簡述MOSFET基本原理（上）

半導(dǎo)體是如何實現(xiàn)導(dǎo)電的？

物質(zhì)能否導(dǎo)電取決于構(gòu)成物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)中是否存在自由電子（負(fù)電荷）或者空穴（正電荷），統(tǒng)稱為載流子。導(dǎo)電能力的大小又取決于物質(zhì)原子結(jié)構(gòu)中載流子的多少，載流子越多，導(dǎo)電能力越強。

我們知道金屬導(dǎo)電，絕緣材料不導(dǎo)電，因此這兩類材料就代表了要在導(dǎo)電和不導(dǎo)電之間做出選擇。簡單做個比喻，選擇金屬就是導(dǎo)電，選擇絕緣材料就是不導(dǎo)電，這就是一個0和1之間做出選擇的情況。

但是如果兩種狀態(tài)都需要用到的時候怎么辦？簡單來說就是要在我想要它導(dǎo)電的時候變成“金屬”，不想要它導(dǎo)電的時候變成“絕緣材料”，0和1都要，是可以選擇和變化的。

對于這種0和1的變換，這里就和我們在現(xiàn)在的計算機中的原理對應(yīng)起來了，計算機本就是一系列的0和1二進制運算構(gòu)成的系統(tǒng)，底層的邏輯就是導(dǎo)通和不導(dǎo)通的原理。什么樣的材料能夠?qū)崿F(xiàn)“0和1”的兼容？半導(dǎo)體的出現(xiàn)給出了最好的答案。

我們熟悉的半導(dǎo)體材料最多的就是Si了，如果是一個純凈的Si材料，經(jīng)過一定的工藝制程單晶體可以變成本征半導(dǎo)體。Si晶體中的原子在空間中形成排列整齊的陣列，稱為晶格。相鄰的原子間距小，兩個相鄰的原子的一對最外層電子同時在自己的原子核圈內(nèi)運動也在對方的軌道上出現(xiàn)，出現(xiàn)了共用電子的情況，這樣的結(jié)構(gòu)稱為共價鍵結(jié)構(gòu)，如下圖所示（一個Si原子有4個電子）：

正常情況下這種結(jié)構(gòu)中的電子是非常穩(wěn)定的，僅有極少數(shù)的共價電子由于熱運動獲得了足夠的能力從而掙脫束縛成為自由電子，掙脫了束縛之后原來共價穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)中就空出了一個位置，空出來的地方叫做空穴（由于電子脫離而帶正電荷），自由飄蕩在外的是自由電子（負(fù)電荷）。

空穴和自由電子都是成對出現(xiàn)的，如果在結(jié)構(gòu)中加上電壓，那么電子將會產(chǎn)生定向運動從而形成電流。另一方面，價電子將會按照一定方向依次填補空穴，所以相對來說空穴也就有一個相對運動（依次跳到下一個坑里面去填上，再跳出來再填下一個，這樣就流水線一樣的動起來了）。這種可以流動的粒子統(tǒng)稱為載流子，在導(dǎo)電的導(dǎo)體中只有可以自由移動的電子作為載流子，而在本征半導(dǎo)體中則有電子、空穴兩種載流子，如下圖所示。

本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)正常情況下相對穩(wěn)定，結(jié)構(gòu)中載流子在沒有受到熱激發(fā)的情況下為0。當(dāng)半導(dǎo)體受到熱激發(fā)，溫度升高就會產(chǎn)生自由電子和空穴，隨著溫度升高濃度越來越高，導(dǎo)電能力越強。

反之則濃度越低，導(dǎo)電能力越弱。為了使得半導(dǎo)體中的載流子濃度提高，提升導(dǎo)電能力可以通過向結(jié)構(gòu)中注入其他的元素來破壞其原有的結(jié)構(gòu)，簡單來說就是擠出電子或者增加空穴。通常會選擇Ⅲ-Ⅴ族的元素，如三價的硼B(yǎng)和五價的磷P。

三價元素外圍只有3個電子，摻雜之后與周圍的原子共價之后還缺少一個電子填空，因此形成了空穴（正電荷），構(gòu)成了P（Positive的意思）型半導(dǎo)體。五價元素同樣的道理，外圍有5個電子，4個形成了共價鍵，多出來一個自由電子（負(fù)電荷），構(gòu)成了N（Negative的意思）型半導(dǎo)體，如下圖所示。在N型半導(dǎo)體中，自由電子濃度大于空穴，因此自由電子稱為多子（多數(shù)的載流子），同樣P型半導(dǎo)體中空穴是多子。

PN結(jié)與耗盡層

擴散運動：物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的地方運動。當(dāng)我們把P型和N型半導(dǎo)體放在一起的時候，兩者之間不同載流子的濃度是不同的。

P型半導(dǎo)體中空穴多，N型半導(dǎo)體自由電子多，彼此對于地方都是一個低濃度的地方。因此P型半導(dǎo)體的空穴會向N型半導(dǎo)體運動，N型半導(dǎo)體的自由電子會向P型半導(dǎo)體運動。當(dāng)空穴和電子相遇的時候就自動結(jié)合，因此在交界面附近載流子的濃度下降。

在結(jié)合過程中慢慢形成了電場區(qū)域，由N型指向P型，空穴與自由電子結(jié)合使得正負(fù)離子達到平衡，構(gòu)成了內(nèi)部靜電場，電壓為Uho。由于內(nèi)部電場力的作用同時電場力的作用距離有限，因此正電荷被排斥向左邊，自由電子被排斥在右邊，中間形成了一個只有正負(fù)離子的區(qū)域。這個區(qū)域內(nèi)沒有載流子了，直接說就是載流子被消耗完了，因此空間電荷區(qū)又被稱為耗盡層。

前面我們提到物質(zhì)導(dǎo)電與否取決于結(jié)構(gòu)中是否有載流子，導(dǎo)電能力大小取決于載流子的多少。在耗盡層中沒有載流子了，因此這個區(qū)域就不導(dǎo)電了。當(dāng)此時我們施加一個外部電壓，電場力的方向和內(nèi)部電場力的方向相反，抵消了內(nèi)部電場力的作用，引起空穴向左邊運動，自由電子向右邊移動（同性相斥、異性相吸），從而使得耗盡層變窄，電阻降低，這個時候就能夠?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)通了，如下圖所示。

相反的，當(dāng)外加一個反向電壓，和內(nèi)部電場力的方向保持一致，則耗盡層將會擴大，增大到一定程度則會導(dǎo)致PN結(jié)幾乎被耗盡層占完，沒有載流子了，無法導(dǎo)電，實現(xiàn)了斷路的作用，如下圖所示：

這樣一來就實現(xiàn)了通斷兼容，0和1隨時切換了，這也是PN結(jié)的單向?qū)ǖ幕驹?，?a href="http://www.ttokpm.com/v/tag/8791/" target="_blank">數(shù)字電路里面這是實現(xiàn)0和1的方式，在功率電路里面是實現(xiàn)PWM轉(zhuǎn)換器的基本手段。MOSFET管子的工作基本原理也是這樣的，接下來我們將介紹MOSFET的基本工作原理。MOS的核心原理就是利用電場的作用，改變耗盡層的大小，使得該區(qū)域時而導(dǎo)電時而斷開。