美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 電源模塊發(fā)熱問題會(huì)嚴(yán)重危害模塊的可靠性，使產(chǎn)品的失效率將呈指數(shù)規(guī)律增加，電源模塊發(fā)熱嚴(yán)重怎么辦？本文從模塊的熱設(shè)計(jì)角度出發(fā)，為你介紹各類低溫升、高可靠性的電源設(shè)計(jì)及應(yīng)用解決方案。
2018-08-03 09:19:567133 
mm○BSM300D12P2E001300BSM400D12P3G002-4~2240010G Type62×152×17mmBSM600D12P3G001600※產(chǎn)品陣容中還包括斬波型產(chǎn)品。關(guān)于新產(chǎn)品的詳細(xì)信息，請(qǐng)聯(lián)系ROHM銷售部門或點(diǎn)擊這里。ROHM還提供可輕松評(píng)估全SiC功率模塊柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板。
2018-12-04 10:20:43
3G核心網(wǎng)網(wǎng)元是什么？為什么要提高3G核心網(wǎng)高的可靠性設(shè)計(jì)？3G核心網(wǎng)高可靠性設(shè)計(jì)方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
進(jìn)行半導(dǎo)體元器件的評(píng)估時(shí)，電氣/機(jī)械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動(dòng)汽車全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季（第
2018-12-04 10:24:29
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
率為一個(gè)平穩(wěn)值，意味著產(chǎn)品進(jìn)入了一個(gè)穩(wěn)定的使用期。耗損失效期的失效率為遞增形式，即產(chǎn)品進(jìn)入老年期，失效率呈遞增狀態(tài)，產(chǎn)品需要更新。提高可靠性的措施可以是：對(duì)元器件進(jìn)行篩選;對(duì)元器件降額使用，使用容錯(cuò)法
2015-08-04 11:04:27
日益增長的可再生能源發(fā)電技術(shù)需要大量的功率半導(dǎo)體器件, 其中風(fēng)能是最具成本效益的可再生能源發(fā)電方式之一。變流器是其中的重要組件,且確保實(shí)現(xiàn)并網(wǎng)發(fā)電。高可靠性的功率半導(dǎo)體可以滿足這種應(yīng)用的要求，并構(gòu)成
2018-12-04 09:57:08
高可靠性PCB的十四大重要特征騰訊網(wǎng) | 2016-02-19 19:22來這里找志同道合的小伙伴！乍一看，PCB不論內(nèi)在質(zhì)量如何，表面上都差不多。正是透過表面，我們才看到差異，而這些差異對(duì)PCB在
2016-02-20 14:25:46
高可靠性的線路板具有什么特點(diǎn)？
2021-04-25 08:16:53
ADI高溫高可靠性器件都有哪些？它們都被應(yīng)用在哪里呢？版主找到一個(gè)介紹ADI高溫產(chǎn)品的視頻，在這里以圖文形式分享給大家，大家也可點(diǎn)擊鏈接直接觀看視頻，近一個(gè)小時(shí)的介紹，絕對(duì)讓你徹底了解！
2018-10-17 15:05:56
DS1302介紹一款高性能、低功耗的日歷時(shí)鐘DS1302是一種串行接口的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，內(nèi)部有可編程的日歷時(shí)鐘和31個(gè)字節(jié)的靜態(tài)RAM，可以自動(dòng)進(jìn)行閏年補(bǔ)償工作電壓范圍寬（2.5V~5.5V），還有對(duì)備用
2021-07-19 06:59:11
EFR32介紹EFR32 Mighty Gecko ZigBee 和 Thread 的 SoC 系列是無線 Gecko 產(chǎn)品系列的組成部分。 Mighty Gecko SoC 是實(shí)現(xiàn) IoT 設(shè)備
2021-07-23 06:21:18
一、FDC2214介紹(1)這個(gè)圖片截自FDC2214的數(shù)據(jù)手冊，可以看出FDC2214與MCU之前的通訊是靠I2C協(xié)議來完成的，該芯片的外圍電路設(shè)計(jì)在手冊中已給出。(2)該模塊I2C接口最大速度為
2021-08-12 08:10:59
8-20kHz之間，請(qǐng)使用英飛凌后綴為DN2、RT4、KT4的IGBT模塊.高壓1700VFF600R17ME4(600A/1700V) FF450R17ME4(450A/1700V)FF300R17
2022-05-10 10:06:52
采用IR51H420構(gòu)成的高可靠性節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器電路圖
2019-10-31 09:10:48
內(nèi)容提綱1、ISO14443介紹-了解2、14443-A幀格式-掌握3、喚醒、防沖突、選卡-掌握認(rèn)識(shí)14443ISO14443協(xié)議：ISO14443協(xié)議是Contactless card
2021-07-27 07:10:23
World」。1. LCD1602介紹對(duì)于單片機(jī)愛好者和電子愛好者來說，或多或少都曾使用過液晶顯示模塊。它們都是由若干個(gè)點(diǎn)陣字符位組成的，根據(jù)顯示內(nèi)容可分為1602、12864等。LCD1602可...
