本文介紹了一種新穎的測(cè)量電路，以測(cè)量用于測(cè)量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫?？梢钥闯?，出于訂購(gòu)和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的，不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 11:28:32
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下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 
高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45943 
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過(guò)目前ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化?！ ×硗?，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
減小，所以耐受時(shí)間變長(zhǎng)。另外，Vdd較低時(shí)發(fā)熱量也會(huì)減少，所以耐受時(shí)間會(huì)更長(zhǎng)。由于關(guān)斷SiC-MOSFET所需的時(shí)間非常短，所以當(dāng)Vgs的斷路速度很快時(shí)，急劇的dI/dt可能會(huì)引發(fā)較大的浪涌電壓。請(qǐng)使用
2018-11-30 11:30:41
的概述和應(yīng)掌握的特征 性能評(píng)估事例的設(shè)計(jì)目標(biāo)和電路使用評(píng)估板進(jìn)行性能評(píng)估測(cè)量方法和結(jié)果重要檢查點(diǎn)MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極管的耐壓變壓器的飽和Vcc電壓輸出瞬態(tài)響應(yīng)和輸出電壓上升波形溫度
2018-11-27 16:38:39
`請(qǐng)問(wèn)：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內(nèi)提供與之相同的導(dǎo)通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時(shí)具備更高的電流密度和更低的導(dǎo)通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導(dǎo)
2019-07-09 04:20:19
的，但簡(jiǎn)潔性和設(shè)計(jì)優(yōu)雅在工程領(lǐng)域被低估了。SemiSouth還有一個(gè)常關(guān)JFET，但事實(shí)證明它的批量生產(chǎn)太難了。今天，USCi，Inc。提供一種正常的SiC JFET，它采用共源共柵配置的低壓硅
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過(guò)集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來(lái)保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開(kāi)關(guān)）時(shí)高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動(dòng)作的現(xiàn)象。通過(guò)下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
極-源極電壓振鈴。將柵極驅(qū)動(dòng)放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置，以最小的走線長(zhǎng)度將柵極回路電感降至最低。此外，這種做法還有助于使各并聯(lián) MOSFET 設(shè)計(jì)之間的共源極電感保持恒定。以最小走線長(zhǎng)
2022-03-24 18:03:24
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢(shì).更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無(wú)源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開(kāi)關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測(cè)量方法電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開(kāi)關(guān)器件大多都配有用來(lái)冷卻的散熱器，在測(cè)量器件引腳間的電壓時(shí)，通常是無(wú)法將電壓
2022-09-20 08:00:00
的最大電壓。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOSFET不會(huì)失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓
2011-08-17 14:18:59
開(kāi)來(lái)，并應(yīng)用于電纜以將電線與電纜所穿過(guò)的環(huán)境隔離開(kāi)來(lái)。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導(dǎo)通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道
2018-03-03 13:58:23
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對(duì)兩個(gè)波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過(guò)分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時(shí)間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
。補(bǔ)充一下，所有波形的測(cè)試是去掉了鱷魚(yú)夾，使用接地彈簧就近測(cè)量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經(jīng)過(guò)了半個(gè)小時(shí)的帶載實(shí)驗(yàn)，在自然散熱的情況下，測(cè)量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測(cè)量對(duì)于
2020-06-10 11:04:53
SIC加裝了散熱片：最后，焊接到板子上：注意：加裝散熱片時(shí)，因?yàn)榈撞?b class="flag-6" style="color: red">位置有走線和元器件，散熱片應(yīng)預(yù)留一定的高度，避免短路。評(píng)估板硬件準(zhǔn)備完成，接來(lái)了做簡(jiǎn)易的波形測(cè)量。通過(guò)使用說(shuō)明書(shū)可知，這個(gè)評(píng)估板的PWM
2020-05-09 11:59:07
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
加大了充放電的串聯(lián)電阻而使工作速度下降。因此，在CMOS電路中，當(dāng)使用硼擴(kuò)散條做連線用時(shí)要考慮到這一點(diǎn)。 當(dāng)在NMOS的柵上施加相對(duì)于源的正電壓VGS時(shí)，柵上的正電荷在P型襯底上感應(yīng)出等量的負(fù)電荷，隨著
2012-01-06 22:55:02
電平是否合乎規(guī)范值，同時(shí)也因加大了充放電的串聯(lián)電阻而使工作速度下降。因此，在CMOS電路中，當(dāng)使用硼擴(kuò)散條做連線用時(shí)要考慮到這一點(diǎn)。 當(dāng)在NMOS的柵上施加相對(duì)于源的正電壓VGS時(shí)，柵上的正電荷在P型
2012-12-10 21:37:15
性能如何？650V-1200V電壓等級(jí)的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3，隨著技術(shù)的發(fā)展，元胞寬度持續(xù)減小，比導(dǎo)通電阻持續(xù)降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動(dòng)共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時(shí)，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時(shí)候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
比如，IRFP460，它的UGS(th)最小是2V，最大是4V，其特性曲線如下圖所示。那么它的柵源間的電壓要設(shè)置多大好呢？
2012-08-31 10:19:09
，F(xiàn)ET的作用并不是立即斷開(kāi)輸入與輸出之間的連接，而是減輕那些具有破壞力的浪涌電流帶來(lái)的嚴(yán)重后果。這需要通過(guò)一個(gè)控制器來(lái)調(diào)節(jié)輸入電壓（VIN）和輸出電壓（VOUT）之間MOSFET上的柵源偏壓，使MOSFET處于飽和狀態(tài)，從而阻止可能通過(guò)的電流（見(jiàn)圖1）。
2020-10-29 06:54:03
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開(kāi)發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
頻率選擇演示了基于 1200V SiC MOSFET 的 500-840V 可變直流母線的 OBC 設(shè)計(jì)，用于 250-450V 電池電壓 ［10］。OBC的整體效率得到了優(yōu)化，但是，1200V SiC
