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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用

IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用

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3月15日,在深圳福田會(huì)展中心的論壇上,中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)趙靜分享2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)和中國(guó)第三代半導(dǎo)體的最新市場(chǎng)規(guī)模和應(yīng)用進(jìn)展。
2023-03-17 08:33:275138

三星發(fā)力第三代半導(dǎo)體

5月10日消息 南韓近期啟動(dòng)「X-band GaN國(guó)家計(jì)劃」沖刺第三代半導(dǎo)體,三星積極參與。由于市場(chǎng)高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展,臺(tái)積電、世界等臺(tái)廠均已卡位,三星加入南韓官方計(jì)劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局
2021-05-10 16:00:572569

后摩爾時(shí)代,洞見(jiàn)第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試的趨勢(shì)和未來(lái)!

確立,產(chǎn)業(yè)步入快速成長(zhǎng)期。而國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)前期產(chǎn)能部署和產(chǎn)線(xiàn)建設(shè),國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品相繼開(kāi)發(fā)成功并通過(guò)驗(yàn)證,技術(shù)穩(wěn)步提升,產(chǎn)能不斷釋放,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)器件及模塊開(kāi)始“上機(jī)”,生態(tài)體系逐漸完善,自主可控能力
2023-05-30 09:40:59568

5G相關(guān)核心產(chǎn)業(yè)鏈有哪些?

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2019-09-11 11:51:19

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來(lái)發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展:歐美出于對(duì)我國(guó)技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂(yōu)及遏制我國(guó)新材料技術(shù)的發(fā)展想法,在第三代半導(dǎo)體材料方面,對(duì)我國(guó)進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下,我國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48

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、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?! ≡诠怆娮印⒏邷卮?b class="flag-6" style="color: red">功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22

第三代半導(dǎo)體科普,國(guó)產(chǎn)任重道遠(yuǎn)

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第三代移動(dòng)通信過(guò)渡技術(shù)—EDGE

第三代移動(dòng)通信過(guò)渡技術(shù)——EDGE作者:項(xiàng)子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個(gè)國(guó)家的1億多人采用GSM,有近100個(gè)國(guó)家的約9500萬(wàn)用戶(hù)采用 TDMA
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第三代紅外(IR3)技術(shù)與激光紅外差別

,到目前全球首推的第三代紅外技術(shù),紅外夜視領(lǐng)域經(jīng)歷了一場(chǎng)場(chǎng)紅外技術(shù)新革命,引領(lǐng)著夜視監(jiān)控行業(yè)向更深更遠(yuǎn)的方向發(fā)展,給安防市場(chǎng)制造著一個(gè)又一個(gè)亮點(diǎn)。紅外技術(shù)早在60年初期由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室研發(fā)
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第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀 新興科技給車(chē)友們非一般的行車(chē)體驗(yàn)

``<p>凌度dt298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀搭載騰訊車(chē)聯(lián),采用的是最新無(wú)限技術(shù),無(wú)限流量隨便使用。擁有強(qiáng)大的互聯(lián)網(wǎng)功能,全程語(yǔ)音幫車(chē)主解決很多行車(chē)問(wèn)題。行車(chē)
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GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一元素半導(dǎo)體硅(Si)和第二化合物半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
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LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)

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liklon的第三代MP3

`第一沒(méi)有留下痕跡。第二之前在論壇展示過(guò):https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生:`
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【基礎(chǔ)知識(shí)】功率半導(dǎo)體器件的簡(jiǎn)介

,功率半導(dǎo)體器件在不斷演進(jìn)。自上世紀(jì)80年起,功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類(lèi)型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn),目前可承受
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中國(guó)第三代半導(dǎo)體名單!精選資料分享

據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露,我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃,計(jì)劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),...
2021-07-27 07:58:41

什么是第三代移動(dòng)通信

什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù):第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000,是國(guó)際電信聯(lián)盟(ITU)在1985年提出的,當(dāng)時(shí)稱(chēng)為陸地移動(dòng)系統(tǒng)(FPLMTS)。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39

什么是第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃?

隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起,UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來(lái)一場(chǎng)深刻的革命,這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣(mài),引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29

什么是IR-III技術(shù)第三代紅外)?

IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù),根植于上世紀(jì)60年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的紅外夜視技術(shù),屬于一種主動(dòng)式紅外
2011-02-19 09:34:33

國(guó)內(nèi)牛叉公司也看上了IGBT

已經(jīng)將產(chǎn)業(yè)未來(lái)聚焦到了第三代化合物半導(dǎo)體身上。可以說(shuō)第三代半導(dǎo)體就是未來(lái)功率器件的發(fā)展方向。全國(guó)兩會(huì)近日剛落下帷幕,第三代半導(dǎo)體(GaN和SiC)再度成為兩會(huì)的關(guān)鍵詞之一。伴隨著第三代半導(dǎo)體行業(yè)的觸角向
2021-03-26 15:26:13

基于第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案研究

基于第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

  導(dǎo) 讀  追求更低損耗、更高可靠性、更高性?xún)r(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35

淺析第三代移動(dòng)通信功率控制技術(shù)

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2021-06-07 07:07:17

淺析化合物半導(dǎo)體技術(shù)

一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊,市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大  化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料,目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等,作為第二第三代半導(dǎo)體的主要代表,因其在高功率
2019-06-13 04:20:24

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45

移動(dòng)通信向第三代標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展討論

  本文討論了移動(dòng)通信向第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展,給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的性能數(shù)據(jù),以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說(shuō)明?! ?/div>
2019-06-14 07:23:38

被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管
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請(qǐng)教, 第三代太陽(yáng)能電池的應(yīng)用?

  分享小弟用第三代太陽(yáng)能的心得。 最近看了很多資料對(duì)第三代太陽(yáng)能的介紹,諸多的評(píng)論都說(shuō)到他的優(yōu)勢(shì),小弟于是購(gòu)買(mǎi)了這種叫第三代的太陽(yáng)能-砷化鎵太陽(yáng)能模塊。想說(shuō),現(xiàn)在硅晶的一堆
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為什么我們要重視第三代半導(dǎo)體

電源器件晶圓制造第三代半導(dǎo)體行業(yè)芯事時(shí)事熱點(diǎn)
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功率器件參數(shù)測(cè)試

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2022-05-25 14:26:58

半導(dǎo)體器件測(cè)試-IGBT器件全參數(shù)測(cè)試-電子元件

服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導(dǎo)體器件等分立器件,以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l  AEC-Q101分立器件認(rèn)證l  MIL-STD-750
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Intel Xeon?鉑金處理器(第三代

Intel Xeon?鉑金處理器(第三代)Intel? Xeon?鉑金處理器(第三代)是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能,設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
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Intel Xeon?金牌處理器(第三代

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為什么我們要重視第三代半導(dǎo)體!#半導(dǎo)體 #硬聲創(chuàng)作季

半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體
Hello,World!發(fā)布于 2022-10-06 00:30:27

2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵期 2025年核心器件國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到95%

第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。預(yù)測(cè)2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期,第三代半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)將迎來(lái)景氣拐點(diǎn)。到2025年,第三代半導(dǎo)體器件將大規(guī)模的使用。
2017-12-19 11:56:163226

深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)

3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動(dòng)。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:003685

第三代半導(dǎo)體材料特點(diǎn)及資料介紹

本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性,其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢(shì),最后分析了了我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334365

什么是第三代半導(dǎo)體?第三代半導(dǎo)體受市場(chǎng)關(guān)注

認(rèn)為通過(guò)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展就能解決芯片卡脖子是誤解,第三代半導(dǎo)體更多應(yīng)用在器件方面。對(duì)這一概念相關(guān)領(lǐng)域的個(gè)股投資時(shí),建議對(duì)該領(lǐng)域的市場(chǎng)空間與企業(yè)情況充分了解。 據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),A股上市公司中,已有36家公司參與到第三代
2020-09-21 11:57:553812

深圳市坪山區(qū)將出臺(tái)各種政策推動(dòng)第三代半導(dǎo)體發(fā)展

8月28日,在2018“芯集坪山”中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)高峰論壇上,電子材料及第三代半導(dǎo)體成為重點(diǎn)話(huà)題。深圳市坪山區(qū)政府表示,為推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,坪山區(qū)即將出臺(tái)產(chǎn)業(yè)政策——《坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》。
2018-08-29 15:22:004563

盤(pán)點(diǎn)第三代半導(dǎo)體性能及應(yīng)用

近日科技部高新司在北京組織召開(kāi)“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施,我國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見(jiàn)光通信等領(lǐng)域取得突破。
2018-09-14 10:51:1620140

八張圖看清中國(guó)第三代半導(dǎo)體的真實(shí)實(shí)力

日前,科技部高新司在北京組織召開(kāi)十二五期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施,中國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見(jiàn)光
2018-10-24 22:38:02478

