MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管
2009-11-05 11:50:36
3458 晶體管，還是MOS管？哪個(gè)漏電流??？一般常用哪些型號(hào)？
2019-10-23 07:52:32
MOS晶體管等效電路的電學(xué)特性的的PSPICE仿真該如何去做？、有啥思路？[em:9:]
2014-05-07 20:32:28
`電子元器件行業(yè)有今天的成就，那絕離不開MOS管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的鼎力相助，但是一些剛?cè)腚娮有袠I(yè)的常常把MOS管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管混為一談，到底MOS管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩者背后到底有何聯(lián)系？這對(duì)于初學(xué)者來說
2019-04-15 12:04:44
什么是MOS管？MOS管的構(gòu)造MOS管的工作原理MOS管的特性MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則MOS管和晶體三極管相比的重要特性什么是灌流電路
2021-01-06 07:20:29
MOS_場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:21:29
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 07:46:37
晶體管特性圖示儀測(cè)三極管直流參數(shù)
2012-08-20 07:47:47
晶體管特性圖示儀測(cè)三極管直流參數(shù)
2012-08-20 09:43:57
題庫來源：特種作業(yè)?？碱}庫小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當(dāng)于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運(yùn)放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
統(tǒng)通過VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測(cè)試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測(cè)定，并能測(cè)試比較溫度對(duì)這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管在高頻信號(hào)幅頻特性不擴(kuò)展的理由擴(kuò)展共射級(jí)放大電路的幅頻特性
2021-03-02 07:51:16
一、晶體管如何表示0和1 從第一臺(tái)計(jì)算機(jī)到EDVAC，這些計(jì)算機(jī)使用的都是電子管和二極管等元件，利用這些元件的開關(guān)特性實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制的計(jì)算。然而電子管元件有許多明顯的缺點(diǎn)。例如，在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
? 01晶體管測(cè)量模塊在 淘寶購買到的晶體管測(cè)試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨。▲ 剛剛到貨的集體管測(cè)試線是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點(diǎn)陣液晶屏，顯示內(nèi)容更加
2021-07-13 08:30:42
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
的設(shè)計(jì)，運(yùn)算放大電路的設(shè)計(jì)與制作。下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。本書面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)。1．1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
或使其特性變壞。(5) 集電極--發(fā)射極反向電流ICEOICEO是指晶體管基極開路時(shí)，集電極、發(fā)射極間的反向電流，也稱穿透電流。ICEO越小越好，現(xiàn)在應(yīng)用較多的硅晶體管，其ICEO都很小，在1A以下
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對(duì)于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對(duì)于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
，晶體管的輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達(dá)式為：。晶體管輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)于 晶體管的三個(gè)工作狀態(tài)（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性測(cè)量”。電路和普通的測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥了，請(qǐng)見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
表親非常相似的特性，不同之處在于，對(duì)于第一個(gè)教程“公共基極”、“共發(fā)射極”和“公共集電極”中討論的三種可能配置中的任何一種，電流和電壓方向的極性（或偏置）都是相反的。由于PNP晶體管的基極端子相對(duì)于
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55
本晶體管特性曲線描繪儀電路主要由鋸齒波發(fā)生器、階梯波發(fā)生器組成（圖(a)）。因?yàn)槊枥L晶體管特性需要兩種電壓，一是加在b極上的階梯波，以產(chǎn)生不同的基極電流Ib；二是加在c極上的鋸齒波，其周期與階梯波相對(duì)應(yīng)．
2021-04-20 07:06:19
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
類型。3.2 晶體管的種類及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時(shí)被稱為功率BJT。特點(diǎn)：電壓高，電流大，開關(guān)特性好，驅(qū)動(dòng)功率高，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
年代和 1960 年代，它也被稱為超級(jí)阿爾法對(duì)。Darlington認(rèn)識(shí)到這種設(shè)計(jì)對(duì)發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢(shì)，并為這一概念申請(qǐng)了專利?！ ∵_(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對(duì)輸入電流
2023-02-16 18:19:11
?！ ∮?jì)算鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管寬度 （W） 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的通道（鰭片）是垂直的。該設(shè)備需要牢記特定尺寸。喚起馬克斯·普朗克的“量子”，F(xiàn)inFET表現(xiàn)出一種稱為寬度量化的特性：其寬度是其高度的倍數(shù)。隨機(jī)
2023-02-24 15:25:29
