SiC 賦能更為智能的
半導體器件的制造流程包含數(shù)個截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝,半導體制造設備的電源都非常重要。與基于硅的電源模塊相比,使用碳化硅(SiC)的電源具有更為出色的功率密度、可靠性和設計靈活性等優(yōu)勢,因此工程師們認為 SiC 在此前未曾運用過的應用中擁有一系列優(yōu)勢。
功率密度和靈活性便是 Wolfspeed 和 Astrodyne TDI(ATDI)合作的原因,雙方一同挖掘 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢,以滿足現(xiàn)代半導體制造/工藝設備的多種電源需求。我們攜手使用 SiC 器件實現(xiàn)更高的功率密度,尤其是 ATDI 的新型 Kodiak 電源平臺,其功率密度高達 40 W/in3。此外,Wolfspeed 具有開發(fā)穩(wěn)定 SiC 解決方案的悠久歷史,能夠幫助 ATDI 提供性能更出色的功率轉(zhuǎn)換器,反之亦可幫助客戶提升工藝控制水平。
電源是端到端的需求
涉及半導體制造/工藝的多種設備都需要電源。
其中一個關(guān)鍵領(lǐng)域是測試。半導體設備制造工藝會將硅轉(zhuǎn)化為較薄的晶圓,其中包含細小的功能電路,然后晶圓被切割成一個個的芯片,也叫做晶粒。每一個集成電路芯片在切割之前都要進行測試,包括高溫測試,以確保其能夠在特定的標定條件下正常工作。電源在此流程中非常重要,其功率等級會非常高,而噪聲等級需要非常低。
電源在離子注入工藝中極為重要,這一工藝涉及到將特定元素的離子注入到材料中,以改變或重塑其特性。注入工藝也叫做“半導體摻雜”,涉及到硼、磷或砷離子等摻雜劑,這一工藝會引入雜質(zhì),從而調(diào)整器件的電子特性。注入工藝要想取得成功,需要由設備射出高能電子束,此類設備必須擁有可靠的電源,才能夠既射出電子束,又能使用電磁鐵引導離子束并將其集中。
半導體制造工藝中的蝕刻和沉積設備也需要可靠的電源。濕式蝕刻和干式蝕刻都會將晶圓轉(zhuǎn)化成互聯(lián)電路和其他關(guān)鍵元件。蝕刻工藝使用光刻技術(shù)來移除多余的物質(zhì),僅留下復雜的電路圖形。穩(wěn)定的電源對于沉積來說也非常重要,這一工藝流程涉及到蒸鍍或濺射技術(shù),目的為形成多層金屬層,從而形成單元之間的電氣連接,其會保持沉積物質(zhì)的均勻性,從而打造均勻的金屬層。
這些設備中利用的很多功率轉(zhuǎn)換器都是半導體制造工藝中不可或缺的一部分,其中轉(zhuǎn)換器不僅僅需要能提供穩(wěn)定的電壓。還可能需要電源以高水平的精度來動態(tài)控制輸送的功率或電流。一般情況下,很多電源都利用交流頻率轉(zhuǎn)換器,這是因為其能夠配置為適應世界各地晶圓廠中電壓范圍在 100 V 到 480 V 之間的多種不同交流電壓。SiC 技術(shù)的出現(xiàn)使得這些應用使用高頻開關(guān)(HFSM)轉(zhuǎn)換器提供電源成為可能,其在性能和功率密度方面有顯著的優(yōu)勢。
所有這些工藝都能從盡可能貼近實際設備、更高密度的電源中獲益;各工藝之間從本質(zhì)上變得更為緊密,其精確度更出色、復雜程度更低、工藝時間減少,這意味著上市時間更快。很多廠商需要為半導體制造設備搭建電源模塊,而利用 SiC 技術(shù)的 HFSM 電源能夠為這些廠商帶來更出色的靈活性。
功率密度和靈活性之間的良好平衡
ATDI 在其電源上使用第二代 SiC 器件已近十年,在 Kodiak 平臺上已遷移到了第三代器件,這是一款標準的構(gòu)建模塊,可集成在多種定制方案中。
ATDI 采用新型 SiC 技術(shù),提高了功率密度,能夠為客戶解決較為復雜的問題。Kodiak 產(chǎn)品中的 SiC MOSFET 和相關(guān)的體二極管具備較低的損耗,達到了行業(yè)前沿的 40 W/in3 的功率密度,實現(xiàn)了可供選擇的高效率和靈活的功率拓撲。