2022-03-01 07:33:10
IGBT2/IGBT3的功率周次曲線 圖8 1200V/1700V IGBT4的功率周次曲線3. PrimePACK針對(duì)封裝技術(shù)做了改進(jìn)來提高模塊的溫度周次能力：采用了增強(qiáng)型Al2O3，從而減小了襯底和銅
2018-12-04 09:59:11
愿景，以企業(yè)文化“革新觀念、凝聚智慧、點(diǎn)燃斗志、激發(fā)潛能”。2)經(jīng)營理念：追求卓越品質(zhì)，打造極致用戶體驗(yàn)高可靠性是廣大客戶賴以生存和發(fā)展的命脈！“華秋”把“卓越品質(zhì)、極致體驗(yàn)”當(dāng)做行動(dòng)指南滲透至日
2020-07-09 11:54:01
，美國50%的電子設(shè)備在儲(chǔ)存期間就失效、60%的機(jī)載電子設(shè)備運(yùn)到遠(yuǎn)東后不能使用。美國發(fā)現(xiàn)不可靠電子設(shè)備影響戰(zhàn)爭的進(jìn)行，而且年均維修費(fèi)是設(shè)備采購費(fèi)用的2倍。1949年，美國無線電工程師學(xué)會(huì)成立了第一個(gè)可靠性
2020-07-03 11:09:11
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-7-22 15:27 編輯
親愛的發(fā)燒友們：在此，給大家分享下WEBENCH 設(shè)計(jì)作品，歡迎大家吐槽！高可靠性意味著效率，器件的選擇都要注重很好
2015-07-22 15:25:25
產(chǎn)品的小型化和輕量化。本文介紹了基于最新1.2kV 全SiC功率模塊開發(fā)的牽引用APS，憑借全SiC模塊的優(yōu)異特性，使得該APS的效率達(dá)到了97%以上。1、APS的工作原理圖1為APS的系統(tǒng)原理圖
2017-05-10 11:32:57
秋”把“打造高可靠PCB、履行社會(huì)責(zé)任”當(dāng)做全體成員為之奮斗的共同愿景，以企業(yè)文化“革新觀念、凝聚智慧、點(diǎn)燃斗志、激發(fā)潛能”。2)經(jīng)營理念：追求卓越品質(zhì)，打造極致用戶體驗(yàn)高可靠性是廣大客戶賴以生存
2020-07-08 17:10:00
采購費(fèi)用的2倍。949年，美國無線電工程師學(xué)會(huì)成立了第一個(gè)可靠性專業(yè)學(xué)術(shù)組織——可靠性技術(shù)組。1950年12月，美國成立了“電子設(shè)備可靠性專門委員會(huì)”，軍方、武器制造公司及學(xué)術(shù)界開始介入可靠性研究，到
2020-07-03 11:18:02
的。在所有細(xì)分市場，特別是生產(chǎn)關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品的市場里，此類故障的后果不堪設(shè)想。對(duì)比 PCB 價(jià)格時(shí)，應(yīng)牢記這些方面。雖然可靠、有保證和長壽命產(chǎn)品的初期費(fèi)用較高，但從長期來看還是物有所值的。高可靠性
2019-10-21 08:00:00
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率轉(zhuǎn)換效率可提升高達(dá)5%采用準(zhǔn)諧振方式，可實(shí)現(xiàn)更低EMI通過減少元器件數(shù)量，可實(shí)現(xiàn)顯著的小型化和更高可靠性可確保長期穩(wěn)定供應(yīng)，很適合工業(yè)設(shè)備應(yīng)用產(chǎn)品陣容新增4款保護(hù)功能
2022-07-27 11:00:52
擊穿電壓仿真工具中實(shí)現(xiàn)，因此假定電荷為零。采用深P-區(qū)域可減少軸向壽命殺傷器（如氦氣或質(zhì)子）的泄漏電流，并使器件在硬開關(guān)條件下具有魯棒性。圖 1：1700V 器件的平面結(jié) VLD 端接的橫截面。圖 2
2023-02-27 09:32:57
分享一款不錯(cuò)的高可靠性CAN-bus以太網(wǎng)冗余組網(wǎng)方案
2021-05-26 06:37:56
出廠后軟件升級(jí)中的可靠性設(shè)計(jì)。由于軟件的介入，可靠性問題除了二值可靠性的“失效”外．出現(xiàn)了除了“正常”與“失效”以外介于其間的諸如“出錯(cuò)”、“失誤”、“不穩(wěn)定”的多值可靠性問題。2．單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性
2021-01-11 09:34:49
望嘗試運(yùn)行SiC元器件的各位、希望提高開發(fā)效率的各位使用我公司的評(píng)估板。請(qǐng)參考ROHM官網(wǎng)的“SiC支持頁面”。SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點(diǎn)必看＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-MOSFETAC/DC轉(zhuǎn)換器全SiC功率模塊
