對稱的功率開關(guān)管每次只有一個導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高。在做信號控制以及驅(qū)動時，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：上P下N，上N下P。其原理圖分別如下所示。
2023-05-25 14:09:52
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1N60、1N60P_小電流低壓降_肖特基二極管1N60、1N60P_小電流低壓降_肖特基二極管
2013-05-14 15:51:59
32P讀卡芯片F(xiàn)M1702N資料下載內(nèi)容主要介紹了：FM1702N功能和特點(diǎn)FM1702N引腳功能FM1702N內(nèi)部方框圖
2021-04-15 07:37:15
和地址／數(shù)據(jù)線之間的接通轉(zhuǎn)接。（4）數(shù)據(jù)輸出的驅(qū)動和控制電路，由兩只場效應(yīng)管（FET）組成，上面的那只場效應(yīng)管構(gòu)成上拉電路。在實(shí)際應(yīng)用中，P0口絕大部分多數(shù)情況下都是作為單片機(jī)系統(tǒng)的地址／數(shù)據(jù)線
2022-09-19 19:26:41
找不到聯(lián)系方式，請?jiān)跒g覽器上搜索一下，旺貿(mào)通儀器儀溫馨提示：如果您找不到聯(lián)系方式，請?jiān)跒g覽器上搜索一下，旺貿(mào)通儀器儀N1921A P系列寬帶功率傳感器，50 MHz至18 GHz主要特性與技術(shù)指標(biāo)當(dāng)連接到被
2020-05-14 11:05:31
如果用N76E003的P2.1口作為按鈕，要求平時沒按下時為高電平，按下時為低電平，是不是要上拉輸入，該怎么做，是要加上拉電阻還是怎么設(shè)置，請問各位大佬
2018-06-05 19:55:19
N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體?！?在純凈的電子發(fā)燒友體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中
2016-10-14 15:11:56
想必電路設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)師在選擇MOS管是都有考慮過一個問題，是該選擇P溝MOS管還是N溝MOS管？作為廠家而言，一定是想要自己的產(chǎn)品能夠以更低的價格來競爭其他的商家，也需要反復(fù)推選。那到底該怎么挑選呢？具有豐富經(jīng)驗(yàn)的飛虹MOS管廠家這就為大家分享。
2019-01-24 17:48:59
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
將空穴從p+源極和漏極區(qū)域吸引到溝道區(qū)域。耗盡模式 P 通道P 通道增強(qiáng)模式加工就結(jié)構(gòu)而言，p 溝道耗盡型 MOSFET 只是 n 溝道耗盡型 MOSFET的倒數(shù)。在這種情況下，預(yù)構(gòu)建通道由夾在嚴(yán)重
2023-02-02 16:26:45
的選擇選型之前我們要清楚MOS管的原理：MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式，即N溝道型和P溝道型，結(jié)構(gòu)不一樣，使用的電壓極性也會不一樣，因此，在確定選擇哪種產(chǎn)品前，首先需要確定采用N溝道還是P溝道MOS管。MOS管
2023-02-17 14:12:55
的正號?！ ∈`電荷不能穿過晶體，因?yàn)樵雍吮还矁r鍵緊緊地束縛在晶格中?！ ?b class="flag-6" style="color: red">兩種材料，p型和n型，都是電中性的?！ D1.P型和N型材料?！ 《鄶?shù)承運(yùn)人和少數(shù)承運(yùn)人 P材料中的空穴和N材料
2023-02-23 16:46:46
P型MOS管開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
、P溝道增強(qiáng)型MOSFETP溝道增強(qiáng)型MOSFET采用輕摻雜N襯底進(jìn)行簡單設(shè)計(jì)。在這里，兩種重?fù)诫s的P型材料通過一定溝道長度分開，薄二氧化硅層沉積在通常稱為介電層的基板上。在P溝道增強(qiáng)型MOSFET中