2023-02-27 09:44:36
的MOSFET電容器Cgs將開(kāi)始放電。此時(shí)，MOSFET阻斷特性保持不變。這個(gè)t1階段被稱為延時(shí)，它表征著MOSFET的響應(yīng)時(shí)間。當(dāng)MOSFET柵源電壓Vgs達(dá)到柵極平臺(tái)電壓Vgs（Miller
2018-10-08 15:19:33
重要了。一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求：（1）開(kāi)關(guān)管開(kāi)通瞬時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且不存在上升沿的高頻振蕩。（2
2017-01-09 18:00:06
MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開(kāi)關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要
2021-04-09 09:20:10
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問(wèn)題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
的模塊。分為由SiC MOSFET + SiC SBD構(gòu)成的類(lèi)型和只由SiC MOSFET構(gòu)成的類(lèi)型兩種，可根據(jù)用途進(jìn)行選擇。
2019-03-12 03:43:18
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車(chē)，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
- 柵極-源極電壓: 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V Qg-柵極電荷: 100 nC -小工作溫度: - 55 C -大工作溫度: + 155 C 配置: Single 通道模式
2020-03-04 10:34:36
損壞，在芯片整體溫度提高的條件下，MOSFET更容易發(fā)生單元的熱和電流不平衡，從而導(dǎo)致?lián)p壞。在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)該基于系統(tǒng)最?lèi)毫訔l件下來(lái)考慮擊穿電壓。選擇漏源極電壓BVDSS的基本原則為：在實(shí)際工作環(huán)境中
2023-02-20 17:21:32
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測(cè)量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進(jìn)行測(cè)試（圖
2023-02-22 16:34:53
，F(xiàn)ET的作用并不是立即斷開(kāi)輸入與輸出之間的連接，而是減輕那些具有破壞力的浪涌電流帶來(lái)的嚴(yán)重后果。這需要通過(guò)一個(gè)控制器來(lái)調(diào)節(jié)輸入電壓（VIN）和輸出電壓（VOUT）之間MOSFET上的柵源偏壓，使MOSFET處于飽和狀態(tài)。
2019-08-06 06:28:49
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
，導(dǎo)致局部的過(guò)熱損壞，在芯片整體溫度提高的條件下，MOSFET更容易發(fā)生單元的熱和電流不平衡，從而導(dǎo)致?lián)p壞。在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)該基于系統(tǒng)最?lèi)毫訔l件下來(lái)考慮擊穿電壓。選擇漏源極電壓BVDSS的基本原則為：在
2016-09-06 15:41:04
與Si-MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)的不同之處。主要的不同點(diǎn)是SiC-MOSFET在驅(qū)動(dòng)時(shí)的VGS稍高，內(nèi)部柵極電阻較高，因此外置柵極電阻Rg需要采用小阻值。Rg是外置電阻，屬于電路設(shè)計(jì)的范疇。但是，柵極驅(qū)動(dòng)電壓
2018-11-27 16:54:24
220x180x50mm方框圖，直流母線電壓和開(kāi)關(guān)頻率選擇圖1顯示了雙向OBC的系統(tǒng)框圖。基于1200V SiC MOSFET的OBC設(shè)計(jì)具有500-840V可變直流母線，可用于250-450V電池電壓[10
2019-10-25 10:02:58
請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點(diǎn)在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓)較低。溝道型SBD的導(dǎo)通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 PI的SIC1182K和汽車(chē)級(jí)SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。 SCALE-2門(mén)極驅(qū)動(dòng)核和其他SCALE-iDriver門(mén)極驅(qū)動(dòng)器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進(jìn)行安全有效的設(shè)計(jì)。
2020-08-13 15:31:282476 開(kāi)關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試，而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直接測(cè)量在運(yùn)行中的變換器上的器件波形，為了得
2022-06-02 11:04:062951 
在IGBT時(shí)代，門(mén)極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無(wú)非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門(mén)極電壓規(guī)范。
2022-06-06 09:57:072079 
具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532945 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:421114 和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開(kāi)關(guān)。這里的重點(diǎn)是如何有效地測(cè)量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:451512 
SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 從本文開(kāi)始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
關(guān)鍵要點(diǎn)?除了測(cè)量位置之外，探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi)，就會(huì)受到磁通量變化的影響，而體現(xiàn)在觀測(cè)波形上。
2023-02-09 10:19:22345 
在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102938 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:04
79 時(shí)，由于較高的 di/dt 與 du/dt 容易產(chǎn)生電壓電流尖峰、振蕩、上下管直通或超過(guò)負(fù)向安全電壓，干擾驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓等問(wèn)題。因此為了保障 SiC MOSFET 安全可靠性的運(yùn)行，需從驅(qū)動(dòng)側(cè)對(duì) S
2023-02-27 14:43:028 紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:14644 如何選取SiC MOSFET的Vgs門(mén)極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29483 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17223 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路有一些基本要求，接下來(lái)將詳細(xì)介紹這些要求。 首先，SIC MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路的電壓要求非常嚴(yán)格。由于SIC MOSFET的工作電壓通常在幾百伏特到數(shù)千伏特之間，因此驅(qū)動(dòng)電路需要能提供足夠高的電壓以確保正常工作。此外，由于SIC MOSFET具有較高的耐壓能力
2023-12-21 11:15:49417 MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導(dǎo)類(lèi)型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應(yīng)用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個(gè)主要的作用： 1. 電源開(kāi)關(guān)
2023-12-21 11:27:13687
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