兩種測量方法各有利弊。低側(cè)電流測量的優(yōu)點之一是共模電壓，即測量輸入端的平均電壓接近于零。這樣更便于設計應用電路，也便于選擇適合這種測量的器件。由于電流感測電路測得的電壓接近于地，因此在處理非常高的電壓時、或者在電源電壓可能 易于出現(xiàn)尖峰或浪涌的應用中， 優(yōu)先選擇這種方法測量電流。
2020-03-22 22:23:39
8249 
本文將對數(shù)字萬用表電阻電壓檔的測量方法及檔位切換做簡要的說明，使大家對數(shù)字萬用表電阻電壓檔的測量原理有更深入的了解。
2021-06-28 17:09:389355 
高頻、高速開關是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45943 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
的小型化?！ ×硗猓?b class="flag-6" style="color: red">SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
減小，所以耐受時間變長。另外，Vdd較低時發(fā)熱量也會減少，所以耐受時間會更長。由于關斷SiC-MOSFET所需的時間非常短，所以當Vgs的斷路速度很快時，急劇的dI/dt可能會引發(fā)較大的浪涌電壓。請使用
2018-11-30 11:30:41
的概述和應掌握的特征 性能評估事例的設計目標和電路使用評估板進行性能評估測量方法和結(jié)果重要檢查點MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極管的耐壓變壓器的飽和Vcc電壓輸出瞬態(tài)響應和輸出電壓上升波形溫度
2018-11-27 16:38:39
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內(nèi)提供與之相同的導通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時具備更高的電流密度和更低的導通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結(jié)型場效應晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實驗室遵循JFET方法，因為當時雙極結(jié)晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
極-源極電壓振鈴。將柵極驅(qū)動放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置，以最小的走線長度將柵極回路電感降至最低。此外，這種做法還有助于使各并聯(lián) MOSFET 設計之間的共源極電感保持恒定。以最小走線長
2022-03-24 18:03:24
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測量方法電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開關器件大多都配有用來冷卻的散熱器，在測量器件引腳間的電壓時，通常是無法將電壓
2022-09-20 08:00:00
測量高速信號快速的、比較干凈的測量方法是什么
2021-05-07 07:13:16
測量方法的分類1) 直接測量與間接測量(1) 直接測量直接測量是直接得到被測量值的測量方法。例如用直流電壓表測量穩(wěn)壓電源的輸出 電壓等。(2) 間接測量與直接測量不同，間接測量是利用直接測量的量與被
2017-06-15 10:08:31
LED亮度調(diào)節(jié)、電機轉(zhuǎn)速控制等。而在某些特殊應用中，我們也需要通過測量輸入PWM的占空比，來實現(xiàn)不同的輸出控制，這就需要使用到PWM占空比的測量方法。這里介紹三種不同的測量方法：阻塞方式、中斷方式以及定時器捕獲功能。
2021-02-03 07:52:09
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
。補充一下，所有波形的測試是去掉了鱷魚夾，使用接地彈簧就近測量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經(jīng)過了半個小時的帶載實驗，在自然散熱的情況下，測量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測量對于
2020-06-10 11:04:53
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
想了很久打算用stm32，做一個萬用表，但是以前沒有過類似的經(jīng)歷，現(xiàn)在就想重電壓表做起，最開始先做直流電壓表，但是對于大量程電壓的測量方法思路還不是很清楚，希望有做過類似設計的大俠幫個忙。
2018-09-11 09:31:38
管理和控制，其前提是必須準確而又可靠的獲得電池現(xiàn)存的容量參數(shù)。電池的電壓及溫度是和電池容量密切相關的兩個參數(shù)，因此精確采集單體電池電壓及溫度是十分重要的。 二、常用測量方法分析 1、單體電池電壓測量方法
2011-09-01 11:17:35
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
什么是SPWMSPWM示波器的測量方法
2021-03-29 08:29:26
性能如何？650V-1200V電壓等級的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3，隨著技術的發(fā)展，元胞寬度持續(xù)減小，比導通電阻持續(xù)降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
系統(tǒng)檢測過程中，需要運用到各種各樣的傳感器，傳感器的測量方法以及性能是檢測任務是否能夠順利完成的關鍵性因素。在實際操作過程中，需針對不同的檢測目的和具體情況進行分析，然后找出切實可行的測量方法，再
2018-11-07 16:20:22
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
許多的資料顯示，許多的EMC問題都是由共模及差模干擾引起的，那么在單板調(diào)試過程中，有沒有什么好的辦法對電路板上的共模和差模電壓進行測量，測量用的儀器比如示波器，測量方法什么的。請各位大佬賜教
2018-05-27 14:58:57
低壓共源共柵結(jié)構是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
振動頻率是指與無源晶振（晶體諧振器）一起工作的振蕩電路的實際頻率。振動頻率由無源晶體諧振器決定，并受MCU、外部負載電容、PCB雜散電容等的影響。測量方法（一）振動頻率通過以下方程來計算。負載
2020-07-06 17:21:09
康華光主編的模電中講到N型的增強型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
接地電阻的測量方法有哪幾種？接地電阻的計算方法有那幾種？
2021-04-09 06:05:08
來自MPS的科普視頻，介紹了一些最基本的紋波測量方法，歡迎探討交流！ ...
