IGBT驅(qū)動光耦HCPL-316J的特性
2012-05-23 12:05:18
2718 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
2022-10-28 16:12:429922 
IGBT有源鉗位技術(shù)的介紹
2023-02-06 14:39:421433 
IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應(yīng)用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動電路及短路回路阻抗。
2023-08-04 09:01:17918 
這是某產(chǎn)品輸出特性曲線，可以看到IGBT工作區(qū)分為三個部分。
2023-11-03 08:53:04905 
IGBT的靜態(tài)特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。
2023-11-27 14:16:53534 
結(jié)合到一個晶體管中。它具有MOSFET(絕緣柵極)的輸入特性(高輸入阻抗)和BJT(雙極性質(zhì))的輸出特性。
2023-12-22 10:30:58750 
IGBT模塊的運行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下，而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)（如-40℃~+65℃）。溫度和散熱對于系統(tǒng)的可靠和有效運行非常重要。如果實際要求IGBT
2024-01-19 16:25:091047 
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40506 
滿足大范圍的IGBT驅(qū)動器功率要求。該系列產(chǎn)品效率高達(dá)81%，可在-40℃~+105℃溫度下工作，具有超小隔離電容6PF，最大容性負(fù)載1000uF、隔離電壓3000VAC等特性。該系列產(chǎn)品具有
2018-10-11 16:03:31
及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。 IGBT 的開關(guān)特性主要取決于
2012-07-25 09:49:08
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓
2011-08-17 09:26:02
飽和狀態(tài)，輸出電阻無限大。由于IGBT結(jié)構(gòu)中含有一個雙極MOSFET和一個功率MOSFET，因此，它的溫度特性取決于在屬性上具有對比性的兩個器件的凈效率。功率MOSFET的溫度系數(shù)是正的，而雙極的溫度
2012-07-09 14:14:57
、設(shè)計和應(yīng)用的工程技術(shù)人員和高等院校相關(guān)專業(yè)師生閱讀參考?！ ”緯?b class="flag-6" style="color: red">介紹IGBT和IPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上，結(jié)合國內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢，全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù)，突出
2011-11-25 15:46:48
輸出特性曲線從圖3等效電路圖中可以看出，IGBT 和 Mosfet 差異還在于 IGBT 在導(dǎo)通之前，存在二極管的順偏導(dǎo)通壓降，如圖 4 所示（藍(lán)色表示 Mosfet 的特性曲線，紅色表示 IGBT
2022-09-16 10:21:27
較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、低飽和電壓及大電流等特性，目前，在使用和設(shè)計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種
2020-09-29 17:08:58
參數(shù)則對并聯(lián)IGBT的動態(tài)均流有很大的影響。3)IGBT安裝的散熱考慮，如果IGBT散熱出現(xiàn)熱量過于集中，IGBT溫度差別大，會影響的溫度特性，形成正反饋現(xiàn)象。4)主電路結(jié)構(gòu)的影響主電路的結(jié)構(gòu)會造成線路
2015-03-11 13:18:21
終止IGBT芯片的飽和電壓VCEsat都隨著結(jié)溫升高而增加，呈現(xiàn)正溫度系數(shù)特性。圖2為300A溝槽場終止芯片在15V柵極電壓條件下不同結(jié)溫時的飽和電壓特性。這表明并聯(lián)IGBT的靜態(tài)均流可動態(tài)地自我調(diào)節(jié)
2018-12-03 13:50:08
