二極管是電子電路中很常用的元器件，非常常見，二極管具有正向?qū)?/b>通，反向截止的特性。
2022-12-19 09:47:48
4241 二極管是電子電路中很常用的元器件，非常常見，二極管具有正向?qū)?/b>通，反向截止的特性。
2023-05-30 09:15:201935 
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關(guān)注并認可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
跨越溝道的導通時間減小，這樣允許工作的開關(guān)頻率就可以提高；（2）溝槽寬度小，溝道完全開通所加的G極電壓可以降低，導通更容易，開關(guān)損耗降低；（3）溝槽寬度減小，溝道導通電阻降低，也更一進降低導通損耗
2017-01-06 14:46:20
本文設(shè)計了一種低導通損耗的USB 電源開關(guān)電路。該電路采用自舉電荷泵為N 型功率管提供足夠高的柵壓， 以降低USB 開關(guān)的導通損耗。在過載情況下， 過流保護電路能將輸出電流限制在0. 3 A。 1
2011-09-20 10:42:46
本文介紹了一種具有后級開關(guān)穩(wěn)壓功能的同步整流電路，其既能降低損耗、提高電源效率，又實現(xiàn)高精度穩(wěn)壓功能。
2021-04-06 08:13:14
相繼被提出。然而SCMRC結(jié)構(gòu)的阻帶范圍較小(5.2GHz-7.6GHz)，BCMRC則由于在阻帶范圍內(nèi)的衰減特性不理想通常需要幾個單元來實現(xiàn)較好的低通特性。針對這些問題，本文提出了一種新型CMRC
2019-07-08 07:34:48
。為此，本文提出了一種新型SIW腔體雙膜濾波器的設(shè)計方法。該SIW的大功率容量、低插入損耗特性正好可以對雙膜濾波器的固有缺點起到補償作用。而且輸入／輸出采用直接過渡的轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，也減少了耦合縫隙的損耗。
2019-07-03 07:08:15
金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的肖特基勢壘二極管，簡稱肖特基二極管shoky。肖特基二極管屬于低功耗、超高速半導體器件。而低正向/低壓降肖特基二極管是正向壓降比普通肖特基二極管還要低的一種半導體器件
2017-08-10 09:23:06
用電流損耗更低的RS-485收發(fā)器替代舊器件，結(jié)果卻發(fā)生故障，是什么原因呢？低電流損耗真的好嗎？
2019-08-07 08:29:55
（GaN）技術(shù)實現(xiàn)比使用傳統(tǒng)硅功率晶體管更高的效率。氮化鎵具有極高的電子遷移率和低溫度系數(shù)，這使得功率晶體管具有非常低的導通電阻（R上），從而最大限度地減少了導通狀態(tài)傳導損耗。橫向晶體管結(jié)構(gòu)還實現(xiàn)了極低
2023-02-21 15:57:35
級別的上升。保護功能需要將反向電流保持在非常低的水平上。這意味著對于反向電壓的限制。有三種常用的方法可以防止反向電流：設(shè)計一個使用二極管、FET或負載開關(guān)的系統(tǒng)。二極管二極管與FET相比，它的成本更低
2018-09-04 09:54:41
陶瓷不僅能透光，而且具有耐高溫、耐腐蝕、高絕緣、高強度、介質(zhì)損耗小等性能，是一種優(yōu)良的光學陶瓷，還可作微波爐窗等。（3）納米氧化鋁陶瓷傳感器：用高純納米氧化鋁（VK-L100G）陶瓷的晶粒、晶界、氣孔等
2016-10-21 13:51:08
得到?！ ?、體內(nèi)寄生二極管正向?qū)?/b>通損耗Pd_f 體內(nèi)寄生二極管正向?qū)?/b>通損耗，指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流時因正向壓降造成的損耗?！ ◇w內(nèi)寄生二極管正向?qū)?/b>通損耗計算 在一些利用體內(nèi)寄生二極管
2020-06-28 17:48:13
時，客戶工程師發(fā)現(xiàn)：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時，Q1的導通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時候，VTH比正向?qū)?/b>通的時候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
