只要問(wèn)任何經(jīng)驗(yàn)豐富的電氣工程師——如我們今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 柵極前要放什么，你很可能會(huì)聽(tīng)到“一個(gè)約 100 Ω 的電阻”。
2018-04-16 08:53:16
14343 
為什么有時(shí)候需要MOSFET柵極電阻？它應(yīng)該是什么價(jià)值？它應(yīng)該在下拉電阻之前還是之后？事實(shí)上，有許多電路是在沒(méi)有柵極電阻的情況下工作的，但添加一個(gè)可以防止一些潛在的問(wèn)題。1000Ω很可能會(huì)起作用。
2023-07-06 11:10:48954 
防止兩個(gè)MOSFET管直通，通常串接一個(gè)0.5～1Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的中功率開(kāi)關(guān)設(shè)備。這兩種電路特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET 屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加
2019-06-14 00:37:57
ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID?！ ∪粝炔唤覸GS（即VGS=0），在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結(jié)處于反向，因此漏源之間不能導(dǎo)電。如果在柵極G與源極S之間加一電壓
2020-07-06 11:28:15
容量功率MOSFET在構(gòu)造上，如圖1存在寄生容量。功率MOSFET在構(gòu)造上，如圖1存在寄生容量 MOSFET的G (柵極) 端子和其他的電極間由氧化膜絕緣，DS (漏極、源極) 間形成PN接合，成為內(nèi)置
2019-04-10 06:20:15
，在柵極G和源極S之間加正電壓，即UGS﹥0時(shí),如圖2—55（a）所示，則在柵極與襯底之間產(chǎn)生一個(gè)由柵極指向襯底的電場(chǎng)。在這個(gè)電場(chǎng)的作用下，P襯底表面附近的空穴受到排斥將向下方運(yùn)動(dòng)，電子受電場(chǎng)的吸引
2018-08-07 14:16:14
很重要，所以我們將選用半橋拓?fù)?。這種拓?fù)涫请娏﹄娮友b置最常用的拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">一。這些例子重點(diǎn)介紹了同步壓降轉(zhuǎn)換器——一個(gè)半橋拓?fù)涞木唧w應(yīng)用。共源極電感效應(yīng)圖1為具備雜散電感和電阻(由封裝鍵合線(xiàn)、引線(xiàn)框以及電路板
2019-05-13 14:11:31
MOSFET的VGS(th)：
柵極閾值電壓
MOSFET的VGS(th)：
柵極閾值電壓是為使
MOSFET導(dǎo)通，
柵極與
源極間必需的電壓。也就是說(shuō)，VGS如果是閾值以上的電壓，則
MOSFET導(dǎo)通?？赡苡?/div>
2019-05-02 09:41:04
2個(gè)系列相關(guān)的技術(shù)信息鏈接。要想更深入了解產(chǎn)品，需要確認(rèn)技術(shù)規(guī)格的規(guī)格值和特性圖表，這一點(diǎn)是很重要的。關(guān)鍵要點(diǎn):?PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻、低柵極總電荷量特征、且
2018-11-28 14:27:08
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開(kāi)通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
電路設(shè)計(jì)如圖；問(wèn)題：MOSFET測(cè)量柵極有開(kāi)啟電壓+3.6V，漏極電壓+12V，但是源極電壓測(cè)量為+1V;分析：有可能是MOSFET壞了，除了這個(gè)可能性，不清楚是不是設(shè)計(jì)上有問(wèn)題，希望大家?guī)兔?，目?b class="flag-6" style="color: red">源極沒(méi)有接負(fù)載，這對(duì)電路有沒(méi)有影響呢？
2019-09-11 14:32:13
是標(biāo)準(zhǔn)化過(guò)電流關(guān)斷圖時(shí)間與標(biāo)準(zhǔn)化MOSFET電流。這張圖是用于選擇兩個(gè)延遲分量，RD和CD，在漏感之間構(gòu)成了一個(gè)簡(jiǎn)單的RC延遲電阻和漏極檢測(cè)輸入。圖的Y軸規(guī)范化為一個(gè)RC時(shí)間不變的。X軸規(guī)格化為電流。（布景
2020-09-08 17:28:16
你好，我打算使用FQD7P20TMCT-ND和FDD7N20TMCT-ND。為了驅(qū)動(dòng)這些MOSFET，我正在使用MD1822K6-GCT-ND。我的問(wèn)題是我需要在門(mén)到源之間安裝二極管和電阻，如下
2018-10-26 14:46:14
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于器件的源極/發(fā)射極而言）。使用專(zhuān)門(mén)驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。本文討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
2021-01-27 07:59:24
驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線(xiàn)性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng)
