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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>氮化硅陶瓷基板生產(chǎn)工藝 氮化鋁和氮化硅的性能差異

氮化硅陶瓷基板生產(chǎn)工藝 氮化鋁和氮化硅的性能差異

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羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機(jī)械強(qiáng)度比其它陶瓷高,所以新款curamik? 基板能夠幫助設(shè)計(jì)者在嚴(yán)苛的工作環(huán)境以及 HEV/EV 和其它可再生
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2022-05-05 14:00:50907

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銅金屬化過(guò)程中,氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層(IMD)的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護(hù)電介質(zhì)層(Passivation Dielectric, PD)。下圖顯示
2022-10-17 09:29:597618

為何碳化硅氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用?

僅從物理特性來(lái)看,氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)(與硅相比,硅是1)相比,4H-SiC是500,而氮化鎵是900,效率非常高。
2023-02-10 11:29:221049

6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)

(干法刻蝕硅)17、 RIE SiO2 (干法刻蝕二氧化硅)18、 RIE Si3N4 (干法刻蝕氮化硅)19、 RIE Al、AlN、Ti、TiN (干法刻蝕金屬,包括干法刻蝕鋁、干法刻蝕氮化鋁
2015-01-07 16:15:47

氮化鎵發(fā)展評(píng)估

工藝,以制造出可預(yù)測(cè)性能特性和故障率的可復(fù)制氮化鎵器件。相比之前的 MIMIC 和 MAFET 計(jì)劃,WBST計(jì)劃嚴(yán)重傾向于軍事應(yīng)用,不計(jì)成本地追求所需性能,但是,隨著化合物半導(dǎo)體提供商不斷完善其生產(chǎn)工藝
2017-08-15 17:47:34

氮化硅基板應(yīng)用——新能源汽車(chē)核心IGBT

基板的設(shè)備還能進(jìn)一步縮小體積,4、具有極高的耐化學(xué)腐蝕性和良好的耐磨性能。5、斯利通氮化硅陶瓷基板還提供高端的定制化服務(wù)。終上所述,對(duì)于車(chē)用IGBT,氮化硅是再適合不過(guò)的。氮化硅陶瓷電路板可以適應(yīng)高溫
2021-01-27 11:30:38

氮化硅陶瓷基板助力新能源汽車(chē)市場(chǎng)

還能進(jìn)一步縮小體積,節(jié)約更多空間,為新能源汽車(chē)提供更多可能性。氮化硅還具有極高的耐化學(xué)腐蝕性和良好的耐磨性能,能在汽車(chē)內(nèi)部惡劣的環(huán)境下,延長(zhǎng)電子設(shè)備的使用周期。斯利通氮化硅陶瓷基板還提供高端的定制化服務(wù)
2021-01-21 11:45:54

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習(xí)的憑依,是當(dāng)下智能機(jī)器人發(fā)展必不可少的一環(huán)??茖W(xué)發(fā)展離不開(kāi)基礎(chǔ)設(shè)施的支持,芯片和傳感器想要穩(wěn)定高效的工作也需要好的助力——斯利通氮化鋁陶瓷基板(AlN)。陶瓷之所以被選中,得益于其本身優(yōu)異的性能。對(duì)任何
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陶瓷、高頻、普通PCB板材區(qū)別在哪?

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陶瓷封裝基板——電子封裝的未來(lái)導(dǎo)向

和大尺寸芯片,并且氮化鋁材質(zhì)堅(jiān)硬,能夠在嚴(yán)酷環(huán)境條件下照舊工作,因此可以滿(mǎn)足不同封裝基片的應(yīng)用。(3)Si3N4陶瓷基片氮化硅陶瓷基片具有較高的理論熱導(dǎo)率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性能、無(wú)毒、較高的抗彎強(qiáng)度
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CGHV96100F2氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15

MA4FCP305二極管銷(xiāo)售

與MACOM的HMIC工藝制造。這種二極管是在外延晶片上用設(shè)計(jì)成可重復(fù)電特性和極低寄生的工藝制造的。該二極管完全鈍化氮化硅,并有一個(gè)額外的聚酰亞胺層劃痕保護(hù)。這些保護(hù)涂層防止在自動(dòng)或手動(dòng)處理過(guò)程中對(duì)接頭的損壞
2018-11-16 11:53:06

