電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱為BJT，簡(jiǎn)稱為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線性放大特性，但在電力電子應(yīng)用中卻工作在開關(guān)狀態(tài)，從而減小功耗。GTR可通過基極控制其開通和關(guān)斷，是典型的自關(guān)斷器件。
2011-01-22 11:57:57
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Ω和68 Ω電阻串聯(lián)） ●? ? ?一個(gè)小信號(hào)NMOS晶體管（增強(qiáng)模式CD4007或ZVN2110A） 說明 圖1給出了NMOS零增益放大器的原理圖。 圖1
2021-01-24 12:16:382786 
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
2022-08-01 09:03:571150 
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。
2023-02-21 17:35:148860 
之前的文章對(duì)MOS電容器進(jìn)行了簡(jiǎn)單介紹，因此對(duì)MOS晶體管的理解已經(jīng)打下了一定的基礎(chǔ)，本文將對(duì)深入介紹NMOS晶體管的結(jié)構(gòu)及工作原理，最后再?gòu)臋C(jī)理上對(duì)漏源電流的表達(dá)式進(jìn)行推導(dǎo)說明。
2023-04-17 12:01:583744 
“晶體管開關(guān)”，是使用晶體管控制電路通斷的開關(guān)。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，也稱“模擬開關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開關(guān)(Logic Switch)”。它或許是一些電子發(fā)燒友們DIY時(shí)遇到的第一個(gè)電路。本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。
2023-06-12 09:29:002031 
傳輸門是由外部施加的邏輯電平控制的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開關(guān)。
2023-08-10 09:02:201943 
級(jí)都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實(shí)用中都簡(jiǎn)稱為TTL電路，它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)
2010-08-12 13:57:39
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
用。基極電壓源通過電阻提供基極電流為了使晶體管成為電子開關(guān)工作，需要提供一個(gè)電壓源，并將其通過電阻與基極相連接。如果要使開關(guān)導(dǎo)通，基極電壓源通過電阻向晶體管的基極提供足夠大的電流IB就可以使得晶體管導(dǎo)
2017-03-28 15:54:24
的變化。
1、當(dāng)柵極電壓未達(dá)到門檻電壓時(shí)，漏源之間基本處于關(guān)斷狀態(tài)，即使漏源之間加上電壓漏電流也很小。
2、當(dāng)柵極電壓達(dá)到門檻電壓時(shí)，導(dǎo)電溝道開始出現(xiàn)，場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)入線性區(qū)，漏源之間電阻開始減小，此時(shí)漏源
2024-01-18 16:34:45
的正負(fù)極短接，此時(shí)的輸出電阻是不是等于源極電阻和源漏導(dǎo)通電阻？
在求解輸入輸出電阻的問題上，為什么要將供電電源的正負(fù)極短接？這個(gè)問題困惑已久，尤其是在含有晶體管這種分立器件或者含有運(yùn)方放的電路上。
2024-01-15 18:06:15
，PMOS指的是P型MOSFET。注意，MOS中的柵極Gate可以類比為晶體管中的b極，由它的電壓來控制整個(gè)MOS管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">NMOS電路符號(hào)如下圖： PMOS電路符號(hào)如下
2021-01-13 16:23:43
硬之城,晶體管這個(gè)詞僅是對(duì)所有以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的元件的統(tǒng)稱，那么問題來了，晶體管有哪些類型，其工作原理又是什么呢?一、晶體管工作原理晶體管，英文名稱為transistor，泛指一切以半導(dǎo)體材料為
2016-06-29 18:04:43
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時(shí)吸合電路。剛接通電源時(shí)，16μF電容上電壓為零，兩個(gè)三極管都截止，繼電器不動(dòng)作。隨著16μF電容的充電，過一段時(shí)間后，其上電壓達(dá)到高電平，兩個(gè)三極管都導(dǎo)通，繼電器延時(shí)吸合。延時(shí)時(shí)間可達(dá)60s。延時(shí)的時(shí)間長(zhǎng)短可通過10MΩ電阻來調(diào)節(jié)。
