本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開(kāi)關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。
2015-06-12 09:51:23
4738 損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動(dòng)器電壓和開(kāi)關(guān)頻率的值。Qg請(qǐng)參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動(dòng)器電壓或者實(shí)測(cè)，或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 11:52:003550 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37978 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異。可以說(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42622 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗
2018-08-27 20:50:45
MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開(kāi)關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
和器件
特性相關(guān)的三個(gè)主要
功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)
特性是決定
MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通
開(kāi)關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬
開(kāi)關(guān)拓?fù)?/div>
2021-06-16 09:21:55
對(duì)MOSFET的重要設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行介紹。 1. 功率損耗MOSFET的功率損耗主要受限于MOSFET的結(jié)溫，基本原則就是任何情況下，結(jié)溫不能超過(guò)規(guī)格書里定義的最高溫度。而結(jié)溫是由環(huán)境溫度和MOSFET自身的功耗決定
2018-07-12 11:34:11
MOSFET特性的分析，其驅(qū)動(dòng)通常要求：觸發(fā)脈沖要具有足夠快的上升和下降速度；②開(kāi)通時(shí)以低電阻力柵極電容充電，關(guān)斷時(shí)為柵極提供低電阻放電回路，以提高功率MOSFET的開(kāi)關(guān)速度；③為了使功率MOSFET可靠
2019-06-14 00:37:57
最后，我們來(lái)到了這個(gè)試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個(gè)博客中，我們將花時(shí)間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開(kāi)關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對(duì)于總體
2018-09-05 09:59:06
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時(shí)間：Td(on）、上升時(shí)間：tr
2018-11-28 14:29:57
，器件可攜帶的電流數(shù)會(huì)降低。本視頻的最后部分包括電氣特性表和器件性能曲線。電氣特性表提供器件性能的快照。每種功率MOSFET是有特點(diǎn)的，以確定器件參數(shù)的特定設(shè)置。電氣特性表提供有用的信息，指引設(shè)計(jì)人員用于
2018-10-18 09:13:03
本資料主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡(jiǎn)要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了
2019-03-01 15:37:55
。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹 MOSFET 參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際選型用圖解和簡(jiǎn)單公式作簡(jiǎn)單通俗的講解。另外，這里的功率 MOSFET 應(yīng)用選型為功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，對(duì)于功率放大應(yīng)用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
功率MOSFET的感性負(fù)載關(guān)斷過(guò)程和開(kāi)通過(guò)程一樣，有4個(gè)階段，但是時(shí)間常數(shù)不一樣。驅(qū)動(dòng)回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻
2017-03-06 15:19:01
前面的文章講述過(guò)基于功率MOSFET的漏極特性理解其開(kāi)關(guān)過(guò)程，也討論過(guò)開(kāi)關(guān)電源的PWM及控制芯片內(nèi)部的圖騰驅(qū)動(dòng)器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識(shí)，就可以估算功率MOSFET在開(kāi)關(guān)
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開(kāi)關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
這個(gè)損耗看成器件的感性關(guān)斷損耗。3）開(kāi)關(guān)損耗：開(kāi)通損耗：考慮二極管反向恢復(fù)后：關(guān)斷損耗：驅(qū)動(dòng)損耗：十、功率MOSFET的選擇原則與步驟1）選擇原則：a.根據(jù)電源規(guī)格，合理選擇MOSFET 器件（見(jiàn)下
2021-08-29 18:34:54
；包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路（1）：等效電路（2）：說(shuō)明實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容，三個(gè)溝道電阻，和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來(lái)等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小
2021-09-05 07:00:00
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開(kāi)通延時(shí)、開(kāi)通上升時(shí)間，關(guān)斷延時(shí)和關(guān)斷下降時(shí)間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來(lái)評(píng)估功率MOSFET的開(kāi)關(guān)
2016-12-16 16:53:16
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開(kāi)關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時(shí)候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
）：容性開(kāi)通和感性關(guān)斷損耗為MOSFET 器件與二極管回路中的所有分布電感只和。一般也可將這個(gè)損耗看成器件的感性關(guān)斷損耗。（3）：開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)通損耗：考慮二極管反向恢復(fù)后：關(guān)斷損耗：驅(qū)動(dòng)損耗：功率
