本文介紹了一種新穎的測(cè)量電路，以測(cè)量用于測(cè)量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫。可以看出，出于訂購(gòu)和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的，不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 11:28:32
4626 
針對(duì)SiC MOSFET模塊應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)的串?dāng)_問(wèn)題，文章首先對(duì)3種測(cè)量差分探頭的參數(shù)和測(cè) 量波形進(jìn)行對(duì)比，有效減小測(cè)量誤差；然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負(fù)向峰值過(guò)大 的原因
2023-06-05 10:14:211845 
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45943 
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
的小型化?！ ×硗猓?b class="flag-6" style="color: red">SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
減小，所以耐受時(shí)間變長(zhǎng)。另外，Vdd較低時(shí)發(fā)熱量也會(huì)減少，所以耐受時(shí)間會(huì)更長(zhǎng)。由于關(guān)斷SiC-MOSFET所需的時(shí)間非常短，所以當(dāng)Vgs的斷路速度很快時(shí)，急劇的dI/dt可能會(huì)引發(fā)較大的浪涌電壓。請(qǐng)使用
2018-11-30 11:30:41
的概述和應(yīng)掌握的特征 性能評(píng)估事例的設(shè)計(jì)目標(biāo)和電路使用評(píng)估板進(jìn)行性能評(píng)估測(cè)量方法和結(jié)果重要檢查點(diǎn)MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極管的耐壓變壓器的飽和Vcc電壓輸出瞬態(tài)響應(yīng)和輸出電壓上升波形溫度
2018-11-27 16:38:39
`請(qǐng)問(wèn)：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內(nèi)提供與之相同的導(dǎo)通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時(shí)具備更高的電流密度和更低的導(dǎo)通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導(dǎo)
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實(shí)驗(yàn)室遵循JFET方法，因?yàn)楫?dāng)時(shí)雙極結(jié)晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認(rèn)為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過(guò)集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來(lái)保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開關(guān)）時(shí)高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動(dòng)作的現(xiàn)象。通過(guò)下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
極-源極電壓振鈴。將柵極驅(qū)動(dòng)放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置，以最小的走線長(zhǎng)度將柵極回路電感降至最低。此外，這種做法還有助于使各并聯(lián) MOSFET 設(shè)計(jì)之間的共源極電感保持恒定。以最小走線長(zhǎng)
2022-03-24 18:03:24
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測(cè)量方法電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開關(guān)器件大多都配有用來(lái)冷卻的散熱器，在測(cè)量器件引腳間的電壓時(shí)，通常是無(wú)法將電壓
2022-09-20 08:00:00
。在探頭上的短彈簧現(xiàn)在連接到該接地銅箔。該方式用很少的努力，就可以簡(jiǎn)單和精確地進(jìn)行測(cè)量。 圖2: 含細(xì)小管腳測(cè)試觸針的HZ355無(wú)源探頭如果在探頭基本配置中不含圖1彈簧探針，你也可以自制（DIY
2017-10-11 09:45:21
無(wú)源電壓探頭是示波器最常用的探頭。雖然其它專用探頭擴(kuò)展了示波器作為測(cè)量系統(tǒng)的范圍和功能，但是通用的無(wú)源電壓探頭則作為示波器的工作端工具，每天都被工程師和技術(shù)人員所使用。經(jīng)過(guò)兩年的用戶調(diào)查、設(shè)計(jì)創(chuàng)新
2017-12-13 11:52:06
P6139B探頭是高帶寬，高阻抗，10x無(wú)源電壓探頭，10MΩ輸入阻抗，更小的探尖和更細(xì)的探頭前端方便探測(cè)密集的電路，在不同的補(bǔ)償范圍內(nèi)支持泰克示波器。是最高帶寬、最低探頭負(fù)載的無(wú)源探頭。無(wú)源探頭
2017-12-14 11:59:22