5G時(shí)代,第三代半導(dǎo)體將大有可為

第三代半導(dǎo)體,又稱(chēng)寬禁帶半導(dǎo)體,是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的半導(dǎo)體材料,具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739

中烏第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院落戶(hù)如皋

據(jù)南通廣播電視臺(tái)報(bào)道,中烏第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院由烏克蘭國(guó)家科學(xué)院(單晶研究院)、江蘇省如皋高新區(qū)、江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體發(fā)起成立,研究院將聯(lián)合中國(guó)、烏克蘭、德國(guó)等產(chǎn)業(yè)專(zhuān)家,共同開(kāi)展第三代半導(dǎo)體晶體
2019-10-28 16:46:283474

國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體發(fā)展現(xiàn)狀如何

近幾年,國(guó)內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn),種種跡象表明,第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)哪些影響?國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問(wèn)題?需要采取什么措施?
2019-12-16 11:35:328667

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶(hù)嘉興科技城 將建設(shè)第三代半導(dǎo)體科研平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)

“萬(wàn)畝千億”平臺(tái)添新引擎。3月20日上午,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶(hù)嘉興科技城,為順利推進(jìn)氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在嘉興科技城集聚發(fā)展。
2020-03-21 10:13:042866

第三代半導(dǎo)體在新基建中廣泛應(yīng)用

摩爾定律”為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)新機(jī)遇。第三代半導(dǎo)體是“超越摩爾定律”的重要發(fā)展內(nèi)容。與Si材料相比,第三代半導(dǎo)體材料擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優(yōu)異等特點(diǎn),特別適合于制造微波射頻器件、光電子器件、電力電子器件,是未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向。
2020-09-02 11:05:303026

“新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí),全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“

碳化硅,作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì),是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 11:56:351470

長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工

7月20日,長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料,在新能源汽車(chē)
2020-09-12 09:28:092819

第三代半導(dǎo)體 全村的希望

什么是第三代半導(dǎo)體? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:203299

為什么說(shuō)第三代半導(dǎo)體是中國(guó)大陸半導(dǎo)體的希望?

從上面的數(shù)據(jù)可以看出,在第一代半導(dǎo)體面前,第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國(guó)外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因?yàn)樯庥卸嗝吹拇?,是因?yàn)閲?guó)防和科技信息技術(shù)的發(fā)展需要用到第三代半導(dǎo)體。同時(shí),這是一個(gè)增量市場(chǎng),也是企業(yè)可以尋求的增長(zhǎng)空間。
2020-09-29 14:16:004865

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)前景良好,將催生上萬(wàn)億元潛在市場(chǎng)

在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會(huì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,與會(huì)專(zhuān)家紛紛表示,近年來(lái)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程較快,基本形成了從晶體生長(zhǎng)到器件研發(fā)制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈。同時(shí),我國(guó)在高速軌道交通
2020-10-09 16:44:513357

第三代半導(dǎo)體跑出加速度!

2020年,新基建產(chǎn)業(yè)站在了風(fēng)口上。在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中,第三代半導(dǎo)體承擔(dān)著重要角色。 有消息稱(chēng),第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫(xiě)入十四五規(guī)劃之中,計(jì)劃2021年至2025
2020-10-27 10:36:302890

為什么說(shuō)第三代半導(dǎo)體有望成為國(guó)產(chǎn)替代希望?

目前,國(guó)家2030計(jì)劃和十四五國(guó)家研發(fā)計(jì)劃已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向。在10月16日,國(guó)星光電舉辦了2020第一屆國(guó)星之光論壇,而論壇的主角之一,就是第三代半導(dǎo)體。那么到底什么是第三代半導(dǎo)體
2020-10-29 18:26:404897

第三代半導(dǎo)體的發(fā)展研究

。 什么是第三代半導(dǎo)體? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別? 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料,發(fā)
2020-11-04 15:12:374305

瑞能半導(dǎo)體關(guān)于第三代半導(dǎo)體的發(fā)展思量

些新興材料中,碳化硅、氮化鎵技術(shù)目前來(lái)看相對(duì)較為成熟,,因此這兩種材料也成為近年來(lái)市場(chǎng)布局的重點(diǎn)。下面查IC網(wǎng)小編帶大家一起看一看瑞能半導(dǎo)體沈鑫在全球CEO峰會(huì)發(fā)表的關(guān)于第三代半導(dǎo)體的主題演講。
2020-11-09 17:22:052755

什么是第三代半導(dǎo)體?一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別?