2008-11-07 20:36:15
題庫(kù)來源：特種作業(yè)?？碱}庫(kù)小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當(dāng)于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運(yùn)放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
不同的是，用于放大或導(dǎo)通/關(guān)斷的偏置電流會(huì)流經(jīng)晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時(shí)是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導(dǎo)通電阻”這個(gè)參數(shù)。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時(shí)是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導(dǎo)通電阻”這個(gè)參數(shù)。世界上最早的晶體管是雙極晶體管，所以可能有人說表達(dá)順序反了，不過近年來，特別是電源電路中
2018-11-28 14:29:28
對(duì)于晶體管放大電路，比如常用的共射放大電路，一般基極會(huì)有兩個(gè)分壓電阻，用來控制給基極一個(gè)合適的電平，保證晶體管的基極能導(dǎo)通，這兩個(gè)分壓電阻的阻值一般選用的都是K歐姆級(jí)別的阻值，原因是什么？ 理論依據(jù)是？謝謝！
2020-06-08 17:23:20
計(jì)算機(jī)等使用的數(shù)字信號(hào)中，晶體管起著切換0和1的開關(guān)作用。IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合，其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝，數(shù)字晶體管
2019-05-05 00:52:40
）。對(duì)這兩個(gè)PN結(jié)所施加不同的電位，就會(huì)使晶體管工作于不同的狀態(tài)：兩個(gè)PN結(jié)都反偏——晶體管截止；兩個(gè)PN結(jié)都導(dǎo)通——晶體管飽和：一個(gè)PN結(jié)正偏，一個(gè)PN結(jié)反偏——晶體管放大電路（注意：如果晶體管的發(fā)射結(jié)反
2012-02-13 01:14:04
【不懂就問】圖中的晶體管驅(qū)動(dòng)電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時(shí)使得變壓器次級(jí)產(chǎn)生的的正脈沖通過D2，直接驅(qū)動(dòng)MOSFET管Q2，達(dá)到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
詳解MOS管驅(qū)動(dòng)電路在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀
2017-08-15 21:05:01
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
的飽和程度變化產(chǎn)生溝道電阻變化，對(duì)于整個(gè)導(dǎo)通電阻的占比的影響大，特別是VGS相差比較大的時(shí)候，對(duì)于導(dǎo)通電阻的影響非常明顯，如下圖所示。（2）恒流區(qū)被稱為飽和區(qū)、線性區(qū)，當(dāng)VGS一定的時(shí)候，溝道對(duì)應(yīng)
2016-12-21 11:39:07
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">線性區(qū)的ID電流較大，同時(shí)RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊(cè)，上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級(jí)別的，這個(gè)也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計(jì)算呢？
2018-10-25 11:14:39
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
的比例關(guān)系。2）偏置電路 當(dāng)晶體管用于實(shí)際的放大電路時(shí)，還需要添加合適的偏置電路。這有幾個(gè)原因。首先，由于晶體管的BE結(jié)（相當(dāng)于二極管）的非線性，輸入電壓達(dá)到一定水平后必須產(chǎn)生基極電流（對(duì)于硅管，通常
2023-02-08 15:19:23
NPN晶體管的b處沒有電壓輸入時(shí)，c和e之間沒有電流流動(dòng)，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。在圖（b）中，當(dāng)正電壓輸入到NPN晶體管的b時(shí)，e的N區(qū)的負(fù)電子被b中P區(qū)的正電子吸引。 由于發(fā)電廠的作用，它們沖向（擴(kuò)散
2023-02-15 18:13:01
提供電荷載流子。為了提供大量的電荷載流子，與基極相比，發(fā)射器不斷正向偏置?；A(chǔ)晶體管的基極是中間的部分，通過兩個(gè)PN結(jié)連接發(fā)射極和集電極。由于基極-發(fā)射極結(jié)是正向偏置的，因此發(fā)射極電路具有低電阻。由于
