晶體管輸出伏安特性，是指一個確定的基極電流Ib下，集電極電流Ic與與輸入電壓Uce的關(guān)系，理想狀態(tài)下如下圖關(guān)系，集電極電流與輸入電壓沒有關(guān)系，是由基極電流決定的。
2023-02-23 13:50:52
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的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可以在內(nèi)部工作原理中引導(dǎo)和直流電，以調(diào)節(jié)它們并將它們帶到需要的地方。晶體管就是其中之一。8050型晶體管是一種非常特殊的器件，被歸類為負(fù)-正-負(fù)（NPN）外延放大器晶體管，最常見于無線電
2023-02-16 18:22:30
用NPN型功率晶體管擴(kuò)流的CW200集成穩(wěn)壓電源
2008-11-12 14:50:56
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個通道的較小電流的強(qiáng)度來控制通過一個通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
兩個N型半導(dǎo)體和一個P型半導(dǎo)體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
目標(biāo)：設(shè)計(jì)一共射極直流增益β>150的NPN雙極型晶體管，并分析其輸入特性和輸出特性。1）MDRAW工具設(shè)計(jì)一個雙極型晶體管（平面工藝）；2）在MDRAW下對器件必要的位置進(jìn)行網(wǎng)格加密；3
2014-05-26 19:51:59
，PHP型管置換PNP型管。特性相近用于置換的晶體管應(yīng)與原晶體管的特性相近，它們的主要參數(shù)值及特性曲線應(yīng)相差不多。晶體管的主要參數(shù)近20個，要求所有這些參數(shù)都相近，不但困難，而且沒有必要。一般來說，只要下述
2015-07-07 16:56:34
題庫來源：特種作業(yè)?？碱}庫小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當(dāng)于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運(yùn)放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當(dāng)需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管在高頻信號幅頻特性不擴(kuò)展的理由擴(kuò)展共射級放大電路的幅頻特性
2021-03-02 07:51:16
的應(yīng)用。二、晶體管分類及其工作原理晶體管泛指所有半導(dǎo)體器件，包含N多種類，因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據(jù)使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據(jù)極性的不同可分為NPN型晶體管和PNP型
2016-06-29 18:04:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
? 01晶體管測量模塊在 淘寶購買到的晶體管測試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨?！?剛剛到貨的集體管測試線是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點(diǎn)陣液晶屏，顯示內(nèi)容更加
2021-07-13 08:30:42
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種
2018-01-15 12:46:03
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶體管的分類 Si晶體管的分類根據(jù)不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
之間）和發(fā)射結(jié)（B、E極之間），發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
。 7．音頻功率放大互補(bǔ)對管的選用音頻功率放大器的低放電路和功率輸出電路，一般均采用互補(bǔ)推挽對管（通常由1只NPN型晶體管和1只PNP型晶體管組成）。選用時要求兩管配對，即性能參數(shù)要一致。 低放電路中
2012-01-28 11:27:38
很少一部分在基區(qū)被復(fù)合，大部分電子是在集電結(jié)的強(qiáng)電場的作用下，集中到了集電極，構(gòu)成了集電極電流的主體，所以，此時的集電極電流要遠(yuǎn)大于從基極注入的電流，這就是晶體管放大功能的物理模型。此時，是以NPN型
2012-02-13 01:14:04
，晶體管的輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達(dá)式為：。晶體管輸出特性曲線的三個區(qū)域?qū)?yīng)于 晶體管的三個工作狀態(tài)（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN
2019-05-09 23:12:18
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應(yīng)晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
PNP雙極型晶體管的設(shè)計(jì)
2012-08-20 08:29:56
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型低通濾波器，帶隙型穩(wěn)壓電路，三角波→正弦波變換器，低失真系數(shù)振蕩器，移相器，串聯(lián)調(diào)節(jié)器，斬波放大器等。 點(diǎn)擊鏈接進(jìn)入舊版 ：晶體管電路設(shè)計(jì)與制作
2020-08-19 18:24:17
上使用的模擬器“SPICE”對設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36