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對(duì)兩個(gè)波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過(guò)分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時(shí)間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
。補(bǔ)充一下，所有波形的測(cè)試是去掉了鱷魚夾，使用接地彈簧就近測(cè)量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經(jīng)過(guò)了半個(gè)小時(shí)的帶載實(shí)驗(yàn)，在自然散熱的情況下，測(cè)量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測(cè)量對(duì)于
2020-06-10 11:04:53
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
性能如何？650V-1200V電壓等級(jí)的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3，隨著技術(shù)的發(fā)展，元胞寬度持續(xù)減小，比導(dǎo)通電阻持續(xù)降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動(dòng)共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時(shí)，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
比如，IRFP460，它的UGS(th)最小是2V，最大是4V，其特性曲線如下圖所示。那么它的柵源間的電壓要設(shè)置多大好呢？
2012-08-31 10:19:09
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
如何用USB示波器及其無(wú)源探頭安全地測(cè)量220V交流電壓及其諧波失真
2016-05-07 15:38:04
如何用USB示波器及其無(wú)源探頭安全地測(cè)量220V交流電壓及其諧波失真
2016-09-21 19:52:12
如何用USB示波器及其無(wú)源探頭安全地測(cè)量220V交流電壓及其諧波失真（中文）
2016-03-10 14:50:01
儀器設(shè)備的說(shuō)明書，并按正確的方法使用。三、正確的測(cè)量方法實(shí)例 1 和 2 被測(cè)信號(hào)的特點(diǎn)都是對(duì)大地存在共模電壓，在觀測(cè)的頻率下共模電壓對(duì)大地的源阻抗較低。而單端探頭和通用示波器是接大地的，那么直接連接測(cè)量
2019-10-23 07:00:00
` 在示波器的應(yīng)用場(chǎng)合中，除了有些RF或高速數(shù)字的場(chǎng)合用電纜直接測(cè)量以外，很多板上的調(diào)試工作都是借助探頭完成的。探頭是示波器測(cè)量系統(tǒng)的一部分，很多高帶寬的探頭都必須是有源探頭，有源探頭內(nèi)部的有源
2018-04-26 10:50:47
的MOSFET電容器Cgs將開始放電。此時(shí)，MOSFET阻斷特性保持不變。這個(gè)t1階段被稱為延時(shí)，它表征著MOSFET的響應(yīng)時(shí)間。當(dāng)MOSFET柵源電壓Vgs達(dá)到柵極平臺(tái)電壓Vgs（Miller
2018-10-08 15:19:33
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問(wèn)題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
電源設(shè)計(jì)問(wèn)題及其測(cè)量需求是什么？怎么消除電壓探頭和電流探頭之間的時(shí)間偏差？怎么消除探頭零偏和噪聲？
2021-05-08 06:47:53
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
使用各種不同的數(shù)字示波器進(jìn)行相關(guān)電氣信號(hào)量的測(cè)量，測(cè)量的時(shí)候都需要與示波器相匹配的探頭，與示波器相匹配的探頭種類也非常多，包括無(wú)源探頭(包括高壓探頭，傳輸線探頭)、有源探頭（包括有源單端探頭、有源差
2017-12-13 11:48:36
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
- 柵極-源極電壓: 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V Qg-柵極電荷: 100 nC -小工作溫度: - 55 C -大工作溫度: + 155 C 配置: Single 通道模式
2020-03-04 10:34:36
，在測(cè)量MOSFET的DS的電壓時(shí)候，要保證正確的測(cè)量方法。（1）如同測(cè)量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測(cè)量位置的兩端，減小地線的環(huán)路
2023-02-20 17:21:32
，動(dòng)態(tài)范圍小，靜電敏感，校準(zhǔn)麻煩，因此，每個(gè)工程師使用示波器的入門級(jí)探頭通常是無(wú)源探頭。最常見(jiàn)的500Mhz的無(wú)源電壓探頭適用于一般的電路測(cè)量和快速診斷，可以滿足大多數(shù)的低速數(shù)字信號(hào)、TV、電源和其它的一些典型的示波器應(yīng)用。
2019-05-21 10:16:29
了解差分信號(hào)。差分信號(hào)是互相參考，而不是參考接地的信號(hào)。例如，圖1開關(guān)電源中半橋上下開關(guān)管(Q1，Q2管)中電壓信號(hào)；圖2多相電源系統(tǒng)中電壓信號(hào)，以上信號(hào)在本質(zhì)上是“漂浮”在地之上。3.差分信號(hào)的測(cè)量方法
2015-12-17 17:10:32
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