2018-10-25 16:11:27
%。<br/>（6）電容<br/>&nbsp; MOSFET的一個(gè)明顯特點(diǎn)是三個(gè)極間存在比較明顯的寄生電容，這些電容對(duì)開(kāi)關(guān)速度有一定
2009-05-12 20:38:45
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。在
2017-01-09 18:00:06
=oxh_wx3、【周啟全老師】開(kāi)關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來(lái)自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
具有廣泛的保護(hù)功能，可增強(qiáng)系統(tǒng)的安全性和可靠性。當(dāng)驅(qū)動(dòng)器溫度高于內(nèi)置熱折返保護(hù)觸發(fā)點(diǎn)時(shí)，AL1697開(kāi)始降低輸出電流。
特性
兩種內(nèi)部高壓MOSFET選項(xiàng)：用于超級(jí)結(jié)的RDSON 4Ω和1.8
2023-10-12 15:09:18
找到了市場(chǎng)突破點(diǎn)。 在不間斷電源 (UPS) 、工業(yè)逆變器、功率控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、脈寬調(diào)制 (PWM) 、開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 等開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，MOSFET和IGBT因其具有的優(yōu)越特性，在性能上明顯優(yōu)于
2022-06-28 10:26:31
IPS5451是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高壓側(cè)功率MOSFET開(kāi)關(guān)，它為單列5腳封裝，工作電壓50V，電流35A，Rds(on) 25m歐姆。
2021-04-23 07:32:01
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評(píng)估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET，這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
說(shuō)明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性MOSFET體二極管的另一個(gè)重要特性是反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。trr是二極管開(kāi)關(guān)特性相關(guān)的重要參數(shù)這一點(diǎn)在SiC肖特基勢(shì)壘二極管一文中也已說(shuō)明過(guò)。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
;&nbsp; MOSFET的規(guī)格書中，通常會(huì)給出MOSFET的特性參數(shù)，如輸出曲線、輸出電壓、通態(tài)電阻RDS(ON)、柵極閥值電壓VGS(TH)等。在選擇MOSFET時(shí)，需要根據(jù)電路
2010-08-10 11:46:47
工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。1. 開(kāi)通過(guò)程中MOSFET開(kāi)關(guān)損耗2. 關(guān)斷過(guò)程中MOSFET開(kāi)關(guān)損耗3. Coss產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗4.Coss對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響希望大家看了本文，都能深入理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。
2021-01-30 13:20:31
性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗
2019-03-06 06:30:00
基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
本帖最后由 maskmyself 于 2016-5-24 09:42 編輯
電阻主要特性參數(shù)電阻的主要參數(shù)有電阻阻值，允許誤差，額定功率，溫度系數(shù)等1、標(biāo)稱阻值：電阻器上面所標(biāo)示的阻值。 2
2016-05-23 11:40:20
ZCC2451是一款內(nèi)部集成有高邊高壓功率MOSFET管的高頻率(2 MHz)降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。提供單路最大0.6A高效率輸出，以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)。寬范圍輸入電壓（3.3 V至36
2020-10-30 16:33:45
特性參數(shù)有關(guān)。QG影響驅(qū)動(dòng)損耗，這一部分損耗并不消耗在功率MOSFET中，而且是消耗在驅(qū)動(dòng)IC中。QG越大，驅(qū)動(dòng)損耗越大?；赗DSON選取了功率MOSFET的型號(hào)后，這些開(kāi)關(guān)特性參數(shù)都可以在數(shù)據(jù)表中
2019-04-04 06:30:00
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號(hào)，比較用的三角波為10Mhz。需要開(kāi)關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動(dòng)器。請(qǐng)問(wèn)mosfet驅(qū)動(dòng)器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達(dá)到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動(dòng)器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)特別是家電市場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來(lái)越高?！ 闈M足市場(chǎng)需求，意法半導(dǎo)體針對(duì)不同的工況提供多種功率開(kāi)關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?！ ”疚脑趯?shí)際
2018-11-20 10:52:44
`大功率開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)`
2012-08-20 16:15:28
采用新技術(shù)，例如D3半導(dǎo)體正在實(shí)施的技術(shù)。新方法在開(kāi)發(fā)新的+FET產(chǎn)品線時(shí)，D3半導(dǎo)體選擇了一種非傳統(tǒng)的技術(shù)方法，將集成應(yīng)用于高壓超結(jié)功率MOSFET?。在傳統(tǒng)的晶體管配置中，沒(méi)有元件來(lái)提供微調(diào)功能
2023-02-27 10:02:15
測(cè)量和校核開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過(guò)程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
如何實(shí)現(xiàn)高壓MOSFET控制器簡(jiǎn)化非隔離開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)？
2021-10-12 11:44:30