2021-07-09 07:00:00
俺也是個(gè)初學(xué)者，對(duì)信號(hào)完整性了解不多。只是看到參考電路上，DSP和SDRAM之間的數(shù)據(jù)總線(xiàn)，地址總線(xiàn)中間都加了小電阻。感覺(jué)是信號(hào)完整性用的 。但是現(xiàn)在布線(xiàn)的時(shí)候，感覺(jué)比較麻煩，不如不加這個(gè)呢。所以，我想問(wèn)一下。DSP（單片機(jī)）和SDRAM之間的數(shù)據(jù)總線(xiàn)，地址總線(xiàn)，一定要加電阻嗎？什么時(shí)候一定要加？
2022-07-20 14:23:25
橫向?qū)щ姷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET，如下圖所示，這個(gè)結(jié)構(gòu)及其工作原理以前的文章介紹過(guò)：功率MOSFET的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)，其由三個(gè)電極：G柵極、D漏極和S源極組成。圖1：平面橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET灰色Gate柵極的寬度
2017-01-06 14:46:20
普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
;gt;N溝道MOSFET有三個(gè)電極，分別是源極S、漏極D和柵極G。當(dāng)VGS=0時(shí)，漏、源極之間無(wú)原始導(dǎo)電溝道，ID=0；當(dāng)VGS>0但是比較小時(shí)，漏、源極之間也無(wú)導(dǎo)電溝道。當(dāng)
2010-08-17 09:21:57
MOSFET 切換高于5V 的電壓，則需要另一個(gè)晶體管（某種晶體管）來(lái)打開(kāi)和關(guān)閉它。P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管P溝道區(qū)域位于P溝道MOSFET的源極和漏極之間。它是一個(gè)四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體
2023-02-02 16:26:45
，大部分電荷載流子是電子。增強(qiáng)模式和耗盡模式下的P溝道MOSFET符號(hào)如下圖所示：P溝道MOSFET包括一個(gè)P溝道區(qū)域，該區(qū)域布置在兩個(gè)端子之間，如源極 (S) 和漏極 (D) 并且主體為N區(qū)域。與N溝道
2022-09-27 08:00:00
通電阻比普通產(chǎn)品低61%（雙極MOSFET的Pch部分比較），有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。此外，通過(guò)將兩枚器件集成到一個(gè)封裝中，有助于通過(guò)減少安裝面積從而實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化， 還有助于減少器件選型
2021-07-14 15:17:34
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
什么樣的現(xiàn)象。綠色曲線(xiàn)表示高邊SiC-MOSFET的柵極電壓VgsH，紅色曲線(xiàn)表示低邊的柵極電壓VgsL，藍(lán)色曲線(xiàn)表示Vds。這三個(gè)波形都存在振鈴或振蕩現(xiàn)象，都不容樂(lè)觀(guān)。比如一旦在低邊必須關(guān)斷的時(shí)間點(diǎn)
2018-11-30 11:31:17
應(yīng)用角度來(lái)看，驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用了源極的管腳。MOSFET是一個(gè)電壓型控制的開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)通關(guān)斷行為由施加在柵極和源極之間的電壓（通常稱(chēng)之為VGS）來(lái)決定?！ 膱D1模型來(lái)看，有幾個(gè)參數(shù)是我們需要
2023-02-27 16:14:19
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
（Vin）施加在柵極端子和零伏電壓軌（0v）之間。在施加恒定的柵極電壓Vg的情況下，JFET像線(xiàn)性電阻器件一樣在其“歐姆區(qū)域”內(nèi)工作。漏極電路包含負(fù)載電阻Rd。在該負(fù)載電阻兩端產(chǎn)生輸出電壓Vout
2020-11-03 09:34:54
的方向。MOSFET管是另一種非常常見(jiàn)的晶體管類(lèi)型。它也具有三個(gè)引腳：柵極（G）、漏極（D）、源極（S）MOS管和三極管同為晶體管，它們之間的工作原理也有些類(lèi)似之處：1）．MOS管的源極S、柵極G、漏極
2023-02-20 15:30:11
有一個(gè)圖表代表一個(gè)電路，其目的是根據(jù)微控制器中編程的邏輯啟用/禁用兩個(gè)LED。在下面的電路中，據(jù)我所知，有兩個(gè)n型晶體管，它們分別有一個(gè)電阻連接它們的柵極和它們的源極。我的問(wèn)題是：為什么需要標(biāo)記電阻？（紅圈）
2018-08-21 10:35:11
1、為什么要加電阻下圖是典型的 MIC 應(yīng)用電路以及 MIC 內(nèi)部的電路圖。在 MIC 內(nèi)部，駐極體電容將聲音信號(hào)變?yōu)殡娦盘?hào)，并立即通過(guò)一級(jí)共源 FET 放大輸出。加電阻的目的是為了給 MIC 內(nèi)部
2021-07-27 08:25:22