2018-12-04 10:11:25
干擾的噪聲感應(yīng)問題?，F(xiàn)在已經(jīng)有了完整的電流隔離型 BGA 模塊解決方案，以簡化設(shè)計(jì)和提高可靠性。LTM9100 隔離型開關(guān)控制器是一款一體化解決方案，用于控制、保護(hù)和監(jiān)視高達(dá) 1000VDC 的高電壓
2018-10-17 16:55:21
描述此參考設(shè)計(jì)介紹高可靠性應(yīng)用（基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC)）中具有糾錯(cuò)碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器接口的系統(tǒng)注意事項(xiàng)。其中
2022-09-15 06:26:24
高可靠性永遠(yuǎn)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中必不可少的重要需求，尤其是對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)中用來產(chǎn)生統(tǒng)一時(shí)間信號(hào)的專用設(shè)備來說，其可靠性和精準(zhǔn)性非常重要。時(shí)統(tǒng)模塊的功能就是保證整個(gè)系統(tǒng)處在統(tǒng)一時(shí)間的基準(zhǔn)上，它接收時(shí)統(tǒng)站發(fā)來
2019-08-26 06:27:46
Proteus仿真-基于ICL7107的±2V電壓表頭ICL7107介紹管腳說明元器件選擇說明200mv的參考圖Proteus仿真ICL7107介紹ICL7107是3位半位雙積分型A/D轉(zhuǎn)換器，屬于
2022-01-25 08:12:52
isoSPI 數(shù)據(jù)鏈路助力實(shí)現(xiàn)高可靠性車載電池系統(tǒng)
2019-09-02 14:23:53
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
為了FPGA保證設(shè)計(jì)可靠性, 需要重點(diǎn)關(guān)注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文擬從印制板下游用戶安裝后質(zhì)量、直接用戶調(diào)試質(zhì)量和產(chǎn)品使用質(zhì)量三方面研究印制板的可靠性，從而表征出印制板加工質(zhì)量的優(yōu)劣并提供生產(chǎn)高可靠性印制板的基本途徑。
2021-04-21 06:38:19
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
如何采用功率集成模塊設(shè)計(jì)出高能效、高可靠性的太陽能逆變器？
2021-06-17 06:22:27
本文介紹了如何采用Dialog GreenPAK 設(shè)計(jì)高可靠性旋轉(zhuǎn)開關(guān)或編碼器。該開關(guān)設(shè)計(jì)是非接觸式的，因此忽略了接觸氧化和磨損。該設(shè)計(jì)非常適用于戶外長期潮濕、灰塵、極端溫度等場景。Dialog
2020-12-23 07:26:10
mm○BSM300D12P2E001300BSM400D12P3G002-4~2240010G Type62×152×17mmBSM600D12P3G001600※產(chǎn)品陣容中還包括斬波型產(chǎn)品。關(guān)于新產(chǎn)品的詳細(xì)信息，請(qǐng)聯(lián)系ROHM銷售部門或點(diǎn)擊這里。ROHM還提供可輕松評(píng)估全SiC功率模塊柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板。
2018-12-04 10:19:59
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-23 14:43 編輯
在高可靠性至關(guān)重要的工業(yè)自動(dòng)化中，將能量收集源應(yīng)用于電源節(jié)點(diǎn)所面臨著設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 文中將探討如何將溫度和振動(dòng)等能量來源
2016-02-23 14:38:55
。右圖為SiC-MOSFET＋SiC-SBD組成的全SiC模塊BSM300D12P2E001（1200V/300A）與IGBT＋FRD的模塊在同一環(huán)境下實(shí)測的開關(guān)損耗結(jié)果比較。Eon是開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的損耗
