絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
2022-10-28 16:12:42
9922 
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng)，一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng)，是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象，當(dāng)然，閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實(shí)際工作中我們可能很少聽到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應(yīng)。
2023-04-06 17:32:551090 
半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上
2023-12-18 09:40:221172 
的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常
2012-07-25 09:49:08
型器件容量大的優(yōu)點(diǎn),因而,在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用。在中大功率的開關(guān)電源裝置中,IGBT 由于其控制驅(qū)動(dòng)電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點(diǎn),已逐步取代晶閘管或 GTO。但是在
2021-03-17 11:59:25
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 12:00:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 10:12:52
很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等
2012-07-09 10:01:42
很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等
2012-07-09 11:53:47
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IG...
2021-09-09 07:16:43
）時(shí)IGBT導(dǎo)通，柵源極不加電壓或者是加負(fù)壓時(shí)，IGBT關(guān)斷，加負(fù)壓就是為了可靠關(guān)斷。他沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT有三個(gè)端子，分別是G，D，S，在G和S兩端加上電壓后
2012-07-09 10:19:49
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
開啟IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？關(guān)斷IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？
2021-10-14 09:09:20
, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件
2021-09-09 08:29:41
交流電動(dòng)機(jī)有哪些優(yōu)點(diǎn)？IGBT的過電流保護(hù)類型可以分為哪幾種呢？
2021-10-26 07:52:47
引言IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡單、開關(guān)損耗小、通斷
2021-09-09 09:02:46
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個(gè)1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進(jìn)行開關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路
2017-10-10 17:16:20
IGBT 也稱為絕緣柵雙極晶體管, 是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件, 它將功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)集于一身, 既具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡單的優(yōu)點(diǎn), 又具有通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn), 因此應(yīng)用更加廣泛。
2016-06-21 18:23:10
現(xiàn)有IGBT 型號(hào)為H20R1202 要設(shè)計(jì)他的驅(qū)動(dòng)電路，在哪里找資料？或者有沒有設(shè)計(jì)過IGBT驅(qū)動(dòng)電路的，能分享嗎？現(xiàn)在有一個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET 的電路，可以用在IGBT的驅(qū)動(dòng)上嗎？
2016-04-01 09:34:58
誰能仔細(xì)闡述一下igbt是什么嗎？
2019-08-22 15:20:53
淺談FPGA在安全產(chǎn)品中有哪些應(yīng)用？
2021-05-08 06:36:39
淺談UWB與WMAN無線電系統(tǒng)的驗(yàn)證
2021-06-02 06:07:49
淺談三層架構(gòu)原理
2022-01-16 09:14:46
淺談低成本智能手機(jī)的發(fā)展
2021-06-01 06:34:33
淺談射頻PCB設(shè)計(jì)
2019-03-20 15:07:57
`老司機(jī)淺談幕墻用防雷銅導(dǎo)線 柔性導(dǎo)電銅索用途：【銅導(dǎo)線-雅杰-顧小霞】用于電纜橋架接地，配電箱接地，電器接地，樓房接地，地線可接到樓體結(jié)構(gòu)中的鋼筋上,一般的樓體鋼筋都是接地的。雅杰銅導(dǎo)線、銅索廣泛
2019-04-26 16:29:19
淺談電子三防漆對PCB板的作用有哪些？
2023-04-14 14:36:27
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個(gè)流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無用的。IGBT一般使用在大電流的場景。...
