碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:02
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本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06642 
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
PN結器件優(yōu)越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
每小時幾米?！ ∪欢?b class="flag-6" style="color: red">工藝不適合SiC體積增長。對于碳化硅生產，必須使用稱為物理蒸汽傳輸（PVT）的工藝。該過程在腔室頂部使用晶種，在其下方有SiC源材料，其加熱溫度約為2000 - 2500°C
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
應用領域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
成熟，資源豐富，碳化硅的行業(yè)已經具有集群化發(fā)展的趨勢了，但是行業(yè)規(guī)模很小，政策資金方面的風險能力很大，行業(yè)秩序也需要進一步完善。碳化硅的用途也十分廣泛，越來越多的新行業(yè)也正在開發(fā)，線切割為代表的新行業(yè)正
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求?！ ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
，從而能夠改善應用終端的性能和效率，并且比碳化硅材料要好得多，因此，可以大規(guī)模生產?，F(xiàn)在，研究和開發(fā)人員正致力于收集有關的資料來驗證以上的結論。森勇介教授，日本大坂大學，在以上研究和開發(fā)活動中
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內開發(fā)出6英寸SiC制造技術，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
降低到75%?！ ”?2：SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究 只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設計取代耗時的生產流程。SiC的特定特性需要優(yōu)化換向電感和熱性能。因此，可以提高性價比，并充分利用SiC的優(yōu)勢，使應用受益。
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）?；景雽w的碳化硅肖特基二極管采用的主要是碳化硅 JBS工藝技術，與硅 FRD對比的主要優(yōu)點有： 圖9 二極管反向恢復
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
芯片生產工藝流程是怎樣的？
2021-06-08 06:49:47
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了，它的特點是：化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
貼片電阻的生產工藝流程如何
2021-03-11 07:27:02
黑碳化硅基礎知識
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成
黑碳化硅是以石英砂，石油焦為主要原料，通過電阻
2009-11-17 09:37:27757 碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用
2017-05-06 11:32:45
54 金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當
2018-01-03 09:48:4819904 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
Agarwal 的播客中，我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應用。 討論的文章： 改進碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 碳化硅在電動汽車和新能源等市場的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術，以制定符合需求的發(fā)展計劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進制造工藝并專注于盡快加速產品在 SiC 領域采用的公司
2022-08-03 10:57:441599 
來源：中國電子報 日前，國際碳化硅大廠安森美宣布，其在捷克Roznov擴建的碳化硅工廠落成，未來兩年內產能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來納州建造一座價值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產品。
2022-10-14 17:52:065310 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現(xiàn)峰值，繼續(xù)升高溫度，導電率又會下降。
2023-02-03 09:31:234410 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅的應用越來越廣泛，而現(xiàn)在科技市場的大力發(fā)展，碳化硅的功勞也是不容小覷，碳化硅在工業(yè)方面的應用可以說是比較廣泛、經濟的一種，那么碳化硅用途主要有哪些方面呢？ 碳化硅主要有四大應用：磨料、耐火材料
2023-02-05 16:21:2111784 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-05 16:34:591314 碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。另一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質生長方法。
2023-02-09 09:51:231810 
碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料，由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料，除了寬禁帶的特點外，碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
2023-02-12 17:05:562167 晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經過劃片封裝測試（后段工藝）就變成了我們現(xiàn)在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 
碳化硅晶片是一種新型的半導體材料，由碳和硅組成，具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。
2023-02-25 14:00:102271 汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統(tǒng)的電子器件，由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現(xiàn)代半導體技術制造而成，可以實現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開關，適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉換器等多種應用。
2023-02-25 15:03:222180 介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結構，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細節(jié)等等。。。歡迎大家一起學習
2023-03-31 15:01:4817 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料，具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成，碳化硅由結構單元SiC構成，每個SiC結構單元都由一個硅原子
2023-06-05 12:48:351971 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結晶。因此，生產碳化硅晶圓的成本是同等級硅晶圓成本的3倍。
2023-09-22 11:26:43162 采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉換效率并減小產品體積等特點。
2023-09-27 10:13:052064 
在碳化硅產業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業(yè)鏈技術壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57931 中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設備進行特殊開發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:361191 
前段時間，奧迪宣布年底生產碳化硅車型Q6 e-tron（，最近，奧迪又有1款碳化硅車型公布，同時Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 16:13:051423 碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn)，高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛的材料。
2024-01-09 09:41:31196 材料的生長和加工難度較大，其特色工藝模塊的研究和應用成為了當前碳化硅產業(yè)發(fā)展的關鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面： 注入摻雜 在碳化硅中，碳硅鍵能較高，雜質原子難以在其中擴散。因此，在制備碳化硅器件時
2024-01-11 17:33:14294 
在全球范圍內，有多家企業(yè)生產IGBT/碳化硅模塊，以下是一些知名的企業(yè)。
2024-01-25 14:01:22372 
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工商網監(jiān)
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