氮化鎵的性質與穩(wěn)定性以及應用領域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。

禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。

更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。

氮化鎵性質與穩(wěn)定性

如果遵照規(guī)格使用和儲存則不會分解。

避免接觸氧化物，熱，水分/潮濕。

GaN在1050℃開始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N 2 (g)。X射線衍射已經指出GaN晶體屬纖維鋅礦晶格類型的六方晶系。

在氮氣或氦氣中當溫度為1000℃時GaN會慢慢揮發(fā)，證明GaN在較高的溫度下是穩(wěn)定的，在1130℃時它的蒸氣壓比從焓和熵計算得到的數(shù)值低，這是由于有多聚體分子(GaN)x的存在。

GaN不被冷水或熱水，稀的或濃的鹽酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的濃堿中也是穩(wěn)定的，但在加熱的情況下能溶于堿中。

氮化鎵技術一般用于哪些方面

當前軍事與航天領域是氮化鎵技術最大的市場，一般也會應用在民品，比如說充電器之類的。