二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電
2022-11-12 10:01:26
1315 極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
0.5Ω，內(nèi)部柵極電阻為0.5Ω?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標(biāo)稱電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現(xiàn)出顯著較低的開關(guān)損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)：1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
器件的特點(diǎn) 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm.，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k?！ ∷c硅半導(dǎo)體材料
2019-01-11 13:42:03
了?！ 」逃袃?yōu)勢加上最新進(jìn)展 碳化硅的固有優(yōu)勢有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/片芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近，UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
充電器、電機(jī)和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設(shè)計(jì)充滿好奇，也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇?！ ≡谠O(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下，碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強(qiáng)度為
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國，半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37
` 本帖最后由 訊飛開放平臺(tái) 于 2018-6-25 11:35 編輯
全球最大的在線少兒英語品牌VIPKID今日確認(rèn)完成5億美金的D+輪融資、寒武紀(jì)也宣布完成數(shù)億美元的B輪融資、這周投資界到底
2018-06-25 11:32:52
` 本帖最后由 訊飛開放平臺(tái) 于 2018-8-1 09:47 編輯
國 內(nèi)1、「醫(yī)聯(lián)」完成10億元D輪融資，躋身互聯(lián)網(wǎng)醫(yī)療獨(dú)角獸之列醫(yī)療解決方案提供商醫(yī)聯(lián)（Medlinker) 今日宣布獲得
2018-08-01 09:34:25
本帖最后由 訊飛開放平臺(tái) 于 2018-8-27 09:05 編輯
國 內(nèi)1、開思汽配完成B3輪融資，B輪累計(jì)融資達(dá)6.5億汽配交易平臺(tái)開思宣布已完成超過2.5億元的B3輪融資，此輪融資由灃源
2018-08-27 09:04:04
15、外賣代運(yùn)營商食亨獲億元A輪融資16、速瑞醫(yī)療完成Pre-A輪融資，3D內(nèi)窺鏡成像領(lǐng)域構(gòu)建技術(shù)壁壘17、遠(yuǎn)孚物流集團(tuán)完成數(shù)億元B輪融資，高榕資本領(lǐng)投18、東旭藍(lán)天：投資入股能源區(qū)塊鏈技術(shù)服務(wù)商融鏈
2018-07-03 09:24:35
地圖HDMAP，安全測試以及位置云平臺(tái)結(jié)合， 為自動(dòng)駕駛提供一雙基于 AI 與地圖大數(shù)據(jù)的“眼睛”。3、國家隊(duì)入場，全域醫(yī)療獲7億元B輪融資全域醫(yī)療技術(shù)有限公司完成7億元人民幣B輪融資，由中
2018-07-25 10:01:36
，此次IPO融資239.7億港元。周日雷軍表示，最近資本市場跌宕起伏，小米能夠成功上市就意味著巨大的成功。2、手握“乾芯”系列虹膜生物識別智能芯片，「虹識技術(shù)」完成1.2億元A+輪融資總部位于武漢的虹識
2018-07-10 09:28:50
的食材配送商。3、半導(dǎo)體激光芯片商長光華芯順利完成1.5億元B輪融資長光華芯順利完成1.5億元B輪融資，本輪融資的投資方為：國投創(chuàng)業(yè)、中科院創(chuàng)投、蘇州橙芯創(chuàng)投。長光華芯主要從事開發(fā)，生產(chǎn)和銷售高功率
2018-08-06 09:05:04
資本，中通快遞，馮侖跟投。去年 11 月，團(tuán)隊(duì)獲得了金沙江創(chuàng)投的天使輪融資。高灃資本全程擔(dān)任獨(dú)家 FA。據(jù)了解，兩輪融資金額共 1 億元人民幣。5、三代測序應(yīng)用公司“希望組”完成近億元B輪融資，遠(yuǎn)毅資本
2018-07-04 08:52:16
資產(chǎn)獨(dú)家戰(zhàn)略入股，同時(shí)格致資產(chǎn)也躍居為游俠汽車第二大股東。游俠汽車已陸續(xù)完成A輪、B輪以及B+輪共三輪融資，累計(jì)融資規(guī)模超過12.5億美金，整體估值達(dá)到33.5億美金，目前處于新造車企領(lǐng)先地位。2
2018-08-23 09:11:27