MACOM:硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢(shì)

不同,MACOM氮化工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),又比碳化硅氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì),采用硅來(lái)做氮化鎵襯底,與碳化硅氮化鎵相比,硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41

PCB陶瓷基板特點(diǎn)

主要優(yōu)點(diǎn)。主要種類(lèi)有:A: 96/99氧化鋁陶瓷基片:應(yīng)用范圍最廣,價(jià)格低廉。B:氮化鋁陶瓷基片:導(dǎo)熱系數(shù)高,無(wú)毒,可代替BeO陶瓷基片。C:氮化硅陶瓷基片:強(qiáng)度高,雖導(dǎo)熱系數(shù)比不上氮化鋁陶瓷,但可以
2016-09-21 13:51:43

PCB陶瓷基板特點(diǎn)

等主要優(yōu)點(diǎn)。主要種類(lèi)有:A: 96/99氧化鋁陶瓷基片:應(yīng)用范圍最廣,價(jià)格低廉。B:氮化鋁陶瓷基片:導(dǎo)熱系數(shù)高,無(wú)毒,可代替BeO陶瓷基片。C:氮化硅陶瓷基片:強(qiáng)度高,雖導(dǎo)熱系數(shù)比不上氮化鋁陶瓷
2017-05-18 16:20:14

PCB陶瓷基板的發(fā)展前景分析

,都在告訴我們,創(chuàng)新無(wú)可限量!目前來(lái)說(shuō),關(guān)于陶瓷基板比較成熟的有氧化鋁陶瓷電路板、氮化鋁陶瓷電路板,很多公司可以做3535、5050、7070等,凡億PCB可以接受客戶(hù)定制,不管是什么規(guī)格都可以制作,但是一定要滿(mǎn)足線(xiàn)間距大于20微米,更是采用全自動(dòng)化的生產(chǎn),無(wú)需過(guò)多的人力,也避免了很多流程上的失誤。
2020-10-23 09:05:20

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝氮化鎵發(fā)展技術(shù)

書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20

上海施邁爾精密陶瓷有限公司

公司介紹:上海施邁爾精密陶瓷有限公司自1992 年成立至今已近20 年。公司本著可持續(xù)發(fā)展的原則致力于研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷(xiāo)售以氧化鋯、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、石英 為主要原料的產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用
2012-03-26 11:02:31

為什么要選擇陶瓷基板作為封裝材料?

、汽車(chē)電子、深海鉆探等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(S13N4)、氧化鈹(BeO)碳化硅(SiC)等。陶瓷基板產(chǎn)品問(wèn)世,開(kāi)啟散熱
2021-04-19 11:28:29

為何碳化硅氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

(Bulk)襯底為基礎(chǔ)制作了縱型氮化鎵FET,并從芯片OFF性能的角度考察了成品率(如下圖所示)。采用目前市面上已有的氮化基板制作的晶片,其產(chǎn)出率只有33%,而采用以上的工藝,其成品率可以提高到72
2023-02-23 15:46:22

什么是氮化鎵(GaN)?

氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無(wú)論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

SiC芯片面積。解決方案在于提高模塊的熱阻?! ≡?b class="flag-6" style="color: red">基板功率模塊中,將模塊電絕緣到散熱器的陶瓷基板占整體熱阻的最大份額。如今,有許多具有不同機(jī)械和熱性能的材料可供選擇。表1概述了最常用的材料:氧化鋁
2023-02-20 16:29:54

另辟蹊徑淺談電阻技術(shù)之陶瓷基板

實(shí)現(xiàn)多層化且生產(chǎn)效率較高。電阻常用陶瓷基板化鋁陶瓷基板:從現(xiàn)實(shí)情況來(lái)看,廣泛使用的還是Al2O3基板,同時(shí)其加工技術(shù)與其他材料相比也是最先進(jìn)的。按含氧化鋁(Al2O3)的百分?jǐn)?shù)不同可分為:75瓷
2019-04-25 14:32:38

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51

在IGBT模塊中氮化鋁陶瓷基板的應(yīng)用如何?