2022-01-03 07:19:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結(jié)構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
，在測量MOSFET的DS的電壓時候，要保證正確的測量方法。（1）如同測量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端，減小地線的環(huán)路
2023-02-20 17:21:32
;nbsp; 1.直接測量法使用按已知標準定度的電子儀器，對被測量值直接進行測量，從而測得其數(shù)據(jù)的方法，稱為直接測量法。例如用電壓表測量交流電源電壓等。需要
2009-03-20 09:53:50
）強制通過一個很大的恒定直流電流（目前一般使用40A～80A的大電流），測量此時電池兩端的電壓，并按公式計算出當前的電池內(nèi)阻。這種測量方法的精確度較高，控制得當?shù)脑挘?b class="flag-6" style="color: red">測量精度誤差可以控制在0.1％以內(nèi)
2017-11-24 16:12:49
電源的各項指標及測量方法1.直流電源指標(1)電壓調(diào)整率Su：負載不變，輸入電壓變化時輸出電壓相對變化量。即：Us=(|Uomax-Uomin|)/Uo*100%其中：Uomax為輸入電壓變化時最大
2021-11-15 06:57:27
電能質(zhì)量的測量方法如何排查電能質(zhì)量問題？
2021-04-09 06:47:11
液體壓力管道壓力測量方法，要求效率和精度都比較高
2013-11-26 15:47:16
的源-測量測試方法可以定量測量阻抗、電導和電阻，這些測量值揭示材料的關鍵性能。即便材料最終并非應用于電路，這種測量方法仍然適用。 需要注意的問題 測量納米微粒需要重點注意以下情況： 1. 納米微粒無法
2009-10-14 15:58:21
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
%的降額要求。另外，在測量MOSFET的DS的電壓時候，要保證正確的測量方法。（1）如同測量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端
2016-09-06 15:41:04
絕大多數(shù)情況下都取決于IC的規(guī)格，因此雖然不是沒有方法，但選用專為SiC-MOSFET用而優(yōu)化的電源IC應該是上策。具體一點來講，在規(guī)格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET的驅(qū)動電壓為VGS
2018-11-27 16:54:24
請問電機參數(shù)的含義及測量方法是什么？
2021-10-19 08:54:17
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
高壓電壓及電流測量方法是什么？
2021-11-05 08:03:59
基于太陽仿真器的測量方法
2009-02-23 21:57:14
15 測量微弱的電壓信號時。測量系統(tǒng)中熱電勢的影響不能忽略。本文所討論的基于增量模型的變極性測量方法是消除測量系統(tǒng)中熱電勢干擾的一種處理方法。這種方法將一個完整的
2009-06-06 13:59:0519 模擬測量方法和數(shù)字測量方法：高內(nèi)阻回路直流電壓的測量，交流電壓的表征與測量方法，低頻電壓的測量，等內(nèi)容。
2009-07-13 15:53:330 測量方法:以RPM（每分鐘轉(zhuǎn)數(shù)）為單位的轉(zhuǎn)速測定用下面三種典型的方法之一來完成。
1．機械轉(zhuǎn)速測量
由機械測量傳感器進行數(shù)據(jù)采集是測量RPM的傳統(tǒng)方法。傳感器中
2009-09-06 22:49:57119 熱工測量的概念和測量方法
本章講述了測量及測量誤差的基本概念，測量的一般方法，
2010-09-14 15:59:2912 頻率測量方法的改進
2010-10-14 16:41:0020 可控硅的測量方法
一、概述
2007-12-22 11:33:1146964 
電力功率測量方法
從大的方面來看，很多領域都需要功率測量，而且不同領域功率測量的方法是大不相同的。例如
2008-12-04 11:27:412475 
電子管跨導的測量方法
跨導G是電子管的重要參數(shù)，它的意義是當陽極電壓不變時，陽極電流隨柵極電壓的變化(△Ugh)所引起的變化
2009-11-29 16:54:327933 
