受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。
2019-03-11 11:15:58
2158 市場調查公司Yole Developpement（以下簡稱Yole）認為，市場規(guī)模方面，2020年GaN器件市場整體規(guī)模有可能達到約6億美元。從（2020年將支配市場的）電源和PFC（功率因數(shù)校正）領域，到UPS（不間斷電源）和馬達驅動，很多應用領域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181254 
與SEMI的報告指出，化合物半導體市場規(guī)模預計將在2020年成長至440億美元，年復合成長率（CAGR）為12.9%，遠優(yōu)于硅晶半導體的成長速度。
2017-01-20 10:32:171040 經(jīng)由智慧型手機等行動裝置上網(wǎng)，已成為現(xiàn)代生活的重要一部分，而汽車，尤其是混合動力車和電動車，也日益朝向連網(wǎng)化與電子化發(fā)展。調研機構IHS預估全球車用功率半導體市場規(guī)模將由2016年的55億美元，成長為2022年的85億美元。合計2015~2022年市場規(guī)模年復合成長率為7.5%。
2017-03-28 09:47:451483 全球范圍內5G技術的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模為7億美元，預計2021年至2027年的復合年增長率
2021-05-21 14:57:182257 近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體異?；馃幔瑖鴥韧夂芏?b class="flag-6" style="color: red">半導體企業(yè)都涌入其中。據(jù)Yole Développement統(tǒng)計，2021全球GaN功率器件市場規(guī)模為1.26億美元，預計
2023-06-08 09:40:301692 
的增長速度調整，但仍然保持著相對快速的發(fā)展態(tài)勢，預計行業(yè)市場規(guī)模將在2015年達到373億元。關鍵詞：[url=http://news.rfidworld.com.cn/search.aspx?keyws
2014-04-16 09:27:36
%。目前，我國MEMS壓力傳感器大約占整個MEMS傳感器規(guī)模的26%。產(chǎn)品應用領域分析：汽車領域為最大應用市場之一半導體
2018-12-17 11:30:50
來源 華西證券編輯：智東西內參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導體市場有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
仍在于Wafer Cost，根據(jù)yole development測算，單片成本SiC比Si基產(chǎn)品高出7-8倍。研究機構IHS預測到2025年SiC功率半導體的市場規(guī)模有望達到30億美元。在未來的10
2019-05-06 10:04:10
應用的發(fā)展功不可沒。 在光器件產(chǎn)業(yè)鏈，根據(jù)研究中心數(shù)據(jù)，2018年全球光器件行業(yè)市場規(guī)模103億美元，同比微增0.98%，受益于數(shù)據(jù)中心資本開支的增加和5G大規(guī)模的資本開支增加，預計
2020-03-24 15:44:18
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
不同廠商有不同的應用場景，而適合構架和解決方案也各不相同，如云側和端側處理構架的設計導向差別較大。對于半導體領域，只要市場規(guī)模足夠大，有足夠多的客戶買單，那么就有足夠的動力去做相應的硬件定制。下面對以Nvidia和Intel為代表的半導體廠商方案進行論述。
2019-08-09 07:40:59
、軍事、醫(yī)療等領域大展拳腳。正是因為激光設備應用領域很廣，涉及行業(yè)眾多，所以半導體激光器的市場規(guī)模很大。據(jù)OFweek行業(yè)研究的數(shù)據(jù)顯示，半導體激光器在2017年的市場規(guī)模高達53．1億美元，同比
2019-05-13 05:50:35
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導體兩家供應商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇?！ ∩罡h(huán)?！ 榱舜蚱瞥杀竞痛?b class="flag-6" style="color: red">規(guī)模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現(xiàn)有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
DARPA提出WBST計劃以來，氮化鎵已經(jīng)走過了較長的發(fā)展歷程，現(xiàn)在已成為微波和射頻行業(yè)的前沿。它的成本結構已經(jīng)與傳統(tǒng)半導體技術持平，當兩種競爭性技術成本相同的時候，性能高者將主宰市場。MACOM等企業(yè)
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現(xiàn)有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會
2019-03-14 06:45:11
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現(xiàn)智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
用于無線基礎設施的半導體技術正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線
2017-08-30 10:51:37
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
的優(yōu)勢，近年來在功率器件市場大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術的應用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導體技術。這就
