MOS晶體管金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管
2009-11-05 11:50:36
3458 目前MOSFET仍是數字集成電路廣泛使用的器件，根據MOS管的靜態(tài)模型，以NMOS為例，分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導體物理、器件物理相關知識，暫不深入探究，MOS管的基本結構如圖所示。
2023-02-13 10:32:361784 
晶體管，還是MOS管？哪個漏電流小？一般常用哪些型號？
2019-10-23 07:52:32
MOS晶體管等效電路的電學特性的的PSPICE仿真該如何去做？、有啥思路？[em:9:]
2014-05-07 20:32:28
`電子元器件行業(yè)有今天的成就，那絕離不開MOS管與場效應晶體管的鼎力相助，但是一些剛入電子行業(yè)的常常把MOS管與場效應晶體管混為一談，到底MOS管和場效應晶體管兩者背后到底有何聯系？這對于初學者來說
2019-04-15 12:04:44
什么是MOS管？MOS管的構造MOS管的工作原理MOS管的特性MOS管的電壓極性和符號規(guī)則MOS管和晶體三極管相比的重要特性什么是灌流電路
2021-01-06 07:20:29
MOS_場效應晶體管
2012-08-20 08:21:29
MOS場效應晶體管
2012-08-20 08:51:08
MOS場效應晶體管的結構_工作原理
2012-08-20 07:46:37
晶體管特性圖示儀測三極管直流參數
2012-08-20 07:47:47
晶體管特性圖示儀測三極管直流參數
2012-08-20 09:43:57
題庫來源：特種作業(yè)模考題庫小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點?。?！
2016-06-07 23:27:44
”是指晶體管的Ib、Ube、Ic、Uce在靜態(tài)工作點Q附近只作微量的變化。其中Ib、Ube為晶體管的輸入變量，面Ic、Uce為輸出變量。若把晶體管看作含受控源的二端口網絡，就可以用四個h參數模擬晶體管
2021-06-02 06:14:09
晶體管低頻電壓放大電路:實驗目的 1.加深理解放大電路的工作原理； 2.掌握放大電路靜態(tài)工作點的調整和測量方法； 3.學會測量電壓放大倍數、輸入電阻、輸出電阻以及頻率特性。 實驗原理&
2009-09-08 08:54:00
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
統通過VCCS輸入，取平均等技術獲得較理想的測試結果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數、開啟電壓等參數以及二極管一些參數的測定，并能測試比較溫度對這些參數的影響。系統具有通用的RS232 接口和打印機接口，可以方便的將結果打印、顯示。關鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數
2012-08-02 23:57:09
），常常會引起晶體管的損壞。為解決這個問題，通常在電動機和繼電器線圈上并聯一個反向二極管，當晶體管關斷時，此二極管可以吸收感應反電動勢所產生的電流。本文選自微信號：機械工業(yè)出版社E視界練習題：如圖所示
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管在高頻信號幅頻特性不擴展的理由擴展共射級放大電路的幅頻特性
2021-03-02 07:51:16
一、晶體管如何表示0和1 從第一臺計算機到EDVAC，這些計算機使用的都是電子管和二極管等元件，利用這些元件的開關特性實現二進制的計算。然而電子管元件有許多明顯的缺點。例如，在運行時產生的熱量
2021-01-13 16:23:43
靜態(tài)存儲單元和其讀寫控制電路組成的記憶體電路，對此的詳細內容在四個晶體管搭建靜態(tài)存儲單元，加兩個晶體管搭建寫控制電路一文中。LY62L5128是一個CMOS SRAM。容量512KB（512K X 8
2016-08-30 04:32:10
管的E極接A點，C極接B點；NPN管的E有接B點，C極接A點）后，調節(jié)電源電壓，當發(fā)光二極管LED點亮時，A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。(本文由Cogo商城-IC元器件在線采購平臺
2012-04-26 17:06:32
；頻率特性和通頻帶。難點：靜態(tài)工作點調整。[理論內容]一、電路工作原理及基本關系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應用如圖1所示的電路，稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負反饋偏置電路
2009-03-20 10:02:58
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
我有臺晶體管測試儀：WQ4832，但是剛買的二手機，不會用，不知道有沒有高手能指導指導？
2011-10-21 08:57:17
? 01晶體管測量模塊在 淘寶購買到的晶體管測試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨?！?剛剛到貨的集體管測試線是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點陣液晶屏，顯示內容更加
2021-07-13 08:30:42
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
紹了各種電路印制電路板的實際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機制進行了驗證。《晶體管電路設計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種
2018-01-15 12:46:03