本文提出的基于移位寄存陣控制的單體電池電壓及溫度測量方法，可實現(xiàn)串聯(lián)電池組的電壓及溫度的巡檢，巡檢的電池數(shù)量可靈活的增加和減少。相對于其他的測量方法，結(jié)構簡潔明了
2011-08-22 11:11:543803 
基于迭代稀疏分解的介損角測量方法_律方成
2016-12-31 14:45:090 在日常工作當中，人們對了解傳感器的測量方法都不是很全面，那么傳感器的測量手法有哪些？下面我跟大家講解一下傳感器測量方法，就是傳感器測量時所采取的具體方法。
2017-01-19 15:02:592288 基于油罐液位測量方法的研究
2017-01-22 13:38:0813 一種交流電壓的間接測量方法及其應用_陳靜
2017-03-19 11:46:134 基于電阻鏈移相的時柵高速測量方法研究_索龍博
2017-03-19 19:19:352 本文主要闡述了壓限器的測量方法及壓限器的作用。
2019-11-27 10:00:373099 基于聲卡的直流信號測量方法分析(通信電源技術期刊幾類)-該資料為?基于聲卡的直流信號測量方法分析
2021-09-28 11:54:3512 ? GIS回路電阻測量方法根據(jù)測量的模式不同可以分為傳統(tǒng)GIS回路電阻測量方法和智能GIS回路電阻測量方法，接下來登豐電力帶大家熟悉一下傳統(tǒng)GIS回路電阻測量方法和智能GIS回路電阻測量方法。 傳統(tǒng)
2021-11-18 18:01:011666 
具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532945 和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關。這里的重點是如何有效地測量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:451512 
從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:16589 
本文的關鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:14644 運放失調(diào)電壓測量方法 運放失調(diào)電壓是運放非理想性質(zhì)的一種，它是運放輸入端所需的偏置電壓與實際給的偏置電壓之間的差值。這種差異會影響整個電路的性能，因此對于電路設計和測試來說，準確測量運放失調(diào)電壓
2023-09-22 18:23:551631 如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29483 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17223 
。本文將詳細介紹接地電阻測量的原理和測量方法。 接地電阻測量原理： 接地電阻的測量基于歐姆定律，即電壓等于電流乘以電阻。當電流通過接地裝置和地面之間的電阻時，會在電路中產(chǎn)生一定的電壓降，根據(jù)歐姆定律可以計算出接地
2023-12-19 15:36:47533 整流橋的好壞測量方法是對整流橋進行性能評估的過程，可以通過多種測試來獲得相關數(shù)據(jù)和指標來判斷整流橋的質(zhì)量和性能。下面詳細介紹幾種常見的整流橋好壞測量方法。 直流輸出電壓測量法： 這是最直接且簡單
2023-12-21 14:10:531362 蓄電池無負載和有負載電壓測量方法 蓄電池是一種儲存電能的裝置，廣泛應用于汽車、UPS電源、太陽能系統(tǒng)等領域。在使用蓄電池時，需要了解其電壓情況，以確保其正常工作和維護。本文將介紹蓄電池無負載和有負載
2024-01-05 14:04:07460 電阻是電路中常見的基本元件，其測量方法主要有以下幾種：直流電橋法、直流電壓比較法、萬用表測量法、數(shù)字多用表測量法、數(shù)字電橋法、示波器法、恢復法等。下面將詳細介紹這些測量方法。 直流電橋法是一種經(jīng)典
2024-01-14 14:52:02680 電阻的測量方法有以下幾種： 電表法：使用電表測量電阻值，通常是使用電流表和電壓表，通過歐姆定律計算電阻值。這是最常用的電阻測量方法之一。 橋式法：使用電橋測量電阻值，通常是使用維文
2024-01-22 10:19:19275 中間繼電器線圈電壓是指控制繼電器開關狀態(tài)的電壓。測量中間繼電器線圈電壓的目的是為了驗證電壓是否在有效范圍內(nèi)，以確保繼電器正常工作。下面將介紹幾種常用的中間繼電器線圈電壓的測量方法。 一、直接測量
2024-02-05 16:38:59515
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