成本、實(shí)現(xiàn)合同管理電子化。3、“愛學(xué)堂”完成B+輪2.3億元融資，將進(jìn)一步布局智慧教育生態(tài)慕華成志旗下愛學(xué)堂宣布于今年7月末完成B+輪共計(jì)2.3億元融資，投資方為慕華金譽(yù)、金信、華宏資產(chǎn)。本輪融資將用
2018-09-04 09:43:50
國內(nèi)1、愛錢幫完成B+輪融資 原百度副總裁陸復(fù)斌投資3億元并出任董事長互聯(lián)網(wǎng)金融平臺(tái)“愛錢幫”于日前完成3億元B+輪融資，由信義資本創(chuàng)始人，原百度副總裁陸復(fù)斌投資。同時(shí)，陸復(fù)斌出任愛錢幫董事長一職
2018-07-04 09:07:44
資源，總金額超過1.05億元。同時(shí)雙方將在供應(yīng)鏈管理、倉儲(chǔ)服務(wù)、線上業(yè)務(wù)、市場拓展等多方面展開深入合作。4、鴨嘴獸獲A輪融資3000萬元，由安持資本領(lǐng)投2018年8月底，鴨嘴獸完成A輪融資3000萬元
2018-09-05 09:19:19
）------------------------------------------------------------------------------------------------會(huì)議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時(shí)間：2018
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗，提高開關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機(jī)、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資，創(chuàng)能動(dòng)力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案。 該器件將傳統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生，如碳化硅場效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
?！ 〗鼛啄?，國內(nèi)的碳化硅市場增速非?？欤絹碓蕉嗟钠髽I(yè)開始使用碳化硅器件來替代傳統(tǒng)硅器件方案，上海瞻芯就是其中之一。上海瞻芯是一家由海歸博士領(lǐng)銜的碳化硅高科技芯片初創(chuàng)公司，致力于開發(fā)以碳化硅器件為核心
2020-07-07 11:42:42
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
近日，華秋完成近億元B+輪融資！為分享這份喜悅之情，華秋電路決定，6月份開展免費(fèi)打樣活動(dòng)，籍此讓更多用戶體驗(yàn)高可靠打板服務(wù)！活動(dòng)對象2020.1.1-2020.6.30 期間 注冊且未下過首單的用戶
2020-06-11 14:55:01
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
近日完成數(shù)億元C輪及C+融資，具體細(xì)節(jié)將擇期正式對外公布。不過，從接近AB輪融資方的信源透露，C輪投資方由“深創(chuàng)投”獨(dú)家進(jìn)行戰(zhàn)略性股權(quán)投資，C+輪引入了美元基金，領(lǐng)投方投資額高達(dá)5000萬美金。該輪投資
2018-08-20 08:58:31
、Bus365宣布完成數(shù)億人民幣B輪融資，投中資本擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問國內(nèi)最大的城際公路出行綜合服務(wù)運(yùn)營平臺(tái)——北京盛威時(shí)代科技有限公司 ( Bus365)宣布于近日完成數(shù)億人民幣規(guī)模的B輪融資，領(lǐng)投方為軟銀
2018-08-14 08:46:30
將用于云屏企業(yè)數(shù)據(jù)安全綜合防護(hù)平臺(tái)產(chǎn)品的研發(fā)和市場營銷。了解更多4、美豪酒店集團(tuán)獲億元投資，同程旅游領(lǐng)投、陜西文投跟投。5、二手書交易平臺(tái)「閱鄰」完成數(shù)千萬人民幣A 輪融資，已擴(kuò)充品類至 3C 產(chǎn)品。6
2018-08-15 08:38:18
SiCMOSFET大規(guī)模被應(yīng)用在新能源汽車上。
芯塔電子，一直以科技創(chuàng)新為動(dòng)力，推動(dòng)碳化硅（SiC）功率器件的研發(fā)與應(yīng)用，是國內(nèi)少數(shù)幾家獲得車規(guī)級認(rèn)證的碳化硅功率器件廠商之一。
華秋旗下媒體社區(qū)平臺(tái)
2024-01-19 14:55:55
SiCMOSFET大規(guī)模被應(yīng)用在新能源汽車上。
芯塔電子，一直以科技創(chuàng)新為動(dòng)力，推動(dòng)碳化硅（SiC）功率器件的研發(fā)與應(yīng)用，是國內(nèi)少數(shù)幾家獲得車規(guī)級認(rèn)證的碳化硅功率器件廠商之一。
華秋旗下媒體社區(qū)平臺(tái)
2024-01-19 14:53:16
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
2020年11月，直驅(qū)型精準(zhǔn)動(dòng)力方案專家本末科技完成Pre-A輪數(shù)千萬級別融資，企業(yè)估值達(dá)數(shù)億元。本末科技曾入圍“香港科大商學(xué)院-安訊科技”2019【人工智能】百萬獎(jiǎng)金國際創(chuàng)業(yè)大賽21強(qiáng)，...