2023-02-03 09:44:48
忽略輸入開關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計(jì)算？另外Vstep為什么這樣計(jì)算？
2018-08-06 07:49:37
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進(jìn)行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補(bǔ)充
2018-11-30 11:35:30
電壓。導(dǎo)通電阻表示功率MOSFET完全開后的電阻，和上述的線性區(qū)工作狀態(tài)并不相同。功率MOSFET的內(nèi)部二極管導(dǎo)通的反向工作狀態(tài)，因?yàn)槠銼、D極的電壓為二極管的壓降，因此并沒有線性區(qū)的過程，也就
2017-04-06 14:57:20
的NMOS管和PMOS管，其中增強(qiáng)型的NMOS管更加常用，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">NMOS的導(dǎo)通電阻小并且容易制造，在開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般采用NMOS，主要原因是NMOS的導(dǎo)通電阻小并且容易制造，另外在MOS管內(nèi)
2019-04-08 13:46:25
結(jié)型晶體管 (BJT) 的評(píng)估中，HBT 在發(fā)射極注入效率、基極電阻、基極-發(fā)射極電容和截止頻率方面表現(xiàn)出更好的表現(xiàn)。它們還具有良好的線性度、低相位噪聲和高功率附加效率。HBT 可用于盈利且高可靠性
2023-08-02 12:26:53
有兩種主要類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOS-FET）。與BJT不同，F(xiàn)ET僅由一個(gè)載流子組成，因此也稱為單極晶體管。屬于壓控半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低
2023-02-03 09:36:05
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀驗(yàn)證電器和消費(fèi)產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機(jī)殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時(shí)，如果電器沒有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機(jī)殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
的輸入阻抗。 晶體管通常遵循與單個(gè)晶體管相同的設(shè)計(jì)規(guī)則，但有一些限制。它需要更高的基極發(fā)射極電壓才能導(dǎo)通，通常是單個(gè)晶體管的兩倍。它的關(guān)斷時(shí)間要長(zhǎng)得多，因?yàn)檩敵?b class="flag-6" style="color: red">晶體管基極電流不能主動(dòng)關(guān)斷。通過在輸出晶體管
2023-02-16 18:19:11
這個(gè)晶體管需要我們用 5mA 的電流為基極供電。偏置晶體管允許最多 100mA 的電流流過發(fā)射極和集電極。晶體管可以在飽和區(qū)和截止區(qū)工作。晶體管有兩種應(yīng)用，可以用作開關(guān)和放大器。在我們的項(xiàng)目中，我們將使
2022-08-30 07:23:58
ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊無焊面包板一個(gè)2.2 kΩ電阻（或其他類似值）一個(gè)168 Ω電阻（將100 Ω和68 Ω電阻串聯(lián)）一個(gè)4.7 kΩ電阻兩個(gè)小信號(hào)NMOS晶體管（CD4007或ZVN2110A
2021-11-01 09:53:18
晶體管導(dǎo)通？采用達(dá)林頓管的電燈開關(guān)電路10k的電阻有什么用呢？是用來提供偏置電流嗎？射極跟隨器型開關(guān)電路設(shè)計(jì)中可以去掉輸入端限流電阻的原因是什么？書本上只是說基極電流必須是負(fù)載電路的1/hfe，不怎么懂
2016-04-27 22:50:34
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會(huì)
2016-08-30 01:01:44
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發(fā)射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導(dǎo)通，則該多發(fā)射極晶體管集電極輸出導(dǎo)通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
電流，進(jìn)而改變流過給定晶體管的集電極電流。 如果我們達(dá)到集電極電流的最大流量，則晶體管已飽和。將晶體管導(dǎo)通所需的輸入電壓和電流量由基極電阻決定 圖5. 數(shù)字邏輯晶體管開關(guān) 在R上方的電路