2021-10-29 08:28:40
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
?！? MOSFET具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。 什么是IGBT IGBT (Insulated Gate Bipolar
2020-07-19 07:33:42
PCB經(jīng)驗(yàn)淺談
2012-08-04 09:33:39
，是一款綠色環(huán)保的電子元器件，可應(yīng)用于汽車和工業(yè)用途的通用變頻器等領(lǐng)域。 圖1 RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）封裝情況和電氣原理圖RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管
2019-04-09 06:20:10
，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。圖
2012-06-19 11:36:58
什么是數(shù)碼功放？淺談數(shù)碼功放
2021-06-07 06:06:15
IGBT的工作原理IGBT極性判斷IGBT好壞的判斷
2021-03-04 07:18:28
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
`推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代
2019-05-02 22:43:32
絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為 MOSFET,輸出極為 PNP 晶體管,因此,可以把其看作是 MOS 輸入的達(dá)林頓管。它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)
2021-03-19 15:22:33
高價(jià)回收IGBT模塊 產(chǎn)品詳情 專業(yè)回收HSMS-2852-TR1G/HSMS-2852-TR2G,資深回收LM4040DIZ-2.5,專業(yè)回收MAX241CAI,北京收購NCP1380DDR2G
2021-09-24 18:18:03
手機(jī)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)淺談，
2017-11-13 11:21:21
手機(jī)硬件知識(shí)淺談
2013-05-15 11:04:52
功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成為UPS功率設(shè)計(jì)的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮IGBT
2012-03-29 14:07:27
芯片是什么？芯片按用途可分為哪幾類？芯片有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2021-10-25 08:51:21
變焊機(jī)很少見）一般是指使用工頻變壓器由可控硅整流的電焊機(jī)。igbt焊機(jī)是指機(jī)器內(nèi)逆變原件是使用igbt的逆變焊機(jī)。您說的這些都是焊接電源，和焊機(jī)用途無關(guān)，根據(jù)不同用途生產(chǎn)出相應(yīng)的電源就可以了轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-09 10:21:16
變焊機(jī)很少見）一般是指使用工頻變壓器由可控硅整流的電焊機(jī)。igbt焊機(jī)是指機(jī)器內(nèi)逆變原件是使用igbt的逆變焊機(jī)。您說的這些都是焊接電源，和焊機(jī)用途無關(guān)，根據(jù)不同用途生產(chǎn)出相應(yīng)的電源就可以了轉(zhuǎn)載自電子發(fā)燒友網(wǎng)
2012-07-09 14:12:10
絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎(chǔ)知識(shí)絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)1986年投
2009-04-14 22:13:396003 
LED照明突出優(yōu)點(diǎn)及用途
最初，LED只是作為微型指示燈，在計(jì)算機(jī)、音響和錄像機(jī)等高檔設(shè)備中應(yīng)用，隨著大規(guī)模集成電路和計(jì)算機(jī)技
2009-11-19 11:03:21447 在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)
2010-09-26 09:51:45768 
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為UPS 功率設(shè)計(jì)的首選。
2013-01-23 11:10:273733 
英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）“RC-E系列”（英文發(fā)布資料）。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管
2016-11-14 14:51:361390 MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)
2017-05-14 11:10:5334989 
IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3412273 
在 UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率 MOSFET、可控硅和 IGBT，IGBT 既有功率 MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流
2017-11-06 10:08:53
24 IGBT的優(yōu)勢在于輸入阻抗很高，開關(guān)速率快，導(dǎo)通態(tài)電壓低，關(guān)斷時(shí)阻斷電壓高，集電極和發(fā)射機(jī)承受電流大的特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為電力電子行業(yè)的功率半導(dǎo)體發(fā)展的主流器件。IGBT已經(jīng)由第三代發(fā)展到第五代
