摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:38
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NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質(zhì)外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進(jìn)行開關(guān)并在更高的電壓下工作，這將催生新一代更高效的功率器件。
2022-07-27 17:15:064235 
的嵌入式源漏外延生長(zhǎng)，LED襯底上的外延生長(zhǎng)等。根據(jù)生長(zhǎng)源物相狀態(tài)的不同，外延生長(zhǎng)方式可以分為固相外延、液相外延、氣相外延。在集成電路制造中，常用的外延方式是固相外延和氣相外延。
2023-02-13 14:35:4710449 定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國(guó)襯底上的能力可以帶來卓越或新穎的功能，并對(duì)電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡(jiǎn)要描述了實(shí)現(xiàn)這種異質(zhì)集成的不同方法，重點(diǎn)介紹了離子
2023-08-14 17:03:50483 
異質(zhì)運(yùn)算的典型使用案例是什么？邁向異質(zhì)的編程模型時(shí)會(huì)面臨哪些挑戰(zhàn)？
2021-06-01 06:52:25
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導(dǎo)損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
面，其均方根粗糙度在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)的 GaN 的 16 nm 和尖晶石襯底上生長(zhǎng)的 GaN 的 0.3 nm 之間變化。 雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)基于 KOH 的溶液可以蝕刻 AlN 和 InAlN，但之前沒有
2021-07-07 10:24:07
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術(shù)而制成。GaN-on-SiC 方法結(jié)合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導(dǎo)熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
晶體管（B）中的氮化物材料由外延片供應(yīng)商IQE通過將200 mm的 p型硅片裝入MOCVD室生長(zhǎng)得到?！ D3. （a）ITO和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的能帶圖，在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的界面處
2020-11-27 16:30:52
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
)藍(lán)寶石制作圖形藍(lán)寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進(jìn)行MOCVD制作GaN基發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進(jìn)行芯片制造和測(cè)試。PSS的基本結(jié)構(gòu)為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
堆棧的滿空和生長(zhǎng)方向的知識(shí)點(diǎn)匯總，絕對(duì)實(shí)用
2022-02-09 06:11:24
(外延)、non-epitaxial(非外延)、SOI (silicon-on-insulator)。外延襯底有一個(gè)重?fù)诫s的外延層，這樣會(huì)得到較低的電阻率，進(jìn)而預(yù)防電路產(chǎn)生latch up效應(yīng)。但也
2012-01-12 10:47:00
波段，隨著襯底、外延、芯片和封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，藍(lán)光激光器的性能在不斷提升?！ D3、（a）氮化鎵/藍(lán)寶石模板和（b）GaN自支撐襯底的位錯(cuò)缺陷對(duì)比（圖中暗斑為位錯(cuò)缺陷） 在襯底方面，早期的氮化鎵
2020-11-27 16:32:53
碳化硅做襯底的成本遠(yuǎn)高于藍(lán)寶石襯底，但碳化硅襯底的光效和外延成長(zhǎng)品質(zhì)要好一些。碳化硅材料分不透光和透光的兩類，如用透光的碳化硅材料做襯底成本就更高，而不透光的碳化硅跟硅材料一樣，外延后也必須做基板的轉(zhuǎn)換
2012-03-15 10:20:43
`供應(yīng)藍(lán)寶石襯底！深圳永創(chuàng)達(dá)科技有限公司 聯(lián)系電話***齊先生 網(wǎng)址www.yochda.com適用于外延片生產(chǎn)商與PSS加工`
2012-03-10 10:44:06
LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:29
0 熱壁外延（HWE）在導(dǎo)電玻璃上生長(zhǎng)GaAs薄膜引 言 目前，太陽(yáng)電池應(yīng)用最大的障礙就是成本高，世界商品化生產(chǎn)的太陽(yáng)電池主要是單晶硅、多晶硅和非晶硅電池
2009-02-23 21:30:571108 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281388 
LED發(fā)光效率提高方法需注意以下幾類技術(shù)：
一、透明襯底技術(shù) InGaAlP LED通常是在GaAs襯底上外延生長(zhǎng)InGaAlP發(fā)
