、Eoff 和 Erec ) 進 行準確測量,建立了一種通用的功率器件導通損耗和開關損耗模型。在考慮 IGBT 芯片間熱偶合影響基礎上 提出了一種結(jié)溫估算數(shù)學模型。搭建三相電感結(jié)溫測試平臺,通過結(jié)溫試驗驗證
2023-03-06 15:02:51
1536 =P△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm 式中Tj－IGBT的工作結(jié)溫 P△－損耗功率 Rjc－結(jié)－殼熱阻vkZ電子資料網(wǎng) Rcs－殼－散熱器熱阻 Rsa－散熱器－環(huán)境熱阻 Tjm－IGBT
2011-08-17 09:46:21
終止IGBT芯片的飽和電壓VCEsat都隨著結(jié)溫升高而增加，呈現(xiàn)正溫度系數(shù)特性。圖2為300A溝槽場終止芯片在15V柵極電壓條件下不同結(jié)溫時的飽和電壓特性。這表明并聯(lián)IGBT的靜態(tài)均流可動態(tài)地自我調(diào)節(jié)
2018-12-03 13:50:08
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關鍵。
2019-08-13 08:04:18
至關重要。除了軟度，IGBT的開關速度還取決于結(jié)溫。提高結(jié)溫意味著增大IGBT的軟度。不過，必須給出器件在低溫條件下（如25 °C）的適當特性。圖4顯示了在Tvjop=25 °C條件下1200V/150A
2018-12-07 10:23:42
; — 損耗功率; — 結(jié)一殼熱阻; — 殼一散熱器熱阻; — 散熱器熱阻; —IGBT的最高結(jié)溫。 因受設備體積、重量等的限制，散熱系統(tǒng)要有所限制?？梢栽诳拷?b class="flag-6" style="color: red">IGBT處加裝一溫度繼電器，以檢測
2012-06-01 11:04:33
IGBT模塊散熱器，是在IGBT模塊裝上加裝散熱器，幫助其散熱。因為IGBT模塊工作時，會產(chǎn)生大量的熱，所以為了散熱加裝的。下面來看一下晨怡熱管的展示：IGBT模塊散熱用熱管散熱器晨怡熱管產(chǎn)品展示
2012-06-19 13:54:59
IGBT模塊散熱器應用-基本知識(三)IGBT散熱器 安裝 ?、?散熱器應根據(jù)使用環(huán)境及模塊參數(shù)進行匹配選擇，以保證模塊工作時對散熱器的要求?！ 、?散熱器表面的光潔度應小于10mm，每個螺絲之間
2012-06-19 11:20:34
模塊)的散熱方案 在電子元件的熱設計中，散熱方式的選擇，以及對其進行試驗、模擬、分析、優(yōu)化從而得到一個熱效率高、成本低廉的結(jié)構(gòu)，對保證功率器件運行時其內(nèi)部結(jié)溫始終保持在允許范圍之內(nèi)顯得尤為重要
2012-06-20 14:58:40
·PAV Tjm為器件的最大允許最高工資結(jié)溫，普通整流管為150℃，普通晶閘管為125℃，快速晶閘管為115℃ Rjc為器件的結(jié)殼熱阻。 PAV為器件的耗散功率。其計算公式為： PAV
2012-06-20 14:33:52
最要 散熱方式 散熱材料散熱方式 散熱材料 如果IGBT模塊一定時，IGBT結(jié)殼之間的熱阻一定，IGBT殼與散熱器的熱阻與散熱器材料和接觸程度兩個方面有關，但此處熱阻較小，散熱器的材料及接觸程度
2012-06-19 11:35:49
最要 散熱方式 散熱材料散熱方式 散熱材料 如果IGBT模塊一定時，IGBT結(jié)殼之間的熱阻一定，IGBT殼與散熱器的熱阻與散熱器材料和接觸程度兩個方面有關，但此處熱阻較小，散熱器的材料及接觸程度
2012-06-20 14:36:54
進行了研究，并得到了不同狀態(tài)下模塊的退化特性?！ D1 IGBT的傳熱結(jié)構(gòu) 研究人員在不同工作條件下的IGBT模塊進行老化實驗時，在相同的老化時間下觀察模塊的熱阻變化情況，通過對熱網(wǎng)絡模型
2020-12-10 15:06:03