極性三極管，它是電流控制器件。它的基極串聯(lián)電阻是為了了限制基極電流的大小，否則對(duì)于驅(qū)動(dòng)信號(hào)源來(lái)說(shuō)，三極管的基極對(duì)地之間就等效成一個(gè)二極管，會(huì)對(duì)前面驅(qū)動(dòng)電路造成影響?！ 《鳰OS管，由于它的柵極相對(duì)于漏極
2023-03-10 15:06:47
，發(fā)現(xiàn)N-MOSFET管的源極S和漏極D之間存在兩個(gè)背靠背的pn結(jié)，當(dāng)柵極-源極電壓VGS不加電壓時(shí)，不論漏極-源極電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓，總有一個(gè)pn結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏、源極間沒(méi)有導(dǎo)電溝道
2023-02-10 15:33:01
?當(dāng)輸入與輸出電壓之間有正電壓時(shí)，運(yùn)放肖特基二極管電路使MOSFET導(dǎo)通，如下式：VGATE=VOUT-(R2/R1)(VIN-VOUT)其中，肖特基二極管電路的VGATE是MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)
2021-04-08 11:37:38
? MOSFET幾乎都沒(méi)有寄生導(dǎo)通?！ 〖僭O(shè)有一個(gè)良好設(shè)計(jì)的、柵漏極電容極低的PCB布局，這時(shí)英飛凌鼓勵(lì)電力電子工程師使用0V的柵極關(guān)斷電壓來(lái)操作CoolSiC? MOSFET分立器件。這有助于簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)，同時(shí)保證性能不受影響。原作者： Klaus Sobe 英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體
2023-02-27 13:53:56
在通孔板上建立電路數(shù)小時(shí)后，我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET時(shí)Vgs并不容易。經(jīng)過(guò)搜索，我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關(guān)斷MOSFET。對(duì)我來(lái)說(shuō)非常重要的是，當(dāng)
2018-08-23 10:30:01
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
大家好，問(wèn)個(gè)在網(wǎng)上經(jīng)常碰到的問(wèn)題，但我想再問(wèn)得深入些。 關(guān)于MOSFET，就說(shuō)NMOS管吧，平時(shí)說(shuō)到柵極，大家都習(xí)慣性的串接一個(gè)柵極電阻大小從10歐--100歐不等。 而且有人說(shuō)為了提高開(kāi)通速度甚至
2013-02-08 15:28:29
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測(cè)試的原理圖和相關(guān)波形見(jiàn)圖1所示。在測(cè)量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動(dòng)，也就是使用恒流源IG給測(cè)試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
，就會(huì)形成一個(gè)薄的高質(zhì)量的氧化層，從而產(chǎn)生溝道。 工作原理是：柵極和源極間加正向電壓，P-區(qū)中的少數(shù)載流子，即“少子”，也就是電子，被電場(chǎng)吸引到柵極下面的表面，隨著柵極和源極正向偏置電壓的增加，更多
2016-10-10 10:58:30
極)及D(漏極)，如圖1d所示。從圖1中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的，D與S之間有兩個(gè)PN結(jié)。一般情況下，襯底與源極在內(nèi)部連接在一起。圖1是N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的基本結(jié)構(gòu)圖
2011-12-19 16:52:35
反激式轉(zhuǎn)換器工作原理圖1為一個(gè)最簡(jiǎn)單的反激式轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并且包含以下寄生元件：如初級(jí)漏電感、MOSFET的寄生電容和次級(jí)二極管的結(jié)電容。 圖1包含寄生元件的反激式轉(zhuǎn)換器拓?fù)鋱D該拓?fù)湓醋?b class="flag-6" style="color: red">一個(gè)升降
2018-10-10 20:44:59
MOSFET只需要柵極引腳上的電壓來(lái)允許電流在漏極和源極引腳之間流動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET在實(shí)際設(shè)計(jì)中具有非常高的柵極阻抗，這就決定了MOSFET的一個(gè)特點(diǎn)，非常擅長(zhǎng)降低電路的運(yùn)行所需要的功率。先來(lái)簡(jiǎn)單介紹
2022-09-06 08:00:00
MOSFET需要一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)來(lái)將電流從源極傳導(dǎo)至漏極，并且需要在AC正弦波變?yōu)樨?fù)值時(shí)快速關(guān)斷。通過(guò)將N溝道MOSFET與4個(gè)LM74670-Q1智能二極管整流控制器組合在一起，可以在在正弦波的負(fù)周期
2018-05-30 10:01:53
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
