（GaAs）晶圓上實(shí)現(xiàn)的。光電子驅(qū)動(dòng)砷化鎵（GaAs）晶圓市場(chǎng)增長(zhǎng)GaAs晶圓已經(jīng)是激光器和LED技術(shù)領(lǐng)域幾十年的老朋友了，主要應(yīng)用有復(fù)印機(jī)、DVD播放器甚至激光指示器。近年來(lái)，LED推動(dòng)了化合物半導(dǎo)體
2019-05-12 23:04:07
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
、 合金化6、 單面光刻（涂膠、對(duì)準(zhǔn)、曝光、顯影）7、 雙面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化
2015-01-07 16:15:47
小弟想知道8寸晶圓盒的制造工藝和檢驗(yàn)規(guī)范，還有不知道在大陸有誰(shuí)在生產(chǎn)？
2010-08-04 14:02:12
水平。2022年12月，銘鎵半導(dǎo)體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長(zhǎng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。2022年5月，浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)
2023-03-15 11:09:59
近年來(lái)，隨著顯示屏lcd液晶顯示屏的使用率越來(lái)越高，不同尺寸規(guī)格需求的lcd液晶顯示屏也越來(lái)越旺盛。這其中4英寸顯示屏幕屏的需求量也十分大，今天瑞翔數(shù)碼作為4英寸顯示屏幕屏廠家來(lái)給大家介紹一下大家
2023-02-02 11:37:35
陸續(xù)復(fù)工并維持穩(wěn)定量產(chǎn)，但對(duì)硅晶圓生產(chǎn)鏈的影響有限。只不過(guò)，4月之后新冠肺炎疫情造成各國(guó)管控邊境及封城，半導(dǎo)體材料由下單到出貨的物流時(shí)間明顯拉長(zhǎng)2～3倍。 庫(kù)存回補(bǔ)力道續(xù)強(qiáng) 包括晶圓代工廠、IDM
2020-06-30 09:56:29
有沒(méi)有能否切割晶圓/硅材質(zhì)濾光片的代工廠介紹下呀
2022-09-09 15:56:04
），之后再將其送至晶圓切割機(jī)加以切割。切割完后，一顆顆的晶粒會(huì)井然有序的排列黏貼在膠帶上，同時(shí)由于框架的支撐可避免晶粒因膠帶皺褶而產(chǎn)生碰撞，而有利于搬運(yùn)過(guò)程。此實(shí)驗(yàn)有助于了解切割機(jī)的構(gòu)造、用途與正確之
2011-12-02 14:23:11
、離子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。2、晶圓針測(cè)工序：經(jīng)過(guò)上道工序后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測(cè)試，提高效率，同一片晶圓上制作同一
2011-12-01 15:43:10
整根棒料，生長(zhǎng)成一根單晶，晶向與籽晶的相同.三、晶片分片將晶棒橫向切成厚度基本一致的晶圓片，Wafer。四、Wafer拋光進(jìn)行晶圓外觀的打磨拋光。五、Wafer鍍膜通過(guò)高溫，或者其他方式，使晶圓上產(chǎn)生
2019-09-17 09:05:06
之一。由于硅的物理性質(zhì)穩(wěn)定，是最常被使用的半導(dǎo)體材料，近年又研發(fā)出第 2 代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦，和第 3 代半導(dǎo)體氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等。晶圓是用沙子做成的，你相信嗎？自然界中的硅，通常是
2022-09-06 16:54:23
有人又將其稱(chēng)為圓片級(jí)-芯片尺寸封裝（WLP-CSP），以晶圓圓片為加工對(duì)象，在晶圓上封裝芯片。晶圓封裝中最關(guān)鍵的工藝為晶圓鍵合，即是通過(guò)化學(xué)或物理的方法將兩片晶圓結(jié)合在一起，以達(dá)到密封效果。如下
2021-02-23 16:35:18
，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。會(huì)聽(tīng)到幾寸的晶圓廠，如果硅晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多
2011-09-07 10:42:07
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場(chǎng)效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
充充電器：1、ANKER安克30W氮化鎵充電器2、ANKER安克42W氮化鎵PD超極充3、ANKER安克45W氮化鎵充電器4、ANKER 60W雙USB-C口氮化鎵充電器5、ANKER 65W氮化鎵
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵充電器從最開(kāi)始量產(chǎn)至今，已過(guò)去了四年多，售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民，近日發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵快充直接將價(jià)格拉低至 59.9 元，一瓦已經(jīng)不足一元
