本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。
2015-06-12 09:51:23
4738 在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:505045 SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體材料。表1-1顯示了每種半導體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強（擊穿場）和帶隙（能隙），分別是Si的10倍和3倍。此外，可以
2022-11-22 09:59:261373 針對SiC MOSFET模塊應用過程中出現(xiàn)的串擾問題，文章首先對3種測量差分探頭的參數(shù)和測 量波形進行對比，有效減小測量誤差；然后詳細分析串擾引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:211845 
摘 要：針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30kW DC/DC變換器為研究對象，對功率模塊
2023-12-14 09:37:05472 
SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
在SIC JFET 驅(qū)動電路中要求輸入一個-25V電壓，有什么方法可以產(chǎn)生負的電壓？
2016-12-12 11:10:34
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
éveloppement2016年報告，展示了SiC模塊開發(fā)活動的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點仍然存在，因為控制和電源電路的最佳布局實踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴展到數(shù)十
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
線性穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)線性穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)線性穩(wěn)壓器的工作原理線性穩(wěn)壓器的分類線性穩(wěn)壓器的電路構(gòu)成和特征線性穩(wěn)壓器的重要規(guī)格優(yōu)點和缺點、應用效率和熱計算開關(guān)穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)開關(guān)穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)開關(guān)穩(wěn)壓器的種類優(yōu)點和缺點
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
測量和損耗測量鋁電解電容器 隔離型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評估和檢查要點DC/DC基礎(chǔ)篇線性穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)線性穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)線性穩(wěn)壓器的工作原理線性穩(wěn)壓器的分類線性穩(wěn)壓器的電路構(gòu)成和特征線性穩(wěn)壓器的重要規(guī)格優(yōu)點
2018-11-27 16:38:39
電源系統(tǒng)應用實現(xiàn)小型與更低損耗的關(guān)鍵 | SiC肖特基勢壘二極管在功率二極管中損耗最小的SiC-SBDROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管
2019-03-27 06:20:11
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時實現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設計？SiC46x的主要應用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設計中，該信息也非常有用?！皷艠O誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
工作等SiC的特征所帶來的優(yōu)勢。通過與Si的比較來進行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應對大功率時，有時會使用將多個晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
寄生效應過多，它們的性能可能會下降到硅器件的性能，并可能會導致電路故障。傳導EMI會伴隨SiC MOSFET產(chǎn)生的快速電壓和電流開關(guān)瞬變，內(nèi)部和外部SiC寄生效應會受到這些開關(guān)瞬變的影響，并且是EMI
2022-08-12 09:42:07
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
什么是STM32_USB硬件模塊呢？STM32_USB硬件模塊有哪些主要特征？
2021-10-29 06:40:55
fm30嵌入式掃描模塊的應用與特征
2021-01-06 07:54:30
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓撲。SiC Mosfet的驅(qū)動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
串并聯(lián)，構(gòu)成大容量儲能系統(tǒng)，對SiC器件的應用有過深入的學習和探索。想借助發(fā)燒友論壇和羅姆BD7682FJ-EVK-402評估板，評估全SiC MMC實驗平臺中子模塊SiC器件的驅(qū)動電路選型，探索SiC
2020-04-21 16:02:34
逆變器，新的APS的輸出容量為136 kVA。圖31.2kV全SiC功率模塊包括SiC的MOSFET和SiC的SBD3、濾波電路的小型化表2顯示了采用1.7kV混合SiC功率模塊和1.2kV全SiC功率
2017-05-10 11:32:57
°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
什么是SFP光模塊？SFP光模塊由哪些器件構(gòu)成？SFP光模塊有哪些分類？
2021-05-17 06:09:51
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。ROHM在上個賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應用。主要是在電源系統(tǒng)應用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當今的重要課題——系統(tǒng)效率提高與小型化的關(guān)鍵元器件之一。＜應用例＞PFC（功率因數(shù)改善）電路電機驅(qū)動器電路
2018-12-04 10:26:52
對于高壓開關(guān)電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
作為應用全SiC模塊的應用要點，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動器對開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動模式與基本結(jié)構(gòu)這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結(jié)構(gòu)現(xiàn)在正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結(jié)合力非常強，在熱、化學、機械方面都
2018-11-29 14:43:52
改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅
2019-07-10 04:20:13
自鎖電路是怎樣構(gòu)成的？看到大家一直在討論自鎖電路，但是自鎖電路是怎樣構(gòu)成的，小弟不清楚。求大蝦指點迷津！{:soso_e129:}
2011-12-09 14:00:20
車規(guī)級GPS模塊有哪些特征？
2021-05-18 06:54:02
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
Qorvo SiC E1B模塊Qorvo SiC E1B模塊采用獨特的共源共柵電路，常開SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，形成常關(guān)SiC FET。Qorvo SiC E1B具有類硅柵
2024-02-26 14:00:25
HLC的構(gòu)成及特征
1-2-1 HLC 的命令構(gòu)成及特征
HLC
2009-10-06 12:04:133157 
針對雙面PCB的在線測試儀模塊構(gòu)成
一、電路在線測試技術(shù)
1、在線測試原理：在線測試的基本
2009-11-17 09:14:02607 羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
該應用方案提供了一種用于驅(qū)動各種sic mosfet功率模塊的通用基板的電路設計。
2019-09-11 10:31:54
40 SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）構(gòu)成的化合物半導體材料。SiC 的優(yōu)點不僅在于其絕緣擊穿場強（Breakdown Field）是 Si 的 10 倍，帶隙（Energy Gap）是 Si
2021-04-20 16:43:0957 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
寬帶隙半導體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:23666 SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設備
2022-11-06 21:14:51956 高頻開關(guān)等寬帶隙半導體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 09:13:27787 在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:51645 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si
2023-02-07 16:23:05496 1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速
2023-02-07 16:46:27501 碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結(jié)合力非常強，在熱、化學、機械方面都非常穩(wěn)定。
2023-02-08 13:42:083923 
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:22673 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
線性穩(wěn)壓器的電路構(gòu)成雖然基本上為圖5的反饋環(huán)路電路，不過壓差電壓會因輸出晶體管種類而異。標準型和LDO型有極大不同，而LDO型中更可分為3種。使用雙極NPN晶體管的LDO雖然品種不太多，但可以處理大電流。
2023-02-20 09:32:48406 
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
首先需要了解的是：接下來要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設計中，該信息也非常有用。
2023-02-27 11:49:18220 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:58737 
近日，賽晶首款車規(guī)級SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國紐倫堡電子展（PCIM Europe 2023)，引發(fā)國內(nèi)外與會專家、客戶的廣泛關(guān)注。HEEV封裝SiC模塊來自高效電動汽車模塊平臺
2023-05-31 16:49:15352 
我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
一、什么是SiC半導體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145 
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全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 單個MOS管可以構(gòu)成的模塊？ 單個MOS管可以構(gòu)成各種各樣的電路模塊，這些電路模塊可以應用在不同的領(lǐng)域，例如電力電子、通信、計算機等。本文將詳細介紹單個MOS管可以構(gòu)成的模塊及其應用。 1.
2023-09-18 18:20:48611 在商業(yè)應用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
列文章的第二部分 SiC柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅(qū) 動 為了補
2023-11-02 19:10:01361 
SiC驅(qū)動器模塊具有較低的功耗、高溫運行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應用前景。SiC驅(qū)動器模塊可以用于電動車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687 近期，2家臺灣企業(yè)正在加速推進其SiC模塊工廠的建設
2024-03-18 10:52:32348 
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