;——IGBT 集電極與發(fā)射極之間的電壓;——流過IGBT 集電極－發(fā)射極的電流;——IGBT 的結(jié)溫。如果IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動電壓過低,則IGBT 不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極
2018-10-18 10:53:03
極管的結(jié)溫可靠性，硅管一般是150℃，只要結(jié)溫不超過該值，三極管一般來說是正常使用的，而器件資料里面的PD其實也是根據(jù)結(jié)溫計算出來的PD＝(TJ－TA)/RJATJ即結(jié)溫，TA即環(huán)境溫度，RJA即結(jié)到環(huán)境
2013-05-27 23:00:26
)…………………………… 35V(VO=24V)……………………………… 40VRθJC——熱阻（結(jié)到殼）……………………………… 5℃/WRθJA——熱阻（結(jié)到空氣）………………………… 65℃/WTOPR
2008-11-08 10:29:21
請問大神三菱PLC控溫除了用PWM和PID配可以控溫，還有什么指令可以配合PID控溫？PWM只能用高速脈沖輸出口，普通輸出口用不了。
2019-04-09 18:40:56
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
我想咨詢一下，HMC608LC4芯片,該芯片的額定結(jié)溫Tj（junction temperature）是多少？即該芯片所能承受的最大結(jié)溫是多少？ 其數(shù)據(jù)手冊沒有給出。請問如下圖的Channel Temperature是否就是該芯片的結(jié)溫？
2023-11-20 07:48:54
普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應用能量轉(zhuǎn)換給可見光子，其余的則產(chǎn)生熱量。 如果產(chǎn)生的這些熱量不能從 LED 充分散去，將會導致過熱，并可能造成災難性故障。 即使不出現(xiàn)災難性故障，LED 結(jié)溫升高也會造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預期壽命顯著縮短。
2019-08-12 07:57:16
%的電能轉(zhuǎn)換成光，其余的全部變成了熱能，熱能的存在促使我們金鑒必須要關注LED封裝器件的熱阻。一般，LED的功率越高，LED熱效應越明顯，因熱效應而導致的問題也突顯出來，例如，芯片高溫的紅移現(xiàn)象；結(jié)溫
2015-07-29 16:05:13
鎢絲球泡燈制造技術與LED新興技術相結(jié)合，使用玻璃泡充氣技術，把LED燈條密閉在玻璃球泡內(nèi)，并在內(nèi)填充混合氣體，使其起到散熱作用，以達到降低LED結(jié)溫，減少光衰，延長壽命的目的。 工作狀態(tài)下LED燈條
2018-03-19 09:14:39
20MHz 下讀取 32Kbit EEPROM 的全部內(nèi)容大約需要 2ms 左右，之后通常會以最大 5μA = 27.5μW 進入待機狀態(tài)，然后產(chǎn)生的溫度升高可以忽略不計。您是否有充分的理由證明有人提供了此類 EEPROM 的準確熱阻？
2023-02-06 07:50:00
MOS管瞬態(tài)熱阻測試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
Thermal Shutdown Spec1）使用熱電偶或紅外測溫儀測量恰好發(fā)生一次thermal shutdown時的殼溫（Tcase），利用結(jié)溫到殼溫之間的特征熱阻較小的特性，近似認為
2022-11-03 06:34:11
能使得模塊在最惡劣工況下，最高芯片結(jié)溫達到150度。則PrimePACK所使用的散熱器熱阻可以增大到0.155K/W。這樣的情況下PrimePACK芯片的溫度，及功率周次估算如表4所示。PrimePACK仍然
2018-12-04 09:59:11
