Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
、柔性輸電等新能源領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷擴(kuò)展，現(xiàn)代社會(huì)對(duì)電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時(shí)仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）在大功率應(yīng)用方面的最大優(yōu)勢(shì)在于近乎理想的動(dòng)態(tài)特性。在反向恢復(fù)瞬態(tài)，當(dāng)二極管從正向?qū)Ｊ睫D(zhuǎn)變?yōu)榉聪蜃钄嗄Ｊ綍r(shí)，有很低的反向恢復(fù)時(shí)間，而且在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)保持
2020-09-24 16:22:14
`肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱 SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右
2020-07-23 14:45:20
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始
2018-11-29 14:35:50
如此。我想以二極管為例詳細(xì)進(jìn)行說明。下圖是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意圖，顯示了電流流動(dòng)的機(jī)理。SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基勢(shì)壘二極管，因此金屬與n型半導(dǎo)體間形成的肖特基
2018-12-03 15:12:02
同時(shí)放在腦里?？梢岳斫鉃榛镜墓δ芗由细鞣N各樣的形狀來補(bǔ)充。1. 按頻率分類最基本的分類方法。二極管根據(jù)其特性分為整流二極管、開關(guān)二極管、肖特基勢(shì)壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為
2019-04-12 00:31:05
。二極管根據(jù)其特性分為整流二極管、開關(guān)二極管、肖特基勢(shì)壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為保護(hù)元件一般使用齊納二極管，但隨著周邊電路的精密化、應(yīng)用微細(xì)化，被要求使用更高性能的保護(hù)元件
2019-05-06 09:15:49
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2019-10-22 09:12:18
凌訊MBR系列肖特基勢(shì)壘整流器（標(biāo)準(zhǔn)肖特基）是基于硅肖特基二極管技術(shù)的最新器件。肖特基勢(shì)壘整流器是非常受設(shè)計(jì)人員歡迎的器件，因?yàn)槠渚哂袠O快的開關(guān)速度、非常低的正向壓降、低泄漏和高結(jié)溫能力。MBR系列
2016-04-11 11:53:55
肖特基二極管、穩(wěn)壓二極管、瞬態(tài)二極管之間的區(qū)別和理解1、肖特基二極管肖特基二極管是以貴金屬為正極，N型半導(dǎo)體為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性制成的金屬-半導(dǎo)體器件。肖特基整流管的結(jié)構(gòu)
2021-11-15 06:47:36
`肖特基二極管又被稱為肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。肖特基二極管最顯著的特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間極短，正向?qū)▔航祪H為0.4V左右。下面小編為大家介紹一款PFC的肖特基
2018-09-06 10:17:48
`肖特基勢(shì)壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡(jiǎn)稱肖特基二極管）是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V
2018-09-11 10:11:02
肖特基勢(shì)壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡(jiǎn)稱肖特基二極管）是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V
2020-10-28 09:13:12
以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管
2019-01-08 13:56:57
，這個(gè)接觸面稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”，其全名應(yīng)為肖特基勢(shì)壘二極管，簡(jiǎn)稱為肖特基二極管?，F(xiàn)有肖特基二極管大多數(shù)是用硅（Si）半導(dǎo)體材料制作的。20世紀(jì)90年代以來，出現(xiàn)了用砷化鎵（GaAs）制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管是什么？ 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管。肖特基二極管屬于低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間可小到幾個(gè)納秒（2-10ns納秒），正向壓降
2016-04-19 14:29:35
` 在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，都會(huì)用到一種材料，它也因此被譽(yù)為電子行業(yè)的“生命之源”這種材料就是肖特基二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)
2019-02-20 12:01:29
肖特基二極管工作原理肖特基二極管的特點(diǎn)肖特基二極管的結(jié)構(gòu)肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別肖特基二極管的工作狀態(tài)肖特基二極管和穩(wěn)壓二極管的區(qū)別工作原理肖特基二極管是以貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）為正極，以
2021-11-16 08:08:11
電壓是200V.超過200V 電壓的也必定是模塊。 電流越大，電壓越低。與可控硅元件不一樣。電流與電壓成反比（模塊除外）。 10A、20A、30A 規(guī)格的有做到200V 電壓。除此外，都沒有200V 電壓規(guī)格。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-06-30 16:48:53
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2017-10-19 11:33:48