2017-11-14 14:20:2025 IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大
2018-01-26 13:43:0250204 
本文開始介紹了Foxbot機(jī)器人的來源，其次闡述了Foxbot機(jī)器人優(yōu)點(diǎn)與用途，最后介紹了工業(yè)機(jī)器人的發(fā)展趨勢。
2018-04-03 16:52:3816267 連接器用途廣泛，不僅在電纜產(chǎn)品上有使用，在通信、醫(yī)療等領(lǐng)域也都在使用。下面小編就為大家普及一下問小編最多的一種連接器。MCX連接器是一種推入式連接結(jié)構(gòu)，外形小巧。便于連接器可以快速實(shí)現(xiàn)連接與分離
2020-05-02 11:19:00800 簡單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。
2020-06-05 11:33:1718549 
金豪泰阻燃電線的優(yōu)點(diǎn)在于阻燃性能優(yōu)異，當(dāng)發(fā)生火災(zāi)時(shí)，能保證電線和電器的安全性，能有效避免火勢的蔓延，以免造成更大的經(jīng)濟(jì)損失。 二、阻燃電線用途 適用于交流額定電壓450/750V及以下塑料絕緣控制電線及電氣設(shè)備；阻燃電線適用
2020-08-28 17:04:5314573 自關(guān)斷的特征。 簡單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。 而平時(shí)我們在實(shí)際中使用的IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封
2022-11-29 18:17:35407 簡單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。
2020-10-12 17:48:494024 
IGBT是“InsulatedGateBipolarTransistor”的首字母縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。通過結(jié)合MOSFET和雙極晶體管，IGBT成為同時(shí)具備這兩種器件優(yōu)點(diǎn)的功率晶體管。IGBT有N溝道型和P溝道型兩種，本文中以目前主流的N溝道型為例展開介紹。
2022-03-30 15:39:4340061 
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對IGBT
2022-08-06 14:54:531999 人臉識(shí)別廠家淺談人臉識(shí)別的智能優(yōu)點(diǎn)
2023-02-06 11:58:28509 
IGBT中文翻譯為：絕緣柵雙極型晶體管。是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成，兼具了這二者的優(yōu)點(diǎn)：高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降，也就是“驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低”。這樣的優(yōu)點(diǎn)使IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)中。
2023-02-07 16:29:344207 IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)
2023-02-17 16:40:23915 IGBT-IPM是一種集成電力模塊，它由一個(gè)IGBT（可控硅反激開關(guān)）和一個(gè)IPM（智能功率模塊）組成。它可以用于控制電機(jī)、變頻器、變壓器等電力電子設(shè)備，以實(shí)現(xiàn)高效、精確的控制。
2023-02-20 15:30:251771 講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。 而平時(shí)我們在實(shí)際中使用的IGBT模塊
2023-02-22 15:01:420 全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。 GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)
2023-02-22 13:57:133674 簡單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。
2023-02-22 16:18:072495 
為什么需要使用連接器呢？
淺談連接器的優(yōu)點(diǎn)和必要性
比如，連接設(shè)備內(nèi)部PCB板時(shí)，雖然可以直接連接回路，但這樣會(huì)導(dǎo)致需要很長的作業(yè)時(shí)間。并且修理時(shí)的拆除等工作較花費(fèi)時(shí)間。但使用連接器進(jìn)行
2023-03-28 14:30:00230 每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說一遍，就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn)，相比于其他大功率開關(guān)器件，IGBT的驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、沒有二次擊穿效應(yīng)且易于并聯(lián)。
2023-05-25 17:31:342959 
IGBT是繼MOSFET之后，新一代的開關(guān)器件，主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transistor，是由晶體管和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合
2023-07-20 16:39:514493 摘要: 針對傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問題，設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT是一種晶體管，是MOSFET和BJT集成而成的開關(guān)，具有高速開關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻，用于高效率的功率調(diào)節(jié)。IGBT具有一些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，下面將詳細(xì)
