工業(yè)4.0時(shí)代及電動(dòng)汽車快速的普及，工業(yè)電源、高壓充電器對(duì)功率器件開關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰，SiC MOSFET在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢(shì)更為凸顯。
2021-09-15 09:34:00
9384 本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。
2015-06-12 09:51:234738 Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸S著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)
2015-10-14 09:38:542606 
本文將介紹一種門極驅(qū)動(dòng)器利用SiC-MOSFET的檢測(cè)端子為其提供全面保護(hù)的先進(jìn)方法。所提供的測(cè)試結(jié)果包括了可調(diào)整過(guò)流和短路檢測(cè)以及軟關(guān)斷和有源鉗位（可在關(guān)斷時(shí)主動(dòng)降低過(guò)壓尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:578316 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過(guò)，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢(shì)是非常有用的。本章將通過(guò)其他功率晶體管的比較，進(jìn)一步加深對(duì)SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522075 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月1日）宣布，其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu)，并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型
2023-06-09 11:20:09366 
在高耐壓范圍中，SiC MOSFET與Si-MOSFET相比，具有“開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢(shì)?；谶@些優(yōu)勢(shì)，當(dāng)SiC-MOSFET用于AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC
2019-04-24 12:46:442091 有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
。關(guān)鍵要點(diǎn):?SiC-MOSFET體二極管的正向特性Vf比Si-MOSFET大。?SiC-MOSFET體二極管的trr更高速，與Si-MOSFET相比可大幅降低恢復(fù)損耗。與IGBT的區(qū)別所謂
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過(guò)目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化?！ ×硗?，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請(qǐng)點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對(duì)SiC上形成的柵極氧化膜，通過(guò)工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區(qū)別與IGBT的區(qū)別所謂SiC-MOSFET－體二極管的特性所謂SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品所謂
2018-11-27 16:38:39
`請(qǐng)問(wèn)：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問(wèn)題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
員已經(jīng)在Si IGBT上使用SiC MOSFET觀察到系統(tǒng)級(jí)價(jià)格的顯著優(yōu)勢(shì)，并且我們預(yù)計(jì)隨著150 mm晶圓的規(guī)模經(jīng)濟(jì)，SiC MOSFET的價(jià)格將繼續(xù)下降。 圖7：在Digi-Key上看到的市售
2023-02-27 13:48:12
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng)，而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用?！皷艠O誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
本文將開始AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)篇的新篇章：“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例”。在本文中，繼此前提到的“反激式”和“正激式”之后，將介紹使用了“準(zhǔn)諧振方式”電源IC的隔離型AC
2018-11-27 17:03:34
的導(dǎo)通電阻大大降低。在25°C至150°C的溫度范圍內(nèi)，SiC的變化范圍為20％，而Si的變化范圍為200％至300％.SiC MOSFET管芯能夠在200°C以上的結(jié)溫下工作。該技術(shù)還得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
` 首先萬(wàn)分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機(jī)會(huì)。 第一次試用體驗(yàn)，先利用晚上時(shí)間做單管SiC Mos的測(cè)試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時(shí)時(shí)間、上升時(shí)間
2020-05-21 15:24:22
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開展，按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施，④項(xiàng)目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開展，實(shí)施，結(jié)果過(guò)程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個(gè)評(píng)估板提供了一個(gè)半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動(dòng)電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們?cè)O(shè)為0.9Ω的阻值，通過(guò)下圖來(lái)看實(shí)際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過(guò)電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測(cè)試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)洹Ｎ?/div>
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過(guò)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
轉(zhuǎn)換器評(píng)估板之外，還備有全SiC模塊的柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板等。與以往的Si元器件相比具有優(yōu)異特性的SiC-MOSFET，工作電路也需要優(yōu)化，全部從沒有參考的狀態(tài)進(jìn)行評(píng)估是非常艱苦而細(xì)致的工作?？傊?，希建議
2018-12-04 10:11:25
本文討論如何設(shè)計(jì)基于 SiC-MOSFET 的 6.6kW 雙向電動(dòng)汽車車載充電器。介紹隨著世界轉(zhuǎn)向更清潔的燃料替代品，電動(dòng)汽車運(yùn)輸領(lǐng)域正在經(jīng)歷快速增長(zhǎng)。此外，配備足夠電池容量的電動(dòng)汽車可用于支持
2023-02-27 09:44:36
開發(fā)的。導(dǎo)通電阻降低到Si-MOSFET的1/8這是與工業(yè)設(shè)備輔助電源中廣泛使用的1500V耐壓Si-MOSFET的比較例。SiC-MOSFET的SCT2H12NZ的耐壓更高，達(dá)1700V，導(dǎo)通電
2018-12-05 10:01:25
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
SiC-MOSFET用作開關(guān)而專門設(shè)計(jì)的電源用IC。這意味著SiC-MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET是不同的。您可能馬上會(huì)問(wèn)“有什么不同呢？”，在介紹電源IC之前，先來(lái)了解一下SiC-MOSFET
