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電子發(fā)燒友網>模擬技術>東芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB

東芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB

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2023-02-09 10:19:25724

英飛凌AIGW50N65H5車規(guī)級IGBT參數(shù)特點

編輯-Z Infineon/英飛凌AIGW50N65H5車規(guī)級IGBT參數(shù): 型號:AIGW50N65H5 脈沖集電極電流(ICpuls):150A 功耗(Ptot):270W 工作結溫度(Tvj
2023-02-24 15:19:350

GT30J65MRB東芝分立IGBT將大幅提高空調和工業(yè)設備的效率

GT30J65MRB用于空調和工業(yè)設備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導體器件經過業(yè)界驗證,對于節(jié)能工作意義重大,其中包括助力實現(xiàn)碳中和目標。由于在高功率
2023-03-16 14:58:09653

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據表(650V-30A-IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據表(650V-50A-IGBT Application: Inverter)

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250

RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)

RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-03-29 18:45:330

RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據表(650 V-40A-IGBT Application: Power Factor Correction circuit)

RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-05-15 19:08:280

Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復整流管

Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300

陸芯:單管IGBT-YGQ100N65FP 650V 100A TO247-PLUS

上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26705

新品 | 采用650V逆導型R6系列IGBT3千瓦半橋感應加熱評估板

新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應加熱半橋評估板采用新一代650V逆導型R6系列IGBT和SOI技術的EiceDRIVERIGBT驅動器,產品針對100kHz的諧振開關應用感應
2022-03-01 09:32:40559

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據表(650V-30A-IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)

RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

RJP65T54DPM-A0 數(shù)據表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據表(650V-50A-IGBT Application: Inverter)

RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510

RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)

RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-07-11 19:09:560

RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據表(650 V-40A-IGBT Application: Power Factor Correction circuit)

RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-11 20:19:440

為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管

圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522

東芝推出第3代650V SiC肖特基勢壘二極管,助力提高工業(yè)設備效率

)—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款產品(均為650V)中有7款產品采用TO-220-2L封裝,其余5款采用DFN8×8封裝,于今日開始支持批量出貨。 新產品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種
2023-07-13 17:40:02184

SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片

SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008

SVF4N65F/M/MJ/D 650v mos管n溝道

驪微電子供應SVF4N65F/M/MJ/D650vmos管n溝道大電流4a提供-svf4n65f詳細參數(shù)、典型電路、規(guī)格書等,是士蘭微MOS代理商,更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2022-03-30 15:33:431

SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

電子發(fā)燒友網站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570

SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

電子發(fā)燒友網站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250

SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A

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2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A

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2022-04-29 14:33:490

SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

供應40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關鍵參數(shù),更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473

SGTP75V65SDS1P7 650V光伏逆變器igbt

供應SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關鍵參數(shù),更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:195

SVSP35NF65P7D3 士蘭微高壓超結mos管650V

SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關鍵參數(shù),更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:507

SVS11N65FJD2超結mos 耐壓650V,11A規(guī)格書-士蘭微代理

供應無錫士蘭微mos管SVS11N65FJD211A,650V高壓超結mos管,適用于硬/軟開關拓撲,照明,適配器等領域,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:07:350

SVSP11N65DD2 11A,650V士蘭微超結MOS-士蘭微mos管規(guī)格書

供應SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS關鍵參數(shù),更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:061

650v mos管SVF65R950CMJ(D) 士蘭微高壓MOS管規(guī)格書參數(shù)-驪微電子

驪微電子供應士蘭微高壓MOS管SVF65R950CD 9A,650V N溝道增強型場效應管,廣泛應用于AC-DC開關電源,DC-DC電源轉換器,高壓H橋PWM馬達驅動,是士蘭微mos代理商,提供產品詳細參數(shù)及樣品申請。>>
2022-11-02 16:24:493

STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機igbt管600V、30A參數(shù)

供應STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機igbt管600V、30A參數(shù),提供SGT30T60SDM1P7關鍵參數(shù) ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:59:562

場效應管10N65L-ML UTC 10A 650V-10n65技術參數(shù)

供應場效應管10N65L-ML UTC10A 650V,提供10n65技術參數(shù)關鍵參數(shù) ,更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-09 15:27:391

英飛凌推出面向高能效電源應用的第七代分立650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

分立式封裝中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達150A的電流。該產品系列電流等級為40A至150A,有四種不同封裝類型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265

英飛凌推出面向高能效電源應用的分立650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品

英飛凌科技推出分立650VIGBT7H7新品,進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管,以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255

瑞能650V IGBT的結構解析

IGBT 作為一種功率半導體器件,廣泛應用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點,是能量轉換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢,在行業(yè)內也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35276

瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產品

瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品,這些產品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

介紹一款用于光伏儲能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT單管

本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07188

揚杰科技推出50A 650V TO-247封裝IGBT單管

近日,國內半導體功率器件領軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司(以下簡稱“揚杰科技”)再度刷新業(yè)界認知,推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產品
2024-03-16 10:48:19564

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