?收購）的UF4C和UF4SC?1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動汽車
2022-06-09 16:44:43
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SiC FET由UnitedSiC率先制造，現(xiàn)已推出第四代產(chǎn)品。第四代產(chǎn)品改進(jìn)了單元密度以降低單位面積的導(dǎo)通電阻（RDS.A），運用銀燒結(jié)粘接和晶圓減薄技術(shù)改進(jìn)了熱設(shè)計，從而盡量減小了到基片的熱阻。
2021-05-19 07:06:003205 
650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會指出，他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比其他器件好三倍嗎？
2021-01-08 11:38:382748 
UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個SiC JFET并將之與一個硅MOSFET封裝在一起。
2021-09-14 14:47:19612 
D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60m
2024-01-31 15:19:34487 
通和關(guān)斷狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。在150°C時，Si MOSFET的RDS(on) 導(dǎo)通電阻是25°C時的兩倍（典型值）；而SiC MOSFET的應(yīng)用溫度可達(dá)到200°C，甚至是更高的額定溫度，超高的工作溫度簡化
2019-07-09 04:20:19
-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-03-14 06:20:14
-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-04-22 06:20:22
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
導(dǎo)通電阻方面的課題，如前所述通過采用SJ-MOSFET結(jié)構(gòu)來改善導(dǎo)通電阻。IGBT在導(dǎo)通電阻和耐壓方面表現(xiàn)優(yōu)異，但存在開關(guān)速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度方面表現(xiàn)都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
對體二極管進(jìn)行1000小時的直流8A通電測試，結(jié)果如下。試驗證明，所有特性如導(dǎo)通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
相比，能夠以具有更高的雜質(zhì)濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數(shù)千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導(dǎo)通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21
誤導(dǎo)通的話，將有可能發(fā)生在高邊－低邊間流過直通電流（Flow-through Current）等問題。這種現(xiàn)象是SiC-MOSFET的特性之一–非?？焖俚拈_關(guān)引起的。低邊柵極電壓升高是由切換到高邊導(dǎo)
2018-11-30 11:31:17
關(guān)于電阻溫度系數(shù)所有物質(zhì)隨溫度變化內(nèi)部阻值會發(fā)生變化。電阻器也不例外，隨溫度變化阻值會發(fā)生變化。其變化比例稱為電阻溫度系數(shù)。單位為ppm/°C。根據(jù)基準(zhǔn)溫度條件下的阻值變化率和溫度差，可以用下式求得
2019-05-22 21:25:11
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導(dǎo)通電阻的音頻開關(guān)已經(jīng)開發(fā)了通過減少音頻爆破音的可能性來加強語音體驗。它們包括了最近的特性,具體地說是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時間和允許負(fù)電壓信號的能力。
2011-03-02 23:11:29
的導(dǎo)通電阻大大降低。在25°C至150°C的溫度范圍內(nèi)，SiC的變化范圍為20％，而Si的變化范圍為200％至300％.SiC MOSFET管芯能夠在200°C以上的結(jié)溫下工作。該技術(shù)還得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
之間呈電阻態(tài)，用最小導(dǎo)通電阻的參數(shù)。對于N溝道增強型，一般只要柵極加到4V（導(dǎo)通電壓），就開始導(dǎo)通，隨柵極電壓的增高，導(dǎo)通電阻越小。一般最小可到幾歐到0.0幾歐
2012-07-05 12:14:01
之間呈電阻態(tài)，用最小導(dǎo)通電阻的參數(shù)。對于N溝道增強型，一般只要柵極加到4V（導(dǎo)通電壓），就開始導(dǎo)通，隨柵極電壓的增高，導(dǎo)通電阻越小。一般最小可到幾歐到0.0幾歐轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-05 10:50:09
之間呈電阻態(tài)，用最小導(dǎo)通電阻的參數(shù)。對于N溝道增強型，一般只要柵極加到4V（導(dǎo)通電壓），就開始導(dǎo)通，隨柵極電壓的增高，導(dǎo)通電阻越小。一般最小可到幾歐到0.0幾歐轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-06 17:22:53
