本文將重點討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
2022-08-01 09:03:57
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用BJT晶體管實現(xiàn)開關(guān)功能是經(jīng)常會用到的實用電路。和邏輯門電路類似，當BJT用于開關(guān)電路時，也只工作于飽和區(qū)和截止區(qū)。
2023-02-14 11:49:311558 
電路中，晶體管常常被用來當做開關(guān)使用。晶體管用作開關(guān)時有兩種不同的接線方式：高邊（high side）和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在電路中的位置決定的。晶體管可以是雙極性晶體管（BJT）或者場效應管（MOSFET）。
2023-02-16 16:00:312851 
規(guī)范的產(chǎn)品通常由硅制成，并作為推挽式應用系統(tǒng)的一部分運行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學水平上工作的機制可能有些復雜，但總的來說，它們用一系列極化離子引導和引導電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
為大家奉上GP,multisim對雙極性晶體管模型進行模擬分析是基于GP模型的。
2016-01-16 09:13:21
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關(guān)概念有點模糊，請各位大俠指點?。?！
2016-06-07 23:27:44
安全工作區(qū)域 (SOA *1) 1安全工作區(qū)域（SOA）表示晶體管可安全工作的區(qū)域。不過，SOA只是關(guān)于1脈沖的數(shù)據(jù)，在脈沖反復混入時，需要所有脈沖都進入SOA范圍內(nèi)，并且通過 "4. 確認
2019-04-15 06:20:06
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管?！ “措娏魅萘糠诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報告摘 要晶體管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應范圍的指標，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
晶體管的電流方向相反。如果使晶體管以開關(guān)方式工作，需要加大基極電流晶體管VCE的飽和狀態(tài)當晶體管處于開關(guān)工作方式時，因為電源電壓和集電極電阻的限制，集電極IC不足以提供hFEIB大小的電流。因此
2017-03-28 15:54:24
、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強輸出的電路、功率放大器的設計與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
一、晶體管開關(guān)電路：是一種計數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當需要輸出大的負載電流時，由于集電極電流(負載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶體管電路設計叢書上冊晶體管電路設計(pdf電子書下載):是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2009-11-20 09:41:18
等同hFE，甚至相差很大，所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外，還與管子的工作電流（直流偏置）有關(guān)，工作電流IC在正常情況下改變時，β和hFE也會有所變化；若工作電流變得過小或
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對于晶體管的主要評估項目的特征。 對于各項目的評估是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據(jù)應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
）。對這兩個PN結(jié)所施加不同的電位，就會使晶體管工作于不同的狀態(tài)：兩個PN結(jié)都反偏——晶體管截止；兩個PN結(jié)都導通——晶體管飽和：一個PN結(jié)正偏，一個PN結(jié)反偏——晶體管放大電路（注意：如果晶體管的發(fā)射結(jié)反
2012-02-13 01:14:04
，晶體管的輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達式為：。晶體管輸出特性曲線的三個區(qū)域對應于 晶體管的三個工作狀態(tài)（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)，接下來我們就以BJT和FET為例來講述晶體管的工作原理。1.雙極性晶體管雙極性晶體管，英語名稱為Bipolar Transistor，是雙極性結(jié)型晶體管的簡稱
2016-06-29 18:04:43
利用半導體的特性，每個管子工作原理個不同，你可以找機電方面的書看 下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實很簡單，就是用兩個狀態(tài)表
2017-08-03 10:33:03
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個通道的較小電流的強度來控制通過一個通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-3 15:11 編輯
ROHM 2Sx雙極結(jié)型晶體管（BJT）設計用于工業(yè)和消費類應用。 這些BJT有PNP和NPN兩種極性。 2Sx
2019-06-03 14:41:13
