氮化鎵(GaN)器件以最小的尺寸提供了最佳的性能,提高了效率,并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應(yīng)用FET和集成電路已經(jīng)在高密度計(jì)算,以及許多新的汽車
2021-03-31 11:47:002732 對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于 GaN FET 的合適控制器的可用性。DSP
2022-07-26 11:57:091274 電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為反向偏置電壓,因此其偏置電路的構(gòu)造有些不同。與晶體管的電流反饋偏置電路一樣構(gòu)成的FET“自偏置電路”,由于其
2017-04-19 15:53:29
對(duì)比GaN FET:新的集成系統(tǒng)大型數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和通信交換中心會(huì)消耗大量電能。在這些電源系統(tǒng)中,FET通常與柵極驅(qū)動(dòng)器分開封裝,因?yàn)樗鼈兪褂貌煌墓に嚰夹g(shù),并且最終會(huì)產(chǎn)生額外的寄生電感。除了導(dǎo)致較大的形狀尺寸外,這還可能限制GaN在高壓擺率下的開關(guān)性能…
2022-11-07 06:26:02
需要臨界偏置網(wǎng)絡(luò)才能正常工作。這種電力系統(tǒng)配置通常用于數(shù)據(jù)中心。更新的發(fā)展是增強(qiáng)型GaN FET或eGaN。這是絕緣門品種。像所有的GaN器件一樣,它們提供了更高速度的切換,更高的電壓操作和改善散熱
2017-05-03 10:41:53
GaN為何這么火?原因是什么
2021-03-11 06:47:08
50V以下。需要說明的一點(diǎn)是,捕捉波形時(shí)使用的是1GHz示波器和探頭。結(jié)論GaN晶體管與其驅(qū)動(dòng)器的封裝集成消除了共源電感,從而實(shí)現(xiàn)了高電流壓擺率。它還減少了柵極環(huán)路電感,以盡可能地降低關(guān)閉過程中的柵極應(yīng)力,并且提升器件的關(guān)斷保持能力。集成也使得設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">GaN FET搭建高效的過熱和電流保護(hù)電路。
2018-08-30 15:28:30
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 00:32 編輯
新手請(qǐng)教個(gè)問題為何增強(qiáng)絕緣柵MOS管加夾斷后還會(huì)有漏源電流,而且此時(shí)柵極是如何控制它的?
2013-07-04 19:05:41
各位大神,可否用IR2113 驅(qū)動(dòng)共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時(shí),源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
對(duì)于共射級(jí)基本放大電路為何更換三極管后可能使電路失去放大作用呢?
2023-03-31 11:58:34
大家好,電源端和信號(hào)端用的共模電感,他們的電感量還有共模阻抗是分別是怎么計(jì)算的呀
2022-03-28 21:27:18
的阻尼效果,以此衰減共模電流,達(dá)到濾波的目的。事實(shí)上,將這個(gè)當(dāng)濾波電路一端接干擾源,另一端接***擾設(shè)備,則La和C1,Lb和C2就構(gòu)成兩組低通濾波器,可以使線路上的共模EMI信號(hào)被控制在很低的電平上。該
2013-01-05 15:59:41
`共模電感材料選擇`
2012-08-09 12:20:54
共模扼流圈 (Common Mode Choke),也叫共模電感,是在一個(gè)閉合磁環(huán)上對(duì)稱繞制方向相反、匝數(shù)相同的線圈。常用于過濾共模的電磁干擾,抑制高速信號(hào)線產(chǎn)生的電磁波向外輻射發(fā)射,提高系統(tǒng)的EMC,在實(shí)際應(yīng)用中一般是在差分的信號(hào)線上加共模電感。
2019-05-22 06:27:57
求助在開關(guān)電源中,我輸入12-48伏交流電或直流電,經(jīng)過共模電感,整流橋,開關(guān)電源調(diào)壓到3.3v;求助此時(shí)我的共模電感應(yīng)該如何選擇????