之間呈電阻態(tài)，用最小導(dǎo)通電阻的參數(shù)。對于N溝道增強型，一般只要柵極加到4V（導(dǎo)通電壓），就開始導(dǎo)通，隨柵極電壓的增高，導(dǎo)通電阻越小。一般最小可到幾歐到0.0幾歐轉(zhuǎn)載自電子發(fā)燒友網(wǎng)
2012-07-09 17:37:38
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區(qū)的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊，上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
忽略輸入開關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
，SiC-MOSFET在25℃時的變動很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關(guān)特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
orcad里，怎么做溫度分析，從哪里看元件隨溫度的變化比較靈敏？
2010-05-21 11:07:28
項目名稱：特種電源開發(fā)試用計劃：在I項目開發(fā)中，有一個關(guān)鍵電源，需要在有限空間，實現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對開關(guān)器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻都有嚴(yán)格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來越高，計劃把IGBT開關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
的EMI對比測試結(jié)果，曲線100MHz左右，SiC SBD比Si FRD低4dBuV左右，采用SiC SBD能夠改善系統(tǒng)電磁兼容問題。
圖：EMI對比測試結(jié)果
4、SiC SBD具有正溫度系數(shù)的導(dǎo)通電
2023-10-07 10:12:26
如下圖所示振蕩電路，當(dāng)溫度從-20度升溫到70度的過程中，C3上的直流電壓VC隨溫度的變化曲線程下凹狀態(tài)，我有如下問題請教資深大神1，為什么曲線下凹，是什么參數(shù)使之下凹？2，要如何做溫度補償使下凹
2019-07-15 09:51:14
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測試儀驗證電器和消費產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時，如果電器沒有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
XC8102采用小型封裝USP-4 (1.2 x 1.6 x 0.6mm)，XC8102 系列是內(nèi)置P 溝道MOS FET、帶保護(hù)電路的低導(dǎo)通電阻線路開關(guān)用電路，輸入電壓范圍1.2V～6.0V,當(dāng)
2021-04-19 07:57:47
小，因此在高溫條件下特性也很穩(wěn)定。上述的trr特性也相對于溫度非常穩(wěn)定。Si-FRD的trr隨溫度上升而増加，而SiC-SBD則能夠保持幾乎恒定的trr。此外，高溫工作時，開關(guān)損耗也幾乎沒有増加。另外
2018-12-04 10:26:52
原因是 FET 的導(dǎo)通電阻。這是一種十分簡單的 I2R 損耗形成機制，如圖 4 所示。但是，導(dǎo)通電阻會隨 FET 結(jié)溫而變化，這便使得這種情況更加復(fù)雜。所以，使用方程式 3）、4）和 5）準(zhǔn)確計算導(dǎo)
2019-11-30 18:41:39
RONp和RONn。●第1步：考慮系統(tǒng)的穩(wěn)定狀態(tài)① 線圈電流在一個周期內(nèi)不變② 電容器的電荷量在一個周期內(nèi)不變公式中中增加了導(dǎo)通電阻相關(guān)的項（紅色）。●第2步：.求出對干擾的變化量，描述傳遞函數(shù)
2018-11-30 11:48:22
我想選擇一塊模擬開關(guān)。用于Pt1000的溫度AD轉(zhuǎn)換，主要是為了節(jié)省恒流源溫度采集的電路。通過查找資料，大部分模擬開關(guān)都有較大的導(dǎo)通電阻，而且隨溫度變換較大。希望找到一款多通道模擬電路開，且隨溫度變化小的模擬開關(guān)。或者，有其他的解決辦法嗎？
2014-03-25 19:03:21
求推薦一款導(dǎo)通電阻毫歐級別的常閉型固態(tài)繼電器，或者其他的導(dǎo)通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態(tài)下是閉合，給電才導(dǎo)通
2021-01-09 09:50:06
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。3. SiC-SBD的恢復(fù)特性Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從
2019-05-07 06:21:51
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開關(guān)時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
開關(guān)處在導(dǎo)通狀態(tài)下出現(xiàn) DC 損耗，其原因是 FET 的導(dǎo)通電阻。這是一種十分簡單的 I2R 損耗形成機制，如圖 4 所示。但是，導(dǎo)通電阻會隨 FET 結(jié)溫而變化，這便使得這種情況更加復(fù)雜。所以
2020-04-01 11:07:48
