，有如下反應(yīng)：42 （2） 上式表明，被氧俘獲的
電子釋放出來，這樣半導(dǎo)體表面載流子濃度上升，從而半導(dǎo)體表面電阻率減小。三、
氧化物半導(dǎo)體甲烷傳感器的
研究進(jìn)展 盡管甲烷是分子
結(jié)構(gòu)最簡單的一種碳?xì)?/div>
2018-10-24 14:21:10
高科技術(shù)領(lǐng)域及許多行業(yè)中已得到應(yīng)用：1在電子工業(yè)中的應(yīng)用（1）多芯片式封裝用陶瓷多層基板：封裝用的納米氧化鋁陶瓷多層基板的制造方法有厚膜印刷法、生坯疊片法、生坯印刷法、厚薄膜混合法等四種。（2）高壓鈉燈
2016-10-21 13:51:08
特定金屬或者合金（例如鎳鉻合金、氧化錫或者氮化鉭）淀積在絕緣基體（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜電阻體，構(gòu)成的電阻叫做氧化膜電阻。來源于：上上電子網(wǎng)`
2013-07-15 16:47:00
開始著手研究基于新材料、新結(jié)構(gòu)的濾波器。薄膜體聲波諧振器(FBAR)是一種全新的射頻濾波器[2]。FBAR器件尺寸遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的基于電磁波的介質(zhì)濾波器，其工作頻率更高，且擁有更好的帶外抑制性能和更低
2019-06-21 06:55:09
匯集于薄膜的某一處，并按設(shè)計(jì)指定的位置和標(biāo)準(zhǔn)的線距向外延伸，作為柔軟的、可任意彎曲的、密封的引出導(dǎo)線與整機(jī)的后置電路相連。 硬性薄膜硬性薄膜開關(guān)是指開關(guān)的圖形和線路是制作在普遍的印刷線路覆銅板上。硬性
2015-01-07 13:46:11
回來，電路斷開，回路觸發(fā)一個(gè)信號(hào)。薄膜開關(guān)結(jié)構(gòu)嚴(yán)謹(jǐn)，外形美觀，密封性好。具有防潮濕，使用壽命長等特點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于電子通訊、電子測(cè)量的儀器，工業(yè)控制，醫(yī)療設(shè)備，汽車工業(yè)，智能玩具，家用電器等領(lǐng)域。
2019-07-23 02:06:13
對(duì)LINIO2、LIMN2I4、LINIXCO1AXO2、V2O5也有較多的研究；固體電解質(zhì)膜方面以對(duì)LIPON膜的研究為主；陽極膜方面以對(duì)鋰金屬替代物的研究為主，比如錫和氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循環(huán)交通的提高。在薄膜鋰電池結(jié)構(gòu)方面，三維結(jié)構(gòu)將是今后研究的一個(gè)重要方向。
2011-03-11 15:44:52
光電子應(yīng)用正在推動(dòng)砷化鎵（GaAs）晶圓和外延片市場(chǎng)進(jìn)入一個(gè)新時(shí)代！在GaAs射頻市場(chǎng)獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05:38
車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。本分?huì)的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)與制造，氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。本屆
2018-11-05 09:51:35
Molex 的薄膜電池由鋅和二氧化錳制成，讓最終用戶更容易處置電池。大多數(shù)發(fā)達(dá)國家都有處置規(guī)定;這使得最終用戶處置帶有鋰電池的產(chǎn)品既昂貴又不便。消費(fèi)者和醫(yī)療制造商需要穿著舒適且輕便的解決方案
2024-01-26 15:51:04
蘇試宜特實(shí)驗(yàn)室通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度，直接掰開看斷面，這樣準(zhǔn)確嗎？通過掃描電鏡看試樣氧化層的厚度，如果是玻璃或陶瓷這樣直接掰開看斷面是可以的；如果是金屬材料可能在切割時(shí)，樣品結(jié)構(gòu)發(fā)生變化就不行了，所以要看是什么材料的氧化層。
2021-09-30 18:45:38
Verilog設(shè)計(jì)內(nèi)外延時(shí)
2012-08-15 16:31:14
% 的能源浪費(fèi)，相當(dāng)于節(jié)省了 100 兆瓦時(shí)太陽能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統(tǒng)層面的能源利用率的提高。當(dāng)我們發(fā)現(xiàn)，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)減少80
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)的改變，初級(jí)FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