伏安特性是指加在二 極 管兩端的電 壓u與流過=極管的電 流，之間的關(guān)系，即，I=f（U）。2CP12（普通型硅=極管）和2AP9（普通型鍺二 極 管）的伏安特。11.png
2020-10-27 10:17:50
1三極管基本特性晶體管分為三極管和場效應(yīng)管，三極管電路的學(xué)習(xí)更具普遍性，場效應(yīng)管的應(yīng)用我們放到后面電源管理的章節(jié)介紹。晶體管都可分為N型和P型，具體到三極管就是NPN三極管和PNP三極管。我們主要
2021-12-30 07:30:30
字（可選）
PNP 和 NPN 晶體管
晶體管的種類繁多，每種晶體管的特性各不相同，各有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。某些類型的晶體管主要用于開關(guān)應(yīng)用。其他的可用于開關(guān)和放大。盡管如此，其他晶體管仍屬于自己的專業(yè)組
2023-08-02 12:26:53
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
類型。3.2 晶體管的種類及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點(diǎn)：電壓高，電流大，開關(guān)特性好，驅(qū)動功率高，但驅(qū)動電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結(jié)型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項(xiàng)。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關(guān)。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
年代和 1960 年代，它也被稱為超級阿爾法對。Darlington認(rèn)識到這種設(shè)計(jì)對發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢，并為這一概念申請了專利?！ ∵_(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對輸入電流
2023-02-16 18:19:11
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標(biāo)本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定（對輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
的兩種主要類型是什么？晶體管基本上分為兩種類型;它們是雙極結(jié)型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。BJT再次分為NPN和PNP晶體管。5.晶體管有多少種？兩種類型晶體管有兩種類型，它們在電路中
2023-02-03 09:32:55
伏安特性分析儀簡稱IV分析儀，專門用來測量二極管的伏安特性曲線、晶體管三極管的輸出特性曲線，以及MOS場效應(yīng)管的輸出特性曲線。
IV分析儀相當(dāng)于實(shí)驗(yàn)室的晶體管圖示儀，需要將晶體管與連接
2023-04-27 16:28:47
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
VT稱為增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓?！ 螛O型晶體管特點(diǎn) 輸入電阻高，可達(dá)107~1015Ω，絕緣柵型場效應(yīng)管（IGFET）可高達(dá)1015Ω。 噪聲低，熱穩(wěn)定性好，工藝簡單，易集成，器件特性便于
2020-06-24 16:00:16
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發(fā)射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導(dǎo)通，則該多發(fā)射極晶體管集電極輸出導(dǎo)通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
（1）場效應(yīng)晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場效應(yīng)晶體管
2019-03-28 11:37:20
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
基于LabVIEW的三極管伏安特性測量1. 內(nèi)容利用LabVIEW設(shè)計(jì)一個三極管伏安特性測量程序，采用電壓掃描法實(shí)現(xiàn)對三極管伏安特性的分析。2. 要求
2016-07-05 10:34:20
基于單片機(jī)的晶體管特性圖示儀
2012-08-20 09:30:07
。對于NPN，它是灌電流?！ ∵_(dá)林頓晶體管開關(guān) 這涉及使用多個開關(guān)晶體管，因?yàn)橛袝r單個雙極晶體管的直流增益太低而無法切換負(fù)載電壓或電流。在配置中，一個小輸入雙極結(jié)型晶體管（BJT）晶體管參與打開和關(guān)閉
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
怎樣去設(shè)計(jì)掃描信號發(fā)生器？掃描信號發(fā)生器的階梯波和鋸齒波有什么關(guān)系？以CRT示波器為顯示終端顯示波形，與通用晶體管特性圖示儀比較，具有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2021-04-15 06:13:59
黑色，則晶體管為NPN型;如果固定測試引線是紅色引線，則管子是PNP型晶體管?！ ∽⒁猓烘N管用R×100測量，硅管用R×1k測量?！ ?確定發(fā)射器和集電極 使用萬用表測量除基極電極外兩極的電阻。更換
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10進(jìn)行數(shù)據(jù)采集？如何用LabVIEW顯示單結(jié)晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