一、溫度測量熱敏電阻測溫電路適合于遙測、小尺寸、微小溫差、惡劣壞境等情況。圖1(a)為最簡便的測溫電路。熱敏電阻RT的阻值隨溫度T而變化，知道了回路電流，即可求得阻值RT，進(jìn)而即可測得溫度T。圖1
2018-01-16 10:21:57
一樣，可以制成結(jié)型器件、場效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管?！ ∑鋬?yōu)點是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
了?！ 」逃袃?yōu)勢加上最新進(jìn)展 碳化硅的固有優(yōu)勢有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/片芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近，UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47
方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約30％，實現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。另外，通過獨創(chuàng)的安裝技術(shù)，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體
2019-03-18 23:16:12
請問哪位大神知道AD8436的內(nèi)部FET的10K的電阻的溫度系列是多少呢？
2018-08-14 06:51:22
請問哪位大神知道AD8436的內(nèi)部FET的10K的電阻的溫度系列是多少呢？
2023-11-20 06:57:03
我有2個很快的問題。1。AMUX和AMUX定序器的導(dǎo)通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
1. 設(shè)計要求使用熱敏電阻類的溫度傳感器件利用其感溫效應(yīng)，將隨被測溫度變化的電壓或電流用單片機采集下來，將被測溫度在顯示器上顯示出來：n測量溫度范圍?50℃～110℃。n精度誤差小于0.5℃。LED
2017-12-22 22:22:37
輸出電阻rds和互導(dǎo)gm都會受到輸出電壓vgs的影響，那么在mos場效應(yīng)管的小信號模型中，輸出電阻和互導(dǎo)是否會受到交流信號的影響不斷變化？
2023-04-28 14:32:13
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達(dá) 100A，運行頻率高達(dá) 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現(xiàn)寄生導(dǎo)通和關(guān)斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅(qū)動器
2018-09-30 09:23:41
描述 此設(shè)計采用帶 SiC-FET 的低成本初級側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2022-09-27 06:03:07
℃時導(dǎo)通壓降約4.7V。從綜合指標(biāo)看，這些MOSFET均優(yōu)于常規(guī)MOSFET，并不是因為隨管芯面積增加，導(dǎo)通電阻就成比例地下降，因此，可以認(rèn)為，以上的MOSFET一定存在類似橫向電場的特殊結(jié)構(gòu)，可以看到
2023-02-27 11:52:38
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低導(dǎo)通電阻，4A 集成負(fù)載開關(guān) 特性 說明 ? 輸入電壓范圍：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
FET導(dǎo)通電阻Ron的修正電路圖
2009-08-15 17:30:051498 
導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 精密電阻是什么？ 精密電阻，是指電阻的阻值誤差、電阻的的熱穩(wěn)定性（溫度系數(shù)）、電阻器的分布參數(shù)（分布電容和分布電感）等項指標(biāo)均達(dá)到一定標(biāo)準(zhǔn)的電阻器。 精密電阻和普通電阻的區(qū)別 材料性能上的差別
2017-11-25 10:32:3313501 眾所周知，任何導(dǎo)體的電阻在溫度改變時都是會發(fā)生變化，如金屬的電阻總是隨溫度的升高而增大，這是因為當(dāng)溫度升高時，金屬中分子熱運動加劇的結(jié)果。當(dāng)導(dǎo)體電阻為1Ω時，溫度變化1℃，其電阻變化的數(shù)值稱為電阻溫度系數(shù)。由于可見，溫度對不同物質(zhì)的電阻值均有不同的影晌。那么您知道電阻與溫度的關(guān)系公式是怎樣的嗎？
2019-06-19 11:38:22116227 精密合金電阻和普通電阻的區(qū)別有那幾個方面呢？首先它們使用不同的材料，因而性能上就存在差別：制作精密合金電阻的材料溫度穩(wěn)定性要高于普通電阻的材料，在一定的溫度范圍內(nèi)，精密合金電阻的誤差比普通電阻的誤差小很多。如果說普通電阻的誤差有1%~5%，而精密合金電阻的誤差只有0.1%的范圍甚至更小。
2019-12-20 14:19:066051 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:403728 對于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。
2020-06-22 15:54:12771 UnitedSiC SiC FET用戶手冊
2021-09-07 18:00:13