反向恢復(fù)的幾種方法為解決功率二極管反向恢復(fù)問題已經(jīng)出現(xiàn)了很多種方案。一種思路是從器件本身出發(fā)，尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題，比如碳化硅二極管的出現(xiàn)帶來了器件革命的曙光，它幾乎不存在反向
2017-08-17 18:13:40
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
V，并且氮化鎵耐電壓小于1000 V。正是由于這些區(qū)別，使得功率半導體廠商與研究開發(fā)廠商之間產(chǎn)生了一種“無聲的默契”。但是，以上所說的改變是非常有可能的。因為氮化鎵可以極大地減少晶片的缺陷（錯位）密度
2023-02-23 15:46:22
這個特性來實現(xiàn)整流、檢波、限幅、保護等等作用?！ 】墒嵌O管真的是絕對的單向?qū)?/b>電嗎？答案是否定的！ 每一種類型的二極管都有一個詳細的工作參數(shù)：比如最大正向電流、最高反向電壓、反向恢復(fù)時間、反向電流等等
2021-01-11 15:44:12
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
什么是一氧化二氮（N2O）？一氧化二氮（N2O）有什么影響？介紹一種N2O氣體探測器的解決方案
2021-06-15 07:02:48
碳化硅MOSFET柵極驅(qū)動器需要精確的控制和電壓限制，以實現(xiàn)可靠的性能。氮化鎵HEMT單元與產(chǎn)生隔離柵氧化物的硅MOSFET和碳化硅MOSFET具有完全不同的柵特性。氮化鎵柵極像一個壓降約為3-4V
2023-02-05 15:14:52
分享一種低延遲SGTLCODEC解決方案
2021-06-01 07:05:17
分享一種具有低功耗意識的FPGA設(shè)計方法
2021-04-29 06:15:55
分享一種ADA1373低延遲立體聲的解決方案
2021-06-02 06:58:06
的，有時甚至是有毒的材料，導致世界范圍內(nèi)嚴重的生態(tài)挑戰(zhàn)。此外，電子產(chǎn)品的生產(chǎn)制備過程中消耗了大量的比如鎵銦等稀缺元素（銦鎵鋅氧化物已廣泛用于許多薄膜晶體管中，例如有源矩陣有機發(fā)光二極管背板，射頻識...
2021-09-16 07:21:41
變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。二、功率MOSFET的反向?qū)?/b>通等效電路（1）1）等效電路（門極不加控制）：2）說明：即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體
2021-08-29 18:34:54
變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向?qū)?/b>通等效電路（1）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體
2021-09-05 07:00:00
太陽能電池可分為三類：單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池和薄膜太陽能電池三種。非晶硅薄膜就是相對于單晶硅和多晶硅來說的。薄膜太陽電池作為一種新型太陽能電池，由于其原材料來源廣泛、生產(chǎn)成本低、便于大規(guī)模
2016-01-29 15:46:43
開通造成橋臂短路； 通過優(yōu)化 PCB 布局減小寄生電感能有效減小驅(qū)動振蕩[3]，但在硬開關(guān)場合依舊存在較大電壓過沖； 而且 GaN HEMT 的反向?qū)?/b>通損耗往往高于同電壓等級的 MOSFET，尤其是工作
2023-09-18 07:27:50
一氧化碳檢測儀是一種用于公共場所具有檢測及超限報警功能的儀器，能起到預(yù)防一氧化碳中毒的效果，使人們安全放心的工作。系統(tǒng)以單片機為核心，利用一氧化碳檢測傳感器檢測環(huán)境中的一氧化碳的濃度，并利用顯示器顯示當前的濃度值，同時可設(shè)定報警值，超過設(shè)定值時進行聲光報警。
2023-09-25 06:39:48
比較性能的一種有用方法是將總功耗繪制為比較指標。圖3顯示了10kW LLC中測得的總損耗與直流輸出工作點的函數(shù)關(guān)系，所有損耗均具有800Vdc輸入和100-200kHz開關(guān)頻率。圖中的綠線表示共振上方
2023-02-21 16:27:41
一種硬質(zhì)合金棒材鑄造成型模具1、一種穩(wěn)固型縱向和橫向雙重剝離式銅合金鑄造模具本技術(shù)提供了一種穩(wěn)固型縱向和橫向雙重剝離式銅合金鑄造模具，包括下模座、上模蓋、下支撐架、縱向推動機構(gòu)、旋轉(zhuǎn)剝離機構(gòu)、伸縮
2021-08-30 07:26:45