2022-09-27 08:00:00
MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">N溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過在柵極上施加正電壓導(dǎo)通。 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道
2018-03-03 13:58:23
在進(jìn)行1個IO口控制兩個LED燈的實(shí)驗(yàn)前，先了解一下GPIO的特性（以STM32為例）一、推挽輸出與開漏輸出的區(qū)別 1.推挽輸出 推挽輸出，顧名思義就是既可以輸出高電平，又可以輸出低電平。以
2021-07-22 06:43:48
CHINO KR2S6P-N8A記錄儀 CHINO KR2S6P-N8A記錄儀代理日本CHINO記錄儀吳經(jīng)理：0755-26998458/132,4667,5433工作Q：11398788日本
2019-04-15 17:58:22
的生活方式有兩種，第一種方式是像草一樣活著，你盡管活著，每年還在成長，但是你畢竟是一棵***吸收雨露陽光，但是長不大。人們可以踩過你，但是人們不會因?yàn)槟愕耐纯啵a(chǎn)生痛苦；人們不會因?yàn)槟惚徊攘耍鴣響z憫你
2019-04-08 17:24:53
CHINO記錄儀 AH473P-N0A-NNN 代理日本千野CHINO儀器儀表吳經(jīng)理:0755-26998458/ 132,4667,5433工作Q: 1139878854地址：深圳市南山區(qū)南海大道
2019-04-08 17:23:46
的原因，主要是溝道材料的電氣性能不一樣。在N溝道中參與導(dǎo)電的是電子，而在P溝道中參與導(dǎo)電的是空穴，兩者在單位電場強(qiáng)度下的遷移率相差非常大。電子的遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴的遷移率，即N溝道的導(dǎo)電性能要比P溝道
2012-05-22 09:38:48
EM78P173N是***義隆單片機(jī)MCU在153上的升級款。
2018-04-09 11:51:18
我想使用PiSP0.1和P0.4（焊盤5和9）作為中斷，這兩個中斷都通過CyBLY-01400—00上的下降沿觸發(fā)。我在這兩個電路中分別使用了兩個引腳來觸發(fā)中斷，但在程序中同時使用它們也遇到困難。我
2019-01-22 13:06:14
，取而代之利用片上外設(shè)模塊的復(fù)用功能輸出來決定的。推挽輸出模式推挽輸出模式下，通過設(shè)置位設(shè)置/清除寄存器或者輸出數(shù)據(jù)寄存器的值，途經(jīng)P-MOS管和N-MOS管，最終輸出到I/O端口。這里要注意P-MOS管
2020-08-26 07:47:09
-MOS都正常工作，開漏輸出模式下，只有下面的N-MOS工作，上面的P-MOS不工作。注意：輸出模式?jīng)]有上拉下拉配置。推挽輸出（Push-Pull Output）推挽輸出的結(jié)構(gòu)是由兩個三極管或者M(jìn)OS管受到
2022-02-28 06:48:51
代理 KR2S2P-N0A千野無紙記錄儀詳詢請致電: 吳經(jīng)理（***,***,***）工作Q：1139878854 無紙記錄儀是將工業(yè)現(xiàn)場的各種需要監(jiān)視記錄的輸入信號，比如流量計(jì)的流量信號
2020-07-07 16:59:31
代理 KR2S6P-N0A千野記錄儀詳詢請致電: 吳經(jīng)理（132,4667,5433）工作Q：1139878854 無紙記錄儀是將工業(yè)現(xiàn)場的各種需要監(jiān)視記錄的輸入信號，比如流量計(jì)的流量信號
2020-07-07 16:58:29
KR2S6P-N2A，KR2S2P-N0A 記錄儀 KR2S6P-N2A，KR2S2P-N0A 記錄儀 代理日本千野CHINO儀器儀表吳經(jīng)理:0755-26998458/ 1324，667，5433
2019-03-08 14:55:53
KV Mask 0N86P 勘誤手冊
2022-12-09 06:16:21