2014-07-22 09:59:22
蘇州谷景電子專業(yè)生產(chǎn)各類電感器,其中定制貼片共模電感深受廣大消費(fèi)者的好評(píng)。共模電感體型相對(duì)龐大,在面對(duì)電路板本身空間過小的情況下,并不容易安裝,就算安裝強(qiáng)行安裝上去,也會(huì)出現(xiàn)一些問題。所以這時(shí)便需要
2020-09-04 08:52:28
共正保護(hù)板是什么
2017-06-01 10:15:37
共集、共基、共射放大器的應(yīng)用和區(qū)別
2019-10-24 15:36:01
我看到ADS1278上寫輸入?yún)⒖措妷?.5V,輸入共模電壓2.5V。一般輸入共模電壓不是一個(gè)范圍嗎,為什么是一個(gè)確定的數(shù)了?我現(xiàn)在混亂了。
2024-03-08 10:56:54
LED點(diǎn)陣有共陽共陰之分的嗎PCB打樣找華強(qiáng) http://www.hqpcb.com 樣板2天出貨
2012-11-13 22:06:13
本帖最后由 KUW 于 2020-3-14 17:51 編輯
初次使用LTspice軟件,很多不太懂,如圖,搭的buck電路,開關(guān)器件用的Transphorm官網(wǎng)找的共源共柵GaN HEMT器件的LTspice模型,出現(xiàn)這個(gè)提示怎么辦?急需解答,十分感謝!
2020-03-14 17:06:14
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 19:15 編輯
PCB高級(jí)設(shè)計(jì)之共阻抗及抑制共阻gan擾是由PCB上大量的地線造成。當(dāng)兩個(gè)或兩個(gè)以上的回路共用一段地線時(shí),不同的回路電流
2013-08-23 14:56:09
PWM 逆變器產(chǎn)生的高頻共模電壓導(dǎo)致了其在變頻調(diào)速應(yīng)用中的一系列負(fù)面效應(yīng)。本文通過分析PWM 逆變器輸出的共模電壓成分,研究了逆變器輸出無源共模濾波器的設(shè)計(jì)。濾波器通過共模扼流圈和提供共模支路來達(dá)到
2019-02-03 21:01:41
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì),具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
紹的A類放大器電路。首先,需要找到一個(gè)合適的靜態(tài)點(diǎn)或“ Q點(diǎn)”,以使用共源(CS),共漏(CD)或源跟隨器(SF)的單個(gè)放大器配置對(duì)JFET放大器電路進(jìn)行正確偏置以及適用于大多數(shù)FET器件的共柵(CG
2020-09-16 09:40:54
大家上午好!今天給大家?guī)怼救龢O管放大電路:共射、共集、共基】講解視頻,我們會(huì)持續(xù)更新,有問題可以留言一同交流討論。上期回顧:三極管恒流源實(shí)現(xiàn)的LED驅(qū)動(dòng)電路
2021-09-08 14:58:57
放大器電路。首先,需要找到合適的靜態(tài)點(diǎn)或“ Q點(diǎn)”,以利用共源(CS),共漏(CD)或源跟隨器(SF)的單個(gè)放大器配置對(duì)JFET放大器電路進(jìn)行正確偏置以及適用于大多數(shù)FET器件的共柵(CG)。這三種
2020-11-03 09:34:54
,那個(gè)地方不合理,那個(gè)需要改正;4、可以跟帖說明該電路原理圖或者此類原理圖設(shè)計(jì)時(shí)的注意事項(xiàng)和難點(diǎn);【今日電路】如圖是一個(gè)共源共柵放大器,同時(shí)也可以看作雙柵場效應(yīng)管。請(qǐng)問:1.這樣結(jié)構(gòu)的電路為什么會(huì)產(chǎn)生密勒
2018-12-28 14:18:32
菜鳥求助:高線性巴倫低噪聲放大器都是共源-共柵級(jí),為了抑制噪聲,源極器件尺寸會(huì)很大,導(dǎo)致負(fù)載不匹配,設(shè)計(jì)能夠平衡負(fù)載的電路
2022-02-20 11:09:36
` 本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 04:42 編輯
共集、共基、共射指的是電路,是三極管電路的連接狀態(tài)而不是三極管。所謂“共”,就是輸入、輸出回路共有的部分。其判斷是在交流
2012-04-06 14:31:46
什么是共模與差模共模干擾產(chǎn)生原因共模干擾電流如何識(shí)別共模干擾 如何抑制共模干擾
2021-02-24 06:43:19
數(shù)秒,這樣的脈沖持續(xù)引起對(duì)地的高電壓波動(dòng),從而損傷系統(tǒng)。但是對(duì)于高頻共模干擾,從干擾源開始,大部分能量是以輻射的方式作為能量傳輸途徑的,而且這樣的共模干擾多產(chǎn)生于系統(tǒng)本身。
2020-11-03 08:36:34
什么是多模塊共地?
