晶體管是電子元器件中常用的一種，用來放大電信號(hào)、控制電流等。晶體管通常由三個(gè)電極組成：基極、發(fā)射極和集電極。不同類型的晶體管電極排列方式和特性不同，因此需要通過判斷電極類型和排列方式來確定晶體管的類型。下面介紹一下如何判斷晶體管的類型及三個(gè)電極。
2023-06-03 09:44:16
6232 ?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管中的每個(gè)層都附有引線。由此產(chǎn)生的端子稱為發(fā)射極、基極和集電極。底座始終是中間層?！ 」ぷ髟怼 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管基本上是一個(gè)電子開關(guān)。電源電壓和負(fù)載通過集電極和發(fā)射極端子接線。在沒有對(duì)基極端子施加電壓
2023-02-16 18:22:30
PNP和NPN兩種，一般在信號(hào)源電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)優(yōu)先選用三極管。二、場(chǎng)效應(yīng)晶體管定義：場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)簡稱場(chǎng)效應(yīng)管，也稱為單極型晶體管，主要有兩種類型，JFET管
2019-04-08 13:46:25
不同外，其工作原理都是相同的。 二、晶體三極管的三種工作狀態(tài) 三極管的三種狀態(tài)也叫三個(gè)工作區(qū)域，即：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。 （1）、截止區(qū)：三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)，當(dāng)發(fā)射結(jié)電壓Ube小于
2020-12-25 15:24:23
的判別?！ ?.正反饋和負(fù)反饋的判別 ?。?）晶體管各極電壓的變化關(guān)系 為了快速判斷出反饋電路的反饋類型，有必要了解晶體管各極電壓的變化關(guān)系。 不管是NPN型還是PNP型晶體管，它們各極電壓變化都有
2023-03-20 17:23:53
;gt;雙極型晶體管的埃伯爾斯-莫爾模型、小信號(hào)模型及其高頻參數(shù)。<br/>雙極型晶體管的基本使用方法<br/>晶體三極管是雙極型器件
2009-08-20 18:07:52
cbo，一般來說，同一晶體管BV cbo＞BV ceo，通常要求用于置換的三極管，其上述兩個(gè)擊穿電壓應(yīng)不小于原晶體管對(duì)應(yīng)的兩個(gè)擊穿電壓。頻率特性。在置換三極管時(shí)，主要考慮?T，置換的三極管，其?T應(yīng)
2015-07-07 16:56:34
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)！??！
2016-06-07 23:27:44
晶體管低頻放大器晶體管低頻放大器主要是用來放大低頻小信號(hào)電壓的放大器，頻率從幾十赫到一百千赫左右一、晶體管的偏置電路為了使放大器獲得線性的放大作用，晶體管不僅須有一個(gè)合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，而且必須使
2021-06-02 06:14:09
阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型
2010-08-12 13:59:33
繼電器線圈時(shí)，晶體管的導(dǎo)通與關(guān)斷控制著線圈中電流的通過。此時(shí)，當(dāng)晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)向截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，集電極（線圈中）的電流的突然減小，線圈將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反電動(dòng)勢(shì)，并作用于集電極。這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)將高達(dá)數(shù)百伏（V
2017-03-28 15:54:24
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
，由于其具有三個(gè)終端，因此我們通常將其稱為三極管。三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，兩個(gè)PN結(jié)將其分為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，相應(yīng)的產(chǎn)生三個(gè)電極：發(fā)射極、基極和集電極。三極管的工作原理是這樣子的，首先，電源作用于
2016-06-29 18:04:43
一、晶體管開關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
的hFE檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)，應(yīng)先將萬用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測(cè)晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的測(cè)試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個(gè)電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
組成。 BA.3B.4C.5D.63.固定偏置共射極放大電路，已知RB=300KΩ，RC=4KΩ，Vcc=12V，β=50，則ICQ為( )。 CA.2μAB.3μAC.2mAD.3mA4.三相異步電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)子由轉(zhuǎn)子鐵心、轉(zhuǎn)子繞組、風(fēng)扇、換向器等組成。 ×5.單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)中有( )個(gè)PN結(jié)。 CA.