如何更加深入理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗與對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
的功率耗散和允許環(huán)境溫度通過(guò)計(jì)算得出。當(dāng)允許的環(huán)境溫度達(dá)到或略高于我們所期望的機(jī)箱內(nèi)最高溫度時(shí)（機(jī)箱內(nèi)安裝了電源及其所驅(qū)動(dòng)的電路），這個(gè)過(guò)程就結(jié)束了?！ 〉^(guò)程始于為每個(gè)MOSFET假定一個(gè)結(jié)溫，然后
2021-01-11 16:14:25
。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹 MOSFET 參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際選型用圖解和簡(jiǎn)單公式作簡(jiǎn)單通俗的講解。另外，這里的功率 MOSFET 應(yīng)用選型為功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，對(duì)于功率放大應(yīng)用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
開(kāi)關(guān)電源的電壓波形及其參數(shù)分析在開(kāi)關(guān)電源的分析與設(shè)計(jì)中，對(duì)開(kāi)關(guān)工作時(shí)所形成的電壓波形及其參數(shù)的分析是致關(guān)重要的。為了分析開(kāi)關(guān)電源的工作特性，研究了開(kāi)關(guān)電源的電路模型及電壓波形的形成過(guò)程，針對(duì)
2020-07-15 15:17:28
。產(chǎn)品特色特性集成了控制器、高壓端和低壓端柵極驅(qū)動(dòng)以及高壓功率MOSFET的LLC半橋功率級(jí)可最多省去30個(gè)外圍元件降低裝配成本并減小PCB布局的環(huán)路面積最高工作頻率為1 MHz大幅降低磁芯尺寸并允許
2019-03-07 14:39:44
摘要：針對(duì)橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET因柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)振蕩產(chǎn)生的橋臂直通問(wèn)題，給出了計(jì)及各寄生參數(shù)的驅(qū)動(dòng)電路等效模型，對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)振蕩的機(jī)理進(jìn)行了深入研究，分析了驅(qū)動(dòng)電路各參數(shù)與振蕩的關(guān)系，并以此為依據(jù)
2018-08-27 16:00:08
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
盡管MOSFET在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師對(duì)于MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程仍然有一些疑惑，本文先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷
2016-11-29 14:36:06
，溫度降低，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡，這也是功率MOSFET相對(duì)于晶體管最具有優(yōu)勢(shì)的一個(gè)特性。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件的內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作
2016-09-26 15:28:01
的差異相互擴(kuò)散，也會(huì)在PN結(jié)的兩側(cè)產(chǎn)生電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，這些因素作用在一起，在任何半導(dǎo)體功率器件內(nèi)部，就會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的寄生電容。MOSFET的寄生電容是動(dòng)態(tài)參數(shù)，直接影響到其開(kāi)關(guān)性能，MOSFET的柵極電荷
2016-12-23 14:34:52
功率MOSFET來(lái)說(shuō)，通常連續(xù)漏極電流是一個(gè)計(jì)算值。當(dāng)器件的封裝和芯片的大小一定時(shí)，如對(duì)于底部有裸露銅皮的封裝TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的結(jié)到裸露銅皮的熱阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
AN1315，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的L6386 MOSFET功率驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板。 L6386，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的MOSFET功率驅(qū)動(dòng)器。三相演示板是用于評(píng)估和設(shè)計(jì)高壓柵極驅(qū)動(dòng)器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07
控雙極性晶體管IGBTIGBT晶體管是集GP與MOSFET二者優(yōu)點(diǎn)于一體的復(fù)合器件，既有MOSFET輸入阻抗高、速度快、開(kāi)關(guān)損耗小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、要求驅(qū)動(dòng)功率小、極限工作溫度高、易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)穩(wěn)定運(yùn)行直流
2018-11-27 11:04:24
1. 開(kāi)關(guān)模式電源的啟動(dòng)電路 - SMPS SMPS的傳統(tǒng)啟動(dòng)電路方法是通過(guò)功率電阻和齊納二極管。在這種方法中，即使在啟動(dòng)階段之后，功率電阻也會(huì)連續(xù)消耗功率。這會(huì)導(dǎo)致PCB上過(guò)熱、效率低下以及
2023-02-21 15:46:31
MOSFET的柵極電荷特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程
2021-04-14 06:52:09
，Coss越低，dv/dt越高。在MOSFET選型中，MOSFET的Coss、Ciss、Crss參數(shù)特性，影響開(kāi)關(guān)尖峰大小。從上述分析中可知，我們可以通過(guò)提高MOSFET寄生電容Cgd、Cgs、Cds
2020-10-21 07:13:24
范圍。因?yàn)榻酉聛?lái)的幾篇將談超級(jí)
結(jié)MOSFET相關(guān)的話題，因此希望在理解Si-
MOSFET的定位的基礎(chǔ)上，根據(jù)其特征和
特性對(duì)使用區(qū)分
有個(gè)初步印象。下圖表示處理各
功率晶體管的
功率與頻率范圍?？梢钥闯?/div>
2018-11-28 14:28:53
結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實(shí)際是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點(diǎn)，是在平面型結(jié)構(gòu)中開(kāi)一個(gè)低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結(jié)構(gòu)的高耐壓和溝槽型結(jié)構(gòu)低電阻的特性。內(nèi)建橫向
2018-10-17 16:43:26