2022-01-20 06:21:18
電路是高速FET輸入,增益為-5的儀表放大器(儀表放大器),具有寬帶寬(35 MHz)和出色的交流共模抑制CMR(10 MHz時(shí)為55 dB)。該電路非常適用于需要高輸入阻抗,快速儀表放大器的應(yīng)用,包括RF,視頻,光信號(hào)檢測和高速儀器。高CMR和帶寬也使其成為寬帶差分線路接收器的理想選擇
2020-06-04 14:22:34
什么是堆疊式共源共柵?低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性?低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢?
2021-06-26 06:14:32
在信號(hào)線中使用共模扼流圈的目的是什么?共模扼流圈的等價(jià)電路圖中記載的黑點(diǎn)是什么意思?信號(hào)線用共模扼流圈的使用方法
2021-04-09 06:57:11
如何從特性角度選擇合適的共模扼流線圈。1. 差動(dòng)傳輸和共模額扼流線圈的使用方法講解共模扼流線圈的特性之前,來首先介紹共模信號(hào)和差模信號(hào)的概念。雖然這些概念在「噪聲對(duì)策的基礎(chǔ) 【第6講】 片狀共模
2020-05-23 14:52:57
在設(shè)計(jì)電路是一般都會(huì)遇到共地問題,有人說單點(diǎn)共地,所有的地,無論模擬地還是數(shù)字地在共地之前單獨(dú)走,共地之前后單一點(diǎn)接入地,還有就是在數(shù)字電路中,電路板一般要覆銅,經(jīng)常會(huì)有人把所有的元器件的地用覆銅來連接,這樣都有什么優(yōu)勢或者有什么不妥之處?
2014-03-19 20:31:51
最近在設(shè)計(jì)全差分折疊型共源共柵運(yùn)放的時(shí)候,有一個(gè)問題想不明白,加入偏置電壓后,調(diào)節(jié)管子讓每個(gè)管子都處于飽和狀態(tài),并且輸出處在了VDD/2。但是我發(fā)現(xiàn)只要偏置電壓改變一點(diǎn)點(diǎn)哪怕1mv,靜態(tài)工作點(diǎn)就會(huì)有很大的改變,這是為什么呢,好奇怪,有沒有老哥為我解惑
2022-09-27 00:29:12
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么?具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么?
2021-09-29 06:47:22
共模輻射主要從哪里進(jìn)行輻射的啊,如果想要減小共模輻射有什么技巧嗎?
