N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43
23374 用P溝道MOSFET設(shè)計(jì)反向電壓保護(hù)電路
2022-04-29 17:42:3614397 
用N溝道MOSFET設(shè)計(jì)反向電壓保護(hù)電路
2022-04-29 17:59:3415884 
硬件面試中有遇到過(guò)這樣的事嗎？通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31780 
“供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購(gòu)買?！?**賴,0755-85279055】【30V MOS N/P溝道】HN3400：30V5.8ASOT23N溝道 MOS管HN3401
2021-03-30 14:33:48
重要內(nèi)容。HN3415D帶ESD靜電保護(hù)。【20V MOS N/P溝道】HN3415： -20V -4A SOT-23 P溝道 MOS管HN2300： 20V 5.2ASOT-23 N溝道 MOS管
2021-03-11 11:14:52
MOSFET 晶體管是可以電壓驅(qū)動(dòng)電流。常用的是N溝道MOSFET，P溝道的制作成本高。簡(jiǎn)單功率MOSFET電機(jī)控制器。這是一個(gè)典型的 MOSFET開(kāi)關(guān)電路。由于電動(dòng)機(jī)負(fù)載是電感性的，因此在電感
2021-09-13 08:27:30
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
;<p align="left">這款FDN359AN是N溝道邏輯電平MOSFET的生產(chǎn)采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，特別是
2010-04-15 09:51:37
N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路LTC4446資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4446功能和特點(diǎn)LTC4446引腳功能LTC4446內(nèi)部方框圖LTC4446應(yīng)用電路
2021-04-15 06:53:16
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
的兩種結(jié)構(gòu)：N溝道型和P溝道型由于制造工藝的原因，P溝的MOS管通常比N溝的MOS管具有更大的導(dǎo)通電阻，這意味著導(dǎo)通功耗會(huì)更大。這是選擇時(shí)需要注意的地方。一般而言，如果是低邊開(kāi)關(guān)應(yīng)用，使用N溝MOS管
2023-02-17 14:12:55
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=363]N溝道增強(qiáng)型MOSFETTDM3512 [/td] [td]描述 該TDM3512采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。 這個(gè) 裝置是適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM 應(yīng)用。 一般特征 [tr][td]lRDS（ON）
2018-09-04 16:31:45
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
N溝道耗盡型mos管，電路工作過(guò)程，還望大神指導(dǎo)。
2016-11-12 16:36:00
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
將保持負(fù)極性，而源極保持在“0”值。應(yīng)用電路用于控制電機(jī)的互補(bǔ)MOSFET開(kāi)關(guān)電路如下所示。該開(kāi)關(guān)電路使用兩個(gè)MOSFET(如P通道和N通道)來(lái)雙向控制電機(jī)。在該電路中，這兩個(gè)MOSFET通過(guò)連接
2022-09-27 08:00:00
是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
P型MOS管開(kāi)關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開(kāi)關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要
2021-04-09 09:20:10
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
型號(hào)：G16P03VDS：-30VIDS ：-16A封裝: DFN3*3-8L溝道：P溝道種類：絕緣柵(MOSFET)G16P03 原裝，G16P03庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用
2020-11-05 16:48:43
`ISA04N65A N溝道MOSFETTO-220F 應(yīng)用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?充電器?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS待機(jī)功率?低門電荷 ?LCD面板電源?峰值電流與脈沖寬度曲線 [/td][td]?ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N溝道 MOSFETISU04N65A N溝道MOSFETTO-251 應(yīng)用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?電視主要電源?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS電源?低門電荷
2018-09-06 13:45:25
LT1158上單個(gè)輸入引腳的典型應(yīng)用同步控制圖騰柱配置中的兩個(gè)N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡
2018-10-27 11:36:33
編輯-Z場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
通，具體怎么的呢，直接上圖：P溝道和N溝道MOS管開(kāi)關(guān)電路連接方法如圖所示：左圖是P溝道MOS開(kāi)關(guān)，箭頭指向外面，接法為：S接輸入；D接輸出；G為控制端，低電平時(shí)導(dǎo)通右圖是N溝道MOS開(kāi)關(guān)，箭頭指向里面，接法為：D接輸入；S接輸出；G為控制端，高電平時(shí)導(dǎo)通G為柵極、D為漏極、S為源極
2019-01-28 15:44:35
MOS管開(kāi)關(guān)電路的定義MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種?！ ∫话闱闆r下普遍用于
2021-10-29 06:54:59