的可再生能源，而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導(dǎo)體器件，因此其可靠性對光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過程中，熱性能變化對于半導(dǎo)體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
IGBT的介紹和應(yīng)用，基礎(chǔ)知識
2015-06-24 22:42:27
特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。它與GTR
2018-10-18 10:53:03
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
2019-09-11 11:31:16
(潮光光耦網(wǎng)整理編輯)2012-04-03 變頻器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生產(chǎn)的一種IGBT門極驅(qū)動光耦合器，其內(nèi)部集成集電極發(fā)射極電壓欠飽和檢測電路
2012-07-06 16:28:56
IGBT手冊的介紹
2015-07-02 17:21:55
`IGBT驅(qū)動電路 本文在分析了IGBT驅(qū)動條件的基礎(chǔ)上介紹了幾種常見的IGBT驅(qū)動電路，設(shè)計了一種基于光耦HCPL-316J的IGBT驅(qū)動電路。實驗證明該電路具有良好的驅(qū)動及保護(hù)能力
2012-09-09 12:22:07
本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用，對IGBT驅(qū)動電路的基本要求。
2021-03-04 08:44:36
溫度傳感器， 在熱敏電路、溫度補償應(yīng)用以及以替代傳統(tǒng)熱敏技術(shù)為目的的各種應(yīng)用中，溫度傳感器非常有用?？筛鶕?jù)不同輸出選擇合適的器件： 電壓輸出， 特性： 溫度轉(zhuǎn)換精度可達(dá)±0.5°C（典型值
2018-10-30 15:58:02
本章節(jié)介紹了 Cyclone? IV 器件所支持的 I/O 與高速 I/O 的性能和特性。Cyclone IV 器件的 I/O 功能是由許多低成本應(yīng)用中的多樣化 I/O 標(biāo)準(zhǔn)所驅(qū)動的，大幅度提高了
2017-11-14 10:10:54
本章節(jié)介紹了 Cyclone? IV 器件系列中具有高級特性的層次時鐘網(wǎng)絡(luò)與鎖相環(huán) (PLL)，包括了實時重配置 PLL 計數(shù)器時鐘頻率和相移功能的詳盡說明，這些功能使您能夠掃描 PLL 輸出頻率，以及動態(tài)調(diào)整輸出時鐘相移。
2017-11-14 10:09:42
本章介紹了 Cyclone? IV 器件所支持的邊界掃描測試 (BST) 功能。這些 BST 功能與Cyclone III 器件中的相類似，除非另有說明。Cyclone IV 器件 (Cyclone
2017-11-14 10:50:26
溫度依賴性。下面是實測例。下一篇計劃介紹ID-VGS特性。關(guān)鍵要點:?MOSFET的開關(guān)特性參數(shù)提供導(dǎo)通延遲時間、上升時間、關(guān)斷延遲時間、下降時間。?開關(guān)特性受測量條件和測量電路的影響較大，因此一般確認(rèn)提供條件。?開關(guān)特性幾乎不受溫度變化的影響。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFET
2018-11-28 14:29:57
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
IGBT的靜態(tài)特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。剛接觸那會兒，看到轉(zhuǎn)移特性、輸出特性之類的就想溜之大吉，加之網(wǎng)上查詢的資料一概籠統(tǒng)簡單，只描述特性曲線所表示的關(guān)系結(jié)果，卻并不解釋曲線
2019-10-17 10:08:57
`本書在介紹IGBT和IPM結(jié)構(gòu)與特性的基礎(chǔ)上，結(jié)合國內(nèi)外電力電子器件的應(yīng)用和發(fā)展趨勢，全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應(yīng)用技術(shù)，突出實用性。全書共7章，分別介紹了電力電子器件
2015-05-29 10:47:00
的性能應(yīng)滿足技術(shù)要求?？晒ぷ?b class="flag-6" style="color: red">溫度范圍是技術(shù)條件中規(guī)定的溫度范圍，在該溫度范圍內(nèi)，晶振能連續(xù)輸出信號，但其性能不一定滿足技術(shù)要求。頻率溫度特性是指環(huán)境溫度在規(guī)定的范圍內(nèi)按預(yù)定的方式改變時，其輸出頻率產(chǎn)生的相對變化特性。`
2017-06-13 15:13:45