做了個STC控制的L298N驅(qū)動模塊，電路如下 網(wǎng)上的經(jīng)典電路，我的VSS口上的5V是和單片機(jī)芯片上的供電5V同一個電源，不知道是不是這個原因，搞得的高頻差出問題了，原來P2.0與P2.1的高低電勢差有5V的，可是我連接好線路，找了兩天問題才發(fā)現(xiàn)他們只有2V，暈死，我該咋辦，求助
2019-04-25 06:35:14
編輯-Z場效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應(yīng)（簡稱JFET）和絕緣柵場效應(yīng)（簡稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
，比如學(xué)習(xí)板上的加速度傳感器或者語音處理模塊供電？問題二：如果對不用的引腳采用一個下拉低電平，和直接一個輸入低電平，在兩種情況下端口電流和漏電流的情況是怎么樣的？如果現(xiàn)在端口配置是按上面程序配置成上拉，然后輸入一個高電平，此時的端口電流消耗與直接輸入一個高電平（沒有上拉電阻）電流消耗有什么區(qū)別？
2019-04-27 21:21:40
嘿，我目前正在使用4種不同的Keysight網(wǎng)絡(luò)分析儀。 1.（N5230C 10MHz-40Ghz PNA-L）2。（N5235A 10MHz-50GHz PNA-L）3.（N
2018-09-30 16:35:52
，取而代之利用片上外設(shè)模塊的復(fù)用功能輸出來決定的。總結(jié)與分析****1、什么是推挽結(jié)構(gòu)和推挽電路？ 推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個參數(shù)相同的三極管或MOS管分別受兩互補(bǔ)信號的控制，總是在一個三極管或MOS管導(dǎo)通的時候
2022-12-22 18:10:27
分之一數(shù)量級的比例摻入。5、什么是N型半導(dǎo)體?什么是P型半導(dǎo)體?當(dāng)兩種半導(dǎo)體制作在一起時會產(chǎn)生什么現(xiàn)象?答：多數(shù)載子為自由電子的半導(dǎo)體叫N型半導(dǎo)體。反之，多數(shù)載子為空穴的半導(dǎo)體叫P型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體與N型
2010-07-10 16:12:55
都沒有改動，但采出來的rx_frame_s卻有問題，差分對N較P有一個時鐘的延遲，想不通為什么，希望各位能夠幫忙解釋下。上圖，
2018-09-25 11:38:30
開門見山，Linux下的如中IO模型：阻塞IO模型，非阻塞IO模型，IO復(fù)用模型，信號驅(qū)動IO模型，異步IO模型，見下圖 接下來一一講解這5種模型 阻塞型IO：最簡單的一種IO模型，簡單理解
2019-10-09 16:12:11
兩種方式：a、$ find / -name mysql–print 查看是否有mysql文件夾b、$ netstat -a –n 查看是否打開3306端口
2019-07-26 07:46:06
從金手指過來的ref_clk_p 接到了FPGA的MGTREFCLK1_nref_clk_n接到了MGTREFCLK1_p。這樣會影響PC檢測pcie設(shè)備么？目前是大概率檢測不到設(shè)備。偶爾能夠檢測到。嘗試過把n、p飛線，但是難度系數(shù)太高，連接好了，也沒有成功識別到設(shè)備
2019-07-25 21:58:25
在 8MMINILPD4-EVK 中，它使用 9FGV0241AKLF 為 M.2 連接器的 REFCLK_N/P 生成時鐘。為什么直接使用 I.MX8 Mini 的 PCIE_CLK_N/P (A21/B21)？
2023-03-22 07:41:08
PHY和RJ45之間的網(wǎng)絡(luò)變壓器輸入輸出端的相位關(guān)系是什么，為什么變壓器輸入輸出端的差分信號要一一對應(yīng)（即P端和P端 對應(yīng)，N端和N端對應(yīng)）？
2019-07-26 11:05:03
為啥第八部視頻的mos管驅(qū)動上管采用N管和P管，而下管采用推挽輸出，并且下管的驅(qū)動信號為什么不直接推挽輸出的基極，而通過兩個三極管把相位取兩次反
2018-10-25 14:36:08
。 2 .了解實(shí)際電源的兩種模型及其等效變換。 3 .了解非線性電阻元件的伏安特性和靜態(tài)電阻、動態(tài)電阻的概念以及簡單的非線性電阻電路的圖解分析法。第1章電路的分析方法、1.3.3電壓源和電流源的等效變換、圖...