半導(dǎo)體材料與金屬在一起結(jié)合形成金屬一半導(dǎo)體結(jié)。肖特基二極管比普通二極管有正向壓降低、反向電荷恢復(fù)時(shí)間短（10ns以內(nèi)）等優(yōu)點(diǎn)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二、肖特基二極管結(jié)構(gòu) 肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大
2018-12-27 13:54:36
是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。 肖特基（Schottky）二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣
2021-04-17 14:10:23
縮短到10ns以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率。 肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁
2015-11-26 15:59:32
Diode:也有簡(jiǎn)寫為：SBD來命名產(chǎn)品型號(hào)前綴的。但SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管下載：
2021-06-30 17:04:44
較低，一般不超過去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、打電流整流（或續(xù)流）電路的效率。肖特基二極管的作用：肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管
2020-10-27 06:31:18
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2019-02-18 11:27:52
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2020-09-16 16:04:11
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2021-07-21 15:26:58
的電功率在金屬和半導(dǎo)體之間流通。肖特基二極管因此比其他金屬-半導(dǎo)體二極管(例如：表現(xiàn)出歐姆電阻行為的歐姆接觸)為轉(zhuǎn)移提供了更大的勢(shì)壘。由于這種特性，肖特基二極管主要用于以下兩個(gè)領(lǐng)域：1)整流，即在
2017-04-19 16:33:24
肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻
2021-05-28 06:57:34
` 肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。 因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有
2018-12-11 11:48:34
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。 RB068MM100和RB168MM100是ROHM公司推出的2款肖特基勢(shì)壘二極管。二者的反向峰值電壓均為100V，反向電壓（VR）也均為
2019-07-23 04:20:37
人叫做：肖特基勢(shì)壘二極管（ Schottky Barrier Diode 縮寫成 SBD）的簡(jiǎn)稱。但 SBD 不是利用 P 型半導(dǎo)體與 N 型半 導(dǎo)體接觸形成 PN 結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體
2021-01-19 17:26:57
再次談及Si二極管，將說明肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之為勢(shì)壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產(chǎn)生
2018-12-03 14:31:01
肖特基勢(shì)壘二極管結(jié)構(gòu)符號(hào)用途?特征對(duì)電源部的二次側(cè)起到整流作用。低VF（低損耗）、IR大。開關(guān)速度快。一般的二極管是利用PN接合來發(fā)揮二極管特性，而肖特基勢(shì)壘二極管是利用了金屬和半導(dǎo)體接合產(chǎn)生
2019-04-30 03:25:24
形成的勢(shì)壘層為基礎(chǔ)制成的二極管，也稱為肖特基勢(shì)壘二極管，屬于金屬半導(dǎo)體結(jié)二極管。PS2045L主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌?、反向恢?fù)時(shí)間短、開關(guān)損耗低。它是一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，缺點(diǎn)是耐壓比較
2021-11-26 16:28:38
編輯-Z肖特基二極管是什么？肖特基二極管（肖特基勢(shì)壘二極管）：是一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件。這種器件是由多數(shù)載流子傳導(dǎo)的，所以它的反向飽和電流比由少數(shù)載流子傳導(dǎo)的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中
2021-10-18 16:45:00
材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為型半導(dǎo)體。肖特基二極管的作用原理是什么？ 肖特基二極管的作用是單相導(dǎo)電特性的，利用金屬與半導(dǎo)體接觸所形成的勢(shì)壘對(duì)電流進(jìn)行控制。肖特基二極管有什么特點(diǎn)？肖特基二極管
2017-03-03 16:21:07
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
編輯-Z一、什么是MBR10100FCT肖特基二極管肖特基二極管MBR10100FCT（肖特基勢(shì)壘二極管）：是一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件。這種器件是由多數(shù)載流子傳導(dǎo)的，所以它的反向飽和電流比由
2021-09-11 16:42:45
：102mil浪涌電流Ifsm：200A漏電流(Ir)：20mA工作溫度：-65~+175℃恢復(fù)時(shí)間(Trr)：5ns引線數(shù)量：3 肖特基二極管MBR20200FCT是基于通過接觸金屬和半導(dǎo)體形成的勢(shì)壘層
2021-09-13 17:01:40
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 編輯
ROHM肖特基勢(shì)壘二極管具有各種高可靠性，低損耗器件。 它們有各種包裝。 肖特基二極管提供低正向電壓和反向電流
2019-06-17 15:30:23
` 肖特基二極管也叫熱載流子二極管，通過金屬和半導(dǎo)體接觸(肖特基接觸)形成肖特基勢(shì)壘從而實(shí)現(xiàn)整流。相對(duì)于普通的PN結(jié)二極管，肖特基二極管的反向恢復(fù)“慣性”很低。因此肖特基二極管適合于高頻整流或者
2019-01-02 13:57:40
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2010-08-17 09:31:20