大部分的IGBT應用電路中，都需要反并聯(lián)二極管(續(xù)流二極管，F(xiàn)RD)進行保護。圖1 IGBT的一種常用應用電路：三相逆變電路圖1是一種常用的三相逆變電路。早期且現(xiàn)在仍在采用的做法是分別制作IGBT
2019-09-26 13:57:29
在哪里可以找到S70GL02GS（S70GL02GS11FHI010）的熱阻值和最大結(jié)溫？這些值不在數(shù)據(jù)表中。需要抗結(jié)到外殼（RJC），對板電阻結(jié)（RJB）、環(huán)境性結(jié)（RJA），和馬克斯結(jié)溫
2018-08-28 15:09:57
請教各位大蝦一個問題，SMA，SMAJ與SMB封裝除了尺寸不同之外，它們的熱阻有沒有什么區(qū)別?(例如SS14 SMAJ,SS14 SMA,SS14 SMB熱阻的區(qū)別)
2013-08-25 22:47:42
及IGBT的結(jié)殼熱阻△ 三星電子利用T3Ster測試其IGBT模組的熱特性 ◇ T3Ster在LED領域的應用△ Lumileds利用T3Ster分析其產(chǎn)品的散熱結(jié)構(gòu)△ LED燈具測量△ LED模組的熱
2013-01-08 15:29:44
ad8346汽車級最高工作環(huán)境溫度是125度，最高結(jié)溫是多少攝氏度？
2023-12-05 07:44:20
的問題，那么功耗與散熱的問題就需要關注一個叫熱阻的東西。經(jīng)常查看半導體的規(guī)格書的時候，幾乎都會有關于熱阻的參數(shù)，經(jīng)?？吹降氖荝ja，Rjc，R***這三個參數(shù)，對于這三個參數(shù)很多人都搞不清楚，在實際運用中
2021-09-08 08:42:59
某種 PWB 結(jié)構(gòu)下結(jié)點至周圍環(huán)境的熱阻。這就是說，設計人員只需將這種熱阻乘以功耗，便可計算出溫升情況。但是，如果設計并沒有具體的結(jié)構(gòu)，或者如果需要進一步降低熱阻，那么就會出現(xiàn)許多問題。圖 2 所示為
2017-05-18 16:56:10
大家上午好！該系列視頻為開關電源免費教程，今天講解MOS管的熱阻。持續(xù)關注，我們會持續(xù)更新！大家有關于開關電源以及工作中遇到的關于電源相關的難題，都可以在帖子下面與我們交流討論。
2021-09-22 09:57:47
【金鑒出品】深度解析LED燈具發(fā)展的巨大瓶頸——熱阻發(fā)布時間：2015-07-13熱阻即熱量在熱流路徑上遇到的阻力，反映介質(zhì)或介質(zhì)間的傳熱能力的大小，表明了1W熱量所引起的溫升大小，單位為℃/W或K
2015-07-27 16:40:37
發(fā)熱器件的功耗。第二步：根據(jù)發(fā)熱器件的功耗計算發(fā)熱器件周圍多大范圍內(nèi)不能有其它發(fā)熱器件。第三步：根據(jù)發(fā)熱器件的功耗計算發(fā)熱器件的實際工作結(jié)溫以及相對環(huán)境的溫升有多大。第四步：根據(jù)第二步和第三步的數(shù)據(jù)進行
2011-09-06 09:58:12
迅速增加，導致集電極電流增加，又使結(jié)溫進一步升高，最終導致元件失效。 [hide]產(chǎn)品的熱設計方法.rar[/hide][此貼子已經(jīng)被作者于2009-12-5 16:46:34編輯過]
2009-12-05 16:45:53
形式下，管殼到環(huán)境的熱阻是不同的。這意味著即使功耗相同，不同封裝形式下的溫度增量ΔTc也會不同。由圖6可知，欲得到相應的結(jié)溫增量ΔTj，必須計算或測量新的管殼溫度的增量。圖6的b)和c)中顯示了
2018-12-05 09:45:16
，ILED是通過LED的電流。等式2是結(jié)溫的通式： 其中：TJ 是結(jié)溫，TA 是環(huán)境溫度，θJAP是以攝氏度每瓦測量的LED結(jié)環(huán)熱阻。將電功率等式代入結(jié)溫方程可得到等式3： LED正向電壓和熱阻都是LED
2019-03-01 09:52:39