2018-11-27 16:54:24
使用圖騰柱無(wú)橋PFC升壓轉(zhuǎn)換器，以減少二極管數(shù)量并提高效率[6]，[7]。但是，硅MOSFET體二極管的反向恢復(fù)會(huì)導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）中的高功率損耗，從而使其不適用于高功率應(yīng)用。隨后，與SiC
2019-10-25 10:02:58
從本篇開始，介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，導(dǎo)通電阻大大降低，有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:461974 和MOSFET器件的同時(shí)，沒有出現(xiàn)基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區(qū)別呢？本文將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。
2017-12-21 09:07:0436486 
Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸S著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)
2020-09-29 10:44:00
9 近年來(lái)，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件得到了廣泛重視與發(fā)展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會(huì)表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長(zhǎng)期的門極電應(yīng)力下會(huì)產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。本文闡述了如何通過(guò)調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓，來(lái)限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 樁、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲(chǔ)存等應(yīng)用場(chǎng)景中的需求不斷提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高溫與耐高壓特性 基于SiC材料的器件擁有比傳統(tǒng)Si材料制品更好的耐高溫耐高壓特性，其能獲得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅（SiC）的介電擊穿強(qiáng)度大約是硅（Si）的
2021-08-13 18:16:276631 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）工業(yè)4.0時(shí)代及電動(dòng)汽車快速的普及，工業(yè)電源、高壓充電器對(duì)功率器件開關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰，SiC MOSFET
2021-09-16 11:05:374228 ，硅基 IGBT 廣泛用于大功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。表 1 提供了基于 Si 的模塊和基于 SiC-MOSFET 的模塊之間基于其開關(guān)速度的比較。
2022-07-26 08:02:531062 
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可用于各種應(yīng)用，如消費(fèi)電子產(chǎn)品，以及可再生能源應(yīng)用，如光伏、風(fēng)能、水力和地?zé)岬?。本文提供了?3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的詳細(xì)比較具有寬輸入電壓范圍的半橋 LLC 轉(zhuǎn)換器。
2022-07-29 09:44:201209 
SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
SiC 器件取代服務(wù)器、電機(jī)、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:43529 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢(shì)，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢(shì)是非常有用的。本章將通過(guò)其他功率晶體管的比較，進(jìn)一步加深對(duì)SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:132876 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。
2023-02-06 14:39:51645 
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進(jìn)入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說(shuō)明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說(shuō)明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請(qǐng)點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說(shuō)明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241996 
從本篇開始，介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位：首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:00538 
上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:011301 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032102 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102938 
上一篇文章對(duì)設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行了介紹。本文將介紹設(shè)計(jì)案例的電路。準(zhǔn)諧振方式：上一篇文章提到，電源IC使用的是SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380 
截至上一篇文章，結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容，本文將對(duì)此前介紹過(guò)的PCB電路板布局示例進(jìn)行總結(jié)。使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07397 
此前共用19個(gè)篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例”，本文將作為該系列的最后一篇進(jìn)行匯總。該設(shè)計(jì)案例中有兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。一個(gè)是功率開關(guān)中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過(guò)，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢(shì)是非常有用的。本章將通過(guò)其他功率晶體管的比較，進(jìn)一步加深對(duì)SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對(duì)于MOSFET來(lái)說(shuō)，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時(shí)，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
ROHM針對(duì)SiC上形成的柵極氧化膜，通過(guò)工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢(shì)。
2023-08-23 12:48:23368 
相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來(lái)說(shuō)，MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 14:46:401040 
Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
2023-12-05 14:31:21258 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 
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