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
的開路條件下被光蝕刻。 介紹近年來，氮化鎵和相關氮化物半導體在藍綠色發(fā)光二極管、激光二極管和高溫大功率電子器件中的應用備受關注。蝕刻組成材料的有效工藝的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不尋常的化學
2021-10-13 14:43:35
Canaccord Genuity預計，到2025年，電動汽車解決方案中每臺汽車的半導體構成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
的設計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
2寸的芯片，現(xiàn)在已經(jīng)能制造4寸了。業(yè)內普遍認為，要大規(guī)模生產(chǎn)功率半導體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規(guī)模生產(chǎn)。此外，上述用于小型 AC轉換器的氮化鎵功率半導體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
行業(yè)標準，成為落地量產(chǎn)設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐嫾?納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產(chǎn)中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導體的普及
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
作為功率半導體廠商，為下游客戶提供典型應用方案似乎成行業(yè)內約定俗成的事。也就是說，作為半導體原廠不僅要設計好芯片，還要親自設計和驗證很多應用方案供下游客戶參考或者直接采用，以便讓自己的芯片能快速通過
2023-02-01 14:52:03
程度不斷增加，功率半導體需求提升，器件應用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導體市場將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對應復 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025
2022-11-11 11:50:23
人士表示半導體市場的慘淡恰是整個IT市場由于全球經(jīng)濟低迷而遭受巨大沖擊的真實寫照，2012年內包括個人電腦經(jīng)銷商和閃存供給商在內的相關行業(yè)的表現(xiàn)都不盡如人意。 IHS預計今年全球半導體市場規(guī)模增幅最高
2013-01-30 09:56:19
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
的測試，讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
LED?，F(xiàn)在市場上銷售的很多LED就是使用藍寶石襯底的氮化鎵技術。除了LED，氮化鎵也被使用到了功率半導體與射頻器件上。 基于氮化鎵的功率芯片正在市場站穩(wěn)腳跟?！拔覀兿嘈?，氮化鎵在600V功率器件市場將
2016-08-30 16:39:28
%，激光產(chǎn)業(yè)整體市場規(guī)模突破137億元;2011年和2012年我國激光產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模保持了持續(xù)增長，分別達到151.16億元和164.47億元;2014年我國激光器銷售總規(guī)模超過200億元，2015年
2018-02-09 14:31:13
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。于是，GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導體，可承受更高的工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率
2019-07-05 04:20:06
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
` 本帖最后由 boeone 于 2016-12-8 15:54 編輯
未來5年無線充電設備市場規(guī)模將達135億，你看好嗎？ 無線充電是近幾年的熱點技術，但卻一直因為標準的“三足鼎立”而放緩
2016-12-08 15:42:33
整流器公司(InternationalRectifier；IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場
2015-09-15 17:11:46
一、化合物半導體應用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴大 化合物半導體是由兩種及以上元素構成的半導體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
隨著萬物互聯(lián)的物聯(lián)網(wǎng)時代到來，數(shù)以千億的物聯(lián)網(wǎng)設備接入網(wǎng)絡，物聯(lián)網(wǎng)市場規(guī)模不斷擴大。根據(jù)全球移動通信系統(tǒng)協(xié)會（GSMA）所發(fā)布的《2020年移動經(jīng)濟》報告顯示，全球物聯(lián)網(wǎng)收入在未來幾年將增加三倍
2021-02-02 17:08:03
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
的商機。另外，X-Fab、漢磊及環(huán)宇也提供SiC及GaN的代工業(yè)務。隨著代工業(yè)務的帶動，第三代半導體材料的市場規(guī)模也將進一步擴大。
2019-05-09 06:21:14
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
鎵基MIMO天線，盡管價格較高，但功耗降低了40%，裸片面積減少94%。資料來源：國金證券根據(jù)Yole預測，2018年GaN射頻器件市場規(guī)模達到4.57億美元，未來5年復合增長率超過23%。在整個射頻