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來(lái)越多充電器開(kāi)始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來(lái)很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn)，下文簡(jiǎn)單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時(shí)間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時(shí)的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運(yùn)輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
晶圓低得多的成本。更重要的是，行業(yè)發(fā)展已為硅基氮化鎵在商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)、庫(kù)存維護(hù)、適應(yīng)需求激增等方面打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，緩解了供應(yīng)短缺的擔(dān)憂(yōu)。只要碳化硅基氮化鎵繼續(xù)依賴(lài)耗時(shí)、高成本的制造工藝，這種擔(dān)擾就將
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
激光器生長(zhǎng)在氮化鎵/藍(lán)寶石模板上，位錯(cuò)密度在108cm-2量級(jí)，如今氮化鎵激光器都生長(zhǎng)在位錯(cuò)密度為106cm-2量級(jí)或更低的氮化鎵自支撐襯底上，如圖3所示。 圖4、（a）由于外延結(jié)構(gòu)各層生長(zhǎng)
2020-11-27 16:32:53
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，未來(lái)會(huì)將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)?；统錾\(yùn)營(yíng)完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個(gè)更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
襯底上GaN基外延材料生長(zhǎng)及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。中科院半導(dǎo)體所張翔帶來(lái)了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報(bào)告，分享了該
2018-11-05 09:51:35
：“ST的晶圓制造規(guī)模和卓越的運(yùn)營(yíng)能力將讓MACOM和ST能夠推動(dòng)新的射頻功率應(yīng)用，在制造成本上取得的突破有助于擴(kuò)大硅上氮化鎵市場(chǎng)份額。雖然擴(kuò)大現(xiàn)有射頻應(yīng)用的機(jī)會(huì)很有吸引力，但是我們更想將硅上氮化鎵用于
2018-02-12 15:11:38
鎵產(chǎn)品線所生產(chǎn)的氮化鎵的相關(guān)器件， 其每瓦特功率的晶圓成本只有相應(yīng)的LDMOS產(chǎn)品的一 半，與基于碳化硅的氮化鎵晶圓相比，在能達(dá)到相同性能的情況下，其量產(chǎn)成本顯著降低。MACOM氮化鎵在成本控制方面
2017-08-30 10:51:37
可以做得更大，成長(zhǎng)周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達(dá)、軍事通信、無(wú)線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
多個(gè)方面都無(wú)法滿(mǎn)足要求。在基站端，由于對(duì)高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
范圍；4.Vgs信號(hào)上升時(shí)間240ns左右。（以上數(shù)據(jù)通過(guò)截屏讀數(shù)）▲圖4：測(cè)試結(jié)果截屏結(jié)論1.客戶(hù)目標(biāo)板設(shè)計(jì)合理，Vgs控制信號(hào)近乎完美；2.測(cè)試顯示Vgs信號(hào)無(wú)任何震蕩，共模干擾被完全抑制；3.OIP系列光隔離探頭測(cè)試氮化鎵半橋上管Vgs，沒(méi)有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
現(xiàn)已上市，計(jì)劃2009年3季度開(kāi)始量產(chǎn)，VD6803和VD6853提供兩種封裝選擇：COB（板上芯片）裸片和TSV（硅通孔）晶圓級(jí)封裝。:
2018-12-04 15:05:50
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
450mm直徑的晶體和450mm晶圓的制備存在的挑戰(zhàn)性。更高密度和更大尺寸芯片的發(fā)展需要更大直徑的晶圓供應(yīng)。在20世紀(jì)60年代開(kāi)始使用的1英寸直徑的晶圓。在21世紀(jì)前期業(yè)界轉(zhuǎn)向300mm（12英寸）直徑的晶圓
2018-07-04 16:46:41
% 的能源浪費(fèi)，相當(dāng)于節(jié)省了 100 兆瓦時(shí)太陽(yáng)能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統(tǒng)層面的能源利用率的提高。當(dāng)我們發(fā)現(xiàn)，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)減少80
