igbt單管和igbt模塊的區(qū)別 igbt工作原理和作用

? ? ? IGBT單管是一種單片IGBT，它只有一個(gè)IGBT晶體管，一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器。IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單，可以提供高效率，低功耗，高可靠性和高穩(wěn)定性。它可以用于高壓，高頻，高功率的電力控制應(yīng)用，如電動(dòng)機(jī)控制，變頻器，UPS，逆變器，電源等。

　　IGBT單管、IGBT模塊、的區(qū)別

　　1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝。

　　2，IGBT模塊：模塊化封裝就是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起。

　　IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247 TO3P等封裝。

　　IGBT模塊：即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1，2in1，6in1等。

　　IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單，只有一個(gè)IGBT晶體管，一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜，除了IGBT晶體管，反向恢復(fù)二極管，溫度傳感器外，還有漏電感，濾波電容器，放大器，控制電路等。此外，IGBT單管的功耗比IGBT模塊低，但I(xiàn)GBT模塊的可靠性更高。

　　igbt工作原理和作用

　　IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IG.。。大功率igbt模塊替換原理

　　IGBT的工作原理：以DC電路逆變?yōu)閱蜗嘟涣麟娐窞槔河盟膫€(gè)IGBT代替全橋整流電路的四個(gè)二極管，不同的是IGBT的導(dǎo)通可以通過(guò)控制它們的基極來(lái)實(shí)現(xiàn)。如果從上到下排列四個(gè)IGBT，從左到右的順序是V1、V2、V3、V4；其中V1和V2.。

　　IGBT如何選型

　　1、IGBT額定電壓的選擇

　　三相380V輸入電壓經(jīng)過(guò)整流和濾波后，直流母線電壓的最大值：在開關(guān)工作的條件下，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級(jí)，選擇1200V電壓等級(jí)的IGBT。

　　2、IGBT額定電流的選擇

　　以30kW變頻器為例，負(fù)載電流約為79A，由于負(fù)載電氣啟動(dòng)或加速時(shí)，電流過(guò)載，一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi)，承受1.5倍的過(guò)流，擇最大負(fù)載電流約為119A ，建議選擇150A電流等級(jí)的IGBT。

　　3、IGBT開關(guān)參數(shù)的選擇

　　變頻器的開關(guān)頻率一般小于10kHZ，而在實(shí)際工作的過(guò)程中，IGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大，建議選擇低通態(tài)型IGBT。

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