現(xiàn)在需要測IGBT的熱阻，我的方案是直接讓它導通然后用大電流加熱到一定的程度后，突然切斷大的電流源，看他在100ma下的vce變化（已知100ma工況下vce和節(jié)溫的關系），然后將測試到的vce
2017-09-29 10:40:46
求關于片上網(wǎng)絡各個ip核之間的熱阻和功耗對io核溫度的影響，最好具體到公式表達
2017-04-30 00:16:32
等式1表示每個LED消耗的電功率： 其中：Vf 是LED的正向電壓，ILED是通過LED的電流。等式2是結(jié)溫的通式： 其中：TJ 是結(jié)溫，TA 是環(huán)境溫度，θJAP是以攝氏度每瓦測量的LED結(jié)環(huán)熱阻
2022-11-14 07:31:53
功率型LED熱阻測量的新方法摘 要： LED照明成為21世紀最引人注目的新技術領域之一，而功率型LED優(yōu)異的散熱特性和光學特性更能適應普通照明領域的需要。提出了一種電學法測量功率LED熱阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
通常用熱阻的大小來描述。熱阻RT定義為每1W的集電極耗散功率使晶體管的結(jié)溫升高的度數(shù)，即 熱阻RT越小，散熱條件越好。功率管最大允許的管耗PCM與熱阻大小、工作環(huán)境溫度有關，即 式中，TjM表示PN結(jié)的最高允許結(jié)溫;Tα表示功率管的工作環(huán)境溫度。
2021-05-13 07:44:08
嗨，我嘗試使用XPE工具計算FPGA器件的功耗。我把結(jié)果提到的'Total On-Chip Power'。我注意到該值隨著電路板熱阻的變化而變化。功耗與電路板的熱阻有什么關系？相反，它應該只影響IC
2019-03-21 16:18:59
路設計實例，以供從事IGBT應用電路設計的工程技術人員在實際設計工作中參考。異常時有控制電路發(fā)出關斷IGBT的指令,以保護IGBT。在ICBT上安裝和固定散熱器時應注意以下事項:(1)由于熱阻隨GBT安裝位置...
2021-12-28 08:07:57
請問怎么確定可控硅的結(jié)溫？？？超過結(jié)溫時會有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
循環(huán)周次能力是有限的。值得注意的是，IGBT模塊主要有兩個失效機制，下文將對此進行說明。通常情況下，逆變器的結(jié)溫可采用熱模型計算。對于遠遠超過0 Hz的正弦波形輸出電流而言，結(jié)溫可采用近似值，其中芯片
2018-12-04 09:57:08
:www.aidzz.com）的?？?我相信，他們都是很好的筆記本電腦，于是由此推理也就得出一個結(jié)論：單從器件表面的溫度是不能判斷出結(jié)溫的，而使器件燒壞的是結(jié)溫；因此單靠摸的手感來判斷器件值得做熱測試是錯誤的。那
2012-02-12 12:14:27
計算大多數(shù)半導體器件結(jié)溫的過程廣為人知。通常情況下，外殼或引腳溫度已知。測量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計算外殼至結(jié)點的溫升。這種方法適用于所有單裸片封裝，包括
2018-09-30 16:05:03
模塊輸出電流能力會約束整個逆變器的功率密度，最大結(jié)溫是IGBT開關運行的限制因素，本文介紹了PrimePACKTM封裝將IGBT工作結(jié)溫提高到150℃，并給出了在苛刻條件下逆變器性能和電流利用率的情況
2018-12-03 13:56:42
，ILED是通過LED的電流。等式2是結(jié)溫的通式： 其中：TJ 是結(jié)溫，TA 是環(huán)境溫度，θJAP是以攝氏度每瓦測量的LED結(jié)環(huán)熱阻。將電功率等式代入結(jié)溫方程可得到等式3： LED正向電壓和熱阻都是LED
2017-04-01 15:14:54
測量和校核開關電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
我如何計算VIPER37HD / LD的結(jié)溫 以及頻率（60k，115k hz）如何影響結(jié)溫？