本篇博客是全橋MOS/IGBT電路搭建的介紹，想了解全橋電路的驅(qū)動部分請看博主的單元一：全橋驅(qū)動電路詳解。感興趣的可以添加博主逆變電路（Inverter Circuit）是與整流
2021-11-16 06:14:11
伏安特性分析儀簡稱IV分析儀，專門用來測量二極管的伏安特性曲線、晶體管三極管的輸出特性曲線，以及MOS場效應(yīng)管的輸出特性曲線。
IV分析儀相當(dāng)于實驗室的晶體管圖示儀，需要將晶體管與連接
2023-04-27 16:28:47
Stratix IV FPGA主要特性是什么？分享一款不錯的Stratix IV GT:100G開發(fā)方案
2021-05-25 06:03:07
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。同時具備MOSFET和IGBT優(yōu)異特性的Hybrid MOS GN
2018-11-28 14:25:36
摘要：本文討論了最新PrimePACKTM模塊如何集成到現(xiàn)有的逆變器平臺中，描述了集成控制和保護(hù)在內(nèi)的逆變器模塊化架構(gòu)概念。該模塊的機(jī)械特性允許對熱管理進(jìn)行優(yōu)化，進(jìn)而充分發(fā)揮IGBT輸出電流能力
2018-12-03 13:56:42
工作。對實驗?zāi)K進(jìn)行了以下特性測試：- IGBT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 （Vc sat） 在 25 和 150°C 的溫度下，集電極電流 Ic = 0.25 x Inom 和 Ic = I nom，柵極兩端
2023-02-22 16:53:33
如何根據(jù)溫度傳感器和菜譜設(shè)置的溫度控制電磁爐的IGBT導(dǎo)通時間、從而自動調(diào)節(jié)IGBT管的工作電流，從而調(diào)節(jié)電磁爐的功率？有沒有電磁爐專業(yè)人士、請聯(lián)系我微信***謝謝
2018-05-03 16:27:29
柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
神舟IV號外加18B20實現(xiàn)多點溫度測控的程序，能不能在顯示屏上顯示出所測的溫度
2014-04-21 15:30:41
。 （2）輸出特性圖1-11：IGBT的輸出特性它的三個區(qū)分別為：靠近橫軸：正向阻斷區(qū)，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。爬坡區(qū)：飽和區(qū)，隨著負(fù)載電流Ic變化，UCE基本不變，即所謂飽和狀態(tài)。水平段：有源
2009-05-12 20:44:23
在一些要求高可靠性的應(yīng)用場合，希望功率半導(dǎo)體器件可以穩(wěn)定運行30年以上。為了達(dá)到這個目標(biāo)，三菱電機(jī)開發(fā)了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設(shè)計，并在實際的環(huán)境條件下進(jìn)行了驗證，結(jié)果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
在分析液體的粘度溫度特性的基礎(chǔ)上，提出了液流的雷諾數(shù)也隨溫度的變化而變化的觀點，并對其變化規(guī)律進(jìn)行了推導(dǎo)和闡述。
2009-04-07 11:06:14
21
電路的溫度-電壓特性
2009-07-08 11:41:24345 
熱敏電阻的基本特性詳細(xì)介紹
電阻－溫度特性
熱敏電阻的電阻－溫度特性可近似地用式1表示。(式1) R=Ro exp {B(I/T-I/To)}
2009-11-28 09:07:164110 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4510640 汽車級IGBT在混合動力車中的設(shè)計應(yīng)用
針對汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結(jié)構(gòu)強度，大大提高了IGBT
2010-05-08 08:42:231302 
IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，
2010-11-09 17:04:582159 
提出了一種用PSP ICE 程序模擬絕緣柵雙極型晶體管( IGBT ) 特性的方法。首先詳細(xì)介紹了IGBT 的PSP ICE 模型的建立, 以及利用外特性參數(shù)提取模型參數(shù)的方法。最后對所建立的模型進(jìn)行了驗
2011-06-23 16:12:1593 超快速IV測量技術(shù)是過去十年里吉時利推出的最具變革性的方法和儀器，吉時利一直以其高精度高品質(zhì)的SMU即原測試單元而著稱，這里將介紹測試單元PUM和超快速IV量測技術(shù)給半導(dǎo)體器件
2011-08-10 11:47:035274 
本內(nèi)容詳細(xì)介紹了 LDMOS 功放溫度特性及溫補電路設(shè)計
