的電流現(xiàn)在升高,允許能量存儲變壓。由于輸出整流D1反向偏置,因此阻止了流向輸出的電流。當Q2關閉時,初級
2018-09-10 11:08:57

電源設計#8 從升壓轉換器獲得更多升壓

降低了工作占空比,從而實現(xiàn)了更高的開關頻率,更小的元件尺寸和更低的FET電壓。降低的占空比還可以提供更多的控制選擇,這些控制以前傳統(tǒng)的升壓轉換器實現(xiàn)時無法以足夠高的占空比工作。
2020-08-10 14:27:34

電源設計#5 高頻諧振轉換器設計注意事項,第1部分

oss和Q rr也很重要。如圖1所示的電感-電感-電容器-串聯(lián)諧振轉換器(LLC-SRC)之類的諧振轉換器,諧振儲能電路的電流對FET 的C oss進行充電/放電(圖2的狀態(tài)1),以便實現(xiàn)零電壓
2020-08-02 10:32:31

直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性

的電流來控制壓擺率。對于升壓轉換器,驅動電路的簡易模型如圖3所示。可使用該模型推導公式。等式1證明:當GaN器件具有足夠的柵漏電容(Cgd)時,可通過使用柵極電流通過米勒反饋來控制開關事件的壓擺率。對于
2023-02-14 15:06:51

相移時延如何改善DC/DC轉換器性能?

RMS(50%占空比)。圖2:同相和異相配置三DC轉換器對比。如上文所述,使用相移技術可顯著減小輸入和輸出電容要求。RMS輸入電流由公式1規(guī)定:其中,n數(shù),L為輸出電感,F(xiàn)s為開關頻率,k(n
2018-12-03 11:26:43

負載點DC-DC轉換器解決電壓精度、效率和延遲問題

間要求,因而可能難以獲得真正的POL穩(wěn)壓解決方案,如圖5的示例布局所示。圖5.DC-DC轉換器與CPU的理想布局控制的一個替代方案是單芯片解決方案,其中FET轉換器IC內部。例如,LTC3310S
2021-12-14 07:00:00

選擇正確的航空級隔離型直流-直流轉換器的方法

的好處。反激(升降壓)轉換器FET導通時將能量存儲變壓的磁場,然后當FET關斷時再釋放到負載。反激轉換器可以被視為共享同一磁芯、并具有相反極性繞組的兩個電感,如圖3所示。圖3:單開關和雙開關
2018-10-16 19:33:11

采用4開關降壓-升壓轉換器的USB供電設計

。新供電要求的一項獨特挑戰(zhàn)是如何使用一個4.5V-32V輸入電壓來提供一個5V-20V直流總線。一個4開關降壓-升壓轉換器是合適的拓撲結構,提供降壓或升壓電源轉換,因其可提供設計人員和客戶所需的寬電壓
2018-10-30 09:05:44

降壓轉換器TPS54260電子資料

概述:TPS54260是德州儀器(TI)宣布推出其首款支持高達60伏輸入電壓的2.5A降壓SWIFT 轉換器。該款具有集成型高側FET的最新TPS54260單片同步開關轉換器可為12V、24V以及48V負載點設計方案...
2021-04-20 06:44:57

集成FET升壓轉換器參考設計

描述此集成 FET 升壓轉換器通過 6V - 8.4V 輸入(2S 鋰離子電池)提供 11V 輸出 (1.2A)。此轉換器經過優(yōu)化,可以緊湊的尺寸為便攜式收音機等應用提供高效率和低成本。特性成本低
2022-09-19 07:44:38

集成氮化鎵改變將影響到電源電子產品

永久性損壞。盡管GaN系統(tǒng)效率、尺寸和冷卻方面具有優(yōu)勢,但其高開關速度和頻率也呈現(xiàn)出越來越大的挑戰(zhàn)。TI GaN產品的保護和其他集成功能正在改變使用分立Si MOSFET了解高速開關轉換器設計復雜性
2019-07-29 04:45:12

非標準PoE高效正向轉換器參考設計

? 高效率(使用 PoE 電源時為 93%,使用適配器電源時為 92%)? 5V (10A) 輸出? 具有同步整流的隔離式正向? 使用與 UCC2897A 相結合的 TPS2379 實施高效的有源正向轉換器? 可實現(xiàn)外部熱插拔 FET 以提高效率
2022-09-26 06:04:41

驅動新一代SiC/GaN功率轉換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

. ADuM4121評估板當隔離式柵極驅動器用在高速拓撲時,必須對其正確供電以保持其性能水平。ADI公司的LT8304/LT8304-1是單芯片、微功耗、隔離式反激轉換器。這些器件從原邊反激式波形直接對隔離
2018-10-22 17:01:41

高頻諧振轉換器設計注意事項

oss和Q rr也很重要。如圖1所示的電感-電感-電容器-串聯(lián)諧振轉換器(LLC-SRC)之類的諧振轉換器,諧振儲能電路的電流對FET 的C oss進行充電/放電(圖2的狀態(tài)1),以便實現(xiàn)零電壓
2022-05-11 10:17:28

高頻諧振轉換器設計注意事項,第1部分

oss和Q rr也很重要。如圖1所示的電感-電感-電容器-串聯(lián)諧振轉換器(LLC-SRC)之類的諧振轉換器,諧振儲能電路的電流對FET 的C oss進行充電/放電(圖2的狀態(tài)1),以便實現(xiàn)零電壓
2022-05-25 10:08:50

時鐘分相技術應用

摘要: 介紹了時鐘分相技術并討論了時鐘分相技術在高速數(shù)字電路設計中的作用。關鍵詞: 時鐘分相技術; 應用中圖分類號: TN 79  文獻標識碼:A   文章編號: 025820934 (2000) 0
2008-08-19 18:54:4124

TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降壓轉換器--T

TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降壓轉換器--TPS51315 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器
2009-07-28 07:48:391051

使用C2000 MCU應對GaN開關挑戰(zhàn)

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉換器等高開關頻率應用大有裨益,可幫助減小磁性元件
2021-05-13 15:39:351434

基于GaN的耐輻射DC/DC轉換器可提高關鍵應用的效率

除了顯著提高各種拓撲和功率級別的商用 DC/DC 轉換器的效率外,基于 GaNFET 還表現(xiàn)出對伽馬輻射和單事件效應 (SEE) 的非凡彈性。所有這些特性使 GaN FET 非常適合用于衛(wèi)星和運載火箭的電源。
2022-07-25 09:22:411059

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應用

解決方案需要額外的 IC,這會增加額外的復雜性和挑戰(zhàn)。在本文中,作者介紹了一種兼容 GaN FET 的模擬控制器,該控制器的物料清單數(shù)量少,使設計人員能夠像使用硅 FET 一樣簡單地設計同步降壓轉換器,并提供卓越的性能。 眾所周知,與傳統(tǒng)的硅 FET 相比,氮化鎵 (GaN) FET 已顯
2022-08-04 09:58:08570

具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510

AMEYA360:羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET

ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD
2023-06-19 15:09:18273

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