`二氧化鈦是一種高折射率材料，適于電子槍蒸鍍，膜層致密，牢固，抗化學(xué)腐蝕?？煞譃榘咨秃谏?。顏色的不同主要因?yàn)樯a(chǎn)環(huán)境的因素，白色是在大氣中燒結(jié)而成的，而黑色是在真空中燒結(jié)而成。在試用中，黑色比白色
2018-11-20 10:03:19
以晶態(tài)V2O5(c-V2O5)為原料,采用熔融淬冷法成功制取了V2O5薄膜電極,研究了該電極電化學(xué)阻抗譜(EIS)的基本形狀及其隨電位的變化,并用等效電路擬合了不同電位下的EIS,同時(shí)系統(tǒng)地測(cè)試分析了與電極材料性質(zhì)和電極荷電狀態(tài)相聯(lián)系的一些參數(shù)。對(duì)引起這些界面參數(shù)變化的可能原因進(jìn)行了解釋。
2011-03-10 12:11:28
地，氮化鎵晶體管以鎳和金的薄膜組配作為柵極金屬，并采用肖特基接觸或金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)。為確保透明，我們可以調(diào)整這種設(shè)計(jì)，將這些不透明金屬改變?yōu)橥该鲗?dǎo)電材料如氧化銦錫，它廣泛應(yīng)用于透明
2020-11-27 16:30:52
材料，將常規(guī)集成電路工藝和微機(jī)械加工獨(dú)有的特殊工藝相結(jié)合，全面繼承了氧化、光刻、擴(kuò)散、薄膜、外延等微電技術(shù)，還發(fā)展了平面加『[技術(shù)、體硅腐蝕技術(shù)、固相鍵合技術(shù)、LIGA技術(shù)等，應(yīng)用這些技術(shù)手段制造出層
2019-08-01 06:17:43
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
的，有時(shí)甚至是有毒的材料，導(dǎo)致世界范圍內(nèi)嚴(yán)重的生態(tài)挑戰(zhàn)。此外，電子產(chǎn)品的生產(chǎn)制備過程中消耗了大量的比如鎵銦等稀缺元素（銦鎵鋅氧化物已廣泛用于許多薄膜晶體管中，例如有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管背板，射頻識(shí)...
2021-09-16 07:21:41
的存在，致使金屬腐蝕的時(shí)候形成致密結(jié)構(gòu)，也叫薄膜。因此改變了金屬的表面狀態(tài)，使金屬的電極電位向正方向改變，形成耐腐的鈍態(tài)。 2、防銹油：防銹油是利用油膜封閉金屬表面的氣孔，達(dá)到隔離與氧氣接觸，從而
2018-08-20 18:34:36
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲(chǔ)器研究工作中取得進(jìn)展，并被美國化學(xué)協(xié)會(huì)ACS Nano雜志在線報(bào)道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（ReRAM）具有低廉的價(jià)格
2010-12-29 15:13:32
是碳性材質(zhì)印刷制成，并且沒有保護(hù)涂層，受空氣氧化逐漸形成脫落層，到最后導(dǎo)致斷路而壽命終止，這是薄膜開關(guān)最容易出故障的地方，主要有環(huán)境所決定，不管使用與否，物理損壞時(shí)間是3-10年。一般適用范圍最為廣泛
2012-07-27 09:46:32
薄膜按鍵都是“按鍵+薄膜”的基本結(jié)構(gòu)，所以，按鍵的手感、特色等很大方面都取決于薄膜按鍵的設(shè)計(jì)?？紤]到開關(guān)觸點(diǎn)的分離和回彈的可靠性，薄膜的厚度一般選擇在0.125-0.2mm為最佳,過薄回彈無力，觸點(diǎn)分離不靈敏。過厚反應(yīng)遲鈍增加操作力度。
2019-10-11 09:12:12
的存在，致使金屬腐蝕的時(shí)候形成致密結(jié)構(gòu)，也叫薄膜。因此改變了金屬的表面狀態(tài)，使金屬的電極電位向正方向改變，形成耐腐的鈍態(tài)。 2、防銹油：防銹油是利用油膜封閉金屬表面的氣孔，達(dá)到隔離與氧氣接觸，從而
2018-08-20 18:31:28
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
時(shí)間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時(shí)的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運(yùn)輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
扮演著關(guān)鍵的角色。與此同時(shí)，美國國防部還通過了高級(jí)研究計(jì)劃局 (DARPA) 的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù) (WBST) 計(jì)劃，該計(jì)劃在氮化鎵的早期開發(fā)中發(fā)揮了積極的推動(dòng)作用。該項(xiàng)計(jì)劃于 2001 年正式啟動(dòng)，力求
2017-08-15 17:47:34
激光器生長在氮化鎵/藍(lán)寶石模板上，位錯(cuò)密度在108cm-2量級(jí)，如今氮化鎵激光器都生長在位錯(cuò)密度為106cm-2量級(jí)或更低的氮化鎵自支撐襯底上，如圖3所示?！ D4、（a）由于外延結(jié)構(gòu)各層生長