除了高功率密度外,Kodiak 還兼容全球各地的交流電源,并能夠高度準確地控制傳輸?shù)碾妷骸㈦娏骱凸β?。下圖所示的功率拓撲利用了三相功率因數(shù)校正 AC/DC 級和一個移相全橋(PSFB)隔離型 DC/DC 級。AC/DC 級可以在寬泛的輸入電壓和頻率中運行,設備制造商在全球內(nèi)只需利用兩種不同的模式。此外,DC/DC 級配有 PSFB,與諧振轉(zhuǎn)換器相比,其能夠控制更為寬泛的輸出電壓和功率等級。采用傳統(tǒng)的硅 MOSFET 或 IGBT 實施這兩種拓撲不切實際,但是 Wolfspeed SiC MOSFET 卻能夠應對這些挑戰(zhàn)。
讓電源更靠近工藝
體積更小、更緊湊的功率轉(zhuǎn)換器能夠為半導體制造設備制造商帶來優(yōu)勢。高功率密度可以讓制造商將電源配置在靠近設備和實際工藝的區(qū)域,這能夠提高工藝穩(wěn)定性和可重復性。然而,將功率轉(zhuǎn)換器配置在設備附近也會帶來一系列亟需解決的問題。也許最具挑戰(zhàn)性的問題便是轉(zhuǎn)換器冷卻問題,由于無塵室內(nèi)禁止使用強制風冷,這使得這一問題變得更為復雜。多年以來,ATDI 一直在提供高效液冷轉(zhuǎn)換器,專為解決此類問題,同時還通過取消風扇的方式提高了可靠性。
****▲ Wolfspeed 新型第三代 C3M? 碳化硅使得 ATDI Kodiak 平臺成為標準的構(gòu)件模塊,額定功率達 6 kW,能夠支持對能源需求不斷增長的高能耗半導體制造應用,諸如電子加熱、電子束導向、以及半導體測試等。
Wolfspeed SiC 技術(shù)具備相當快的開關(guān)速度,搭配較低的傳導損耗,為 ATDI 轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)了高開關(guān)頻率設計,可在較大范圍內(nèi)的直流電源下運行。此外,Wolfspeed 的封裝技術(shù)為 Kodiak 平臺促成了行業(yè)前沿的液冷設計拓撲。
ATDI 的 Kodiak 平臺是 ATDI 和 Wolfspeed 緊密合作的成果。ATDI 的液冷 Kodiak 平臺并未簡單地采用現(xiàn)有的硅設計然后將其轉(zhuǎn)化為 SiC,其從設計初始便使用 SiC 進行優(yōu)化,能夠盡可能提高功率密度,優(yōu)化整體尺寸。Kodiak 適用于高功率 DC 系統(tǒng),尤其適用于需要自動分載、在較寬泛的 DC 電壓范圍內(nèi)運行、國際電源輸入以及高效、可靠性出色、尺寸緊湊、易于維護等特性的工業(yè)應用。
通過更為高效的冷卻方式降低復雜性、提升可靠性,這是 Kodiak 脫穎而出的關(guān)鍵因素。工業(yè)制程、數(shù)據(jù)處理和通訊網(wǎng)絡對電源的要求不斷提高,這些應用迫切需要經(jīng)濟、可靠的液冷功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。ATDI 的 Kodiak 便是一種可靠的構(gòu)建模塊,能夠滿足這些需求。
▲ ATDI SiC Kodiak 電源平臺是高功率 DC 系統(tǒng)的理想選擇,尤其適用于工業(yè)應用。
總之,智能冷卻、更出色的開關(guān)頻率、更緊湊的尺寸三大優(yōu)勢相互結(jié)合,提高了半導體制造設備功率轉(zhuǎn)換器的靈活性,這是由于電源能夠更為接近工藝本身。通過縮短距離,精度得以顯著提高,這反過來直接對制程性能產(chǎn)生了積極影響。
SiC基電源解決方案可實現(xiàn)出色功率密度和靈活性
ATDI 具有多種型號,提供完全可調(diào)整的輸出并具備多種控制模式,還具備卓越的應用靈活性,能夠減少半導體制造行業(yè)的產(chǎn)品上市時間。ATDI 充分發(fā)揮了 SiC 在功率密度、可靠性、輸出和設計靈活性等方面的優(yōu)勢,將其應用在了此前未曾運用過的領(lǐng)域中,能夠為半導體制造的前道工藝和后道工藝提供極為重要的功率轉(zhuǎn)換器。
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