2010-07-23 09:49:482105 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)，LED外延片--襯底材料，評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 一般來說，GaN 的成長(zhǎng)須要很高的溫度來打斷NH3 之N-H 的鍵解，另外一方面由動(dòng)力學(xué)仿真也得知NH3 和MO Gas 會(huì)進(jìn)行反應(yīng)產(chǎn)生沒有揮發(fā)性的副產(chǎn)物。 LED 外延片工藝流程如下： 襯底
2017-10-19 09:42:3811 研究人員將n型襯底作為分子束外延固體源（圖1）。首先將腔室加熱至950℃進(jìn)行5分鐘的基底退火，然后通過生長(zhǎng)一系列三層300nm GaAs層結(jié)構(gòu)，隨后產(chǎn)生InGaAs / GaAs應(yīng)變超晶格，從而實(shí)現(xiàn)
2018-05-23 16:51:464396 
通道或外延將其從原始的Si襯底中剝離下來，而后通過一個(gè)35 nm的SiN界面層結(jié)合在CVD合成的金剛石襯底上。
2018-07-26 17:50:4814550 （epitaxy）是指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的過程，新單晶可以與襯底為同一材料，也可以是不同材料。 外延可以生產(chǎn)種類更多的材料，使得器件設(shè)計(jì)有了更多選擇。
2018-08-28 14:44:5916194 
典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長(zhǎng)-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場(chǎng)板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
2018-10-26 17:33:0610616 按晶體生長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶硅棒材，外延法生長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法生長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶
2018-11-19 08:00:0024 今年9月，意法半導(dǎo)體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展，并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線，包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。
2018-12-18 16:52:144894 9月10日，聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司“8英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)暨產(chǎn)品發(fā)布儀式”在青島市即墨區(qū)舉行，意味著國(guó)內(nèi)8英寸GaN外延材料再添新兵。而聚能晶源正是耐威科技發(fā)起成立的控股公司
2019-09-11 16:33:126816 時(shí)，仍然可以獲得晶格匹配的異質(zhì)結(jié)。此時(shí)，外延層為適配襯底的晶格常數(shù)將會(huì)在平行于橫截面的方向產(chǎn)生拉伸應(yīng)變或壓縮應(yīng)變，垂直于橫截面方向的晶格也將產(chǎn)生相應(yīng)應(yīng)變。 AlGaN材料晶格常數(shù)介于AlN與GaN之間，當(dāng)在GaN襯底上生長(zhǎng)Al
2020-03-10 14:14:3410496 
該項(xiàng)專利通過Mg摻雜濃度高-低-高階梯分布結(jié)構(gòu)組成電容式結(jié)構(gòu)，對(duì)高壓靜電的沖擊起到了分散、緩沖的作用，減少了高壓靜電的破壞力，從而提高GaN基LED器件的抗靜電能力。
2020-03-25 16:38:363526 
科技半導(dǎo)體公司提出的GaN基復(fù)合襯底技術(shù)，結(jié)合企業(yè)自身的LED芯片技術(shù)，在大大提高LED出光效率的同時(shí)，還能大幅降低高端LED芯片的生產(chǎn)成本，改進(jìn)現(xiàn)有LED的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，同時(shí)該技術(shù)還可擴(kuò)展應(yīng)用到GaN功率器件和MicroLED領(lǐng)域。
2020-04-17 16:37:573363 
來自美國(guó)密歇根大學(xué)的Emmanouil Kioupakis教授利用第一性原理計(jì)算，從薄膜和晶格匹配襯底兩種應(yīng)用考慮出發(fā)，研究了砷化硼異質(zhì)結(jié)相關(guān)性能，包括應(yīng)變對(duì)于能帶及載流子遷移率的影響，砷化硼與其他光電半導(dǎo)體的界面接觸等特性。
2020-05-07 16:18:226488 
根據(jù)工程應(yīng)用的不同需求，SITP重點(diǎn)發(fā)展了基于碲鋅鎘襯底的碲鎘汞液相外延（LPE）和異質(zhì)襯底的大面積碲鎘汞分子束外延（MBE）的材料制備技術(shù)
2020-06-01 14:57:274962 ，最優(yōu)質(zhì)的單晶GaN是通過幾種需要昂貴的一次性碳化硅（SiC）襯底的外延工藝生長(zhǎng)而成的，這限制了其在包括消費(fèi)電子產(chǎn)品在內(nèi)的更廣泛市場(chǎng)中的商業(yè)化。IBM TJ Watson研究中心科學(xué)家最近的一項(xiàng)發(fā)現(xiàn)可能會(huì)在稱為直接范德華外延的單晶GaN薄膜生長(zhǎng)過程中改變所有這些
2021-04-04 06:17:001404 
我國(guó)GaN產(chǎn)品逐步從小批量研發(fā)、向規(guī)?；⑸虡I(yè)化生產(chǎn)發(fā)展。GaN單晶襯底實(shí)現(xiàn)2-3英寸小批量產(chǎn)業(yè)化，4英寸已經(jīng)實(shí)現(xiàn)樣品生產(chǎn)。GaN異質(zhì)外延襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)6英寸產(chǎn)業(yè)化，8英寸正在進(jìn)行產(chǎn)品研發(fā)。 GaN材料應(yīng)用范圍仍LED向射頻、功率器件不斷擴(kuò)展。