2021-09-02 06:19:31
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對(duì)交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
與漏極間流過電流，而IGBT是從P型的集電極向N型的發(fā)射極流過電流，也就是與雙極晶體管相同。因此，具有MOSFET的柵極相關(guān)的參數(shù)，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)。基本工作特性比較這三種晶體管
2018-11-28 14:29:28
相關(guān)的參數(shù)，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)。 基本工作特性比較 這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對(duì)于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開關(guān)，因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下，探討哪種晶體管最適合時(shí)的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
是自來水的閥門，發(fā)射極是配管，集電極是水龍頭。用自來水的構(gòu)造來舉例說明晶體管的作用。把晶體管的3個(gè)引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來水的閥門、水龍頭和配管。通過微小之力（即基極的輸入信號(hào)）來控制
2019-07-23 00:07:18
是自來水的閥門，發(fā)射極是配管，集電極是水龍頭。用自來水的構(gòu)造來舉例說明晶體管的作用。把晶體管的3個(gè)引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來水的閥門、水龍頭和配管。通過微小之力（即基極的輸入信號(hào)）來控制
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
型號(hào)的晶體管。 5．開關(guān)三極管的選用小電流開關(guān)電路和驅(qū)動(dòng)電路中使用的開關(guān)晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
和集電極電位的關(guān)系中，可以非常方便地對(duì)晶體管的工作狀態(tài)作出判斷。對(duì)處于共發(fā)射極放大的NPN型晶體管而言，集電極電位>基極電位>發(fā)射極電位時(shí)，晶體管工作于放大狀態(tài)。隨著基極注入電流的增大，流出
2012-02-13 01:14:04
）形成的兩個(gè) PN 結(jié)（發(fā)射結(jié)和集電結(jié)）組成，分別從三個(gè)區(qū)引出三個(gè)電極（發(fā)射極e、基極b 和集電極c）。 晶體管根據(jù)摻雜類型不同，可分為 NPN 型和 PNP 型兩種；根據(jù)使用的半導(dǎo)體材料不同 ，又可
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
; 晶體管，本名是半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。輸入級(jí)和輸出
2010-08-12 13:57:39
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個(gè)流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無用的。IGBT一般使用在大電流的場(chǎng)景。...
2021-10-29 08:28:40
）?！ D3.雙柵鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 三柵極表示折疊在鰭片三面上的單個(gè)柵極電極。三柵極中翅片上方的電場(chǎng)不受抑制，柵極從三個(gè)側(cè)面施加控制（圖4）。 圖4.三柵鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 第三個(gè)柵極增加了工藝
2023-02-24 15:20:59
兩個(gè)N型半導(dǎo)體和一個(gè)P型半導(dǎo)體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。在二極管教程中，我們看到簡單的二極管由兩塊半導(dǎo)體材料組成，形成一個(gè)簡單的pn結(jié)。而晶體管是通過背靠背連接兩個(gè)二極管而形成的三端固態(tài)器件。因此，它有兩個(gè)PN結(jié)
2023-02-15 18:13:01
發(fā)射極流向集電極。摻雜半導(dǎo)體可以在晶體管的三個(gè)不同部分中找到。一側(cè)有一個(gè)發(fā)射器，另一側(cè)有一個(gè)收集器。術(shù)語“基地”是指中心區(qū)域。晶體管的三個(gè)組件將在下面詳細(xì)介紹。PNP 晶體管結(jié)構(gòu)發(fā)射發(fā)射器有責(zé)任向接收器
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
三極管的主要參數(shù)選用三極管需要了解三極管的主要參數(shù)。若手中有一本晶體管特性手冊(cè)最好。三極管的參數(shù)很多，根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，我認(rèn)為主要了解三極管的四個(gè)極限參數(shù)：ICM、BVCEO、PCM及fT即可滿足95
2010-08-17 09:24:08
主要參數(shù) 晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來表示晶體管放大能力?！ 『纳⒐β室卜Q集電極