如何利用DSP庫去實現(xiàn)一種低通濾波的設(shè)計呢？有哪些設(shè)計步驟呢？
2021-11-19 08:03:16
導讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
本文設(shè)計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片。
2021-05-24 06:58:23
次諧波，它降低了電機效率并同時增加傳遞到負載和繞組溫度的振動。
氮化鎵器件的優(yōu)勢
由于氮化鎵器件具有較低的開關(guān)損耗且沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向恢復(fù)。這兩個因素有助于消除死區(qū)時間
2023-06-25 13:58:54
使用氮化鎵開關(guān)管后，只需一顆氮化鎵開關(guān)管就能取代兩顆傳統(tǒng)硅MOS了。氮化鎵開關(guān)管內(nèi)部沒有體二極管，只需一顆即可實現(xiàn)雙向開關(guān)，完全阻斷電池的充電和放電電流。氮化鎵具有低導阻高效率優(yōu)勢，使用一顆氮化鎵開關(guān)管
2023-02-21 16:13:41
說明 Coss 為 MOSFET 輸出電容，一般可等于 Cds ，此值可通過器件規(guī)格書查找得到。 7、體內(nèi)寄生二極管正向?qū)?/b>通損耗Pd_f 體內(nèi)寄生二極管正向?qū)?/b>通損耗,指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向
2019-09-06 09:00:00
已經(jīng)上傳了驅(qū)動部分的原理圖，我剛進一個做MOS的公司，有個客戶是這樣的，他說我們的管子溫度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比較大，反向恢復(fù)損耗比較高，有什么辦法可以降低嗎，讓MOS的溫度的降下來
2019-09-11 04:23:31
TPS61372在手機反向無線充應(yīng)用中有哪些顯著優(yōu)勢？怎樣去設(shè)計一種基于TPS61372的反向無線充電手機電路？
2021-07-08 07:12:09
三端穩(wěn)壓管反向擊穿情況及分析與防護措施目錄（一）OUT→IN端反偏（二）GND→IN端反偏（三）GND→OUT端反偏（四）Adj→OUT端反偏三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻
2021-11-12 07:36:51
和功率因數(shù)校正 （PFC） 配置?！ 『唵蔚碾娐诽峁┝藢⒐杩刂破饔糜贕aN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件，隔離式負 V一般事務(wù)（關(guān)閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅(qū)動器
2023-02-21 16:30:09
如何去區(qū)分燃氣報警器和煤氣報警器呢？燃氣報警器和煤氣報警器的區(qū)別再哪？有沒有一種可同時監(jiān)測燃氣和一氧化碳的傳感器呢？
2021-07-19 08:12:28
萬噸。由于鎵是一種加工副產(chǎn)品，所以成本相對較低，約為每公斤 300 美元，比每公斤約 6 萬美元的黃金要低 200 倍。
德米特里 · 門捷列夫（Dmitri Mendeleev）在1871年預(yù)測了鎵
2023-06-15 15:50:54
3至10倍，但需要優(yōu)化驅(qū)動器和控制器拓撲。圖騰柱AC/DC轉(zhuǎn)換器是一種不適用于硅片的拓撲結(jié)構(gòu)，可受益于GaN的低導通電阻、快速開關(guān)和低輸出電容，從而提供三倍高的功率密度。諸如零電壓和零電流開關(guān)這樣
2018-11-20 10:56:25
轉(zhuǎn)換器，將性能與兩種可比場景進行了比較：第一種是所有三種晶體管類型都在500KHz諧振頻率下工作，第二種是500KHz基于GaN的LLC與基于100KHz硅的LLC。主要晶體管是氮化鎵、硅或碳化硅。初級
2023-02-27 09:37:29
氮化鎵為單開關(guān)電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
呢？正如工程中的一貫原則，這是一種折衷的做法。逆變器的功率損耗主要包括傳導損耗和開關(guān)損耗。您可以通過減小開關(guān)元件（通常為MOSFET）的尺寸來降低給定工作頻率下的開關(guān)損耗，但這會導致傳導損耗增加。在理
2017-08-21 14:36:14
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