電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)。本書作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)
2017-06-22 18:05:03
正電壓，以產(chǎn)生從發(fā)射極到集電極的電流。7.如何測(cè)量晶體管的特性？晶體管的輸出特性是通過檢查不同基極電流下屬于集電極電流的集電極-發(fā)射極端子之間的電壓變化來確定的。通過按下移動(dòng)設(shè)備上的“輸出特性”按鈕
2023-02-03 09:32:55
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪幾種分類場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
2021-05-24 06:27:18
（MOS管）。 晶體管一、晶體管的命名 通常使用的晶體管主要有晶體二極管、晶體三極管、可控硅和場(chǎng)效應(yīng)管等等，其中最常用的是三極管和二極管兩種。三極管以符號(hào)BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。 按
2012-07-11 11:36:52
基于單片機(jī)的晶體管特性圖示儀
2012-08-20 09:30:07
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
怎樣去設(shè)計(jì)掃描信號(hào)發(fā)生器？掃描信號(hào)發(fā)生器的階梯波和鋸齒波有什么關(guān)系？以CRT示波器為顯示終端顯示波形，與通用晶體管特性圖示儀比較，具有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2021-04-15 06:13:59
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10進(jìn)行數(shù)據(jù)采集？如何用LabVIEW顯示單結(jié)晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
障礙!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。其特性，輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性。IGBT管IGBT中文名絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是MOS管
2019-05-02 22:43:32
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
特性 NPN 晶體管可能具有公共基極 （CB） 或共發(fā)射極 （CE） 配置，每種配置都有自己獨(dú)特的輸入和輸出。在常見的發(fā)射極設(shè)置中，從基極（V是） 和收集器 （V菲爾.A 電壓 VE然后離開發(fā)射極并進(jìn)
2023-02-17 18:07:22
想檢測(cè)二極管、三極管、可控硅、MOS管，請(qǐng)問廣東哪里有銷售晶體管測(cè)試儀的廠家？QQ 439314821
2015-08-04 23:09:23
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
變化。因這一變化點(diǎn)在3V以下，故產(chǎn)品為合格。關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性根據(jù)環(huán)境溫度、VBE、hFE、R1、R2變化。hFE的溫度變化率約為0.5％/oCVBE的溫度系數(shù)約為－2mV/oC(-1.8
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì)，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
我最近買了一臺(tái)QT2晶體管特性圖示儀，但是說明書看不懂，有沒有人能指導(dǎo)一下如何使用QT2晶體管特性圖？我是真的想知道怎么用QT2檢測(cè)各種三極管，場(chǎng)效應(yīng)管，整流管等，不要網(wǎng)上隨便復(fù)制的答案，希望真的懂得的哥們指導(dǎo)指導(dǎo)。。。
2012-07-14 21:37:00
用555制作的晶體管特性曲線描繪儀本儀器除能測(cè)試晶體管外，還能測(cè)試二極管，測(cè)試方法如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀是測(cè)試晶體管特性的專用儀器，使用該儀器可以將晶體管在各種工作電壓下的工作特性用曲線
2008-07-25 13:34:04
100GHz以上?！ ‰娮?b class="flag-6" style="color: red">管是利用靜電場(chǎng)對(duì)電子流的控制來工作的，是電壓控制元件，與MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理有些相似。所以輸入阻抗極高，輸入信號(hào)只要電壓，不需要電流。晶體管是利用半導(dǎo)體器件內(nèi)雜質(zhì)濃度的差異
2016-01-26 16:52:08
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
不導(dǎo)通。當(dāng)UA＞UG時(shí)，P1N1結(jié)正偏將發(fā)生空穴注入，P1N1P2N2結(jié)構(gòu)開通，A-K間導(dǎo)通并出現(xiàn)負(fù)阻現(xiàn)象。其過程及伏安特性與單結(jié)晶體管十分相似，區(qū)別僅在于：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管的負(fù)阻特性出現(xiàn)在E-B1之間，而
2018-01-22 15:23:21
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動(dòng)器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
晶體管中，輸入回路負(fù)載線與輸入特性曲線的交點(diǎn)為什么就是Q點(diǎn)？
2019-04-01 06:36:50
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本文檔共二部分，一部分是講超動(dòng)態(tài)，寬頻響優(yōu)質(zhì)晶體管調(diào)幅收音機(jī)，另一部分是講超動(dòng)態(tài)高保真優(yōu)質(zhì)晶體管收音機(jī)調(diào)試技巧。
2010-12-25 10:49:49
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
P溝MOS晶體管
2009-11-07 10:55:33849
N溝MOS晶體管
2009-11-09 13:53:312147
MOS晶體管
2009-11-09 13:56:052569 晶體管特性圖示儀,
晶體管特性圖示儀是什么意思
體管
特性圖示儀它是一種能對(duì)
晶體管的
特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試的儀器?！ ∫话?/div>
2010-03-05 14:29:093255 增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上
2010-03-05 15:34:432338 晶體管特性圖示儀原理與使用 晶體管特性圖示儀原理與使用
2016-02-18 14:56:24
48 mos晶體管，金屬-氧化物-半導(dǎo)體（Metal-Oxide-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路。
2019-04-19 17:04:527141 本文主要闡述了磁敏晶體管的工作原理及磁敏晶體管的特性。
2019-12-20 11:16:256592 
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