2021-08-30 08:04:28
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用?？蓮V泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅半導(dǎo)體器件供應(yīng)商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日，毅達(dá)資本在官方微信宣布，已完成對致瞻科技的投資。依托核心團(tuán)隊(duì)10余年的碳化硅功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)
2020-11-30 10:33:272199 國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率器件廠商深圳市森國科科技股份有限公司（以下簡稱“森國科”）宣布完成C輪億元級融資。
2021-12-17 10:15:122162 靈明光子完成數(shù)億元C輪融資。
2022-04-11 10:51:111521 Agarwal 的播客中，我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應(yīng)用。 討論的文章： 改進(jìn)碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 近日，瑤芯微電子科技（上海）有限公司（以下簡稱“瑤芯微”）完成數(shù)億元C輪融資。本輪融資由盛石資本、同創(chuàng)偉業(yè)聯(lián)合領(lǐng)投，參與資本方包括基石資本、美的投資等，老股東中科創(chuàng)星、朗瑪峰創(chuàng)投及張江集團(tuán)旗下基金
2022-11-03 14:35:12645 上海瞻芯電子科技有限公司（以下簡稱“瞻芯電子”）宣布完成數(shù)億元Pre-B輪融資，本輪融資由上汽集團(tuán)戰(zhàn)略直投基金、尚頎資本（上汽集團(tuán)旗下私募股權(quán)投資平臺(tái)）在管基金聯(lián)合領(lǐng)投，星航資本持續(xù)加注，同時(shí)獲得
2022-12-21 09:22:54609 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
派恩杰在這一年取得了優(yōu)秀的成績！近日，碳化硅功率器件設(shè)計(jì)及方案商派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司（下稱“派恩杰半導(dǎo)體”）在1月19日正式完成數(shù)億元A輪融資，不僅如此，在壬寅年，僅車規(guī)級功率MOS芯片
2023-01-22 13:53:447910 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:25
4 什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。
在眾多半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564079 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長
2022-02-07 15:01:28396 
6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-25 09:18:08743 熱烈祝賀半導(dǎo)體測試設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)加速科技完成數(shù)億元B+輪戰(zhàn)略融資！
2021-09-29 18:17:02754 
6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16636 5.2.3擴(kuò)展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴(kuò)展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.1SiC主要的擴(kuò)展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092319 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-03 14:34:59347 
碳化硅(SiC)作為一個(gè)新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力，封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:11701 
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451806 
致瞻科技成立于2019年，是一家聚焦于碳化硅功率模塊和先進(jìn)電驅(qū)系統(tǒng)的高科技公司。為滿足自身的快速發(fā)展，致瞻科技于2021年落戶臨港浦江高科技園區(qū)，建設(shè)了超5000㎡先進(jìn)碳化硅器件及電能變換實(shí)驗(yàn)室。
2023-09-13 16:29:31605 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
碳化硅（SiC）MOS管作為一種新型功率器件，與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，在某些特定條件下具有獨(dú)特的優(yōu)勢，但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2023-09-26 16:59:07475 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-27 10:08:55300 
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46241 隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:20360 ，但其未來應(yīng)用前景廣闊，具有很高的實(shí)用性。 首先，碳化硅功率器件的材料特性使其成為目前電力電子技術(shù)中的熱門研究方向之一。相較于硅基功率器件，碳化硅具有更高的能帶寬度和較大的熱導(dǎo)率，這意味著在高溫或高電壓應(yīng)用中具有
2023-12-21 11:27:09286 近日，清純半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元Pre-B輪融資，這是清純半導(dǎo)體繼今年4月份完成數(shù)億元A+輪融資以來的又一融資進(jìn)展。
2024-01-02 10:22:00180 隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?，將在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優(yōu)勢
2024-01-06 14:15:03353 傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時(shí)，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
2024-01-06 11:06:57130 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379
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