高壓硅二極管具有低正向傳導壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動態(tài)損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復(fù)行為可以忽略不計，但確實表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)?/b>通電壓低，具有低的導通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
高硬度和耐磨性，低腐蝕水平使它耐腐蝕，具有生物惰性。在U盤表面、蘋果手機后蓋以及各類小型電子產(chǎn)品上多有應(yīng)用。 來自東莞的劉先生最近在尋找一種全新的技術(shù)，以更換自己使用已久的氧化鋁打標生產(chǎn)線。在劉先生看來
2021-07-06 08:31:46
如今的普通工作人員常常身兼裝配工和安裝工兩種工作，這就意味著您的設(shè)計（無論好壞）需要簡單易用，并需要良好的保護。平心而論，所有技術(shù)就擺在那里，而我們大多數(shù)人卻對技術(shù)細節(jié)一點都不熟悉。這就是說，我們
2022-11-23 07:29:03
124標準），直接影響前端電池反向保護系統(tǒng)的整體設(shè)計。一些原始設(shè)備制造商將車輛處于停車狀態(tài)時的總電流消耗規(guī)定為：在 12V 電池供電系統(tǒng)中每個電子控制單元 (ECU) 低于100μA，在 24V 電池供電系統(tǒng)中低于500μA。 在本文中，我將介紹設(shè)計低靜態(tài)電流 (IQ) 汽車電池反向保護系統(tǒng)的三種方法…
2022-11-04 06:33:16
供電系統(tǒng)中低于500μA。在本文中，我將介紹設(shè)計低靜態(tài)電流 （IQ） 汽車電池反向保護系統(tǒng)的三種方法。使用 T15 作為點火或喚醒信號設(shè)計低 IQ 電池反向保護系統(tǒng)的第一種方法是使用T15 作為點火或
2022-04-26 08:00:00
finfet都用什么PR工具？現(xiàn)在后端工具inn成主流了嗎？沒用過Innovus想問一下也能跑skill嗎？
2021-06-25 08:09:39
從數(shù)據(jù)手冊看，AD9643芯片有兩種管腳定義方式， 平行的LVDDS 和 多氧化(日/日/日/日)LVDS 。請問AD9643BCPZ-250屬于哪一種管腳定義方式？
2023-12-06 06:54:17
怎么設(shè)計一種智能信號裝置？智能信號裝置系統(tǒng)是如何組成的？具有哪些優(yōu)點？
2021-04-15 06:46:23
請問怎么設(shè)計一種高效低諧波失真的功率放大器？E類功率放大器的工作原理是什么？
2021-04-12 06:31:25
水平。 在東脅的開創(chuàng)性研究中，他還介紹了由于使用高臨界電場強度的材料而大幅降低功率損耗的情況。電場強度以Ec表示，是氧化鎵真正的超能力。簡單地說，如果在兩個導體之間放置一種材料，把電壓調(diào)高，那么Ec就是該
2023-02-27 15:46:36
高壓的二極管相串聯(lián)，但是，串聯(lián)的二極管引起通態(tài)壓降的增大，增加了損耗。而RB-IGBT是一種新型的IGBT，具有反向耐壓能力，相對于傳統(tǒng)串聯(lián)二極管的模式，減少器件的同時，還降低了通態(tài)壓降和損耗。兩種
2020-12-11 16:54:35
）頻率，對器件損耗進行優(yōu)化。并聯(lián)一個二極管，可以處理反向?qū)?/b>通或換向產(chǎn)生的感性負載，或用于雙向功率轉(zhuǎn)換。這個二極管通常是碳化硅材料的，而且采用了共封裝。也許IGBT最大的優(yōu)勢在于其較低的成本和經(jīng)過驗證
2023-02-05 15:16:14
反向?qū)?/b>引場自由電子激光器的三維非線性模擬:對Conde–Bekefi反向?qū)?/b>引場自由電子激光（FEL）放大器實驗進行了三維非線性分析。當引入一類似于回旋自諧振脈塞收縮角(pi
2009-10-26 21:29:29
16 Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向?qū)?/b>引TO-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產(chǎn)品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產(chǎn)品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)?/b>引TO-252DPAK封裝