2020-11-27 16:32:53
特定金屬或者合金（例如鎳鉻合金、氧化錫或者氮化鉭）淀積在絕緣基體（如模制酚醛塑料）表面上形成薄膜電阻體，構(gòu)成的電阻叫做氧化膜電阻。來源于：上上電子網(wǎng)
2013-07-15 16:49:07
。為了開發(fā)這些新的可彎曲產(chǎn)品，設(shè)計(jì)師現(xiàn)在可以使用現(xiàn)有的材料，如薄膜和塑料，來取代今天的硬電路板和大型電子元件。但他們很快就會(huì)有新的選擇。威斯康星大學(xué)麥迪遜分校進(jìn)行的研究發(fā)現(xiàn)了一種利用木材制造功能微波放大器
2022-04-15 15:25:08
真正將集成模塊的概念付諸實(shí)現(xiàn)，在很大程度上取決于集成和封裝的工藝技術(shù)。1傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)與互連方式存在的主要問題1 封裝技術(shù)是研究電力電子集成模塊的核心問題電力電子集成的基本思路可以分成單片集成和多芯片
2018-08-28 11:58:28
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
:NMKE.0.2010-01-007【正文快照】：1前言隨著納米薄膜技術(shù)的發(fā)展,如今采用溶膠-凝膠(Sol-Gel)法可以制備出品質(zhì)滿足體聲波器件所需擇優(yōu)取向的PZT壓電薄膜,通過對(duì)其晶向結(jié)構(gòu)和形貌的表征表明,制備
2010-04-24 09:00:23
肖特基二極管結(jié)構(gòu)：肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與。PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（金、銀、鋁、鉬、鉑等材料制造成阻擋層）、二氧化硅消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)（提高管子耐壓）、N一外延層、N型硅基片
2020-11-16 16:34:24
和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)SiO2膜較薄時(shí)，膜厚與時(shí)間成正比。SiO2膜變厚時(shí)，膜厚與時(shí)間的平方根成正比。因而，要形成
2019-08-16 11:09:49
物半導(dǎo)體在光電子器件中已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,例如制作液晶顯示器、紫外光探測(cè)器都要用到p型寬帶隙氧化物半導(dǎo)體。目前這類氧化物研究主要包括P型ZnO[1]與P型銅鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物[2]-[8]。在這類氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明導(dǎo)電性以外,最近又報(bào)道了它的高溫?zé)犭娞厝南螺d
2010-04-24 09:00:59
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
硅來添加電子?！ ∪绻谌魏纹渌麑拵?b class="flag-6" style="color: red">氧化物中這樣做，結(jié)果可能是破碎的晶體和晶格斑點(diǎn)，這樣的話電荷會(huì)被卡住。氧化鎵能夠適應(yīng)通過“離子注入”標(biāo)準(zhǔn)工藝添加以及外延生長（沉積額外的晶體）過程中添加的摻雜劑
2023-02-27 15:46:36
由于透明導(dǎo)電薄膜具有優(yōu)異的光電性能，因而被廣泛地應(yīng)用于各種光電器件中。
2019-09-27 09:01:18
采芯網(wǎng)轉(zhuǎn)載：金屬氧化膜電阻器也是膜式電阻器的一種，它是用錫和銻等金屬鹽溶液(如四氯化錫和三氯化銻鹽溶液)，噴霧到熾熱的陶瓷骨架表面水解沉積而形成的電阻器。金屬氧化膜電阻器的導(dǎo)電膜均勻，其結(jié)構(gòu)多為帽蓋
2016-12-09 18:22:57
“重組”氫氣和氧氣，用以釋放能量，將是理想狀態(tài)?！ ∷固垢４髮W(xué)研究人員在不同溫度條件下測(cè)試三種金屬氧化物，分別是釩酸鉍、氧化鈦和氧化鐵，所獲結(jié)果超出預(yù)想：溫度升高時(shí)，電子通過這三種氧化物的速率加快，所
2016-03-07 15:18:52
各位大神，目前國內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
of Houston)的 Ignatiev 研究小組報(bào)道了PrxCa12xMnO3 ( PCMO) 氧化物薄膜電阻轉(zhuǎn)換特性后,人們才開始投入大量的精力和財(cái)力對(duì) RRAM進(jìn)行研究。
2019-10-10 09:02:30
通過對(duì)氧化鋁薄膜式濕度儀工作原理的介紹，分析了此類濕度儀的良好性能，并比較了壓力露點(diǎn)與常壓露點(diǎn)的數(shù)值差異針對(duì)寶鋼冷軋廠能源車間的在線實(shí)際應(yīng)用較詳細(xì)地分析了影響