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內(nèi)容簡介：《晶體管電路設計》(上)是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設計》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2017-07-25 15:29:55
類型。
雙極結(jié)型晶體管(BJT)
雙極結(jié)型晶體管是由基極、集電極和發(fā)射極 3 個區(qū)域組成的晶體管。雙極結(jié)型晶體管（與 FET 晶體管不同）是電流控制器件。進入晶體管基極區(qū)的小電流會導致從發(fā)射極流向集電極
2023-08-02 12:26:53
飽和狀態(tài)下工作 當集電極基極電流比被迫低于產(chǎn)品說明書規(guī)定的 hFE 值時，晶體管就可定義為飽和工作。在BJT處于飽和狀態(tài)下時，增加基極電流就不會生成更多的集電極電流。集電極發(fā)射極之間的電壓也驟跌到
2018-10-09 14:20:15
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關(guān)系，就必須對這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解，下面我將用最簡單易懂的語言來為大家逐一講解。BJT：雙極性晶體管，俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管的工作原理是一樣的?！?光電晶體管光電晶體管是由雙極晶體管或場效應晶體管組成的光電器件。光被吸收在這種器件的有源區(qū)域，產(chǎn)生光生載流子，這些載流子通過內(nèi)部電放大機制并產(chǎn)生光電流增益。光電晶體管在三
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結(jié)型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關(guān)。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
暴露在入射光中。除了曝光的半導體材料是雙極性晶體管晶體管(BJT)的基礎(chǔ)之外，光電晶體管的功能也是類似的。一個光敏晶體管被描述為一個去掉基極端子的 BJT，箭頭暗示基極對光敏感。本文中的其他圖只描述了
2022-04-21 18:05:28
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
，出于實際原因，保持區(qū)域大致相同至關(guān)重要?！ ∪缜八?，實現(xiàn)更多計算能力的一種方法是縮小晶體管的尺寸。但隨著晶體管尺寸的減小，漏極和源極之間的距離降低了柵極控制溝道區(qū)域電流的能力。正因為如此，平面
2023-02-24 15:25:29
本文將重點討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定（對輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
1.什么是晶體管，它是如何工作的？晶體管是一種微型電子元件，可以完成兩種不同的工作。它可以用作放大器或開關(guān)：流過晶體管一部分的微小電流可以使更大的電流流過晶體管的另一部分。換句話說，小電流打開較大
2023-02-03 09:32:55
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
如果平衡電阻與發(fā)射極串聯(lián)，則雙極晶體管（BJT）可以并聯(lián)連接。隨著溫度的升高，BJT通常會變得更具導電性。以下MMBT2222A數(shù)據(jù)表中的示例顯示了該器件的典型增益如何隨溫度在允許的工作范圍內(nèi)變化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
。場效應晶體管有時被稱為單極性晶體管，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管（bipolar juncTIon transistors，縮寫：BJT）。盡管由于半導體材料的限制，以及曾經(jīng)雙極性晶體管比
2019-05-08 09:26:37
僅是由多數(shù)載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
在開關(guān)應用中使用晶體管時，請記住以下幾點： 使用 BJT 時，它們必須完全打開或關(guān)閉 晶體管開關(guān)可用于控制燈具、電機和繼電器 全導通晶體管在飽和區(qū)域工作，而全關(guān)斷晶體管在截止區(qū)域工作 為了使
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
: 2SD2673的規(guī)格書（記載了絕對最大額定值）例：瞬間超過絕對最大額定值的例子（不可使用）3. 是否在SOA范圍內(nèi)？確認安全工作區(qū)域 (SOA *1) 1安全工作區(qū)域（SOA）表示晶體管可安全工作的區(qū)域
2019-05-05 09:27:01
晶體管的開關(guān)速度即由其開關(guān)時間來表征，開關(guān)時間越短，開關(guān)速度就越快。BJT的開關(guān)過程包含有開啟和關(guān)斷兩個過程，相應地就有開啟時間ton和關(guān)斷時間toff，晶體管的總開關(guān)時間就是ton與toff之和
2019-09-22 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
“晶體管”一詞是“傳輸”和“壓敏電阻”的組合。該術(shù)語描述了這些設備在早期的工作方式。晶體管是電子產(chǎn)品的主要組成部分，就像DNA是人類基因組的組成部分一樣。它們被歸類為半導體，有兩種一般類型：雙極
2023-02-17 18:07:22
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
晶體管的開關(guān)速度即由其開關(guān)時間來表征，開關(guān)時間越短，開關(guān)速度就越快。BJT的開關(guān)過程包含有開啟和關(guān)斷兩個過程，相應地就有開啟時間ton和關(guān)斷時間toff，晶體管的總開關(guān)時間就是ton與toff之和
2019-08-19 04:00:00