2019-08-05 10:50:11
△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm 式中Tj－IGBT的工作結(jié)溫 P△－損耗功率 Rjc－結(jié)－殼熱阻vkZ電子資料網(wǎng) Rcs－殼－散熱器熱阻 Rsa－散熱器－環(huán)境熱阻 Tjm－IGBT的最高結(jié)
2011-10-28 15:21:54
通過電流和電壓探頭以及標準的示波器進行數(shù)據(jù)記錄和獲得。在逆變器運行過程中，芯片的結(jié)溫很少通過實驗方法確定。熱處理通常是供應商提供典型值或最差值（如IGBT模塊和冷卻板的熱阻）與仿真產(chǎn)生的損耗情況結(jié)合
2018-12-07 10:19:13
大家好， 我對M95256-WMN3TP /ABE2PROM的最高結(jié)溫感興趣。 3級器件的最高環(huán)境工作溫度為125°C，因此結(jié)溫必須更高。數(shù)據(jù)手冊中沒有提到最大結(jié)溫。 我還在尋找SO-8封裝中M95256-W的結(jié)至環(huán)境熱阻。 最好的祝福， 托馬斯
2019-08-13 11:08:08
各位大神，請問整流二極管的結(jié)溫對性能影響大嗎？另外規(guī)格書的結(jié)溫范圍一般都是-55~150℃，但是實際測的實在170℃，這樣正常嗎？在同一條件下。
2016-05-26 09:06:39
中國電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：焊機的工況是間斷式的。即晶閘管在工作時結(jié)溫升高，停止工作時結(jié)溫又降到某一值。再次工作，結(jié)溫又在此值基礎上升高。這里就要用到“晶閘管設計實例1”中提到的“瞬態(tài)熱阻”的概念
2014-04-01 10:46:41
有什么方法可以降低IC封裝的熱阻嗎？求解
2021-06-23 07:24:48
測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法
2021-03-17 07:00:20
的是結(jié)溫；因此單靠摸的手感來判斷器件值得做熱測試是錯誤的。那到底該如何做呢？對MCU、驅(qū)動器件、電源轉(zhuǎn)換器件、功率電阻、大功率的半導體分立元件、開關器件類的能量消耗和轉(zhuǎn)換器件，熱測試都是必須的。不論
2012-02-09 10:51:37
最大的連續(xù)漏極電流ID的計算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)為在最大工作結(jié)溫TJ下，功率MOSFET的導通電阻；通常，硅片允許的最大工作結(jié)溫為150℃。熱阻RqJC的測量可以參見文章：功率
2016-08-15 14:31:59
我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。一種估算熱插拔MOSFET 溫升的簡單方法進行研究根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。本文中，我們把圖1 所示模型的瞬態(tài)響應
2013-09-12 15:51:10
和次變壓器的有效繞組電阻)有紅色的“熱”端子，該端子可將熱傳至外部熱網(wǎng)絡。外部熱網(wǎng)絡包括散熱器的熱容(0.1J/°C)、傳至環(huán)境的熱阻(1°C/W)，以及產(chǎn)品說明發(fā)布的各個有源電子元器件的結(jié)-引線熱阻
2018-10-17 11:43:12
設計要求。大部分熱設計適用于上面這個圖表，因為基本上散熱都是通過面散熱。但對于密封設備，則應該用體積功率密度來估算，熱功率密度=熱量 / 體積。下圖（圖2）是溫升要求不超過40℃時，不同體積功率密度所對應
2018-01-13 19:44:10
前言這篇詳細的介紹了電機中的熱阻網(wǎng)絡模型該怎么建立，雖然是以某一個特定的永磁同步電機為例子，但是把它的思路給領會到了，在刻畫其他模型的時候就是舉一反三的事。再次感謝《基于熱阻網(wǎng)絡法的電機溫度場分析