2009-03-16 09:26:33
17 采用靜電力自組裝和原位化學(xué)氧化聚合相結(jié)合的方法制備了聚吡咯/納米二氧化鈦(PPy/TiO2)復(fù)合薄膜，并進(jìn)行了表面電阻測(cè)試及紫外–可見光譜分析、原子力顯微鏡分析。利用平面叉
2009-05-12 21:38:2717 通過對(duì)陽極氧化多孔Al2O3 薄膜感濕材料的制備工藝及其電容濕敏特性進(jìn)行研究,將陽極氧化參數(shù)對(duì)多孔Al2O3 薄膜的結(jié)構(gòu)和形態(tài)的影響與多孔Al2O3 薄膜作為濕度傳感器感濕材料的濕敏特
2009-06-22 11:24:5013 自旋閥結(jié)構(gòu)薄膜及其自由層的特性研究劉 鵬（清華大學(xué)微電子學(xué)研究所，北京，100084）摘 要：基于自旋閥結(jié)構(gòu)的磁傳感器因其優(yōu)良的性能，在傳感器家族中具有越來越重要
2009-12-14 10:52:5534 GdFeCo/ TbFeCo 磁超分辨磁光記錄薄膜研究
用磁控濺射法制備了GdFeCo/ TbFeCo 交換耦合兩層薄膜,利用不同溫度的克爾磁滯回線和VSM 磁滯回線研究了讀出層( GdFeCo)
2010-02-22 15:31:1211 。本文將介紹薄膜電子拉力試驗(yàn)機(jī)的原理、應(yīng)用及操作方法。二、薄膜電子拉力試驗(yàn)機(jī)的原理薄膜電子拉力試驗(yàn)機(jī)采用電子力學(xué)原理，通過高精度的力傳感器和精密的機(jī)械結(jié)構(gòu)，對(duì)樣品
2023-10-25 16:03:00
美國深特公司獨(dú)特的超薄膜氧化鋁(HTF)水分傳感器技術(shù)是在薄膜技術(shù)和氧化金屬學(xué)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，利用此技術(shù)制造的傳感器的測(cè)量靈敏性要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于利用其它技術(shù)制造的傳感器，
2011-01-01 22:47:0925 熱壁外延（HWE）在導(dǎo)電玻璃上生長GaAs薄膜引 言 目前，太陽電池應(yīng)用最大的障礙就是成本高，世界商品化生產(chǎn)的太陽電池主要是單晶硅、多晶硅和非晶硅電池
2009-02-23 21:30:57
1108 硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術(shù)，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來的結(jié)晶軸方向，生長一層導(dǎo)電類型
2009-03-09 13:23:416889 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 海洋薄膜(Ocean Thin Films)現(xiàn)發(fā)布其用于氧化銦錫(ITO)薄膜上的獨(dú)有的 PixelTecTM 圖案式光學(xué)涂層技術(shù)。
2011-10-10 09:58:44669 本文將著重介紹氧化物無機(jī) 半導(dǎo)體材料 的光電化學(xué)研究領(lǐng)域的一些新進(jìn)展. 本文簡述了二氧化鈦薄膜、氧化鋅薄膜、ZnO/TiO 復(fù)合涂層、SnO2: F 薄膜的發(fā)展概況及應(yīng)用
2011-11-01 17:49:4847 壓電薄膜的制備、結(jié)構(gòu)與應(yīng)用
2017-10-17 14:16:1229 薄膜電容（Film Capacitor）器又稱塑料薄膜電容（Plastic Film Capacitor）。其以塑料薄膜為電介質(zhì)。 薄膜電容器結(jié)構(gòu) 薄膜電容內(nèi)部構(gòu)成方式主要是： 以金屬箔片（或者是
2017-12-01 17:16:4510905 微弧氧化是在金屬及其合金表面生成陶瓷膜的一種表面處理技術(shù)，微弧氧化生成的陶瓷膜具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、絕緣等優(yōu)良性能，在航天、航空、汽車、電子、造船等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。微弧氧化已經(jīng)成為一個(gè)研究熱點(diǎn)，電源是制約微弧氧化發(fā)展的一個(gè)重要因素，本文針對(duì)微弧氧化電源展開研究。
2018-11-26 08:00:006 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所照明研發(fā)中心與北京大學(xué)納米化學(xué)研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團(tuán)隊(duì)合作，開發(fā)出了石墨烯/藍(lán)寶石新型外延襯底，并提出了等離子體預(yù)處理改性石墨烯，促進(jìn)AlN薄膜生長實(shí)現(xiàn)深紫外LED的新策略。
2019-04-26 11:06:262919 
薄膜開關(guān)是整體結(jié)構(gòu)密封，不易氧化，具有良好的防水、防塵、防油、防有害氣體侵蝕的特點(diǎn)，適合用于各種惡劣環(huán)境。