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個(gè)正的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵(lì)電壓的峰值而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49
的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響此前的傳遞函數(shù)推導(dǎo)中，并沒有考慮過開關(guān)（開關(guān)晶體管）導(dǎo)通電阻的影響。但是眾所周知，實(shí)際上是肯定存在開關(guān)的導(dǎo)通電阻的，而且對(duì)實(shí)際運(yùn)行也是有影響的。所以本次將探討“開關(guān)的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
的開關(guān)動(dòng)作關(guān)于數(shù)字晶體管的用語選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對(duì)運(yùn)放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
1、使用加速電容在基極限流
電阻并聯(lián)小容量的電容（一般pF級(jí)別），當(dāng)輸入信號(hào)上升、下降時(shí)候能夠使限流
電阻瞬間被旁路并提供基極電流，所以在
晶體管由
導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)能夠迅速?gòu)幕鶚O抽取電子（因?yàn)殡娮?/div>
2023-02-09 15:48:33
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計(jì)者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
存在傳導(dǎo)損耗，這與晶體管的導(dǎo)通電阻RDS（on）有關(guān)。在狀態(tài)5時(shí)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)VGSL變低，晶體管的通道通過硬開關(guān)關(guān)閉。由于峰值勵(lì)磁電流Ilm_pk，存在電流和電壓交交叉開關(guān)損耗。該損耗取決于晶體管的特性
2023-02-27 09:37:29
一、簡(jiǎn)介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2021-11-11 06:28:29
電場(chǎng)的高壓MOS管的剖面結(jié)構(gòu)及高阻斷電壓低導(dǎo)通電阻的示意圖如圖所示?！ ∨c常規(guī)MOS管結(jié)構(gòu)不同，內(nèi)建橫向電場(chǎng)的MOS管嵌入垂直P區(qū)將垂直導(dǎo)電區(qū)域的N區(qū)夾在中間，使MOS管關(guān)斷時(shí)，垂直的P與N之間建立
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V Id-連續(xù)漏極電流: 72 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 20 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓
2020-03-10 17:30:59
PUT的負(fù)阻特性出現(xiàn)在A-K之間。改變PUT的門極電位UG，即可調(diào)節(jié)峰點(diǎn)電壓UP，也即可以用UG來調(diào)節(jié)一個(gè)等效的單結(jié)晶體管的η、IP和IV等參數(shù)，因此十分方便。在PUT的基本電路中，通過串聯(lián)電阻，將R1上的分壓加在G-K之間。當(dāng)UA UR1時(shí)，A-K間導(dǎo)通，負(fù)載RL上才有較大的電流。
2018-01-22 15:23:21
個(gè)寄生的晶體管，當(dāng)IC大到一定程度，寄生晶體管導(dǎo)通，柵極失去控制作用。此時(shí)，漏電流增大，造成功耗急劇增加，器件損壞。安全工作區(qū)隨著開關(guān)速度增加將減小。 （6）柵極偏置電壓與電阻
2009-05-12 20:44:23
“ OFF”，從而允許它用于各種開關(guān)應(yīng)用。它也可以驅(qū)動(dòng)在其線性有源區(qū)用于功率放大器。由于其較低的導(dǎo)通電阻和傳導(dǎo)損耗，以及在高頻段切換高電壓而不損壞的能力，使得絕緣柵雙極性晶體管成為驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載的理想選擇，如
2022-04-29 10:55:25
NMOS和PMOS的導(dǎo)通電壓哪個(gè)大一些?一般是多大？在選擇方面選哪種管子比較好？
2019-06-18 04:12:04
比如3205的NMOS的Vgs門檻電壓是min 2v-----max4v的范圍。我不太理解，究竟是最小工作電壓是2V，滿負(fù)荷工作電壓是4V呢，還是說因?yàn)楣に噯栴}，某些管子的導(dǎo)通電壓是2V，而某些管子的導(dǎo)通電壓是4V？
2019-05-28 01:46:49
請(qǐng)問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請(qǐng)問有人知道這個(gè)是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