17 在我們大部分的電子產(chǎn)品設(shè)計中，檢測溫度一般是通過溫度傳感器或者熱敏電阻來實現(xiàn)產(chǎn)品的低溫、高溫保護(hù)策略。而實際為了產(chǎn)品的經(jīng)濟及方便些，大多數(shù)是使用NTC熱敏電阻來檢測溫度的變化。NTC是負(fù)溫度系數(shù)電阻，當(dāng)溫度越高，NTC電阻的阻值就會越小。
2022-05-21 09:14:004407 
本文基于PGC 咨詢公司進(jìn)行的分析，研究了當(dāng)今的 650-V 和 1，200-V SiC MOSFET，揭示了這些問題，包括柵極氧化物可靠性的優(yōu)化，這有助于降低比導(dǎo)通電阻，降低碳化硅成本。
2022-07-29 17:19:05952 
的9mOhm導(dǎo)通電阻，擴大了性能領(lǐng)先地位。 新型碳化硅 FET 采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝。提供業(yè)界額定值最低的 RDS（on），是同類產(chǎn)品中唯一提供5μs的可靠短路耐受時間額定值的器件（參見Figure 1）。
2022-08-01 12:14:081068 甲碳化硅（SiC） JFET是一結(jié)基于常導(dǎo)通晶體管類型，它提供了最低的導(dǎo)通電阻R DS（ON）的每單位面積和是一個強大的設(shè)備。與傳統(tǒng) MOSFET 器件相比，JFET 不太容易發(fā)生故障，并且適合
2022-08-05 10:31:17716 
寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對比。
2022-10-31 09:03:23666 高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-11-11 09:11:55857 高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。
2022-11-11 09:13:27787 比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2022-11-14 09:05:17665 OBC 充電器中的 SiC FET
2022-12-28 09:51:07565 
ntc熱敏電阻的阻值如何變化?? 熱敏電阻是一種特殊的電阻，其電阻值隨著溫度的變化而變化。它是利用物質(zhì)在溫度變化下電阻率的變化來實現(xiàn)的。具有溫度特性的材料稱為熱敏材料，熱敏電阻就是利用熱敏材料制成
2023-08-31 11:21:321702 溫度升高熱敏電阻阻值如何變化? 在熱學(xué)中，熱敏電阻是一種可以根據(jù)溫度變化而改變其電阻值的電子組件。通常情況下，溫度升高會使熱敏電阻的電阻值變化，這意味著熱敏電阻可以用于測量溫度變化。 熱敏電阻
2023-09-02 10:13:212898 聯(lián)合SiC的FET-Jet計算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結(jié)果
2023-09-27 15:15:17499 
SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — — 進(jìn)行正確的比較
2023-09-27 15:08:29250 
和較低的傳導(dǎo)損耗，能夠在各類應(yīng)用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術(shù)相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的感應(yīng)電流和電壓，導(dǎo)致效率降低，組件受到應(yīng)力，影響可靠性。此外，由于現(xiàn)在SiC FET導(dǎo)通電阻通常以毫歐為單位進(jìn)行
2023-09-20 18:15:01233 
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208 
精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個常見的元件，它被用來控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹
2023-10-29 11:21:55933 還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢！
2023-11-29 16:49:23277 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24172 
充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21152 
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2023-12-15 16:51:34191 
Q A 問： 電阻的溫度系數(shù)和 PPM 解釋 電阻 的 溫度系數(shù) 表征了觀察到的電阻阻值如何隨器件溫度的變化而變化。溫度系數(shù)也可以應(yīng)用于其他部件，如 電位器 、 振蕩器 、 晶體 、 RTD
2023-12-07 10:25:03215 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 (on)。作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產(chǎn)品，其最高可達(dá)60mΩ的導(dǎo)通電阻值，使其在電動汽車（EV）領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，尤其適用于車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)（PTC）加熱器模塊等關(guān)鍵應(yīng)用。
2024-02-01 10:18:06202
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