小功率管2N930 NPN LOW POWER 硅 晶體管 [53kb]2N1613 NPN - 音頻 output ,Video, Driver [NTE128][28KB]2N2222A NPN
2021-05-25 06:28:22
結(jié)型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。前者是本次討論的重點(diǎn)?！ ‰p極結(jié)型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型：NPN和PNP。這些名稱是指構(gòu)成組件的P型（正極）和N型（負(fù)極）半導(dǎo)體材料
2023-02-17 18:07:22
小弟想問，有誰可以告訴我。晶體管transistor part number(UTC MCR101L 6UDA)是NPN 還是PNP。如果找不到同一樣的晶體管(transistor)那我該買什么晶體管(transistor)來替換。急求。。。。。。。答案。。。。。
2011-06-21 13:38:28
變化。因這一變化點(diǎn)在3V以下，故產(chǎn)品為合格。關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性根據(jù)環(huán)境溫度、VBE、hFE、R1、R2變化。hFE的溫度變化率約為0.5％/oCVBE的溫度系數(shù)約為－2mV/oC(-1.8
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
的小變化將導(dǎo)致集電極電流的大變化。關(guān)于Beta的最后一點(diǎn)。相同類型和部件號的晶體管的Beta值會有很大的差異。例如，BC107 NPN雙極型晶體管的直流電流增益Beta值介于110和450之間（數(shù)據(jù)表值
2020-11-02 09:25:24
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
我在設(shè)計(jì) PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
求購雙極晶體管BD249C，NPN，30個，要求現(xiàn)貨。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
二極管的伏安特性是什么？溫度對二極管的伏安特性有何影響？
2021-10-08 08:55:17
儀器僅對NPN 型晶體管進(jìn)行測試，若要測試PNP 型管，需將電路內(nèi)的晶體管改型，3DG 改為3CG ， 3CG 改為3DG ， VD1 應(yīng)反接，電源正、負(fù)極互換(振蕩電路極性不變)。電路中， NE555
2008-07-25 13:34:04
不導(dǎo)通。當(dāng)UA＞UG時，P1N1結(jié)正偏將發(fā)生空穴注入，P1N1P2N2結(jié)構(gòu)開通，A-K間導(dǎo)通并出現(xiàn)負(fù)阻現(xiàn)象。其過程及伏安特性與單結(jié)晶體管十分相似，區(qū)別僅在于：單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性出現(xiàn)在E-B1之間，而
2018-01-22 15:23:21
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
晶體管中，輸入回路負(fù)載線與輸入特性曲線的交點(diǎn)為什么就是Q點(diǎn)？
2019-04-01 06:36:50
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
頻率特性變化的密勒效應(yīng)，再比如基于晶體管的負(fù)反饋、差分放大電路的設(shè)計(jì)。這些內(nèi)容如果認(rèn)真的去看《晶體管電路設(shè)計(jì)》，同時結(jié)合李老師的電路板進(jìn)行實(shí)際的電路搭建和測試分析，相信每一個位用心的同學(xué)都會有或多或少的收獲
2016-06-03 18:29:59
硅NPN RF晶體管BFX89、BFY90，專為VHF/UHF放大器、振蕩器、轉(zhuǎn)換器應(yīng)用BFX89和BFY90硅NPN RF晶體管采用TO-72封裝方式封裝。它們的實(shí)物如圖1所示，專為VHF/UHF
2019-04-08 01:46:37
NPN型和PNP型晶體管電路
2009-06-08 23:13:053255 
單結(jié)晶體管具有負(fù)租特性，其工作原理和伏安特性見圖1-31。
圖1-31中電源電壓UBB的
2009-07-31 17:22:552649 
NPN晶體管,NPN晶體管是什么意思
１９４７年１２月２３日，美國新澤西州墨累山的貝爾實(shí)驗(yàn)室里，３位科學(xué)家——巴丁博士、布菜頓博士和肖克萊博
2010-03-05 11:11:425389 NPN晶體管共發(fā)電路:
2012-04-17 15:14:451718 
Multisim 10的元器件庫提供數(shù)千種電路元器件供實(shí)驗(yàn)選用，虛擬測試儀器儀表種類齊全，有一般實(shí)驗(yàn)用的通用儀器，但沒有晶體管圖示儀，只能測試晶體三極管、PMOS和NMOS伏安特性曲線，不具備測試
2019-01-04 09:18:004248 
晶體管配置是NPN晶體管。我們還了解到雙極晶體管的結(jié)可以以三種不同的方式偏置 -公共基極，公共發(fā)射極和公共集電極。在本教程中，關(guān)于雙極晶體管，我們將更詳細(xì)地討論使用雙極NPN晶體管的“共發(fā)射極”配置，并舉例說明NPN晶體管的構(gòu)造以及晶體管電流特性
2019-06-25 15:14:168110 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是晶體管的特性與參數(shù)詳細(xì)資料說明包括了：1 晶體管的工作原理，2 晶體管的伏安特性，3 晶體管的主要參數(shù)
2019-06-17 08:00:00
23 今天為大家介紹晶體管由兩個PN結(jié)構(gòu)成，分為NPN型和PNP型兩類，根據(jù)使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。
2023-06-03 09:29:111255 
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