2010-11-12 22:27:3332 瑞薩科技推出兩輪機動車穩(wěn)壓器的反向?qū)?/b>通晶閘管
株式會社瑞薩科技（以下簡稱瑞薩）宣布推出適用于兩輪機動車穩(wěn)壓器和通用電池的引擎——CRD5CM反向?qū)?/b>通晶閘管。C
2010-01-12 17:16:14892 在2011年初，英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET，使用在其22納米節(jié)點的工藝上［3］。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524 
為精確計算光伏逆變器的IGBT損耗，指導系統(tǒng)熱設(shè)計，提出了一種IGBT損耗精確計算的實用方法。以可視化的T程計算T具MathCAD為載體，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆變器IGBT實際
2017-12-08 10:36:0264 來源：互聯(lián)網(wǎng) 二極管是電子電路中很常用的元器件，很多人都知道二極管是可以單向?qū)?/b>電的，反向截止的特性。也就是只有正向的電流可以通過二極管，而反向的電流不行。二極管里面到底藏了什么機關(guān)，會讓二極管具有
2020-10-20 15:55:29512 二極管是電子電路中很常用的元器件，非常常見，二極管具有正向?qū)?/b>通，反向截止的特性。在二極管的正向端（正極）加正電壓，負向端（負極）加負電壓，二極管導通，有電流流過二極管。在二極管的正向端（正極）加負電
2020-12-18 22:19:0016 二極管在電子電路中是一種非常常見的元器件，經(jīng)常被使用，二極管的特性是正向?qū)?/b>通，反向截止。
2022-08-15 09:44:1810535 
二極管是電子電路中很常用的元器件，非常常見，二極管具有正向?qū)?/b>通，反向截止的特性。
2022-11-10 11:18:472720 晶閘管具有單向?qū)?/b>電性和正向?qū)?/b>通可控晶閘管具有單向?qū)?/b>電性和正向?qū)?/b>通可控性。屬于晶閘管的物理特征。
2023-02-27 17:12:14841 二極管是電子電路中很常用的元器件，非常常見，二極管具有正向?qū)?/b>通，反向截止的特性。
2023-04-06 09:47:391523 肖特基二極管的反向恢復(fù)時間表示的是從正向?qū)?/b>通狀態(tài)切換到反向截止狀態(tài)時所需的時間。它是指當肖特基二極管從正向?qū)?/b>通到反向截止時，電流停止流動，并且由于電荷存儲效應(yīng)而需要一定的時間才能完全恢復(fù)到截止狀態(tài)的時間。
肖特基二極管是一種特殊構(gòu)造的二極管，具有快速開關(guān)速度和低反向恢復(fù)時間的特點。
2023-08-24 15:45:111717 igbt可以反向?qū)?/b>通嗎？如何控制igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051888 二極管是單向?qū)?/b>電還是雙向?qū)?/b>電？為什么二極管具有單向?qū)?/b>電性？二極管任何時候都具有單向?qū)?/b>電性嗎？ 二極管是雙向?qū)?/b>電的，但它具有單向?qū)?/b>電性。 一、二極管的結(jié)構(gòu)和功能 二極管是一種由半導體材料制成的電子元件
2023-11-17 14:35:421989 器件損壞。為了保護二極管不受反向擊穿的影響，可以使用二極管反向恢復(fù)電路。 二極管反向恢復(fù)電路是一種用于減小反向恢復(fù)電流的電路，通常由二極管和電感器構(gòu)成。當二極管處于正向?qū)?/b>通狀態(tài)時，電感器存儲了能量；當二極管從導
2023-12-18 11:23:57597 扣式磁環(huán)為什么可以吸收損耗？ 扣式磁環(huán)是一種具有優(yōu)異電磁性能的元件，常用于電源濾波、EMI抑制和信號傳輸?shù)葢?yīng)用中。它的磁性能使其能夠吸收電感器和電纜中的損耗。下面將詳細介紹扣式磁環(huán)的工作原理、磁性
2024-01-11 15:59:16119 續(xù)流二極管有沒有單向?qū)?/b>通性? 續(xù)流二極管是一種特殊的二極管，能夠在正向和反向電壓下都具有單向?qū)?/b>通性。下面將詳細介紹續(xù)流二極管的原理、結(jié)構(gòu)和應(yīng)用。 1. 原理和結(jié)構(gòu)： 續(xù)流二極管的原理基于雪崩擊穿效應(yīng)
2024-03-08 16:03:16127
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