2018-12-04 10:14:32
的感覺，但僅僅因?yàn)檐浖谑芸貤l件下的那一刻運(yùn)行正常并不意味著明天或一年后還會(huì)運(yùn)行正常。從規(guī)范完善的開發(fā)周期到嚴(yán)格執(zhí)行和系統(tǒng)檢查，開發(fā)高可靠性嵌入式系統(tǒng)的技術(shù)有許多種。本文介紹了7個(gè)易操作且可以長久使用的技巧，它們對(duì)于確保系統(tǒng)更加可靠地運(yùn)行并捕獲異常行為大有幫助。
2019-09-29 08:10:15
。因此，硬件可靠性設(shè)計(jì)在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計(jì)，更要考慮整個(gè)控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)。
2021-01-25 07:13:16
描述此參考設(shè)計(jì)介紹高可靠性應(yīng)用（基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC)）中具有糾錯(cuò)碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器接口的系統(tǒng)注意事項(xiàng)。其中
2018-10-22 10:20:57
客戶采用的是SCS2系列。包括不同的封裝和電流規(guī)格等在內(nèi)，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)近50個(gè)機(jī)型的量產(chǎn)供應(yīng)。第三代是2016年4月推出的SCS3系列。SCS后面的數(shù)字表示各代。－那么接下來請(qǐng)您介紹一下第三代SiC
2018-12-03 15:11:25
無線電池管理系統(tǒng)突出了業(yè)界提高可靠性的動(dòng)力
2019-09-09 08:23:41
本文提出一種優(yōu)化的高性能高可靠性的嵌入式大屏幕LED顯示系統(tǒng)，只需要用1片F(xiàn)PGA和2片SRAM就可以實(shí)現(xiàn)大屏幕LED顯示的驅(qū)動(dòng)和內(nèi)容更換，可以說其性能已經(jīng)大有改善。本設(shè)計(jì)可以應(yīng)對(duì)多種大屏幕顯示的場合。
2021-06-04 06:02:01
甲烷傳感器的特點(diǎn)甲烷傳感器的工作原理新型高可靠性甲烷傳感器的原理與設(shè)計(jì)
2021-04-09 06:41:47
用于高可靠性醫(yī)療應(yīng)用的混合信號(hào)解決方案
2019-09-16 06:34:54
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
用于額溫計(jì)的信號(hào)調(diào)理芯片NSA2300/NSA2302介紹
2021-06-16 08:18:14
阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
、板薄、高頻、高速”的發(fā)展趨勢，對(duì)可靠性的要求會(huì)越來越高。高可靠性 PCB 可以發(fā)揮穩(wěn)健的載體作用，從而實(shí)現(xiàn) PCBA 的長期、穩(wěn)定運(yùn)作，保證終端產(chǎn)品的安全性、穩(wěn)定性和使用壽命，提高經(jīng)濟(jì)效益。高可靠性
2022-05-09 14:30:15
G.DMOS)18010Etype有BSM300D12P2E001(2G. DMOS)3007.3由ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成的“全SiC”功率模塊 重點(diǎn)必看開關(guān)損耗更低，頻率更高，應(yīng)用設(shè)備體積更?。?相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞全SiC功率模塊SiC-MOSFETSiC-SBD
2018-12-04 10:11:50
集成電路為高可靠性電源提供增強(qiáng)的保護(hù)和改進(jìn)的安全功能
2019-06-11 16:25:31
一種易于建立的高性能、高可靠性隔離式電源
2019-05-29 15:40:16
供碳化硅 (SiC) 的優(yōu)勢；同時(shí)保持 62mm 模塊的底板兼容性。HM 平臺(tái)的碳化硅優(yōu)化封裝可實(shí)現(xiàn) 175°C 的連續(xù)結(jié)操作；具有高可靠性的氮化硅 (Si 3
2022-06-09 19:57:44