2010-08-13 11:35:21
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
用multisim仿真高頻振蕩器，晶體管集電極輸出為12v,哪位高手幫我看看
2019-01-14 22:50:32
s1307是什么類型的晶體管？
2022-09-25 09:21:11
控制器件。 一、晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管說明: （1）晶體三極管含義: 用于電壓放大或者電路放大的控制器件。可以把基極和集電極的間的電壓Vbc放大到幾十到幾百倍以上，在發(fā)射集和集電極之間以Vce的方式
2019-04-09 11:37:36
進(jìn)行改變。因此，這就是光電晶體管僅包含兩個(gè)端子而不是三個(gè)端子的原因。一旦外部區(qū)域保持陰涼，設(shè)備就會(huì)關(guān)閉。
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光電晶體管
基本上，沒有電流從集電極區(qū)域流向
2023-08-02 12:26:53
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
：發(fā)射極、基極和集電極;場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三極是：源極、柵極、漏極。由于晶體管的三極性，它們也有三種使用方式：接地發(fā)射極（也稱為公共發(fā)射放大器/ CE配置），接地基極（也稱為公共基極放大器/CB配置）和接地
2023-02-03 09:36:05
典型GaN晶體管的核心是一個(gè)導(dǎo)電通道，它由AlGaN阻擋層和GaN緩沖層間界面上產(chǎn)生的二維電子氣形成（見圖1）。這種器件傾向在一個(gè)異質(zhì)基板上生產(chǎn)，典型的是硅或碳化硅，并具備三個(gè)電極：源極、漏極、柵極。為
2020-11-27 16:30:52
從基極流向發(fā)射極時(shí)，晶體管導(dǎo)通，將電流從集電極引導(dǎo)到發(fā)射極，而不是從晶體管基極流向發(fā)射極。PNP晶體管在另一個(gè)方向工作。電流通常從晶體管的發(fā)射極流向基極，當(dāng)足夠的電流從發(fā)射極流向基極時(shí)，晶體管打開，將
2023-02-03 09:50:59
相當(dāng)高的總電流增益。輸出晶體管的最大集電極電流決定了輸出晶體管對(duì)的最大集電極電流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空間更少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管通常封裝在一個(gè)器件中。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是整個(gè)電路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
雙極晶體管，具有三個(gè)引腳，集電極、基極和發(fā)射極。晶體管的增益在 110 到 800 之間，這是決定該晶體管放大率的值。集電極的最大電流為 100mA，因此消耗超過該電流的負(fù)載不能連接到該晶體管。偏置
2022-08-30 07:23:58
用作Q2的基極電壓，以在晶體管Q2中產(chǎn)生更穩(wěn)定的電流。波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為3 V，偏置為1.5 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測(cè)量Q2集電極上的穩(wěn)定輸出電流。置示波器以
2021-11-01 09:53:18
的原理是什么？晶體管由兩個(gè)背靠背連接的PN二極管組成。它有三個(gè)端子，即發(fā)射器，基極和集電極。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個(gè)通道的較小電流的強(qiáng)度來控制通過一個(gè)通道的電流。4.晶體管
2023-02-03 09:32:55
。PNP 晶體管有三個(gè)端子：集電極 （C）、發(fā)射極 （E） 和基極 （B）（B）。PNP 晶體管的功能類似于背靠背連接的兩個(gè) PN 結(jié)二極管。
2023-02-03 09:45:56
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
單結(jié)晶體管有一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極，一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極，所以又稱雙基極二極管。其結(jié)構(gòu)、等效電路及電路符號(hào)如下圖所示。a、單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)；b、等效電路；c、電路符號(hào)它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
2PNP 150V 0.2A SOT26 晶體管類型2 PNP（雙）配對(duì)電流 - 集電極（Ic）（最大值）200mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）150V不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值
2020-02-25 11:39:26
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
，則分析時(shí)則按照單獨(dú)的晶體管電路分析，與一般晶體管電路無差。
如果多發(fā)射極或多集電極的電路在非多極的一側(cè)全部短起來當(dāng)作一個(gè)晶體管，那么此時(shí)的關(guān)系可以看作一個(gè)或門的關(guān)系，只要有一路導(dǎo)通，則晶體管就實(shí)現(xiàn)