在5G和新能源汽車(chē)等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿(mǎn)足5G和新能源汽車(chē)的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1287783

國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體器件滲透率日漸提升

2020年,第三代半導(dǎo)體站在了產(chǎn)業(yè)風(fēng)口。國(guó)產(chǎn)化替代、新基建的熱潮,無(wú)疑又給其添上一把火。
2020-12-07 09:53:352344

什么是第三代半導(dǎo)體?哪些行業(yè)“渴望”第三代半導(dǎo)體?

招商引資名單中。 問(wèn)題來(lái)了:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進(jìn)入春天還是虛火上升?又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢?相對(duì)于IGBT、MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET,GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來(lái)哪些技術(shù)變革? 為了回答這些問(wèn)題,小編認(rèn)真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312548

第三代半導(dǎo)體將駛?cè)氤砷L(zhǎng)快車(chē)道

最近,“我國(guó)將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體?發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒?它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443297

第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)?

,什么材料會(huì)再領(lǐng)風(fēng)騷?記者采訪(fǎng)了專(zhuān)家。? 禁帶寬度,是用來(lái)區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特,較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427

青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地奠基儀式在深圳坪山舉行

中心、車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件封裝線(xiàn)和中歐創(chuàng)新中心孵化器等,最終形成國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的具備全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)和生產(chǎn)制造能力的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。 據(jù)青銅劍集團(tuán)消息,深圳青銅劍技術(shù)有限公司曾成功研發(fā)中國(guó)首款大功率IGBT驅(qū)動(dòng)ASIC芯片,推出IGBT標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)
2021-01-20 13:47:363814

好消息!2021年第三代半導(dǎo)體成長(zhǎng)迅速回春 GaN功率器件年增高達(dá)90.6%

2021年因受到車(chē)用、工業(yè)與通訊需求助力,第三代半導(dǎo)體成長(zhǎng)動(dòng)能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長(zhǎng)力道最為
2021-03-15 17:08:072161

“碳中和”第三代半導(dǎo)體未來(lái)可期

半導(dǎo)體的觸角已延伸至數(shù)據(jù)中心、新能源汽車(chē)等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域,整個(gè)行業(yè)漸入佳境,未來(lái)可期。 第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率 以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢(shì),相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618

2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)向標(biāo)-《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇》

第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍,在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料。
2021-10-11 14:35:321551

第三代半導(dǎo)體器件的測(cè)試應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來(lái)了革新,基于其高速,小體積,低功耗的特點(diǎn),越來(lái)越廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子及電力電子行業(yè)。下圖顯示了不同技術(shù)功率器件的性能區(qū)別??梢钥吹剑瑐鹘y(tǒng)的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:061046

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對(duì)新材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率、射頻應(yīng)用中的顯著性能優(yōu)勢(shì),第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2022-08-02 08:56:191263

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率、射頻應(yīng)用中的顯著性能優(yōu)勢(shì),第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟
2022-08-02 15:12:291446

第三代半導(dǎo)體中的明星元器件產(chǎn)品

近年來(lái),「第三代半導(dǎo)體」這個(gè)名詞頻頻進(jìn)入我們的視野。尤其近年來(lái)「第三代半導(dǎo)體」在電動(dòng)車(chē)、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長(zhǎng),使得其越來(lái)越貼近我們的生活。
2022-09-22 09:48:501263

第三代半導(dǎo)體材料有哪些

第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看,第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164201

第三半導(dǎo)體是什么?第三代半導(dǎo)體半導(dǎo)體的區(qū)別

 第三代半導(dǎo)體是一種新型的半導(dǎo)體材料,它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它們可以用于制造更小、更輕、更高效的電子元件,從而提高電子設(shè)備的性能。
2023-02-16 15:29:259966

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以 突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對(duì)新材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率
2023-02-27 15:23:542

解讀第三代半導(dǎo)體及寬禁帶半導(dǎo)體

作者?| 薛定諤的咸魚(yú) 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體,它們通常都具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點(diǎn)
2023-02-27 15:19:2912

什么是第三代半導(dǎo)體及寬禁帶半導(dǎo)體

第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體之間應(yīng)用場(chǎng)景是有差異的。以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景十分廣泛, 從尖端的CPU、GPU、存儲(chǔ)芯片,再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些
2023-02-27 15:20:113

第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)業(yè)鏈分布

日前,在南京世界半導(dǎo)體大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專(zhuān)家咨詢(xún)委員會(huì)委員、第三代導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲透露:國(guó)家2030計(jì)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃都已經(jīng)明確,第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方 向,現(xiàn)在到了動(dòng)議討論實(shí)施方案的階段。
2023-02-27 15:23:005

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以 突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對(duì)新材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率
2023-02-27 14:37:561

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率,電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌,在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下,依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361018

后摩爾時(shí)代,洞見(jiàn)第三代功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試的趨勢(shì)和未來(lái)!