2021-09-06 07:57:33
：（A-B、B-A、A/B 和 B/A） 兩年校準(zhǔn)周期找不到您要找的嗎？請?jiān)囉梦覀兊奶厥膺x件。利用下載的軟件輕松進(jìn)行測量N1911A/12A P 系列功率計(jì)得到 Keysight BenchVue
2020-07-30 17:57:58
，Spartan 3E（XA3S250E）micro的差分對上的P和N引腳可以通過軟件配置分別在內(nèi)部制作N和P（即它們的輸出極性反轉(zhuǎn)）嗎？我問的原因是我們正在連接另一個具有相同差分引腳的IC，這意味著所有差分對都
2020-03-09 09:18:46
電流源是一種非常常用的電路，如工業(yè)中4-20mA輸出，LED恒流驅(qū)動，以及一些傳感器可能也需要恒流驅(qū)動等。本篇文章介紹兩種常見的壓控電流源電路的設(shè)計(jì)。廢話不多說，直接看圖：電路很簡單，運(yùn)放+晶體管
2021-07-30 07:31:57
1、MSO的三個極怎么判定：MOS管符號上的三個腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極，不用說比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。2、他們
2019-09-11 07:30:00
N76E003將P02（CLK）引腳配置為上拉端口，且該引腳處于懸空狀態(tài)。主要是用該引腳作為遙控學(xué)習(xí)控制端口，引腳為低電平時進(jìn)入學(xué)習(xí)狀態(tài)，平時在上拉作用下為高電平。
最近發(fā)現(xiàn)一奇怪現(xiàn)象，通過P
2023-08-31 09:14:01
在擊穿區(qū)域工作而不會損害其特性。實(shí)際應(yīng)用是雪崩、擊穿或齊納二極管。P-N結(jié)擊穿的兩種機(jī)制是齊納效應(yīng)和雪崩效應(yīng)。當(dāng)耗盡層中的電場產(chǎn)生的電力足以將電子從共價鍵中撕裂，形成電子-空穴對時，就會發(fā)生齊納效應(yīng)
2023-02-22 17:19:08
）。首先,對傳統(tǒng)鍵盤作一個簡單的介紹。 一、傳統(tǒng)鍵盤的介紹 鍵盤的結(jié)構(gòu)通常有兩種形式：線性鍵盤和矩陣鍵盤。在不同的場合下,這兩種鍵盤均得到了廣泛的應(yīng)用。 線性鍵盤由若干個獨(dú)立的按鍵組成,每個按鍵
2012-02-15 22:02:49
MOSFET，也可以直接驅(qū)動。對于一個橋式電路的上下橋臂，上管使用P溝道的功率MOSFET，可以直接驅(qū)動，驅(qū)動電路設(shè)計(jì)簡單。如果上管選用N溝道的功率MOSFET，那么必須采用浮驅(qū)或自舉電路，驅(qū)動電路
2016-12-07 11:36:11
1.同步旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下的數(shù)學(xué)模型1.1 dq坐標(biāo)系下的定子電壓方程1.2 dq坐標(biāo)系下的定子磁鏈方程1.3 定子電壓方程變換式及等效電路由上述兩個方程，可以得到定子電壓方程的新等式：電壓等效電路如下
2021-09-03 07:20:48
這是我設(shè)計(jì)的一個單片機(jī)驅(qū)動光耦控制電機(jī)轉(zhuǎn)停的電路，大家看下電路設(shè)計(jì)對嗎？單片機(jī)在光耦驅(qū)動位拉高引腳，輸出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
大家?guī)臀铱纯催@兩種電路的接法對嗎？用于51單片機(jī)的輸出口。如果對的話，幫我分析下哪個好？
2016-10-15 11:31:57
您能否舉例說明如何激活 i.MX RT1170-EVK 微控制器相應(yīng)引腳 U15 和 T15 上的 CLK1_P(CCM_CLK1_P) 和 CLK1_N(CCM_CLK1_N) 信號，以便能夠在這些引腳上生成一些信號。