2024-01-21 13:47:56
（1）場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-03-28 11:37:20
`二極管、三極管是沿襲原來電子管的叫法,由半導(dǎo)體晶體制成的管子具有三極管的功能的叫半導(dǎo)體晶體三極管,簡稱為半導(dǎo)體管或者晶體管. 在晶體管中靠兩種載流子形成電流的叫雙極型晶體管, 另有一種僅靠一種
2012-07-11 11:42:48
同國產(chǎn)管的第三位基本相同。 晶體管是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。二、晶體管的種類晶體管有多種分類方法。（一）按半導(dǎo)體材料和極性
2012-07-11 11:36:52
NPN達(dá)林頓配置中，兩個(gè)晶體管的集電極連接，而第二個(gè)晶體管的基極連接到第一個(gè)晶體管的發(fā)射極。從配置中，我們看到第一個(gè)晶體管的發(fā)射極電流成為打開它的第二個(gè)晶體管的基極電流?！ ∈褂?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)
2023-02-20 16:35:09
的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，右邊是P溝道的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方向如何判斷呢？**它的判斷規(guī)則就是對(duì)于N溝道，由S極指向D極；對(duì)于P溝道，由D極指向S極。如何分辨三個(gè)極？D極單獨(dú)位于一邊，而G極是第4PIN。剩下的3個(gè)腳則是S
2019-03-29 12:02:16
如何快速定性判斷場(chǎng)效應(yīng)管、三極管的好壞？怎么判斷結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極？有什么注意事項(xiàng)？如何判別晶體三極管管腳？
2021-05-10 06:36:25
們測(cè)量NPN管時(shí)，正極測(cè)試引線連接到發(fā)射極，負(fù)極測(cè)試引線連接到集電極。測(cè)得的電阻一般應(yīng)超過幾千歐姆?！ ∪缓笤诨鶚O和集電極之間串聯(lián)一個(gè)100kΩ電阻。此時(shí)，萬用表測(cè)量的電阻值應(yīng)顯著降低。變化越大，晶體管
2023-02-14 18:04:16
開關(guān)二極管IN4148與電阻R1的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時(shí)，為反向基極電流提供一個(gè)低阻抗的通路?！ 〖铀匐娐?b class="flag-6" style="color: red">三 在加速電路三中，并聯(lián)在基極電阻RB兩端的高速開關(guān)二極管IN4148的作用是當(dāng)晶體管VT1截止時(shí)，為反向基極電流提供通路，迅速釋放基極與發(fā)射極間電容儲(chǔ)存的電量，加快晶體管的關(guān)閉。
2020-11-26 17:28:49
電路之一是具有發(fā)射極偏置電路的自偏置功能，其中一個(gè)或多個(gè)偏置電阻器用于為三個(gè)晶體管電流（I B）設(shè)置初始DC值 ， （I C）和（I E）。雙極晶體管偏置的兩種最常見形式是：Beta依賴和Beta獨(dú)立
2020-11-12 09:18:21
三極管類型，并辨別出e（發(fā)射極）、b（基極）、c（集電極）三個(gè)電極 ?、儆弥羔樖饺f用表判斷基極b和三極管的類型：將萬用表歐姆擋置“R&TImes;100”或“R&TImes;lk”處
2019-03-14 09:11:10
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
柵、源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。 極間電容 場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好。(3)極限參數(shù) 漏、源擊穿電壓 當(dāng)漏極電流急劇上升時(shí)，產(chǎn)生雪崩擊穿時(shí)的UDS。 柵極擊穿電壓 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，柵、源極之間的PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)，若電流過高，則產(chǎn)生擊穿現(xiàn)象。
2008-08-12 08:39:59
一個(gè)指定其功能的名稱。這些稱為發(fā)射器（E），基極（B）和集電極（C）。使用NPN晶體管時(shí)，集電極連接到N部分之一，基極連接到中間的P部分，E連接到另一個(gè)N部分。P段被輕度摻雜，而發(fā)射極端的N段被重?fù)诫s
2023-02-17 18:07:22
強(qiáng)型、P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。 MOS管應(yīng)該如何檢測(cè)呢？MOS管的外形、結(jié)構(gòu)及符號(hào)如下圖所示，三個(gè)電極分別為柵極G、源極S、漏極D。國產(chǎn)N溝道管典型產(chǎn)品有3DJ2、3DJ4.3DJ6、3DJ7，P
2018-10-23 15:10:53
如何檢測(cè)晶體管和三極管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的檢測(cè) 1、檢測(cè)小功率晶體二極管 A、判別正、負(fù)電極 (a)、觀察外殼上的的符號(hào)標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號(hào)，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負(fù)極
2013-11-27 19:21:18