晶體管電路設計叢書上冊晶體管電路設計(pdf電子書下載):是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為上冊主要內容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2009-11-20 09:41:18
在合理設置靜態(tài)工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路。如圖Z0212所示?！ ?晶體管的端口電壓和電流的關系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數
2021-05-13 07:56:25
是晶體管的直流電流放大系數，是指在靜態(tài)（無變化信號輸入）情況下，晶體管IC與IB的比值。即hFE=IC/IB。一般情況下β和hFE較為接近,也可相等，但兩者含義是有明顯區(qū)別的，而且在許多場合β并不
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對于晶體管的主要評估項目的特征。 對于各項目的評估是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當
2013-08-17 14:24:32
，晶體管的輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達式為：。晶體管輸出特性曲線的三個區(qū)域對應于 晶體管的三個工作狀態(tài)（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试骷幕窘Y構與特點
2019-05-06 05:00:17
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實現這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
上使用的模擬器“SPICE”對設計的結果進行模擬?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機制進行了驗證?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36
`內容簡介：《晶體管電路設計》(上)是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計》(上)作為上冊主要內容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2017-07-25 15:29:55
本晶體管特性曲線描繪儀電路主要由鋸齒波發(fā)生器、階梯波發(fā)生器組成（圖(a)）。因為描繪晶體管特性需要兩種電壓，一是加在b極上的階梯波，以產生不同的基極電流Ib；二是加在c極上的鋸齒波，其周期與階梯波相對應．
2021-04-20 07:06:19
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
制成的二極管、晶體管、場效應晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類：雙極晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管的結構晶體管有三極：雙極晶體管的三極分別由N型和P型組成
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學院研究與技術聯盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
年代和 1960 年代，它也被稱為超級阿爾法對。Darlington認識到這種設計對發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢，并為這一概念申請了專利。 達林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對輸入電流
2023-02-16 18:19:11
?！ ∮嬎泠捠綀鲂?b class="flag-6" style="color: red">晶體管寬度 （W） 鰭式場效應晶體管的通道（鰭片）是垂直的。該設備需要牢記特定尺寸。喚起馬克斯·普朗克的“量子”，FinFET表現出一種稱為寬度量化的特性：其寬度是其高度的倍數。隨機
2023-02-24 15:25:29
電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計(下)》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術
2017-06-22 18:05:03
的原理是什么？晶體管由兩個背靠背連接的PN二極管組成。它有三個端子，即發(fā)射器，基極和集電極。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經第二個通道的較小電流的強度來控制通過一個通道的電流。4.晶體管
2023-02-03 09:32:55
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！?、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
VT稱為增強型MOS管的開啟電壓。 單極型晶體管特點 輸入電阻高，可達107~1015Ω，絕緣柵型場效應管（IGFET）可高達1015Ω。 噪聲低，熱穩(wěn)定性好，工藝簡單，易集成，器件特性便于
2020-06-24 16:00:16
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結（稱這個PN結為“發(fā)射結”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