（因?yàn)槲以谧鲭姍C(jī)時(shí)候，逆變橋用自舉驅(qū)動(dòng)MOS管是要GND網(wǎng)絡(luò)的，不知道這個(gè)是否需要），我有個(gè)想法就是不需要此GND網(wǎng)絡(luò)，但是在柵極和源極之間需要并個(gè)大電阻，不知這樣是否可行。
2020-11-11 20:39:43
均采用 TO-247-4L 封裝，其中包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)器發(fā)射極/源極引腳。兩種情況均僅使用單極柵極驅(qū)動(dòng)：IGBT為15V/0V，SiCMOSFET為18V/0V。表 1 顯示了使用相應(yīng)條件執(zhí)行的測(cè)試列表
2023-02-21 16:36:47
MOSFET的高壓RDC_ON降觸發(fā)的保護(hù)也可以使用漏極至源極兩端的大比率電阻分壓器來(lái)實(shí)現(xiàn)（見(jiàn)圖2）。電阻分壓器R13/R14在其值方面有兩個(gè)限制。R14兩端的壓降應(yīng)高于300mV，以便在RDC_ON發(fā)生
2023-02-27 09:52:17
！它在高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器源連接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 電阻，我不明白為什么需要這些。是否有任何設(shè)計(jì)指南可以告訴我如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器可能需要對(duì) MOSFET 源極施加一些電阻？
2023-04-19 06:36:06
在mos管的源極和柵極之間并一個(gè)電阻是為保護(hù)MOS的寄生電感，在電源瞬間上電時(shí)候該如何理解呢 ？
2023-03-15 17:30:51
Q1。如何計(jì)算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來(lái)操作感性開(kāi)關(guān)負(fù)載。開(kāi)關(guān)頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會(huì)有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
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反相電壓放大（共發(fā)射極（共源極）電路），輸入電壓（電流）增加，輸出電壓下降。是因?yàn)楣軌航档土?，相?dāng)于管子的電阻小了，電流大了
2012-07-09 17:45:33
MOSFET模型， 3個(gè)電容為硅結(jié)構(gòu)，分別位于各個(gè)連接引腳之間：柵漏電容Cgd、漏源電容Cds和柵源電容Cgs.鍵合絲產(chǎn)生了MOSFET寄生電感：柵極寄生電感Lg1、漏極寄生電感Ld1和源極寄生電感Ls1。這個(gè)
2018-10-08 15:19:33
重要作用。MOSFET既可工作在第一象限，也可工作在第三象限。沒(méi)有施加?xùn)?源極電壓時(shí)，寄生體二極管導(dǎo)通。當(dāng)柵極沒(méi)有電壓時(shí)，流入漏極的電流類(lèi)似于典型的二極管曲線(xiàn)。圖5：未柵控N溝道MOSFET工作于第三象限的典型
2021-04-09 09:20:10
電壓等于0的時(shí)候，漏極電流是等于0.其中JFET中柵級(jí)與襯底之間的PN結(jié)工作在反偏，當(dāng)所有的討論都是基于源級(jí)接地的電路時(shí)，當(dāng)耗盡型MOSFET、JFET的柵源電壓大于0時(shí)，電流怎么變化，兩種管子工作在
2019-04-08 03:57:38
的產(chǎn)生機(jī)理 由功率MOSFET的等效電路可知，3個(gè)極間均存在結(jié)電容，柵極輸入端相當(dāng)于一個(gè)容性網(wǎng)絡(luò)，驅(qū)動(dòng)電路存在著分布電感和驅(qū)動(dòng)電阻，此時(shí)的橋式逆變電路如圖1所示。以上管開(kāi)通過(guò)程為例，當(dāng)下管V2已經(jīng)完全
2018-08-27 16:00:08
求大神幫忙推薦一個(gè)輸入12v電壓的場(chǎng)效應(yīng)管：具體就是漏極與源極之間的電壓為12v，柵極無(wú)輸入電壓時(shí)，源極與漏極截止，當(dāng)柵極輸入電壓時(shí)，源極與漏極導(dǎo)通，求大神推薦一下產(chǎn)品，順便告知一下電阻選用哪個(gè)范圍的？謝謝
2015-08-17 16:07:41
溝槽結(jié)構(gòu)由于柵極溝槽底部電場(chǎng)集中而存在長(zhǎng)期可靠性相關(guān)的課題。針對(duì)這類(lèi)課題，ROHM開(kāi)發(fā)的雙溝槽結(jié)構(gòu)通過(guò)在源極部分也設(shè)置溝槽結(jié)構(gòu)，緩和了柵極溝槽底部的電場(chǎng)集中問(wèn)題，確保了長(zhǎng)期可靠性，從而成功投入量產(chǎn)。這款
2018-12-05 10:04:41
，或者有可能造成功率管遭受過(guò)高的di／dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在MOS驅(qū)動(dòng)器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個(gè)電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆。 2)防止柵源極間過(guò)電壓，由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一
2022-09-20 08:00:00