2020-12-23 15:15:092321 雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長(zhǎng)，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:29492 看到一些新聞，表示某國(guó)高科技企業(yè)開發(fā)了一種新型襯底材料，與GaN晶格匹配，可以良好生長(zhǎng)GaN。(備注：GaN體單晶制備難度非常大，因此此處所提的GaN是外延層，此處暴露了外延層存在的意義之一
2021-01-11 11:18:0823514 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:203871 
最近做芯片和外延的研究，發(fā)現(xiàn)同樣的外延工藝和芯片工藝做出來的芯片性能差別很大，大到改變?cè)囼?yàn)設(shè)計(jì)的“世界觀”?；?b class="flag-6" style="color: red">襯底的質(zhì)量好壞很關(guān)鍵。
2021-08-12 10:55:584302 
溝道層，在GOI或絕緣體上硅鍺(SGOI)襯底上外延生長(zhǎng)鍺是一種很有前途的技術(shù)。GOI和SGOI襯底的表面清潔是獲得所需溝道層的最重要問題之一。
2021-12-10 17:25:06808 引言 外延片或所謂的外延片是一種通過外延生長(zhǎng)生產(chǎn)的材料，商業(yè)上可用于許多不同的電子應(yīng)用。外延晶片可以由單一材料(單晶晶片)和/或多種材料(異質(zhì)晶片)制成?？捎米?b class="flag-6" style="color: red">襯底的“外延”晶片的選擇有限，例如
2022-01-19 11:12:221185 
引言 基于Ge/GeSn體系的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)由于其特殊的能帶結(jié)構(gòu)以及在創(chuàng)新光電子器件和高性能微電子器件中的可能應(yīng)用，最近引起了廣泛的興趣。1 基于拉伸應(yīng)變Ge/GeSn虛擬襯底的多量子阱結(jié)構(gòu)和超晶格
2022-06-17 16:26:561440 
常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的不匹配導(dǎo)致外延層產(chǎn)生位錯(cuò)和開裂。 熱管理的常用方法是使用具有高導(dǎo)熱率的基板，例如 SiC 或金剛石作為散熱器。然而，GaN 和 SiC/金剛石之間的晶格失配和熱膨脹系數(shù) (CTE) 失配都使得異質(zhì)外延非常具有挑戰(zhàn)性。此外，傳統(tǒng)的成核層由于缺陷和結(jié)晶
2022-07-29 11:23:36926 
的。IVWorks（韓國(guó)）利用基于深度學(xué)習(xí)的人工智能 (AI) 外延技術(shù)制造氮化鎵 (GaN) 外延片，這是直流功率器件和 5G 通信設(shè)備的關(guān)鍵材料，已獲得 670 萬美元的 B 輪投資. 因此，IVWorks 現(xiàn)在已獲得總計(jì) 1000 萬美元的資金。三星旗下專業(yè)投資子公司三星風(fēng)險(xiǎn)投資參與了
2022-07-29 18:19:471525 
熱膨脹性能越高，生長(zhǎng)襯底直徑越大。
2022-09-02 16:46:25647 
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長(zhǎng)，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長(zhǎng)外延層。這個(gè)過程稱為選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)。
2022-09-30 15:00:385893 本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:401459 二維半導(dǎo)體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù) 上海超級(jí)計(jì)算中心用戶北京大學(xué)陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對(duì)稱性、不同晶格常數(shù)和三維架構(gòu)基底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體2H-MoTe2薄膜的通用合成技術(shù)
2022-10-19 20:20:571531 
依次對(duì)單晶壓電薄膜異質(zhì)襯底制備、聲波器件仿真、聲表面波與板波濾波器技術(shù)的研究進(jìn)展進(jìn)行介紹與分析，并對(duì)未來聲波濾波器的發(fā)展做出展望。
2022-11-01 09:59:282352 固相外延，是指固體源在襯底上生長(zhǎng)一層單晶層，如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時(shí)，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210252 近年來，半絕緣SiC襯底上外延生長(zhǎng)的GaN高遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMTs)已廣泛應(yīng)用于微波射頻領(lǐng)域的功率放大器電路中。
2022-12-02 11:43:46473 目前來說，金剛石在半導(dǎo)體中既可以充當(dāng)襯底，也可以充當(dāng)外延（在切、磨、拋等加工后的單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的過程），單晶和多晶也均有不同用途。
在CVD生長(zhǎng)技術(shù)、馬賽克拼接技術(shù)、同質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)