2011-08-18 17:29:2762 介紹了一種采用UC3844為核心芯片的多路輸出單端反激式IGBT驅(qū)動電源。文中給出了具體的計算過程和電路參數(shù)。試驗結(jié)果表明該電源可靠性高，穩(wěn)定性好，輸出紋波小，具有一定實用價值
2011-09-23 16:09:28100 詳細(xì)介紹IGBT原理，特性，和實際應(yīng)用，以及失敗事例
2016-03-01 17:18:3115 超微晶材料的鐵損溫度特性研究
2016-03-23 17:47:590 IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用。
2016-08-05 16:16:3223351 
大的優(yōu)點、使用 IGBT 成為 UPS 功率設(shè)計的首選，只有對 IGBT 的特性充分了解和對電路進(jìn)行可靠性設(shè)計，才能發(fā)揮 IGBT 的優(yōu)點。本文介紹 UPS 中的 IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項
2017-11-06 10:08:5324 IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和
2017-12-08 11:50:346 本文主要介紹了電磁爐溫度檢測電路圖大全（高頻/IGBT/傳感器溫度檢測電路詳解）。電磁爐中的溫度檢測傳感器采用的是熱敏電阻，該電阻大多由單晶或多晶半導(dǎo)體材料制成，它的阻值會隨溫度的變化而變化
2018-03-15 09:41:2135014 
AN-990應(yīng)用筆記之IGBT的特性
2018-04-13 14:04:596 ℃以及兩款芯片各自最大允許工作結(jié)溫下的輸出特性曲線。從圖2中在Tvj.op=25℃時，相同的輸出電流，IGBT5 P5集電極與發(fā)射極電壓比IGBT4 P4更低；工作在最高結(jié)溫時，即使相差25
2018-07-23 17:23:505545 
個高速收發(fā)器，以及 1,067 Mbps (533 MHz) DDR3存儲器接口)達(dá)到了前所未有的水平，并具有優(yōu)異的信號完整性, 非常適合無線通信,固網(wǎng),軍事,廣播等其他最終市場中的高端數(shù)字應(yīng)用。本文介紹了Stratixreg; IV FPGA主要特性, Stratix IV GT器
2019-02-16 09:51:01495 
IGBT ，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由 MOSFET （輸入級）和 PNP 晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有 MOSFET 器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有
2020-11-17 08:00:008 IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關(guān)特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:315907 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是陶瓷電容的溫度特性代碼與溫度系數(shù)對照表免費下載。
2021-02-03 08:00:003 Avago公司的ACPL-P343（W343）是4A輸出的IGBT柵極驅(qū)動光交換器，集成了一個AlGaAs LED，VCC工作電壓15V-30V，工作溫度-40℃到105℃，輸出電壓軌到軌，CMR
2021-03-29 15:26:267584 
具有LVDS輸出的LTM9011 ADC的AN147-Altera Stratix IV FPGA接口
2021-05-09 21:19:5314 吉時利6430源表IV輸出電阻測量及電池充放電應(yīng)用
2021-12-31 09:37:0511 IGBT模塊散熱不好溫度過熱造成的危害你知道么？IGBT模塊本身就有一定的功率，此模塊本身就會發(fā)熱，IGBT模塊整體性能和可靠性都受溫度影響。通常使用設(shè)計規(guī)則來比較故障率的數(shù)字。根據(jù)設(shè)計準(zhǔn)則，其中
2022-04-22 17:32:123696 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IV Swinger IV曲線跟蹤器開源分享.zip》資料免費下載
2022-08-22 16:06:102 如下圖，是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流?？梢钥吹?b class="flag-6" style="color: red">IGBT工作狀態(tài)分為三個部分。