2021-08-30 07:42:36
）熱阻計算。圖4示出了SGW25N120（10.4mm2）的結(jié)溫（ΔTj）、塑封料溫度（ΔTMC）和管殼溫度（ΔTc）的溫度增量。根據(jù)下式，圖4中紅色（最上方）曲線的斜率即為結(jié)到管殼的熱阻： (2)因此
2018-12-03 13:46:13
降低，由于FF300R12KT4結(jié)到散熱器的熱阻比FF300R12KS4的大，所以結(jié)到散熱器的溫升幾乎一樣。圖9是利用r-tools熱仿真軟件得到的這兩種IGBT模塊在實際工作條件下散熱器表面熱溫度場
2018-12-03 13:47:57
芯片和封裝、周圍環(huán)境之間的溫度差按以下公式進行計算。其中項目解說θｊａ結(jié)溫（Ｔｊ）和周圍溫度（Ｔａ）之間的熱阻ψｊｔ結(jié)溫（Ｔｊ）和封裝外殼表面溫度（Ｔｃ 1）之間的熱阻θｊｃ結(jié)溫（Ｔｊ）和封裝外殼背面
2019-09-20 09:05:08
上一個輸錯了型號，AD8436BRQZ 的datasheet里沒有最大結(jié)溫
2023-12-05 06:37:12
請問OP37S和AD574S這兩個宇航級型號的結(jié)溫（Junction Temperature）最大范圍是多少？
2018-09-07 10:42:57
請問OP37S和AD574S這兩個宇航級型號的結(jié)溫（Junction Temperature）最大范圍是多少？
2023-11-21 08:17:33
=111.83℃/W ；計算方式2： θJA=42℃/wTJ=Ta+θJA*PD=26℃+0.826w*42℃/w=60.7℃。兩者相差太大，方式2中結(jié)溫60.7℃小于方式1中表面溫度73℃，這個就很難理解
2019-03-25 10:54:06
稱為冷結(jié)。為了得出測量結(jié)的溫度(TMJ)，用戶必須知道熱電偶所產(chǎn)生的差分電壓。用戶還必須知道基準結(jié)溫(TRJ)所產(chǎn)生的誤差電壓。補償基準結(jié)溫誤差電壓一般稱為冷結(jié)補償。為使輸出電壓精確地代表熱結(jié)電子裝置
2018-10-15 14:39:30
），到現(xiàn)在的超結(jié)IGBT（SJ-IGBT），新結(jié)構(gòu)層出不窮，并且正在向功率器件集成化和智能功率模塊方向發(fā)展。今天我們來聊一聊一種具有雙向阻斷能力的，逆阻型IGBT（RB-IGBT）?！ 薄 ?、逆阻
2020-12-11 16:54:35
大多數(shù)半導體組件結(jié)溫的計算過程很多人都知道。通常情況下，外殼或接腳溫度已知。量測裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計算外殼至結(jié)點的溫升。這種方法適用于所有單裸片封裝
2018-10-08 14:45:41
`計算大多數(shù)半導體器件結(jié)溫的過程廣為人知。通常情況下，外殼或引腳溫度已知。測量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計算外殼至結(jié)點的溫升。這種方法適用于所有單裸片封裝
2014-08-19 15:40:52
，LED 結(jié)溫升高也會造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預期壽命顯著縮短。本文介紹了如何計算結(jié)溫，并說明熱阻的重要性。 文中探討了較低熱阻 LED 封裝替代方法，如芯片級和板載 (COB) 設計，并介紹
2017-04-10 14:03:41
IGBT結(jié)溫估算（算法+模型），多年實際應用，準確度良好 能夠同時對IGBT內(nèi)部6個三極管和6個二極管溫度進行估計，并輸出其中最熱的管子對應溫度。 可用于溫度保護，降額，提高
2023-02-23 09:45:05
7 IGBT結(jié)溫估算
2023-02-23 09:23:148 IGBT結(jié)溫估算模型。
2023-02-24 10:48:425
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