to -2.4mV/oC的范圍有偏差)R1的溫度變化率，如下圖表。關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)數(shù)字晶體管的輸出電壓-輸出電流特性，按以下測定方法測定。IO（低電流區(qū)域
2019-04-22 05:39:52
測定。IO（低電流區(qū)域）條件下，個別晶體管基極沒有電流流過。因此低電流區(qū)域輸出電壓 (VO)[VCE(sat)]上升。測定方法 DTC114EKA 的場合 用IO/Ii=20/1測定。Ii=IB+IR2
2019-04-09 21:49:36
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
是Qgd，它描述了柵極漏極開關(guān)和開關(guān)關(guān)斷時間關(guān)斷所需的電荷。這兩個參數(shù)指示關(guān)斷能力和損耗，從而指示最大工作頻率和效率。關(guān)斷時間toff通常不顯示在晶體管數(shù)據(jù)手冊中，但可以根據(jù)參考書［1］在給定的開關(guān)電壓
2023-02-27 09:37:29
100GHz以上。 電子管是利用靜電場對電子流的控制來工作的，是電壓控制元件，與MOS場效應管的工作原理有些相似。所以輸入阻抗極高，輸入信號只要電壓，不需要電流。晶體管是利用半導體器件內(nèi)雜質(zhì)濃度的差異
2016-01-26 16:52:08
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
類型的晶體管的工作方式大致相同。但是，由于 IGBT 結(jié)合了 BJT 的低導通損耗和功率 MOSFET 的高開關(guān)速度，存在一個最佳的固態(tài)開關(guān)，這是理想的電力電子應用。另外，IGBT 具有比等效
2022-04-29 10:55:25
請問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
驅(qū)動篇 – BJT晶體管應用感謝閱讀本文，在接下來很長的一段時間里，我將陸續(xù)分享項目實戰(zhàn)經(jīng)驗。從電源、單片機、晶體管、驅(qū)動電路、顯示電路、有線通訊、無線通信、傳感器、原理圖設計、PCB設計、軟件設計
2021-07-21 06:31:06
工藝的不同可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管;其還可根據(jù)電流容量的不同、工作頻率的不同、封裝結(jié)構(gòu)的不同等分類方式分為不同的種類。但晶體管多指晶體三極管，主要分為雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET），接下來我們就以BJT和FET為例來講述晶體管的工作原理。
2019-04-09 14:18:3133279 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。
2022-04-26 12:02:413911 MOSFET的工作原理類似于BJT晶體管，但有一個重要的區(qū)別：
對于BJT晶體管，電流從一個基極到另一個發(fā)射極，決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。
對于MOSFET晶體管，電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流能從漏極流向另一個源極。
2022-06-01 14:55:095214 
稱為“雙極”晶體管，是因為其工作涉及電子和空穴的流動。 因此，它也被稱為“雙極載流子晶體管”。 與場效應管的單極晶體管不同，場效應管的工作模式只涉及單一類型載流子的漂移效應，并且兩個不同的摻雜劑累積區(qū)域
2022-06-12 14:45:153221 稱為“雙極”晶體管，是因為其工作涉及電子和空穴的流動。 因此，它也被稱為“雙極載流子晶體管”。 與場效應管的單極晶體管不同，場效應管的工作模式只涉及單一類型載流子的漂移效應，并且兩個不同的摻雜劑累積區(qū)域
2022-06-17 09:04:104136 雙極晶體管（BJT）是最基礎(chǔ)的集成電路器件之一，在集成電路發(fā)展史中起著重要的作用。因為這種晶體管工作時，電子和空穴兩種載流子均參與導電，所以被稱為雙極性結(jié)型晶體管，簡稱雙極晶體管。
2022-09-07 09:27:162454 對于BJT晶體管，電流從一個基極到另一個發(fā)射極，決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。
對于MOSFET晶體管，電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流能從漏極流向另一個源極。
2022-11-21 09:44:153081 首先介紹了雙極性晶體管（BJT）的工作原理，接著演示了晶體管的伏安（I-V）特性，電流增益（current gain）和輸出電導（conductance）。高能注入和重摻雜帶來的能帶狹窄也會介紹到。
2023-02-02 14:15:301101 
PMOS晶體管，也稱為P溝道金屬氧化物半導體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個主要端子：源極、柵極和漏極。晶體管的源極端
2023-02-11 16:48:0312266 
晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設計很有用。
2023-03-25 10:40:43672 【科普小貼士】什么是雙極晶體管（BJT）？
2023-12-13 14:38:56403 
晶體管作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心組件之一，尤其是雙極結(jié)型晶體管（BJT），在眾多應用中扮演著開關(guān)的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開關(guān)，并闡明其在切斷區(qū)和飽和區(qū)的工作原理。
2023-11-28 11:15:58341 
晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設計很有用。
2023-11-29 16:54:55183 
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