討論如何根據(jù)RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開(kāi)關(guān)性能指標(biāo)來(lái)選擇正確的MOSFET。 MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在
2011-08-17 14:18:59
的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。本文將討論如何根據(jù)RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開(kāi)關(guān)性能指標(biāo)來(lái)選擇正確的MOSFET。MOSFET的選擇MOSFET有兩大類
2012-10-31 21:27:48
要有深入了解，才能有利于理解和分析相應(yīng)的問(wèn)題?！ ?b class="flag-6" style="color: red">高壓MOSFET原理與性能分析 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓
2023-02-27 11:52:38
上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡
2009-11-19 14:53:24
34 本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡(jiǎn)要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，
2010-11-11 15:34:22201 摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對(duì)功率MOSFET的開(kāi)關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度，對(duì)功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的功率損耗和所需驅(qū)動(dòng)
2010-11-11 15:36:3853 開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃
功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為開(kāi)關(guān)電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專
2010-03-01 11:00:181505 本內(nèi)容提供了功率MOSFET與高壓集成電路的知識(shí)概括。眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f(shuō)具有理想開(kāi)關(guān)的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)
2011-07-22 11:28:47235 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程
2011-09-14 17:39:1765 關(guān)于大功率開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)的 研究
2011-10-11 19:27:56186 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)講座_功率MOSFET特性參數(shù)的理解。
2016-03-24 17:59:0847 集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)，感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 將雙開(kāi)關(guān)正向主電源轉(zhuǎn)換器及反激式待機(jī)電源轉(zhuǎn)換器與高壓功率MOSFET集成
2016-05-11 18:00:0820 大功率開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2017-09-14 09:55:0225 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：
2017-10-19 16:02:3723 功率VDMOSFET器件由于其用柵極電壓來(lái)控制漏極電流，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，工作頻率高等特性，被廣泛應(yīng)用于DC/DC轉(zhuǎn)換器，UPS及各種開(kāi)關(guān)電路等。在電路設(shè)計(jì)中，工程師會(huì)根據(jù)
2020-03-07 08:00:0021 工業(yè)應(yīng)用中需要根據(jù)工況選用合適的 IGBT 模塊袁不能直接參考模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)上的數(shù)據(jù)來(lái)應(yīng)用模塊遙本文針對(duì)特定的應(yīng)用工況搭建硬件和軟件電路袁進(jìn)行全面自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試袁分析了各工況條件對(duì)開(kāi)關(guān)特性
2021-05-17 09:51:1964 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 MOSFET特性參數(shù)說(shuō)明
2022-08-22 09:54:471705 功率 MOSFET 是最常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體，主要原因是因?yàn)槠鋿艠O驅(qū)動(dòng)需要的功率小、以及快速的切換速度，使其成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí)最常用的功率半導(dǎo)體。本文將為您簡(jiǎn)介功率 MOSFET 的技術(shù)特性，以及由安森美（onsemi）推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的產(chǎn)品特性。
2022-09-27 15:17:561407 
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。
2023-02-09 10:19:242519 
功率MOSFET在開(kāi)通的過(guò)程中，當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺(tái)VGP時(shí)間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由跨導(dǎo)GFS所限制的傳輸特性曲線的關(guān)系，而VDS
2023-02-16 10:45:04908 
功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù)
2023-02-16 10:52:42280 
UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET，它結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET，設(shè)計(jì)具有更好的特性，如快速開(kāi)關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通狀態(tài)電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開(kāi)關(guān)電源和適配器的高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。?
2023-06-14 16:45:450 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
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