(1)由于肖特基勢(shì)壘的高度低于PN結(jié)勢(shì)壘，肖特基二極管的正向傳導(dǎo)閾值電壓和正向壓降均低于PN結(jié)勢(shì)壘，約低0.2V。(2)由于肖特基二極管是一種大多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-01-18 10:35:14
上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管(Schottky
2019-03-11 11:24:39
二極管的結(jié)電容分兩種：勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容。而一般數(shù)據(jù)手冊(cè)給到的結(jié)電容參數(shù)，通常指的是勢(shì)壘電容。上面這個(gè)是ES1J超快恢復(fù)二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)的結(jié)電容參數(shù)Cj=8pF。同時(shí)我們知道，對(duì)于常用的二極管來說
2021-10-08 10:37:02
二極管是作為單向開關(guān)的兩端設(shè)備。肖特基是一種金屬-半導(dǎo)體二極管，以極低的正向電壓著稱，其中金屬形成陽極，n 型半導(dǎo)體充當(dāng)陰極。這種二極管是以德國(guó)物理學(xué)家華特·蕭特基命名的。它也被稱為肖特基勢(shì)壘二極管
2022-03-19 22:39:23
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
目前經(jīng)常用到的大功率二極管有：肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二級(jí)管，等等。著重介紹前兩種。 一，肖特基二極管(英文簡(jiǎn)稱SBD) 肖特基勢(shì)壘二極管簡(jiǎn)稱肖特基二極管。它不是PN結(jié)
2015-06-19 14:52:18
`肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)
2018-12-10 15:19:35
` 肖特基二極管是利用金-屬半導(dǎo)體接面做為肖特基勢(shì)壘，而發(fā)生整流的效果，和普通二極管中由半導(dǎo)體-接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢(shì)壘的特性使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，能夠提高切換的速度
2018-11-05 14:29:49
-半導(dǎo)體(接觸) 二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管在物理結(jié)構(gòu)上是不一樣的。肖特基二極管的陽極是金屬 ，陰極是N型半導(dǎo)體;快恢復(fù)二極管基本結(jié)構(gòu)仍然是普通的PIN
2018-11-01 15:26:11
20V100或者表面勢(shì)壘二極管20V100，具有正向耐大電流，反向恢復(fù)時(shí)間極快等優(yōu)點(diǎn)。伴隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步發(fā)展，對(duì)肖特基二極管的性能要求也越來越高，要求自身功率損耗更小，所以VF值與漏電流控制到更低
2018-10-17 15:20:19
肖特基勢(shì)壘二極管RB051LAM-40和RB081LAM-20具有低壓降VF，其正向壓降最小只有0.35V，低壓降可減小功率損耗，減少發(fā)熱，提高產(chǎn)品的壽命，具有高可靠性優(yōu)勢(shì)。表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管
2019-04-17 23:45:03
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
肖特基二極管的種類非常多，根據(jù)其性能不同,應(yīng)用領(lǐng)域也不同。我們常說的大電流肖特基二極管是如何劃分的呢？眾所周知，肖特基二極管的電流可以從零占幾安到幾百安，10a以下 一般常用于充電器,充電寶之類
2022-03-31 16:56:22
金屬和半導(dǎo)體觸點(diǎn)形成肖特基勢(shì)壘以實(shí)現(xiàn)整流。與普通PN結(jié)二極管相比，它的反向恢復(fù)慣量非常低。因此，肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關(guān)。碳化硅（SiC）是一種高性能半導(dǎo)體材料，因此SiC肖特基二極管具有
2023-02-07 15:59:32
肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。 肖特基二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD)，它屬
2018-10-26 14:36:32
二極管也研制成功。肖特基二極管-作用肖特基二極管又被稱為肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。肖特基二極管最顯著的特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間極短，正向?qū)▔航祪H為0.4V左右
2018-10-19 11:44:47
、肖特基二極管而肖特基二極管，簡(jiǎn)稱SBD，它不是利用PN結(jié)原理制作的，它是以金屬為正極，以N型半導(dǎo)體為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的一種半導(dǎo)體器件，是一種熱載流子二極管，肖特基二極管
2023-02-16 14:56:38
、肖特基二極管而肖特基二極管，簡(jiǎn)稱SBD，它不是利用PN結(jié)原理制作的，它是以金屬為正極，以N型半導(dǎo)體為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的一種半導(dǎo)體器件，是一種熱載流子二極管，肖特基二極管
2023-02-20 15:22:29
加上反向偏壓，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。由于肖特基二極管僅靠一種載流子(電子)導(dǎo)電，其反向恢復(fù)時(shí)間縮短到10ns以內(nèi)，正向?qū)▔航祪H為0．4V左右，整流電流卻可達(dá)幾百至幾千安培，這些優(yōu)良特性
2021-05-14 08:11:44
功率閾值的電功率在金屬和半導(dǎo)體之間流通。肖特基二極管因此比其他金屬-半導(dǎo)體二極管(例如：表現(xiàn)出歐姆電阻行為的歐姆接觸)為轉(zhuǎn)移提供了更大的勢(shì)壘。由于這種特性，肖特基二極管主要用于以下兩個(gè)領(lǐng)域： 1、整流
2018-10-19 15:25:32
一、肖特基二極管的定義與特點(diǎn)1.什么是肖特基二極管肖特基二極管(肖特基勢(shì)壘二極管):它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒)。正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
`一、肖特基二極管的定義與特點(diǎn)1.什么是肖特基二極管肖特基二極管又稱肖特基勢(shì)壘二極管，它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2.