2023-02-02 16:58:14781 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:353012 通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長(zhǎng)的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252103 絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢(shì)壘層、及2nm GaN帽層，勢(shì)壘層鋁組分設(shè)定為30%。
2023-02-14 09:31:161496 
該團(tuán)隊(duì)還針對(duì)化學(xué)氣相沉積方法可巨量生長(zhǎng)的二維薄膜材料的異質(zhì)結(jié)的快速制備問題，發(fā)展出了一種高效且高質(zhì)量的制備方法，創(chuàng)造性地利用水膜浸潤(rùn)轉(zhuǎn)移界面，根據(jù)材料或襯底的親水疏水性不同
2023-02-15 10:16:16755 可以在各種襯底上生長(zhǎng)，包括藍(lán)寶石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生長(zhǎng)氮化鎵（GaN）外延層可以使用現(xiàn)有的硅制造基礎(chǔ)設(shè)施，從而
無需使用高成本的特定生產(chǎn)設(shè)施，而且以低成本采用大直徑的硅晶片。
GaN power semiconductor 2023 predictions一文有
2023-02-15 16:19:060 研究進(jìn)展，簡(jiǎn)要總結(jié)了外延材料表征技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)， 為 GaN HEMT 外延層的材料生長(zhǎng)和性能優(yōu)化提供了反饋和指導(dǎo)。
2023-02-20 11:47:22876 到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu)，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下纖鋅礦是最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。目前學(xué)術(shù)上在薄膜的外延
2023-04-29 16:41:0012113 
通過濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見的制備異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過程中，不同的制備工藝細(xì)節(jié)對(duì)二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21514 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092828 
第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長(zhǎng)、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長(zhǎng)爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長(zhǎng)爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787 
一種是通過生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延，下游應(yīng)用于5G通訊、國(guó)防等射頻領(lǐng)域的半絕緣型襯底，主要用于制造氮化鎵射頻器件。
2023-06-03 10:28:35924 
由于GaN在高溫生長(zhǎng)時(shí)N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過幾十年的不斷研究，并不斷嘗試?yán)貌煌?b class="flag-6" style="color: red">外延生長(zhǎng)方法在Si
2023-06-10 09:43:44682 最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍(lán)寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質(zhì)襯底上通過金屬有機(jī)氣象外延(MOCVD)進(jìn)行外延制備。由于異質(zhì)
2023-06-14 14:00:551654 
SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長(zhǎng)速度適中、過程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是生長(zhǎng)用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩個(gè)方面對(duì)異質(zhì)外延單晶金剛石的發(fā)展進(jìn)行了闡述。
2023-07-12 15:22:23845 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03286 
液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長(zhǎng)領(lǐng)域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測(cè)器研究機(jī)構(gòu)和生產(chǎn)商所采用。
2023-08-07 11:10:20734 
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長(zhǎng)的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341002 
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面生長(zhǎng)