需要電流，損耗小、噪聲低、抗輻射能力強(qiáng)、輸入阻抗高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、便于集成和熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)MOSFET可以被制造成P溝道和N溝道兩大類，每一類又分為增強(qiáng)型或者耗盡型，所以MOSFET有四種：N溝道增強(qiáng)型MOSFET、N溝道耗盡型MOSFET、P溝道增強(qiáng)型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET
2021-11-12 07:35:31
MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)
2021-10-29 07:22:17
最近使用MSP430F2272做一款產(chǎn)品，使用3V紐扣電池供電。里面有一個(gè)P溝道的CMOS管作為開(kāi)關(guān)，使用IO直接驅(qū)動(dòng)。但在測(cè)試的時(shí)候發(fā)現(xiàn)，CPU會(huì)重啟。經(jīng)過(guò)排查發(fā)現(xiàn)是IO驅(qū)動(dòng)COMS管這里
2015-09-14 17:55:23
Multisim10.0元件庫(kù)沒(méi)P溝道耗盡型MOSFET管，為什么，我其他幾種都找到了結(jié)型FET增強(qiáng)型FET，耗盡型沒(méi)P的啊
2012-11-03 10:45:54
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8腳貼片封裝，實(shí)為一只復(fù)合MOSFET，內(nèi)含一只P溝道和N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，如下圖所示，其最大漏源電流Idsm為7A，最大漏源電壓Vds為30V，該元件在TCL液晶電
2021-04-06 06:53:57
封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道
2020-06-22 10:53:25
SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道
2020-06-22 10:57:12
SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道
2020-06-22 11:03:37
SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道
2020-06-29 16:39:10
SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道
2020-08-03 14:48:45
TO23-3L 封裝N溝道SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道
2020-06-05 10:14:58
、售前服務(wù)及服務(wù)，給用戶提供最優(yōu)質(zhì)最具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品以及最人性化最貼心的服務(wù)。我司還提供以下MOS管產(chǎn)品：SL2302N溝道SOT23-3 20V4.2A可替代 SI2302SL3414N溝道
2020-06-30 11:26:07
*3-8N溝道SLN30P03T品牌：美浦森 電壓：-30V 電流：-30A封裝：DFN3*3-8P溝道SLD80N06T品牌：美浦森 電壓：60V 電流：80A封裝：TO-252N溝道
2021-04-07 15:06:41
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2021-04-07 14:57:10
`SUN2310SGP溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻。適用于低壓應(yīng)用，例如移動(dòng)電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
運(yùn)用的技術(shù)支持。阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購(gòu)買?！?**賴,0755-85279055】更多中低壓MOS管產(chǎn)品如下：【20V MOS N/P溝道】HN3415
2021-03-24 10:35:56
圖1為二個(gè)P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號(hào)為：AO4459。Q3和R1實(shí)現(xiàn)恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
Q1為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 該電路實(shí)際動(dòng)作：當(dāng)接通220V交流電，開(kāi)關(guān)S為斷開(kāi)時(shí)，Q1導(dǎo)通，燈亮；當(dāng)開(kāi)關(guān)S閉合時(shí)，Q1截止，燈滅。問(wèn)題：即然Q1為N溝道增強(qiáng)型
2010-11-16 12:28:04
MOSFET作為開(kāi)關(guān)使用串聯(lián)在電池負(fù)極和開(kāi)關(guān)電源負(fù)極之間，但總是燒壞MOSFET，MOSFET選用的是IXFN420N10T，Ids可達(dá)420A，Vds最大100V，而開(kāi)關(guān)電源是適配48V，電池是鉛酸電池
2016-09-06 12:51:58
1、MSO的三個(gè)極怎么判定：MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。2、他們
2019-09-11 07:30:00
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強(qiáng)型MOSFET 描述：TDM3412采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個(gè)器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。一般描述：?頻道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
這個(gè)p溝道管子做的試驗(yàn)電路就是正常的，能通導(dǎo)和關(guān)斷，2n7002始終不行，焊了3個(gè)都一樣的效果是我理解錯(cuò)了使用方法么？
2013-08-20 12:02:58
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
MOSFET，也可以直接驅(qū)動(dòng)。對(duì)于一個(gè)橋式電路的上下橋臂，上管使用P溝道的功率MOSFET，可以直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單。如果上管選用N溝道的功率MOSFET，那么必須采用浮驅(qū)或自舉電路，驅(qū)動(dòng)電路
2016-12-07 11:36:11