2023-03-24 06:24:16
本文基于梅森信號流圖理論，討論了n階濾波器的信號流圖設(shè)計(jì)方法，成功設(shè)計(jì)出了一種新穎的基于CCCII和MOCCCII實(shí)現(xiàn)的n階多功能濾波器電路模型，該電路能實(shí)現(xiàn)低通、高通和帶通濾波功能。該電路結(jié)構(gòu)簡單，含有最少的元件，且電路中所有電容均接地，易于集成。
2021-04-08 07:01:17
你好！我正在研究一個項(xiàng)目，我需要使用差分信號。我正在使用Artydevelopment平臺（圍繞Artix-7?FPGA設(shè)計(jì)），我在生成兩個差分信號（P和N）時遇到了一些問題。我使用示波器通過將其
2020-08-13 09:33:58
是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">N溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過在柵極上施加正電壓導(dǎo)通。MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過程中有電子流動。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子
2021-04-09 09:20:10
開關(guān)管HTM040N03 / HTM040N03P+絲印TM040N03P 優(yōu)勢出售。產(chǎn)品信息供應(yīng)芯片：HTM040N03 / HTM040N03屬性：輸出VBUS開關(guān)管絲?。篢M040N03P關(guān)于
2021-01-11 17:42:53
必須有一個驅(qū)動電路。 這種驅(qū)動電路有兩種形式: 其中的一種是采用一只N型三極管(npn或n溝道)，以npn三極管為例，就是e接地，b接內(nèi)部的邏輯運(yùn)算，c引出，b受內(nèi)部驅(qū)動可以控制三極管是否導(dǎo)通但如果
2019-05-24 09:07:33
最小球差的形狀因子和位置因子的關(guān)系式：q=-2(n^2-1)p/(n+2)其中：位置因子p=2f/s-1=1-2f/s';形狀因子q=(r1+r2)/(r1-r2)這個公式如何推導(dǎo)？{:soso_e118:}
2012-01-26 11:07:39
松下電磁灶電路圖-KY-p2N型
2008-07-13 15:44:04
如，當(dāng)P1.2口檢測到高電平是，單片機(jī)P1.0口輸出一種方波，1S后輸出另外一種方波(兩種方波大小差別較大就行）當(dāng)P1.2口檢測到低電平是，單片機(jī)P1.0無輸出。 當(dāng)P1.3口檢測到高電平是，單片機(jī)
2016-11-22 22:59:46
別: MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間: 69 ns 典型接通延遲時間: 21 ns功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇
2020-03-05 11:00:02
今天看書才發(fā)現(xiàn)有兩種電壓源電流源等效變換, 之前一直沒注意. 1. 我以前一直是 電壓源和電阻串聯(lián), 電流源和電阻并聯(lián)的模型. 這可以解釋得通 I*R = U2. 今天發(fā)現(xiàn)高頻書上是 電流源和電導(dǎo)
2016-03-14 14:31:54
單片機(jī)最小系統(tǒng)，即單片機(jī)能正常工作的最簡單的電路。復(fù)位電路是單片機(jī)最小系統(tǒng)的組成部分之一。對于不同單片機(jī)，復(fù)位方式有高電平復(fù)位和低電平復(fù)位，從而相對應(yīng)地就有兩種復(fù)位電路，高電平和低電平復(fù)位電路，本文以上電復(fù)位為例，簡單談?wù)勥@兩種復(fù)位電路的工作原理。高電平上電復(fù)位電路...