2019-11-14 11:53:072774 本文介紹了用μ-PCD方法對(duì)氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的遷移率和Vth漂移的評(píng)價(jià)結(jié)果。
2021-12-20 15:22:23855 
引言 近年來，氧化鋅薄膜因其低成本、低光敏性、無環(huán)境問題、特別是高遷移率而被研究作為薄膜晶體管中的有源層來代替非晶硅。此外，氧化鋅的低溫制造使得在塑料薄膜上制造成為可能。氧化鋅(ZnO)半導(dǎo)體由于
2022-01-06 13:47:53582 引言 氧化鋅(ZnO)半導(dǎo)體由于在低沉積溫度下具有高電子遷移率，非常適用于有機(jī)發(fā)光二極管器件。其作為一種新的半導(dǎo)體層取代了薄膜晶體管中使用的非晶硅半導(dǎo)體，在表征方面取得了重大進(jìn)展。氧化鋅的濕法圖形化
2022-01-14 13:15:45872 
薄膜晶體管TFTs采用氧化鋅等非晶氧化物半導(dǎo)體，如ZnO, Ga-In-Zn-O, or Hf-InZn-O HIZO，由于其在平板顯示器上的高應(yīng)用潛力，目前是深入研究的課題。由于其相對(duì)于
2022-01-14 13:54:35434 
引言 對(duì)于在涂有氧化錫的玻璃基板上制造的薄膜光伏組件中，有時(shí)會(huì)觀察到電化學(xué)腐蝕效應(yīng)。電化學(xué)腐蝕效應(yīng)可能發(fā)生在薄膜光伏(PV)模塊中，這些組件在氧化錫鍍覆玻璃上制造，在高壓和高溫下工作。目前的研究表明
2022-01-17 13:27:47589 
近十年來，濕化學(xué)法制備超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅結(jié)構(gòu)的技術(shù)和研究取得了迅速發(fā)展。這種結(jié)構(gòu)最重要是與大尺寸硅晶片上氧化物層的均勻生長有關(guān)。
2022-03-11 13:57:22828 
）、掃描電子顯微鏡（SEM）和光致發(fā)光（PL）光譜進(jìn)行表征，以允許對(duì)它們的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行檢查。XRD結(jié)果表明，當(dāng)薄膜在不同的氫氮濃度下刻蝕不同的時(shí)間時(shí)，ZnO的強(qiáng)度降低。上述觀察歸因于氧化鋅的溶解
2022-04-24 14:58:20930 
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了蝕刻時(shí)間和氧化劑對(duì)用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺射的ZnO薄膜在氫氧化銨(NH4OH)溶液中腐蝕，全面研究了刻蝕時(shí)間和添加H2O2溶液對(duì)多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影響。
2022-05-09 15:19:34563 
本文介紹了我們?nèi)A林科納采用射頻磁控濺射系統(tǒng)，在襯底溫度為275°C的氬氣氣氛下，在玻璃襯底上制備了氧化鋅薄膜，將沉積的氧化鋅薄膜在稀釋的鹽酸中蝕刻，制備出表面紋理的氧化鋅。研究了合成膜的形貌、光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)對(duì)蝕刻劑濃度的影響，得到了具有良好捕光特性的高效表面紋理氧化鋅薄膜。
2022-05-09 17:01:311343 
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，一支由中國礦業(yè)大學(xué)、中國空間技術(shù)研究院、哈爾濱工業(yè)大學(xué)的研究人員組成的團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并研制出一種基于超材料的寬帶微波/紅外兼容隱身結(jié)構(gòu)器件，該結(jié)構(gòu)包括基于氧化銦錫（ITO）薄膜制備
2022-09-28 09:50:362397 通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個(gè)過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:385893 二維半導(dǎo)體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù) 上海超級(jí)計(jì)算中心用戶北京大學(xué)陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對(duì)稱性、不同晶格常數(shù)和三維架構(gòu)基底上異質(zhì)外延生長半導(dǎo)體2H-MoTe2薄膜的通用合成技術(shù)
2022-10-19 20:20:571531 
如果按薄膜電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來劃分，我們可以把薄膜電容分為卷繞式結(jié)構(gòu)和疊片式結(jié)構(gòu)，如果沒有見過薄膜電容生產(chǎn)過程的人，估計(jì)很難想象它們內(nèi)部到底有什么區(qū)別，今天就來用詳細(xì)的圖片介紹薄膜電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