各位好，有沒(méi)有2個(gè)N溝道和2個(gè)P溝道的集成芯片推薦，電流大于1A就可以了，謝謝
2021-10-11 10:27:45
的“導(dǎo)通”電阻（對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，是正常的），因此，在為特定開(kāi)關(guān)應(yīng)用選擇一個(gè)時(shí)，需要考慮其R DS值。P溝道MOSFET繼電器開(kāi)關(guān)電路P溝道增強(qiáng)型MOSFET（PMOS）的構(gòu)造與N溝道增強(qiáng)型
2020-09-17 10:17:57
如何利用一顆N溝道MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓？
2022-02-15 06:03:40
有沒(méi)有人用過(guò)SI2307 P溝道MOSFET?不知道為什么5V的電壓無(wú)法關(guān)斷、、、是不是設(shè)計(jì)問(wèn)題？
2016-08-28 18:29:46
本帖最后由 ♂霹靂 于 2014-5-5 01:42 編輯
如題類似IRF7416和FDJ128N,但是這兩種要么是P溝道,要么就是貼片封裝,但是我現(xiàn)在需要的是直插封裝啊....求大神給個(gè)型號(hào),最好是任何一個(gè)電子市場(chǎng)都能買到的最常見(jiàn)的型號(hào),最好是IRF的
2014-05-05 01:40:57
RT，最近看模電看迷糊了，在此請(qǐng)教各位大蝦，N溝道增強(qiáng)型MOS管，襯底是P型硅片，那么是多子參與導(dǎo)電還是少子呢？ 是自有電子還是空穴呢？
2015-03-27 11:06:58
使用全橋電路結(jié)構(gòu)，每個(gè)橋臂上管可以使用P管，也可以使用N管。（2）通信系統(tǒng)48V輸入系統(tǒng)的熱插撥MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。（3）筆記本電腦輸入回路串聯(lián)的、起防反接和負(fù)載開(kāi)關(guān)作用的二個(gè)背靠背的功率MOSFET，使用N溝道需要控制芯片內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)的充電泵，使用P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)。`
2020-03-05 11:00:02
器件。一旦在MOSFET的柵極端施加電壓，源極溝道的漏極電阻將變得更大。當(dāng)柵源電壓增加更多時(shí)，從漏極到源極的電流將減少，直到電流從漏極到源極的流動(dòng)停止。耗盡型MOSFET有兩種類型，分別是P溝道和N溝道
2022-09-13 08:00:00
K9是單片機(jī)控制信號(hào)，OUT_12V_1是時(shí)鐘（脈沖）信號(hào)，IN1B會(huì)有幾種輸出狀態(tài)呢？光耦LTV-357T-D接P溝道MOSFET的作用是什么呢？
2021-11-11 16:59:06
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡(jiǎn)單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:36:2023 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:39:0026 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:42:0929 N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:43:3925 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強(qiáng)型
2009-09-16 09:38:1810460 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 MOSFET管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)MOSFET管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)
2015-12-23 15:03:45204 MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。
2017-05-17 08:30:28128529 
MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。
2017-11-27 09:13:4037938 
MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。本文為大家?guī)?lái)三種pwm驅(qū)動(dòng)mos管開(kāi)關(guān)電路解析。
2018-01-04 13:41:1456599 
MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過(guò)程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒(méi)有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1521283 
電路如附圖所示。TPS2014是美國(guó)德州儀器公司推出的N溝道MOSFET型電源分配開(kāi)關(guān)。它采用8腳DIP雙列直插式封裝，各腳功能如下，①腳GND(接地端)；②、③腳IN(電壓輸入端)，輸入電壓范圍
2019-02-16 10:44:143087 
N 溝道增強(qiáng)模式最常用于電源開(kāi)關(guān)電路，因?yàn)榕c P 溝道器件相比，它的導(dǎo)通電阻低。
2021-06-14 03:34:003909 
電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
MOS管開(kāi)關(guān)電路的定義? ? ? ? MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種
2021-10-22 19:51:08132 由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開(kāi)關(guān)。
2022-11-18 11:28:212478 在設(shè)計(jì)mos管開(kāi)關(guān)電路時(shí)，就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中，有詳細(xì)地講解mos管的工作原理。
2023-01-05 09:39:198285 在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005293 
MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。
2023-05-16 15:08:41912 
在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
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