存儲單元”是構成“靜態(tài)存儲器”（SRAM）的最基本單元。其中每一個BIT存儲在4個晶體管構成的2個交叉耦合的反相器中。而另外2個晶體管作為“寫控制電路”的控制開關。 有趣的是，搭建這個電路需要嚴格對稱
2017-01-08 12:11:06
運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場效應晶體管有哪幾種分類場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
（MOS管）。 晶體管一、晶體管的命名 通常使用的晶體管主要有晶體二極管、晶體三極管、可控硅和場效應管等等，其中最常用的是三極管和二極管兩種。三極管以符號BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。 按
2012-07-11 11:36:52
基于單片機的晶體管特性圖示儀
2012-08-20 09:30:07
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置。 晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
怎樣去設計掃描信號發(fā)生器？掃描信號發(fā)生器的階梯波和鋸齒波有什么關系？以CRT示波器為顯示終端顯示波形，與通用晶體管特性圖示儀比較，具有哪些優(yōu)點？
2021-04-15 06:13:59
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10進行數據采集？如何用LabVIEW顯示單結晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
障礙!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管。其特性，輸入阻抗高、開關速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性。IGBT管IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應晶體管，是MOS管
2019-05-02 22:43:32
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
特性 NPN 晶體管可能具有公共基極 （CB） 或共發(fā)射極 （CE） 配置，每種配置都有自己獨特的輸入和輸出。在常見的發(fā)射極設置中，從基極（V是） 和收集器 （V菲爾.A 電壓 VE然后離開發(fā)射極并進
2023-02-17 18:07:22
想檢測二極管、三極管、可控硅、MOS管，請問廣東哪里有銷售晶體管測試儀的廠家？QQ 439314821
2015-08-04 23:09:23
變化。因這一變化點在3V以下，故產品為合格。關于數字晶體管的溫度特性根據環(huán)境溫度、VBE、hFE、R1、R2變化。hFE的溫度變化率約為0.5％/oCVBE的溫度系數約為－2mV/oC(-1.8
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
，避免故障。表1總結了三種晶體管類型參數以及GaN、Si和SiC的物理材料。對于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
我最近買了一臺QT2晶體管特性圖示儀，但是說明書看不懂，有沒有人能指導一下如何使用QT2晶體管特性圖？我是真的想知道怎么用QT2檢測各種三極管，場效應管，整流管等，不要網上隨便復制的答案，希望真的懂得的哥們指導指導。。。
2012-07-14 21:37:00
用555制作的晶體管特性曲線描繪儀本儀器除能測試晶體管外，還能測試二極管，測試方法如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀是測試晶體管特性的專用儀器，使用該儀器可以將晶體管在各種工作電壓下的工作特性用曲線
2008-07-25 13:34:04
不導通。當UA＞UG時，P1N1結正偏將發(fā)生空穴注入，P1N1P2N2結構開通，A-K間導通并出現負阻現象。其過程及伏安特性與單結晶體管十分相似，區(qū)別僅在于：單結晶體管的負阻特性出現在E-B1之間，而
2018-01-22 15:23:21
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術和傳統雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
晶體管中，輸入回路負載線與輸入特性曲線的交點為什么就是Q點？
2019-04-01 06:36:50
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
電力晶體管的基本特性
(1)靜態(tài)特性
共發(fā)射極接法時可分為三個工作區(qū)：
?、?截止區(qū)。在截止區(qū)
2009-11-05 12:07:481321
P溝MOS晶體管
2009-11-07 10:55:33849
N溝MOS晶體管
2009-11-09 13:53:312147
MOS晶體管
2009-11-09 13:56:052569 電力晶體管的基本特性和主要參數有哪些?
電力晶體管-基本特性
1)靜態(tài)特性
2010-03-05 13:37:032832 晶體管特性圖示儀,
晶體管特性圖示儀是什么意思
體管
特性圖示儀它是一種能對
晶體管的
特性參數進行測試的儀器?！ ∫话?/div>
2010-03-05 14:29:093255 增強型MOS晶體管,增強型MOS晶體管是什么意思
根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上
2010-03-05 15:34:432338 mos晶體管，金屬-氧化物-半導體（Metal-Oxide-Semiconductor）結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路。
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