2個(gè)電阻器的晶體管。直流電流放大率為 輸出電流/輸入電流 ，因此不因輸入電阻R1，放大率下降。僅有輸入電阻R1的類型 放大率表示為hFE，與個(gè)別晶體管hFE相等。如果在E-B間附加電阻R2，輸入電流則
2019-04-22 05:39:52
晶體管是指普通晶體管上連接2個(gè)電阻器的晶體管。直流電流放大率為 輸出電流/輸入電流 ，因此不因輸入電阻R1，放大率下降。僅有輸入電阻R1的類型 放大率表示為hFE，與個(gè)別晶體管hFE相等。如果在E-B
2019-04-09 21:49:36
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀電路圖的工作原理:要描繪晶體管的特性曲線，需要對(duì)被測(cè)晶體管加上兩種電壓:一是要在晶體管的集電極加上工作電壓，但這個(gè)工作電壓不是固定的直流電壓，而是一個(gè)按一定頻率變化的鋸齒波
2008-07-25 13:34:04
件，二場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制器件。一、晶體三極管：用于電壓放大或者電路放大的控制器件?？梢园鸦鶚O和集電極的間的電壓Vbc放大到幾十到幾百倍以上，在發(fā)射集和集電極之間以Vce的方式輸出;還可以把基極電流
2019-03-27 11:36:30
三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。輸入級(jí)和輸出級(jí)都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實(shí)用中都簡稱為TTL
2017-09-19 10:22:59
2000一5000（α＝0.995-0.9998）?！ ∈且訮型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
; P溝道圖1-8：IGBT的圖形符號(hào)注意，它的三個(gè)電極分別為門極G、集電極C、發(fā)射極E。圖1-9：IGBT的等效電路圖。上面給出了該器件的等效電路圖。實(shí)際上，它相當(dāng)于把MOS管和達(dá)林頓晶體管做到了一起
2009-05-12 20:44:23
標(biāo)記為: 集電極、發(fā)射極和柵極。它的兩個(gè)端子(C-E)與通過電流的電導(dǎo)路徑相關(guān)聯(lián)，而它的第三個(gè)端子(g)控制器件。絕緣柵雙極性晶體管所達(dá)到的放大量是其輸出信號(hào)與輸入信號(hào)之間的比值。對(duì)于傳統(tǒng)的雙極性晶體管
2022-04-29 10:55:25
，隨著前面三個(gè)簡單電路的分析，引出了在使用晶體管的過程中基本需要注意的幾個(gè)主要因素：hFE（ DC Current Gain）；IC（ Collector Current - Continuous
2016-06-03 18:29:59
時(shí)，RC阻尼電路能夠一直晶體管集電極和發(fā)射極間出現(xiàn)的浪涌電壓。 3、充放電型RCD阻尼電路 圖三 圖三適用于帶有較窄反向偏置安全工作區(qū)的器件浪涌電壓一致。當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí)，電容C通過二極管被充電
2020-11-26 17:26:39
判別晶體管電極的方法
2009-07-31 17:38:01668 
圖1中的簡單晶體管測(cè)試儀可以判斷出晶體管的類型，并且能幫助檢測(cè)出晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。其方法是檢查被測(cè)晶體管三個(gè)端子T1、T2和T3之間流過的各種可能電流方向的
2012-03-28 18:02:541769 
晶體管是一種電子器件，它有三個(gè)電極：基極、集電極和發(fā)射極。
基極是晶體管的輸入端，也稱為“正向基極”，是一個(gè)半導(dǎo)體金屬片，通常是一個(gè)鍍錫或鍍銀的金屬片，用于將外部信號(hào)引入到晶體管內(nèi)部。
2023-02-11 15:23:1314431 晶體管的三個(gè)極的電壓關(guān)系 晶體管作為一種電子器件，是當(dāng)今電子技術(shù)和通信領(lǐng)域中不可或缺的重要元件。晶體管的基本結(jié)構(gòu)包括一個(gè)基極、一個(gè)發(fā)射極和一個(gè)集電極。它實(shí)現(xiàn)了一種對(duì)電流的控制，從而能夠?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)備
2023-08-25 15:35:205252 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大電信號(hào)、開關(guān)電路和邏輯運(yùn)算等。它是現(xiàn)代電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)科學(xué)的核心之一。在晶體管中，有三個(gè)電極：基極、發(fā)射極和集電極。這三個(gè)電極的電壓之間的關(guān)系對(duì)于理解晶體管的工作原理
2023-12-20 14:50:491205 晶體管是一種常用的電子器件，用于放大和控制電信號(hào)。判斷晶體管的一種常見方法是根據(jù)管腳電位來識(shí)別晶體管的類型和狀態(tài)。本文將詳細(xì)介紹如何根據(jù)管腳電位來判斷晶體管，分為以下幾個(gè)部分進(jìn)行闡述： 晶體管
2024-01-09 17:29:41332 晶體管是由三個(gè)主要元件組成的，即漏極（Collector）、基極（Base）和發(fā)射極（Emitter）。晶體管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大和控制電流。它是現(xiàn)代電子技術(shù)中最重要的元件之一。
2024-02-03 14:12:12613
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