2022-01-17 08:52:21
原文鏈接，轉(zhuǎn)載請注明出處：https://www.icxbk.com/article/detail/913.htmlMOS在電路設(shè)計(jì)中是比較常見的，按照驅(qū)動方式來分的話，有兩種，即：N-MOS管
2019-08-29 21:03:22
達(dá)成這樣目的的元件。我們在半導(dǎo)體硅里進(jìn)行兩種參雜，如上圖上兩個小u型槽里進(jìn)行N型參雜，其他的地方進(jìn)行P型參雜，這樣N型參雜與P型參雜的界面會形成耗盡層。上下電路微電路一，左右連接N極的為電路二。由于
2023-02-14 15:15:13
擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。本節(jié)我們講解一下N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管，其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示：如上圖所示，在一塊P型硅片（半導(dǎo)體）襯底（Substrate，也有稱為Bulk或Body）上，形成兩個高
2023-02-10 15:58:00
芯片最底層的原理二進(jìn)制運(yùn)算，所以我們要用最基本的電子元件來模擬1和0，通電為1，不通電為0。接下來我們就介紹一下可以達(dá)成這樣目的的元件。我們講解一下MOSFET。我們在半導(dǎo)體硅里進(jìn)行兩種參雜，如上圖
2023-02-14 15:19:49
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:07 編輯
論壇上.P后綴名的文件用什么打開呢！！遇到過的盆友解釋下論壇上.P后綴名的文件用什么打開呢！！
2011-12-26 20:01:43
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-28 16:58 編輯
最近選擇TI視頻編解碼芯片的時候，發(fā)現(xiàn)模擬視頻輸入端有兩種類型：①4組P-N組合的差分類型，比如TVP5158，②3組R
2018-05-28 04:52:37
請問74HC245N可以用40H245P代替嗎？兩者有什么區(qū)別
2013-09-08 11:46:55
N76E003AT20芯片因?yàn)楣苣_有限，準(zhǔn)備將P02引腳（ICP_CLK）可以復(fù)用為普通IO（推挽輸出）,可以嗎？有什么限制或者BUG要注意。
2023-06-28 07:27:07
大家好，請問一下，P***hx與P***作USB轉(zhuǎn)串口時，電路是怎樣的？我在網(wǎng)上找了好多P***hx與P***的電路圖，但兩者的電路圖一樣的。而實(shí)際的datasheet中，兩者的腳位又有差別?？吹竭@
2019-06-06 02:28:27
各位開發(fā)者： 大家好。我使用的DSP開發(fā)板為TMDXLCDK6748，看了TI公司提供的資料，在開發(fā)板上開發(fā)程序主要有兩種方式：一種是裸機(jī)開發(fā)，需要安裝StarterWare，另一種是在BIOS下開發(fā)程序，現(xiàn)在想了解下這兩種方式有什么區(qū)別，各自的優(yōu)缺點(diǎn)，哪一種方式能讓新手更快的上手？謝謝。
2019-01-14 14:12:53
麻煩問下，CH552E的p3.6和p3.7可以配置為推挽輸出模式嗎，程序上寫了，但是實(shí)測沒效果呢。Port3Cfg(1,6);Port3Cfg(1,7);P36=1;P37=1;
2022-05-30 08:37:08
在超高速線路中，對于部分SysB3014-BZXC，我能在差分對中翻轉(zhuǎn)N和P嗎？
2019-09-10 13:11:14
通常三極管采用A的方法接做成推挽電路，那么這里吧三極管換成MOS管后，兩種接法有什么不一樣?（事實(shí)上我也不知道如果就是三極管我也懂兩種接法有什么不一樣）求前輩們指點(diǎn)迷津!
2016-08-05 19:54:26
請問一下無線局域網(wǎng)的兩種網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)是什么？
2023-05-09 16:22:11
請問不使用AD9779A的管腳SYNC_I_P/SYNC_I_N時，這兩個管腳怎么處理？
謝謝！
2023-12-19 07:00:47
請問不使用AD9779A的管腳SYNC_I_P/SYNC_I_N時，這兩個管腳怎么處理？謝謝！
2018-09-21 14:45:44
這兩種芯片都可以用在什么領(lǐng)域上？
2021-06-18 14:40:04
如圖所示，這個功率放大電路算推挽輸出嗎？圖中L6是變壓器。如果是推挽輸出的話為什么用的放大管是一樣的，不應(yīng)該是一個N一個P嗎？幫忙分析下
2016-12-14 16:58:35
逆變電路幾種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，半橋不是推挽的一種嗎？半橋和推挽的原理，誰來普及下！
2022-12-15 18:59:30
AWMF-0224 雙通道中頻收發(fā)器 IC 如有需求歡迎聯(lián)系A(chǔ)WMF-0224 是業(yè)界首款完全集成的雙通道 IF 上/下轉(zhuǎn)換器，帶有集成 PLL/VCO LO 合成器。該半雙工
2024-01-02 11:57:33
AWMF-0218 37-43.5 GHz 中頻上/下轉(zhuǎn)換器 ICAWMF-0218 是一款高度集成的硅變頻 IC，適用于 5G 相控陣應(yīng)用。當(dāng)與 Anokiwave 的波束形成器 IC
2024-01-02 13:12:55
在做信號控制以及驅(qū)動時，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。 推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：分別是上P下N，以及上N下P。 其原理圖如下所示。
2023-03-13 14:04:2312451 
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