%的降額要求。另外，在測(cè)量MOSFET的DS的電壓時(shí)候，要保證正確的測(cè)量方法。（1）如同測(cè)量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測(cè)量位置的兩端
2016-09-06 15:41:04
絕大多數(shù)情況下都取決于IC的規(guī)格，因此雖然不是沒(méi)有方法，但選用專為SiC-MOSFET用而優(yōu)化的電源IC應(yīng)該是上策。具體一點(diǎn)來(lái)講，在規(guī)格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓為VGS
2018-11-27 16:54:24
請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
。高阻無(wú)源探頭中還有 2 個(gè)特殊的種類。一類是高壓探頭，其衰減比可達(dá)100:1 或 1000:1，所以測(cè)量電壓范圍很大；還有一類是 1:1 的探頭，即信號(hào)沒(méi)有衰減就進(jìn)入示波器，由于不象 10：1
2018-04-02 09:17:49
探頭有很多類別，差分探頭在開關(guān)電源應(yīng)用非常常見(jiàn)，安泰測(cè)試將針對(duì)差分信號(hào)的測(cè)量，詳細(xì)為您解答差分探頭差分信號(hào)的常見(jiàn)測(cè)量方法。
2020-10-26 11:29:477024 有經(jīng)驗(yàn)的工程師都知道，如果我們要使用 數(shù)字示波器來(lái)進(jìn)行電源測(cè)量的話，就必須先測(cè)量MOSFET開關(guān)器件漏極、源極間的電壓和電流，或IGBT集電極、發(fā)射極間的電壓。但是如果我們需要完成這一測(cè)試測(cè)量任務(wù)
2021-04-29 15:05:441036 為高共模電壓高壓差分信號(hào)，VGs2為低共模電壓低壓差分信號(hào)，VDS2為高壓對(duì)地信號(hào)。根據(jù)信號(hào)類型，VGs1、VDs1和 VGs2需采用差分探頭測(cè)量，VDS2既可采用高阻無(wú)源探頭測(cè)量，也可采用差分探頭測(cè)量
2021-09-27 08:51:15589 
測(cè)量方法。 差分探頭的常用測(cè)量方法有三種： 一種就是使用兩個(gè)探頭進(jìn)行兩項(xiàng)單端測(cè)量：這是一種常用方法，也是進(jìn)行差分測(cè)量最不希望的方法。測(cè)量到地的信號(hào)（單端）及使用示波器的數(shù)學(xué)運(yùn)算函數(shù)（通道A信號(hào)減去通道B），就可測(cè)量差
2022-03-31 17:31:051075 建立的探頭模型和對(duì)暫態(tài)電壓精確測(cè)量實(shí)驗(yàn)分析 1、實(shí)驗(yàn)平臺(tái) 本文搭建了基于SiC MOSFET C3MO075120K的雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，以驗(yàn)證所建立的探頭模型和對(duì)暫態(tài)電壓精確測(cè)量所做的分析，實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
2022-03-31 17:32:27611 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532945 高壓差分探頭是電力工程師常用的測(cè)量方法，但與普通探頭相比，高壓差分探頭的使用有很多細(xì)節(jié)。 用高壓差分探頭測(cè)量220V（峰值約620V）電源模塊的電壓。主要注意事項(xiàng)如下： 測(cè)量前，必須了解被測(cè)電源
2022-07-22 11:02:372055 
和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關(guān)。這里的重點(diǎn)是如何有效地測(cè)量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:451512 
探頭有很多種，差分探頭在開關(guān)電源中的應(yīng)用非常普遍，差分探頭差分信號(hào)的常用測(cè)量方法如下。
2022-10-14 15:40:244260 DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測(cè)量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測(cè)試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121 從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長(zhǎng)電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測(cè)量，在開關(guān)速度較快時(shí)，觀察到的波形會(huì)發(fā)生明顯變化。?受測(cè)量時(shí)所裝的延長(zhǎng)電纜的影響，觀察到的波形會(huì)與真正的原始波形完全不同。
2023-02-09 10:19:21652 
關(guān)鍵要點(diǎn)?除了測(cè)量位置之外，探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi)，就會(huì)受到磁通量變化的影響，而體現(xiàn)在觀測(cè)波形上。
2023-02-09 10:19:22345 
驅(qū)動(dòng)芯片，需要考慮如下幾個(gè)方面： 驅(qū)動(dòng)電平與驅(qū)動(dòng)電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關(guān)場(chǎng)合，其面對(duì)的由于寄生參數(shù)所帶來(lái)的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開啟電壓較
2023-02-27 14:42:04