2022-11-28 16:07:031290 源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長，僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長。
2022-11-29 16:05:151708 如何開發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基電極邊緣電場(chǎng)是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點(diǎn)。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點(diǎn)。
2022-12-21 10:21:58557 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:353012 氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。GaN 外延材料的 質(zhì)量決定了高電子遷移率
2023-02-20 11:47:22876 氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制造P型半導(dǎo)體。近期斯坦福、復(fù)旦等團(tuán)隊(duì)已在實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了氧化鎵P型器件，預(yù)計(jì)將逐步導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
2023-02-27 18:06:43944 到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu)，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下纖鋅礦是最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。目前學(xué)術(shù)上在薄膜的外延
2023-04-29 16:41:0012113 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092828 
近年來，薄膜陶瓷基板在電子器件中的應(yīng)用逐漸增多。在制備和應(yīng)用過程中，介電常數(shù)是一個(gè)極其重要的參數(shù)，不同介電常數(shù)的薄膜陶瓷基板在性能方面存在較大差異。本文旨在研究介電常數(shù)對(duì)薄膜陶瓷基板性能的影響，為薄膜陶瓷基板的制備和應(yīng)用提供理論依據(jù)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
2023-06-21 15:13:35632 
金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩個(gè)方面對(duì)異質(zhì)外延單晶金剛石的發(fā)展進(jìn)行了闡述。
2023-07-12 15:22:23845 
液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長領(lǐng)域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測(cè)器研究機(jī)構(gòu)和生產(chǎn)商所采用。
2023-08-07 11:10:20734 
氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-17 14:24:16412 
近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體受到世界各國科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化鎵（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:44266 
通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對(duì)PLD生長的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:40232 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
薄膜電容是一種常見的電子元件，其具有體積小、重量輕、容量大、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)對(duì)其性能和可靠性有著重要的影響。本文將對(duì)薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的介紹
2024-01-10 15:41:54444 
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