2019-04-13 22:28:48
的市場規(guī)模。簡而言之，就是天花板很高，大家都有飯吃。目前，投入這個行業(yè)里的資金也就是多說也就十億美金吧。投資規(guī)模還趕不上一個硅的12寸線。所以，這里是一個充滿機會的藍海，但是風浪也很大，沒有有經(jīng)驗的水手，光有錢是不行的。希望國內各位入局第三代半導體的廠商能夠幫助國產(chǎn)半導體沖出一片新天地。
2017-05-15 17:09:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
會產(chǎn)生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說，當你筆記本電腦的電源變熱時，其原因在于流經(jīng)電路開關內的電子會產(chǎn)生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
2010年車用半導體市場規(guī)模將成長16%
據(jù)研究機構Semicast的報告指出，在汽車制造量復蘇的推動下，2010年全球車用半導體市場規(guī)模可望較2009年成長16%，金額達到 184億美元
2010-01-15 09:33:52513 隨著氮化鎵（GaN）技術在射頻（RF）中的應用逐漸增多以及LTE基站在中國的廣泛部署，射頻氮化鎵的市場規(guī)模在2015年增長將近50%。
2018-04-23 11:53:001218 功率半導體市場一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長。
2018-05-23 15:00:059833 我國安防行業(yè)市場規(guī)模從2012年的3240億元增長到2017年的5960億元，年均復合增長率達到13%。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)預測，2018年，我國安防行業(yè)市場規(guī)模將達到6570億元。
2018-09-01 10:55:464458 功率半導體的應用領域非常廣泛，市場規(guī)模高達數(shù)百億美元。
2019-07-05 16:23:514377 
半導體檢測市場的發(fā)展隨著半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展的繁榮。2018年，我國半導體檢測市場規(guī)模已達到262.33億元的規(guī)模，其中設計驗證市場規(guī)模約為26億元，前道量測檢測規(guī)模約為119.46億元，后道測試規(guī)模約116.87億元。
2020-01-09 11:05:088060 器件市場規(guī)模有望達到7.45 億美元；GaN功率器件市場規(guī)模有望達到4.50億美元。 基于此，新材料在線特推出【2020年氮化鎵半導體材料行業(yè)研究報告】，供業(yè)內人士參考： 原文標題：【重磅報告】2020年氮化鎵半導體材料行業(yè)研究報告 文章出處：【微信公眾號：新材料在線】歡迎添加關注！文章轉載請
2020-10-09 10:16:033675 半導體設備是在芯片制造和封測流程中應用到的設備，廣義上也包括生產(chǎn)半導體原材料所需的機器設備。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，2013-2019年中國大陸半導體設備市場規(guī)模呈現(xiàn)逐年增長態(tài)勢，增速波動變化。2019年行業(yè)實現(xiàn)市場規(guī)模134.5億美元，同比增長2.6%，增速較2018年有所回落。
2020-11-02 16:10:513542 
截止至2020年上半年，全球半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模為2081.6億美元，同比增長 5.98%，疫情未對半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生顯著影響，僅歐洲地區(qū)半導體市場規(guī)模連續(xù)6個月較上年同期均下滑。
2020-11-05 15:30:172872 
顯微鏡廣泛應用于半導體行業(yè)的研發(fā)、制造和質量分析，目前半導體已經(jīng)成為了全球顯微鏡第二大應用需求領域，近年來市場規(guī)模持續(xù)增長。未來，檢測需求、技術創(chuàng)新與政府支持將會推動全球顯微鏡市場規(guī)模進一步擴大。
2021-01-13 16:04:124153 由于晶圓生產(chǎn)附加值極高，因此半導體檢測設備在半導體產(chǎn)業(yè)中的地位日益凸顯。2020年，我國半導體檢測設備市場規(guī)模達到176億元。隨著我國半導體產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，我國半導體檢測設備市場規(guī)模有望接近400億元。
2021-01-14 16:47:086113 
模擬芯片無處不在，幾乎所有常見的電子設備都需要使用模擬芯片。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，2020年全球半導體行業(yè)的整體規(guī)模為4331億美元，模擬芯片的市場規(guī)模則達到540億美元，占比約為13%，是半導體行業(yè)中的重要組成部分。
2021-02-18 14:15:447828 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度，更高的熱導率和更低的導通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:06
0 氮化鎵 (GaN) 是一種半導體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:39718 來源：半導體綜研，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 2024年全球半導體市場規(guī)模達6240億美元，同比增長16.8%。 2023年全球半導體市場規(guī)模約5340億美元，同比下降10.9%。 根據(jù)
2023-12-20 09:25:52698 
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