有沒有導(dǎo)通電壓是3點(diǎn)幾伏的NMOS管？
2019-09-20 03:29:45
，其實(shí)是晶體管的基極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通電壓維持在0.6V左右。Q3的導(dǎo)通真的消除了Q2的基極激勵(lì)了嗎？好像并沒有，對(duì)不對(duì)?！這個(gè)“過流”保護(hù)電路的關(guān)鍵就是晶體管的基極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通電壓，為了簡(jiǎn)單分析
2016-06-03 18:29:59
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
通過multisim 如何獲得晶體管的rbe電阻值
2013-11-05 20:32:21
，充電電壓接近VCC。當(dāng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，C再經(jīng)過電阻R放電。通過RCD阻尼電路吸收了一定的功率，從而減輕了開關(guān)管的負(fù)擔(dān)。充放電型RCD吸收電路損耗較大，不太適合較高頻率場(chǎng)合下的應(yīng)用?！ ?、放電阻塞型RCD
2020-11-26 17:26:39
。當(dāng)然晶閘管是兩個(gè)雙極型晶體管的組 合，又加上因大面積帶來的大電容，所以其dv/dt能力是較為脆弱的。對(duì)di/dt來說，它還存在一個(gè)導(dǎo)通區(qū)的擴(kuò)展問題，所以也帶來相當(dāng)嚴(yán)格的限制。 功率MOSFET
2023-02-27 11:52:38
是溝道區(qū)，n+區(qū)是漏區(qū)。對(duì)于p型TFET來說，p+區(qū)是漏區(qū)，i區(qū)是溝道區(qū)，n+區(qū)是源區(qū)。漏極電壓用Vd表示，柵極電壓用Vs表示，柵極電壓用Vg表示。隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么----隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
用作壓控電阻的晶體管
2010-05-11 16:53:35
47
晶體管線性階梯波發(fā)生器電路圖
2009-07-01 13:11:05567 
晶體管h參數(shù),晶體管h參數(shù)是什么意思
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號(hào)的前提下，晶體管可等效為一個(gè)線性雙端口電路
2010-03-05 17:37:225745 。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使用PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過程中，有時(shí)需要獨(dú)立控制幾個(gè)開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會(huì)影響其他開關(guān)的通與斷，即開關(guān)之間相互獨(dú)立，相互無關(guān)。常在人機(jī)交互場(chǎng)景之中有著特定
2020-09-03 15:28:3023364 
ULN2803L是為低電壓下工作的系統(tǒng)而設(shè) 計(jì)的八通道低導(dǎo)通電阻NMOS驅(qū)動(dòng)電路。
特性 ? 0.5A 輸出電流（單路輸出） ? 工作電壓范圍 2.0-7.0V ? CPC20和SOP18封裝
2022-12-19 14:14:0212 基于模型的 GAN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)：GAN 晶體管 S 參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
2022-12-26 10:16:211645 
NMOS晶體管是一種電子元件，它是一種半導(dǎo)體晶體管，其中N指的是n型半導(dǎo)體材料，它具有負(fù)極性，可以用來控制電流的流動(dòng)。它的主要功能是在電路中控制電流的流動(dòng)，以及控制電路的輸入和輸出信號(hào)。
2023-02-11 16:09:0511838 
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢(shì)，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
nMOS晶體管導(dǎo)通是通過溝道里面的電子產(chǎn)生電流的，一般NMOS的源極接襯底，共同接到地，漏極到源極加上正電壓，電子從源極向漏極流動(dòng)，我們?nèi)‰娏鞯姆较蚝碗娮恿鲃?dòng)的方向相反，所以電流是漏極流到源極。
2023-02-11 16:41:541979 
晶體管可以用來放大電信號(hào)，可以用來做電子開關(guān)；晶閘管也可以用來做電子開關(guān)，但不能用來放大信號(hào)，它用來做開關(guān)比晶體管好，因?yàn)樗膶?dǎo)通電阻比晶體管的低，能通大電流；
2023-05-16 14:57:511050 晶體管偏置電阻的計(jì)算主要是為了確定適當(dāng)?shù)幕鶚O電流以確保晶體管正常工作和線性放大。
2024-02-05 15:06:28313 
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