周 品牌：PICO產(chǎn)品詳情介紹70565是一款高可靠性的Pico音頻變壓器。音頻變壓器是音頻范圍內(nèi)使用的變壓器，它可以提供電流隔離、信號(hào)增益
2024-03-20 20:05:32
UACHV225S高壓AC-DC電源模塊高可靠性重要參數(shù) 輸入電壓：85~265Vac輸出電壓： 225Vdc電源精度：1%功率： 250w訂貨周期：6-8周品牌：PICO產(chǎn)品詳情介紹
2024-03-20 20:36:19
學(xué)習(xí)完本課程，您應(yīng)該能夠：了解什么是高可靠性技術(shù)，了解高可靠性技術(shù)包含哪些技術(shù)類別。
2016-04-12 17:38:58
15 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:173606 ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469 對(duì)BSM250D17P2E004和同等IGBT模塊實(shí)施了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗(yàn)，試驗(yàn)條件為在85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下，施加1360V。試驗(yàn)結(jié)果是IGBT模塊比較早期出現(xiàn)絕緣劣化或絕緣擊穿導(dǎo)致的漏電流增加現(xiàn)象，在1,000小時(shí)內(nèi)發(fā)生了故障。
2019-08-22 09:05:593089 。 該板有三個(gè)輸出：+15V、-15V和+24V，輸出功率高達(dá)62.5W。 該板使用TO-263 7L表面貼裝器件（SMD）封裝的1700V CoolSiC MOSFET作為主開關(guān)，非常適合高輸入電壓
2021-09-07 14:11:032396 
，瑞能半導(dǎo)體于2021年推出SiC MOSFET產(chǎn)品，不僅一如既往的追求高可靠性，同時(shí)也擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的高性能和競爭力。
2022-02-18 16:44:103786 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動(dòng)功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計(jì)更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:582310 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計(jì)
2022-08-28 11:17:068 “BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:23656 
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595 
1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊使用手冊 （采用100%國產(chǎn)化元器件設(shè)計(jì)） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊是特別為100%國產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動(dòng)模塊
2023-02-16 15:01:5512 前幾天，三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄（.點(diǎn)這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:55860 新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊1700V電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體解決方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊
2023-01-29 17:41:441189 
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長等，對(duì)提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31285 
賽晶科技表示，為電動(dòng)汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
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