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級(jí)FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，現(xiàn)在已經(jīng)能制造4寸了。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，要大規(guī)模生產(chǎn)功率半導(dǎo)體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規(guī)模生產(chǎn)。此外，上述用于小型 AC轉(zhuǎn)換器的氮化鎵功率半導(dǎo)體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過(guò)程稱(chēng)為“長(zhǎng)晶”。硅晶棒再經(jīng)過(guò)切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為積體電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。`
2011-12-01 11:40:04
4.18）。電測(cè)器在電源的驅(qū)動(dòng)下測(cè)試電路并記錄下結(jié)果。測(cè)試的數(shù)量、順序和類(lèi)型由計(jì)算機(jī)程序控制。測(cè)試機(jī)是自動(dòng)化的，所以在探針電測(cè)器與第一片晶圓對(duì)準(zhǔn)后（人工對(duì)準(zhǔn)或使用自動(dòng)視覺(jué)系統(tǒng)）的測(cè)試工作無(wú)須操作員
2011-12-01 13:54:00
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專(zhuān)家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
半導(dǎo)體
晶圓（晶片）的直徑為
4到10
英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤(pán)，在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣?/div>
2021-07-23 08:11:27
氮化鎵也處于這一階段，成本將會(huì)隨著市場(chǎng)需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場(chǎng)也將會(huì)取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導(dǎo)體的普及
2019-07-08 04:20:32
組件來(lái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)。也因?yàn)橄M(fèi)性市場(chǎng)存在可觀的潛在需求，相較于碳化硅組件基本上是整合組件制造商(IDM)的天下，氮化鎵制程已經(jīng)吸引臺(tái)積電等晶圓代工業(yè)者投入。不過(guò)，氮化鎵陣營(yíng)的業(yè)者也有問(wèn)鼎大功率
2021-09-23 15:02:11
×728pixels7.設(shè)備重量：1200Kg8.外形尺寸：長(zhǎng)×寬×高 1160mm×1250mm×2000mm（含報(bào)警燈，顯示器）倒裝參數(shù)型號(hào)：LDM-08適用于2-4英寸倒裝（Flip Chip）LED晶圓
2018-05-24 09:58:45
（GaN）原廠來(lái)說(shuō)尤為常見(jiàn)，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開(kāi)關(guān)性能所引起的測(cè)試難題，下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無(wú)策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶(hù)，用氮化鎵半橋方案作為3C消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
英寸SiC晶圓的SiC二極管，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，2018Q2每月生產(chǎn)超過(guò)100片6寸SiC晶圓，2019年在國(guó)內(nèi)率先量產(chǎn)了車(chē)規(guī)級(jí)SiC二極管。SiC二極管可在更高的開(kāi)關(guān)頻率和更小的尺寸下提供更高效的解決方案，并提高效率和穩(wěn)定性。原作者：充電頭網(wǎng)編輯部 充電頭網(wǎng)
2023-02-22 15:27:51
安森美半導(dǎo)體全球制造高級(jí)副總裁Mark Goranson最近訪問(wèn)了Mountain Top廠，其8英寸晶圓廠正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點(diǎn)開(kāi)設(shè)了一個(gè)新建的8英寸
2018-10-25 08:57:58
on top of the wafer.底部硅層 - 在絕緣層下部的晶圓片，是頂部硅層的基礎(chǔ)。Bipolar - Transistors that are able to use both
2011-12-01 14:20:47
哪些 MCU 產(chǎn)品以裸片或晶圓的形式提供？
2023-01-30 08:59:17
TEL:***回收拋光片、光刻片、晶圓片碎片、小方片、牙簽料、藍(lán)膜片回收晶圓片硅片回收/廢硅片回收/單晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太陽(yáng)能電池片/半導(dǎo)休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類(lèi)了，可以外接顯示器，拓展塢之類(lèi)的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
廠商大放異彩。其中砷化鎵晶圓代工龍頭穩(wěn)懋就是最大的受益者。
穩(wěn)懋：全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭
穩(wěn)懋成立于1999年10月，是亞洲首座以六吋晶圓生產(chǎn)砷化鎵微波通訊芯片的晶圓制造商，自2010年為全球最大
2019-05-27 09:17:13