2023-08-25 15:03:294012 igbt單管和雙管的區(qū)別 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）又稱絕緣柵雙極晶體管，是一種特殊的半導(dǎo)體器件。它集成了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，具有輸入電阻
2023-08-25 15:11:222539 光隔離器的主要用途和優(yōu)點(diǎn)? 光隔離器是一種電氣器件，用于隔離高電壓和低電壓電路之間的信號(hào)，以保護(hù)低電壓電路內(nèi)部的器件免受高電壓干擾。 光隔離器的主要用途： 1. 電信和通信系統(tǒng)：在長距離的通信線路
2023-09-26 16:55:21708 工字電感磁芯的用途及優(yōu)點(diǎn)是什么
2023-10-10 11:55:00444 GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)？ GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率電子器件中，各有強(qiáng)項(xiàng)和弱點(diǎn)，本文著重闡述四種晶體管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。 一、 GTO
2023-10-19 17:01:256175 工字電感磁芯的用途及優(yōu)點(diǎn)是什么？? 工字形電感磁芯是一種用于電路中的電感器件，具有以下優(yōu)點(diǎn)：高磁通密度、高效率、低損耗、穩(wěn)定性強(qiáng)、易制造、易使用、多用途等特點(diǎn)。 首先，工字形電感磁芯能夠提供
2023-10-25 15:21:10385 IGBT IPM的優(yōu)點(diǎn)
2023-12-06 14:46:49228 
低損耗同軸線纜的一些主要優(yōu)點(diǎn)和用途? 低損耗同軸線纜是一種具有很多優(yōu)點(diǎn)的電纜，它在很多領(lǐng)域具有廣泛的用途。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地介紹低損耗同軸線纜的主要優(yōu)點(diǎn)和用途。 低損耗同軸線纜的主要優(yōu)點(diǎn)之一
2023-11-27 16:19:38244 單模光纖的優(yōu)點(diǎn)和用途 單模光纖的性能優(yōu)于多模光纖嗎? 單模光纖是一種常用的光纖傳輸介質(zhì)，優(yōu)點(diǎn)眾多。它能夠更有效地傳輸光信號(hào)，克服了多模光纖的一些限制，因此在一些特定的應(yīng)用領(lǐng)域更具優(yōu)勢。本文將詳細(xì)探討
2023-11-28 14:18:42528 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高性能半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點(diǎn)。然而，由于IGBT的驅(qū)動(dòng)電路對其性能和壽命有很大影響，因此選擇合適的驅(qū)動(dòng)
2023-12-30 10:11:00546 
IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說明 IGBT是一種高壓開關(guān)器件，它結(jié)合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，具有許多獨(dú)特的優(yōu)勢。在本文中，我們將詳細(xì)地探討IGBT的優(yōu)點(diǎn)，以便更好地理解其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。 首先
2024-01-04 16:35:47790 了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，具備高電壓和高電流開關(guān)能力。 IGBT的工作原理可以分為四個(gè)階段：導(dǎo)通、關(guān)斷、過渡和飽和。 1. 導(dǎo)通階段：在導(dǎo)通階段，IGBT的門極電壓（V_GS）通過控制電壓源施加，使得MOSFET部分的導(dǎo)電層建立。這導(dǎo)致P型基區(qū)變窄，觸發(fā)NPN晶體管的導(dǎo)通。 2. 關(guān)斷階段
2024-01-12 14:43:521681 LED燈是一種能效高、壽命長的照明產(chǎn)品，具有許多優(yōu)點(diǎn)，并且在各個(gè)領(lǐng)域有廣泛的用途。下面將介紹LED燈的優(yōu)點(diǎn)和用途。 一、LED燈的優(yōu)點(diǎn) 高能效：相比傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈，LED燈具有更高的能效。根據(jù)
2024-01-15 14:42:02537 什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:28481 IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護(hù)特性，其優(yōu)點(diǎn)可以總結(jié)如下： 集成度高： IGBT IPM將多個(gè)IGBT器件與驅(qū)動(dòng)、保護(hù)等電路集成在一個(gè)模塊中，減少
2024-02-23 10:50:10202 絕緣門極雙極型晶體管（IGBT）是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡單、飽和壓降低、耐壓高電流大等優(yōu)點(diǎn)，因此現(xiàn)今應(yīng)用相當(dāng)
2024-02-27 08:25:58171 
霍爾傳感器的優(yōu)點(diǎn)及用途? 霍爾傳感器是一種利用霍爾效應(yīng)測量磁場強(qiáng)度的器件。它具有許多優(yōu)點(diǎn)，如高靈敏度、高精度、快速響應(yīng)、無接觸式操作、可靠性高、長壽命等。由于這些優(yōu)點(diǎn)，霍爾傳感器在各種工業(yè)以及消費(fèi)
2024-03-05 16:47:42221
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論