79 時(shí)，由于較高的 di/dt 與 du/dt 容易產(chǎn)生電壓電流尖峰、振蕩、上下管直通或超過(guò)負(fù)向安全電壓，干擾驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓等問(wèn)題。因此為了保障 SiC MOSFET 安全可靠性的運(yùn)行，需從驅(qū)動(dòng)側(cè)對(duì) S
2023-02-27 14:43:028 差分探頭的構(gòu)造 高壓差分探頭是由兩個(gè)相等的導(dǎo)線組成的。這些導(dǎo)線通常被稱為探頭的 “兩極”，并連接到高阻抗輸入放大器上。高阻抗輸入放大器有很高的電阻值，因此可以使電流流過(guò)探頭時(shí)保持非常小的影響。 二、常見(jiàn)測(cè)量方法
2023-03-30 14:41:271496 
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 示波器探頭是一種用于測(cè)量電路中電壓信號(hào)的工具，電壓量程是指探頭能夠測(cè)量的最大和最小電壓范圍。了解探頭的電壓量程，可以幫助我們?cè)趯?shí)際測(cè)量電路時(shí)進(jìn)行選擇。以下是關(guān)于示波器探頭電壓量程的詳細(xì)解讀
2023-04-17 10:46:323863 
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:14644 泰克探頭是一種常用的測(cè)試工具，主要用于測(cè)量電流和電壓。它的操作方法簡(jiǎn)單易懂，可以幫助用戶快速準(zhǔn)確地測(cè)量電器設(shè)備中的電流和電壓，為維護(hù)和保養(yǎng)設(shè)備提供便利。下面詳細(xì)介紹一下泰克探頭的使用方法。
2023-05-23 11:00:19902 普通電壓探頭是電子測(cè)量領(lǐng)域中廣泛使用的一種探頭。它是一種用于測(cè)量電路中電壓的設(shè)備，通過(guò)將其連接到電路中的測(cè)量點(diǎn)，可以將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為可讀取的電信號(hào)。普通電壓探頭的構(gòu)成非常重要，它決定了探頭的性能
2023-08-04 11:37:54407 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29483 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17223 
MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導(dǎo)類型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應(yīng)用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個(gè)主要的作用： 1. 電源開關(guān)
2023-12-21 11:27:13687 探頭的使用方法和技巧 1. 檢查設(shè)備 在使用磁場(chǎng)探頭之前，首先要檢查設(shè)備是否正常工作。檢查傳感器的連接是否牢固，是否有損壞或老化現(xiàn)象。同時(shí)，確保磁場(chǎng)探頭與測(cè)量設(shè)備相配合，以便獲得準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。 2. 放置探頭 將磁場(chǎng)探
2024-01-05 14:31:42260 分別與兩個(gè)探頭相連，并且通過(guò)差分測(cè)量技術(shù)將這兩個(gè)信號(hào)之間的差異顯示出來(lái)。使用差分探頭可以測(cè)量差分信號(hào)的幅度，相位以及時(shí)延等參數(shù)。 差分探頭的使用方法是將差分探頭的探頭端連接到待測(cè)試的差分信號(hào)源上，通常一個(gè)探頭
2024-01-05 14:38:02160 探頭阻抗如何影響電源軌的測(cè)量？ 探頭阻抗是指測(cè)試電源軌時(shí)用于連接到被測(cè)電路的測(cè)量電纜和夾具的電阻性質(zhì)。它對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響非常重要，因?yàn)殡娫窜壍?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)量精確性依賴于能否準(zhǔn)確地測(cè)量電源電壓、電流和波形。本文
2024-01-08 11:42:12161 示波器電流探頭可以測(cè)量多大電壓？ 示波器電流探頭是一種用于測(cè)量電流信號(hào)的工具，它可以將電流轉(zhuǎn)換為可觀測(cè)的電壓信號(hào)。然而，實(shí)際上示波器電流探頭并不能直接測(cè)量電壓，它只能間接測(cè)量電壓。 示波器電流探頭
2024-01-08 14:55:32347 高壓差分探頭是連接示波器使用嗎？ 高壓差分探頭是一種專門用于連接示波器的測(cè)量工具，它可以幫助工程師和技術(shù)人員在測(cè)量高壓電路時(shí)提供安全、準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。本文將詳細(xì)介紹高壓差分探頭的原理、優(yōu)點(diǎn)和適用范圍
2024-01-08 15:29:59168 普通探頭如何測(cè)量電壓？ 普通探頭是一種常見(jiàn)的電子測(cè)試工具，用于測(cè)量電壓。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地講解普通探頭如何測(cè)量電壓的原理、使用方法、注意事項(xiàng)等方面的內(nèi)容。 一、普通探頭的原理 普通探頭主要
2024-01-08 15:55:40357 詳細(xì)介紹電流探頭測(cè)量小電流的方法和技巧? 電流探頭是廣泛應(yīng)用于電子測(cè)試和測(cè)量的一種設(shè)備，其主要作用是測(cè)量電路中的電流大小。在許多情況下，我們需要測(cè)量的是小電流，因此掌握電流探頭測(cè)量小電流的方法
2024-01-08 16:09:11301
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論