OPPO公司分享了這一應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)，一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS，體積更小、更節(jié)省空間，且阻抗比單顆硅MOS更低，可降低在此路徑上的熱量消耗，降低充電溫升，提升充電的恒流持續(xù)時(shí)間。不僅如此，氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
30W超薄氮化鎵充電器ANKER Powerport Atom III Slim因?yàn)閮?nèi)置了氮化鎵元器件，體型可以做的非常的纖薄，只有0.63英寸（約1.6cm）厚，并且是可折疊插腳設(shè)計(jì)，可以輕松裝進(jìn)
2021-04-16 09:33:21
PCB布局設(shè)計(jì)的最佳工程實(shí)踐。介紹了以下四種電路配置的布局指南： 用于單GaN E-HEMT的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電路 用于并聯(lián)氮化鎵E-HEMT的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電路 半橋自舉柵極驅(qū)動(dòng)器電路
2023-02-21 16:30:09
33μF400V。
另一顆規(guī)格為47μF400V。
差模電感采用磁環(huán)繞制，外套熱縮管絕緣。
橙果這款65W氮化鎵充電器內(nèi)部采用兩路PI的電源芯片，對(duì)應(yīng)兩顆不同大小的變壓器，組成兩路快充電源。其中
2023-06-16 14:05:50
在硅頂部生長(zhǎng)氮化鎵外延層，可以使用現(xiàn)有的硅制造供應(yīng)鏈而免于使用昂貴的特定生產(chǎn)地點(diǎn)。供應(yīng)鏈利用現(xiàn)成的大直徑硅晶圓以低成本進(jìn)行量產(chǎn)，并與具備豐富經(jīng)驗(yàn)的合作伙伴進(jìn)行大批量后端生產(chǎn)。由于氮化鎵器件比硅器件
2023-06-25 14:17:47
請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化鎵這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44
內(nèi)的波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)偏差標(biāo)準(zhǔn)為1.3nm，波長(zhǎng)范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
這個(gè)要根據(jù)die的大小和wafer的大小以及良率來(lái)決定的。目前業(yè)界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡(jiǎn)稱(chēng)，只不過(guò)這個(gè)吋是估算值。實(shí)際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱(chēng)呼方便所以稱(chēng)之為12吋晶圓。
2018-06-13 14:30:58
12英寸晶圓片的外觀檢測(cè)方案？那類(lèi)探針臺(tái)可以全自動(dòng)解決12英寸晶圓片的外觀缺陷測(cè)試？ 本人郵箱chenjuhua@sidea.com.cn,謝謝
2019-08-27 05:56:09
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
例外。氧化鎵的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，實(shí)際上很容易根據(jù)需要制造氧化鎵晶體大晶圓。 雖然氧化鎵晶體有幾種類(lèi)型，但最穩(wěn)定的是β，其次是ε和α。其中，有關(guān)β-氧化鎵的綜合性質(zhì)的研究最多，這主要得益于日本筑波的日本國(guó)
2023-02-27 15:46:36
長(zhǎng)期收購(gòu)藍(lán)膜片.藍(lán)膜晶圓.光刻片.silicon pattern wafer. 藍(lán)膜片.白膜片.晶圓.ink die.downgrade wafer.Flash內(nèi)存.晶片.good die.廢膜硅片
2016-01-10 17:50:39
集成電路(IC)常用基本概念有:晶圓,多指單晶硅圓片,由普通硅沙拉制提煉而成,是最常用的半導(dǎo)體材料,按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格,近來(lái)發(fā)展出12英寸甚至更大規(guī)格.晶圓越大,同一圓
2013-01-11 13:52:17
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
PFA花籃（PFA wafer Cassette） 又名 清洗花藍(lán) ，鐵氟龍卡匣 ， 鐵氟龍晶舟盒 ，鐵氟龍晶圓盒為承載半導(dǎo)體晶圓片/硅片
2023-08-29 08:57:51
、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測(cè)。WD4000國(guó)產(chǎn)晶圓幾何形貌量測(cè)設(shè)備自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單
2024-03-15 09:22:08
英諾賽科的產(chǎn)品采購(gòu)、資料下載、技術(shù)支持等服務(wù)內(nèi)容均可由世強(qiáng)元件電商支持。 英諾賽科的主要產(chǎn)品包括30V-650V氮化鎵功率器件與5G射頻器件。特別值得一提的是，英諾賽科擁有全球首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，這條產(chǎn)品線的的通線投產(chǎn)，不僅填補(bǔ)了我國(guó)第
2019-01-16 18:16:01
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