2023-08-22 15:17:312379 近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:44738 GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25660 
of wafer-scale van der Waals superconductor heterostructures”（堆垛生長(zhǎng)晶圓級(jí)范德華超導(dǎo)異質(zhì)結(jié)）為題，于2023年9月6日在線發(fā)表于Nature。這是高力波課題組在制備二維材料領(lǐng)域發(fā)表的第三篇頂刊。
2023-09-14 09:17:46555 
硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用?；诠?b class="flag-6" style="color: red">襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 
HVPE主要是利用生長(zhǎng)過程中的化學(xué)反應(yīng)，如歧化反應(yīng)、化學(xué)還原反應(yīng)以及熱分解反應(yīng)等實(shí)現(xiàn)外延晶體薄膜的制備，具有生長(zhǎng)溫度高、源爐通氣量大、生長(zhǎng)速率大的特點(diǎn)，一般用來制備厚膜以及自支撐襯底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41:081220 
這項(xiàng)研究首次提出了一種由層間激子驅(qū)動(dòng)的高性能紅外光電探測(cè)器，該紅外探測(cè)器由化學(xué)氣相沉積（CVD）生長(zhǎng)的范德華異質(zhì)結(jié)所制備。這項(xiàng)研究標(biāo)志著光電器件領(lǐng)域進(jìn)步的一個(gè)重要里程碑。
2023-11-13 12:42:51164 
半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢？外延層的存在有何意義？ 半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成，這兩個(gè)部分在制造過程中起著重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。 首先，襯底是半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:281514 通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對(duì)PLD生長(zhǎng)的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:40232 
外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長(zhǎng)的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16878 
清軟微視是清華大學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體視覺領(lǐng)域量檢測(cè)軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對(duì)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無損檢測(cè)裝備Omega系列產(chǎn)品，
2023-12-05 14:54:38769 
GaN性能優(yōu)異，在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛，發(fā)展?jié)摿薮?；進(jìn)一步發(fā)展，需提升材料質(zhì)量，制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。
2023-12-09 10:24:57716 12月11日，外媒消息，韓國(guó)首爾國(guó)立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長(zhǎng)柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)生長(zhǎng)出了LED微型陣列
2023-12-13 16:06:03402 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
外媒消息，韓國(guó)首爾國(guó)立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長(zhǎng)柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)生長(zhǎng)出了LED微型陣列，并稱作微盤陣列（Microdisks arrays）。
2023-12-18 10:07:15510 在功率和光子學(xué)應(yīng)用強(qiáng)勁擴(kuò)張的推動(dòng)下，到2029年，全球化合物半導(dǎo)體襯底和外延晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到58億美元。隨著MicroLED的發(fā)展，射頻探索新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
2024-01-05 15:51:06355 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進(jìn)行材料外延技術(shù)，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10968 
近日，廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等等合作攻關(guān)，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺(tái)，成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
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