2021-03-06 08:15:39
分辨數(shù)碼管引腳共陰和共陽極
2012-08-20 14:24:23
“M7提供所需的VGS,M6產(chǎn)生所需要的過驅(qū)動(dòng)電壓",這個(gè)偏置電路似乎也沒有任何的“反饋”或者“跟隨”,我頭發(fā)都抓掉了一大把也沒想明白這么做目的是什么我的想法是 :在低壓共源共柵電流鏡中
2021-06-24 07:56:56
諸多應(yīng)用難點(diǎn),極高的開關(guān)速度容易引發(fā)振蕩,過電流和過電壓導(dǎo)致器件在高電壓場合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開通門限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET,在橋式拓?fù)涞膽?yīng)用中容易發(fā)生誤
2023-09-18 07:27:50
,電腦機(jī)箱,數(shù)碼產(chǎn)品和儀器類等領(lǐng)域。這樣一款常用的裝置,卻有著讓不少人為之頭疼的一個(gè)問題:關(guān)于開關(guān)電源中所需要的共模電感,究竟應(yīng)該如何選型呢?本篇就將為大家進(jìn)行講解。首先分享一個(gè)案例:來自廣東的客戶曾經(jīng)
2021-11-12 09:04:27
如何用萬用表測定數(shù)碼管是共陰還是共陽?
2021-05-08 08:49:38
電流源是什么?如何去實(shí)現(xiàn)一種負(fù)載共地的壓控電流源電路設(shè)計(jì)?
2021-11-04 06:10:20
本文介紹的運(yùn)放是一種采用TSMC 0.18 μm Mixed Signal SALICIDE(1P6M,1.8V/3.3V)CMOS工藝的折疊共源共柵運(yùn)放,并對(duì)其進(jìn)行了DC,AC及瞬態(tài)分析,最后與設(shè)計(jì)指標(biāo)進(jìn)行比較。
2021-04-14 06:59:22
干擾信號(hào),而對(duì)線路正常傳輸?shù)牟钅P盘?hào)無影響?! ⊥ǔG闆r下,同時(shí)注意選擇所需濾波的頻段,共模阻抗越大越好,因此我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">選擇共模電感時(shí)需要看器件資料,主要根據(jù)阻抗頻率曲線選擇。另外選擇時(shí)注意考慮差模阻抗對(duì)信號(hào)的影響,主要關(guān)注差模阻抗,特別注意高速端口
2017-06-27 10:38:38
共模電感的原理差模噪聲和共模噪聲主要來源共模電感如何抑制共模信號(hào)共模電感的選取
2021-03-17 07:30:17
角度來看,大多數(shù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員都會(huì)很仔細(xì)地端接差分傳輸線路。但是共模端接經(jīng)常被忽略。差分信號(hào)路徑上的無端接共模路徑意味著什么?會(huì)有兩個(gè)主要問題。在共模路徑無端接時(shí),信號(hào)路徑很有可能會(huì)收到外部源共模噪聲
2018-09-13 14:27:23
共集、共基、共射指的是三極管電路的連接狀態(tài)?!?b class="flag-6" style="color: red">共”就是輸入、輸出回路共有的部分,共射公基公集放大電路唯一區(qū)別就是公共部分不同,其判斷是在交流等效電路下進(jìn)行的。
1、共集電極電路----三極管的集電極
2023-09-23 14:40:52
共源共柵電感的工作機(jī)理是什么?怎么實(shí)現(xiàn)共源共柵CMOS功率放大器的設(shè)計(jì)?