2015-10-08 15:52:46
是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此
2019-04-01 11:59:16
數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下。肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode），具有正向壓降低（0.4--0.5V
2019-06-12 02:34:10
本人想了解下肖特基勢(shì)壘二極管制造技術(shù)和工藝，望高手指點(diǎn)
2011-02-23 22:07:19
肖特基二極管包括普通功率肖特基勢(shì)壘二極管(PowerSchottkyBarrierDiode,SBD)、結(jié)勢(shì)壘控制的肖特基(JunctionBarrierControlledShottky，JBS
2019-02-12 15:38:27
有什么區(qū)別呢?今天就讓立深鑫帶領(lǐng)大家一起去分析一下肖特基二極管與一般整流二極管相比特別之處在于哪里? 肖特基二極管是利用金屬半導(dǎo)體接面作為肖特基勢(shì)壘，以產(chǎn)生整流的效果，和一般二二極管中由半導(dǎo)體
2018-10-22 15:32:15
肖特基勢(shì)壘二極管結(jié)構(gòu)符號(hào)用途?特征對(duì)電源部的二次側(cè)起到整流作用。低VF（低損耗）、IR大。開關(guān)速度快。一般的二極管是利用PN接合來發(fā)揮二極管特性，而肖特基勢(shì)壘二極管是利用了金屬和半導(dǎo)體接合產(chǎn)生
2019-04-11 02:37:28
混頻二極管是利用金屬和N型半導(dǎo)體相接觸所形成的金屬半導(dǎo)體結(jié)的原理而制成的。當(dāng)金屬與半導(dǎo)體相接觸時(shí)，它們的交界面處會(huì)形成阻礙電子通過的肖特基勢(shì)壘，即表面勢(shì)壘。
2019-11-05 09:11:18
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗?！ 〉?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
各種耐高溫的高頻大功率器件，應(yīng)用于硅器件難以勝任的場(chǎng)合，或在一般應(yīng)用中產(chǎn)生硅器件難以產(chǎn)生的效果。 肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）作為一種單極性器件，在導(dǎo)通過程中沒有額外載流子注入和儲(chǔ)存，因而基本沒有
2019-10-24 14:21:23
基于基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管1D20065K（650V/20A），電流特性（5A、10A、15A）： 硅快速恢復(fù)二極管（環(huán)境溫度25℃） 碳化硅肖特基二極管（環(huán)境溫度25℃） 硅快恢復(fù)二極管在
2023-02-28 16:34:16
肖特基勢(shì)壘二極管。五者的VRM（峰值反向電壓）均為35V，反向電壓（VR）均為30V。RB078BM30S,RB085BM-30,RB088BM-30,RB095BM-30,RB098BM-30的平均正向整流
2019-03-21 06:20:10
羅姆（ROHM）是全球著名半導(dǎo)體廠商之一。它推出了6款中功率肖特基勢(shì)壘二極管，型號(hào)分別為RBR1MM60A，RBR2MM60A，RBR2MM60B，RBR2MM60C，RBR3MM60A
2019-07-15 04:20:07
一般的二極管是利用PN結(jié)的單方向?qū)щ姷奶匦?，?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管則是利用金屬和半導(dǎo)體面接觸產(chǎn)生的勢(shì)壘（barrier）整流作用，這個(gè)接觸面稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”，其全名應(yīng)為肖特基勢(shì)壘二極管，簡(jiǎn)稱為肖特基
2021-01-13 16:36:44
是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。與普通的二極管不一樣，SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)
2019-04-12 11:37:43
和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。 RB520CM-30,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30是ROHM公司推出的4款肖特基勢(shì)壘二極管
2019-04-18 00:16:53
采芯網(wǎng)轉(zhuǎn)載：大功率肖特基二極管（SBD）是貴金屬A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。大功率肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流
2016-12-06 18:25:12
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管：下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。
2023-02-08 13:43:17
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