2022-12-16 15:29:044938 隨著我國武器裝備系統(tǒng)復(fù)雜性提升和功率等級提升，對IGBT模塊的需求劇增，IGBT可靠性直接影響裝備系統(tǒng)的可靠性。選取同一封裝不同材料陶瓷基板的IGBT模塊，分別進(jìn)行了溫度循環(huán)試驗和介質(zhì)耐電壓試驗
2023-02-01 15:48:053470 上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動
2023-02-17 16:40:23915 今天小川給大家分享是IV法測三極管伏安特性的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-03-01 11:53:402019 
IGBT的輸出特性通常表示的是以柵極-發(fā)射極電壓VGE為參變量時，漏極電流IC和集電極-發(fā)射極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。
2023-06-06 10:52:37757 
摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用，研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動態(tài)特性對于指導(dǎo) IGBT 芯片建模以及規(guī)模化 IGBT 并聯(lián)封裝設(shè)計具有
2023-08-08 09:58:280 igbt的優(yōu)缺點介紹 IGBT的優(yōu)缺點介紹 IGBT是一種晶體管，是MOSFET和BJT集成而成的開關(guān)，具有高速開關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻，用于高效率的功率調(diào)節(jié)。IGBT具有一些優(yōu)點和缺點，下面將詳細(xì)
2023-08-25 15:03:294012 選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計中的重要任務(wù)，因為正確的IGBT選擇對于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。
2023-09-13 15:47:56921 
IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 和性能，動態(tài)測試是必不可少的。下面將詳細(xì)介紹IGBT動態(tài)測試的參數(shù)。 1. 開通特性測試（Turn-on Characteristics Test）： 開通特性測試是通過控制IGBT的輸入信號，來檢測
2023-11-10 15:33:51885 了特殊的溫度補償元件和電路，可以在不同溫度下保持相對穩(wěn)定的頻率輸出。 恒溫晶振和溫補晶振在一些特性上有相似之處，但也存在一些不同之處。接下來將分別介紹這兩種晶振的特性。 一、恒溫晶振的特性： 1. 穩(wěn)定頻率輸出：恒
2023-12-18 14:36:42246 的正常運行。本文將詳細(xì)介紹IGBT溫度傳感器異常的原因以及解決方法。 首先，我們來了解一下IGBT溫度傳感器的工作原理。IGBT是一種結(jié)合了晶體管的高速開關(guān)元件，可以用于控制電流和電壓。IGBT溫度傳感器則是一種用于監(jiān)測IGBT芯片溫度的傳感器，它
2023-12-19 14:10:20800 IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領(lǐng)域中常用的晶體管器件。它由一個IGBT芯片和一個驅(qū)動電路組成，用于控制高電壓和高電流的開關(guān)操作。相比于MOSFET，IGBT具有更低
2024-01-04 14:30:50563 光伏IV測試作為評估光伏電池性能的重要手段，對光伏技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用起著關(guān)鍵的作用。通過光伏組件IV測試，我們可以準(zhǔn)確地評估光伏電池的轉(zhuǎn)換效率和功率輸出，為光伏系統(tǒng)的設(shè)計、優(yōu)化和性能監(jiān)測提供重要的參考依據(jù)。未來，隨著光伏技術(shù)的不斷發(fā)展，光伏IV測試方法和技術(shù)也將不斷完善，為光伏領(lǐng)域的發(fā)展注入新的活力。
2024-01-10 14:37:57418 IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
JD-IVAIV功率檢測儀是一種用于測試太陽能電池板輸出特性的重要儀器，主要用于評估太陽能電池板的性能和效率。通過測量太陽能電池板在不同電壓和電流下的輸出特性曲線(IV曲線)，可以確定太陽能電池板的最大功率點(MPP)，從而幫助優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計和提高發(fā)電效率。以下是關(guān)于IV功率檢測儀的詳細(xì)介紹：
2024-03-20 15:12:5872
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