2021-06-18 06:53:41
我的意思不是如何判斷哪種是共陰或者共陽。 問題是為什么會(huì)出現(xiàn)這種分類?都像發(fā)光二極管那樣有個(gè)正負(fù)極不就好了嗎? 求給小白我科普 :D 謝謝
2017-08-25 17:07:03
數(shù)碼管用共陽的好還是共陰的好,stc單片機(jī)驅(qū)動(dòng)
2023-11-03 07:49:21
此處提到的共源節(jié)點(diǎn)串聯(lián)電流負(fù)反饋應(yīng)該怎么理解?最好可以詳細(xì)解釋一下反饋回路,多謝
2021-06-25 07:14:14
本文對(duì)電壓基準(zhǔn)源引起的ADC系統(tǒng)的DNL誤差進(jìn)行了建模分析,提出了一種采用二階曲率補(bǔ)償技術(shù)的電壓基準(zhǔn)源電路,該電路運(yùn)用低噪聲兩級(jí)運(yùn)放進(jìn)行箝位,同時(shí)在采用共源共柵電流鏡技術(shù)的基礎(chǔ)上加入了PSR提高電路。
2021-04-20 06:51:42
在看razavi的教材時(shí)(P80-P81),發(fā)現(xiàn)這樣一個(gè)結(jié)論,共柵管的輸入阻抗為1/gm+RL/(gm*ro),通常認(rèn)為gm*ro>>1,所以源端看到的阻抗是1/gm。這也是平時(shí)最常
2022-06-15 11:00:38
電流鏡和參考源教程是清華大學(xué)微電子學(xué)研究所使用的教程,它從多個(gè)角度全面介紹了電流鏡和參考源的知識(shí)。是不可多得電路設(shè)計(jì)方面的權(quán)威指導(dǎo)資料。教程大致結(jié)構(gòu)電流鏡:基本特性、簡單MOS型電流鏡、共源共柵
2011-11-04 16:07:43
串聯(lián)放置。圖1所示為實(shí)現(xiàn)此目的的兩種不同配置:共源共柵驅(qū)動(dòng)和直接驅(qū)動(dòng)。現(xiàn)在,我們將對(duì)比功耗,并描述與每種方法相關(guān)的警告所涉及的問題。在共源共柵配置中,GaN柵極接地,MOSFET柵極被驅(qū)動(dòng),以控制
2023-02-14 15:06:51
大的關(guān)系。目前,產(chǎn)業(yè)化的GaN器件在走的兩種路線是P-GaN方式的增強(qiáng)型器件和共源共柵兩種結(jié)構(gòu),兩種結(jié)構(gòu)市場上聲音不同,大家仁者見仁。[size=0.19]圖1 主流GaN的兩種結(jié)構(gòu)由于GaN器件對(duì)寄生
2021-12-01 13:33:21
為什么led共陽極比共陰極好?
2016-06-02 22:59:35
不是很清楚這里的
共模電感
選擇的大小,誰知道怎么選?。?/div>
2019-01-15 23:41:56
怎么設(shè)計(jì)一種單級(jí)全差分增益增強(qiáng)的折疊共源共柵運(yùn)算放大器?
2021-04-20 06:26:29
折疊共源共柵比較器怎么修改為遲滯比較器
2021-06-24 07:36:52
運(yùn)算放大器有哪幾類?折疊式共源共柵全差分運(yùn)算放大器會(huì)受到哪些影響?
2021-04-07 06:29:07
蘇州谷景電子有限公司是專業(yè)的國內(nèi)電感生產(chǎn)廠家,主營UU型共模電感、貼片共模電感、插件共模電感等各種國產(chǎn)共模電感,以及電源濾波器、貼片電感、磁環(huán)電感等系列產(chǎn)品。詳細(xì)請(qǐng)咨詢我司業(yè)務(wù)部!共模電感產(chǎn)品參數(shù)
2021-09-07 13:17:53
基于獨(dú)特的共源共柵電路配置,具有出色的反向恢復(fù)功能。在共源共柵電路配置中,一個(gè)常開SiC JFET與一個(gè)Si MOSFET封裝在一起,形成一個(gè)常閉SiC FET器件
2024-02-26 19:57:09
對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:08570 從原理到實(shí)例:GaN為何值得期待?
2022-12-30 17:06:26649 在半橋拓?fù)渲胁⒙?lián) Nexperia GaN FET-AN90030
2023-02-15 19:06:190 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件,從GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。
2023-05-30 09:03:15385 。Nexperia(安世半導(dǎo)體)在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型 E-mode 器件,從 GaN FET 到其他硅基功率器件, Nexperia(安世半導(dǎo)體)豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。
2023-08-10 13:55:54500
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