源導(dǎo)通電阻，它表示MOSFET在某一條件下導(dǎo)通時(shí)，漏源極之間的導(dǎo)通電阻。這個(gè)參數(shù)與MOSFET結(jié)溫，驅(qū)動(dòng)電壓Vgs相關(guān)。在一定范圍內(nèi)，結(jié)溫越高，Rds越大;驅(qū)動(dòng)電壓越高，Rds越小。Qg，柵極電荷
2020-03-04 10:11:00
，MOSFET與三極管一樣，當(dāng)MOSFET應(yīng)用于放大電路時(shí)，通常要使用此曲線(xiàn)研究其放大特性。只是三極管使用的基極電流、集電極電流和放大倍數(shù)，而MOSFET管使用柵極電壓、漏極電流和跨導(dǎo)。圖2：AOT460
2016-11-29 14:36:06
電感，會(huì)由于高di/dt電流而影響到下橋柵極驅(qū)動(dòng)。其中一個(gè)解決方案就是將分流電阻器放在上橋MOSFET的漏極內(nèi)，這樣的話(huà)，分流電阻器就不會(huì)影響到柵極驅(qū)動(dòng)了。Vishay VCS1625/Y08500R01000F9R就具有這樣的功能—它內(nèi)置有開(kāi)爾文連接，并且具有能夠減少電感的結(jié)構(gòu)…
2022-11-17 06:53:17
器件。一旦在MOSFET的柵極端施加電壓，源極溝道的漏極電阻將變得更大。當(dāng)柵源電壓增加更多時(shí)，從漏極到源極的電流將減少，直到電流從漏極到源極的流動(dòng)停止。耗盡型MOSFET有兩種類(lèi)型，分別是P溝道和N溝道
2022-09-13 08:00:00
MOSFET的柵極電荷特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程
2021-04-14 06:52:09
藍(lán)牙電路圖這里設(shè)計(jì)的原理不懂，為什么要加二極管和上拉電阻，有什么作用？求指點(diǎn)
2019-04-01 02:31:29
兩層電源板，板子設(shè)計(jì)中有4個(gè)MOSFET管串聯(lián)，由于只有兩層，四個(gè)MOSFET管的3個(gè)源級(jí)要過(guò)大電流，所以用銅連接在一起；四個(gè)MOSFET管柵極串聯(lián)的線(xiàn)走在器件源級(jí)和漏極之間（請(qǐng)看圖片），不知道這樣的柵極走線(xiàn)會(huì)不會(huì)受影響？
2018-07-24 16:19:28
本文概述了與低頻MOSFET工作相關(guān)的各種特性和規(guī)格。相關(guān)信息了解MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)的漏源電阻MOSFET溝道長(zhǎng)度調(diào)制假設(shè)您正在設(shè)計(jì)一個(gè)電動(dòng)機(jī)控制電路，一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器，一個(gè)反極性保護(hù)電路或一個(gè)
2019-10-25 09:40:30
N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱(chēng)為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是
2011-08-17 14:18:59
壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱(chēng)為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不
2013-03-11 10:49:22
型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱(chēng)為導(dǎo)通電阻
2012-10-30 21:45:40
型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱(chēng)為導(dǎo)通電阻
2012-10-31 21:27:48
防止兩個(gè)MOSFET管直通，通常串接一個(gè)0.5～1Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的中功率開(kāi)關(guān)設(shè)備。這兩種電路特 點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加
2023-02-27 11:52:38
驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線(xiàn)性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間
2018-10-25 10:22:56
是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極和源極/發(fā)射極之間形成一個(gè)非線(xiàn)性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)
2018-11-01 11:35:35
Figure 4 是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)電路示例。它與以往驅(qū)動(dòng)電路（Figure 2）之間的區(qū)別只在于驅(qū)動(dòng)電路的返回線(xiàn)是連接到驅(qū)動(dòng)器源極引腳這點(diǎn)。從電路圖中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《為了穩(wěn)定性必須在MOSFET柵極前面放一個(gè)100Ω電阻嗎.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 09:16:14
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