成長(zhǎng)期。而國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)前期產(chǎn)能部署和產(chǎn)線(xiàn)建設(shè),國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品相繼開(kāi)發(fā)成功并通過(guò)驗(yàn)證,技術(shù)穩(wěn)步提升,產(chǎn)能不斷釋放,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)器件及模塊開(kāi)始“上機(jī)”,生態(tài)體系逐漸完善,自主可控能力不斷增強(qiáng),整體競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力日益提升。
2023-05-30 14:15:56534

國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體看點(diǎn)盡在《GaN的SIP封裝及其應(yīng)用》

為期四天的2023廣州國(guó)際照明展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱(chēng):光亞展)在火熱的氣氛中圓滿(mǎn)落幕。此次展會(huì),國(guó)星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū),鮮明的主題,引來(lái)了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中,在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14437

第三代半導(dǎo)體“藍(lán)?!笔袌?chǎng),對(duì)我們是挑戰(zhàn)還是機(jī)遇?

伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、新能源和人工智能的發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng),對(duì)相關(guān)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛,于是第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)應(yīng)運(yùn)而生。近年國(guó)內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼,同時(shí)對(duì)高壓、高電流
2022-01-10 16:34:43698

第三代功率器件材料,氧化鎵

第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料,可以在溶劑中生長(zhǎng)。
2022-01-13 17:39:231522

干貨 | 第三代半導(dǎo)體器件可靠性檢測(cè)知多少?

第三代半導(dǎo)體具有廣泛的應(yīng)用,已成為戰(zhàn)略物資,被美國(guó)列入301管制清單。檢測(cè)是提高半導(dǎo)體器件質(zhì)量與可靠性的重要保障,廣電計(jì)量作為國(guó)有檢測(cè)機(jī)構(gòu),在我國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展過(guò)程中,秉承國(guó)企擔(dān)當(dāng),為光電子、電力電子、微波射頻等第三代半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域構(gòu)筑了較為全面的能力。
2022-06-20 15:33:031866

第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料

第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620

鑫祥微第三代半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目落戶(hù)日照

據(jù)藍(lán)色空港消息,先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用方案的開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售。該項(xiàng)目總投資8億元,分三期建設(shè),一期投資2億元,計(jì)劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線(xiàn)。
2023-06-27 10:31:18602

何以在第三代半導(dǎo)體技術(shù)中遙遙領(lǐng)先?

已廣泛應(yīng)用于PD快充、電動(dòng)汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心以及充電樁等領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)材料,近年來(lái)越來(lái)越受到半導(dǎo)體各行業(yè)的關(guān)注。目前,領(lǐng)先器件供應(yīng)商在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域做了什么?有什么技術(shù)難點(diǎn)?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365

長(zhǎng)電科技第三代半導(dǎo)體器件的高密度模組解決方案獲得顯著增長(zhǎng)

? 新能源汽車(chē)和光伏、儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。 長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來(lái)面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車(chē)行業(yè)的應(yīng)用

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893

進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,開(kāi)啟電子技術(shù)的新紀(jì)元

第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比,第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì),這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295

第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用面臨哪些挑戰(zhàn)?如何破局?

近年來(lái),碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694

5G、快充、UVC,第三代半導(dǎo)體潮起.zip

5G、快充、UVC,第三代半導(dǎo)體潮起
2023-01-13 09:06:003

第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架.zip

第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117

是德科技第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測(cè)試方案亮相IFWS

。 海內(nèi)外第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的知名專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)、投資機(jī)構(gòu)代表參與大會(huì)。中科院、北京大學(xué)、香港科技大學(xué)、英諾賽科、三安光電等科研院所、企業(yè)代表圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用,深入探討交流最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢(shì),分享前沿研究成果。 是德
2023-12-13 16:15:03244

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