絕緣性能好、散熱性能好、熱阻系數(shù)低、膨脹系數(shù)匹配、機(jī)械性能優(yōu)、焊接性能佳的顯著特點(diǎn)。使用氮化鋁陶瓷基板作為芯片的承載體,可以將芯片與模塊散熱底板隔離開(kāi),基板中間的AlN陶瓷層可有效提高模塊的絕緣能力
2017-09-12 16:21:52

應(yīng)用于新能源汽車(chē)的碳化硅半橋MOSFET模塊

是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車(chē)等大型車(chē)輛客戶(hù)對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品?! ≡摦a(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝,采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線(xiàn)鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35

斯利通助力氮化鋁陶瓷基板生產(chǎn)行業(yè)健康發(fā)展

`氮化鋁陶瓷基板因其熱導(dǎo)率高、絕緣性好、熱膨脹系數(shù)低及高頻性低損耗等優(yōu)點(diǎn)廣為人知,在LED照明、大功率半導(dǎo)體、智能手機(jī)、汽車(chē)及自動(dòng)化等生活與工業(yè)領(lǐng)域得到大量應(yīng)用。但氮化鋁陶瓷散熱基板制備廠商主要
2020-11-16 14:16:37

斯利通淺談陶瓷基板的種類(lèi)及應(yīng)用

的要求也會(huì)越來(lái)越高。而高導(dǎo)熱是永遠(yuǎn)避不開(kāi)的話(huà)題,氮化鋁在目前看來(lái),是性?xún)r(jià)比最高的基板。氮化硅陶瓷目前應(yīng)用于電力電子模塊,優(yōu)勢(shì):高機(jī)械強(qiáng)度,韌性和導(dǎo)熱性氮化硅的成本高于氮化鋁基板,導(dǎo)熱系數(shù)在80以上。氮化硅
2021-04-25 14:11:12

晶圓制造工藝流程完整版

) (7)光刻膠的去除 5、 此處用干法氧化法將氮化硅去除 6 、離子布植將硼離子 (B+3) 透過(guò) SiO2 膜注入襯底,形成 P 型阱 7、 去除光刻膠,放高溫爐中進(jìn)行退火處理 8、 用熱磷酸去除
2011-12-01 15:43:10

化硅氮化鎵的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車(chē)走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14

化硅深層的特性

。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼,碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下,碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下,SiC的彈性模量,拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米,抗壓強(qiáng)度為
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表面硅MEMS加工技術(shù)的關(guān)鍵工藝

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2018-11-05 15:42:42

誰(shuí)發(fā)明了氮化鎵功率芯片?

、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化鎵功率芯片方面,起到了極大的貢獻(xiàn)。 應(yīng)用與技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)副總裁張炬(Jason Zhang)在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年,專(zhuān)門(mén)從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì),被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08

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低熱量化學(xué)氣相工藝制備氮化硅美國(guó)Aviza工藝公司開(kāi)發(fā)出一種低溫化學(xué)氣相沉積工藝(LPCVD),可在500℃左右進(jìn)行氮化硅沉積。這個(gè)工藝使用一
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[7.8.1]--CVD氮化硅

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針對(duì)目前氮化硅陶瓷球材料性能評(píng)價(jià)體系不完善,以及各個(gè)廠家生產(chǎn)陶瓷球質(zhì)量參差不齊的問(wèn)題,對(duì)3個(gè)較著名廠家(記為A、B、C)的陶瓷球的密度、顯氣孔率、硬度、斷裂韌性及壓碎載荷等主要性能參數(shù)進(jìn)行了研究
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采用碳化硅氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)介紹

1.1 碳化硅氮化鎵器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
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CMOS 工藝流程介紹 1.襯底選擇:選擇合適的襯底,或者外延片,本流程是帶外延的襯底; 2. 開(kāi)始:Pad oxide 氧化,如果直接淀積氮化硅,氮化硅對(duì)襯底應(yīng)力過(guò)大,容易出問(wèn)題;
2020-06-02 08:00:000

2021年將是氮化鎵+碳化硅PD爆發(fā)元年

氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國(guó)產(chǎn)氮化鎵和碳化硅SIC技術(shù)成熟密不可分,據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產(chǎn)品體積更小,散熱更好,效率比超快恢復(fù)管提高2個(gè)百分點(diǎn)以上。
2021-04-01 09:23:261413

一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術(shù)

瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院的Tobias Kippenberg教授帶領(lǐng)的科學(xué)家團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術(shù),得到了創(chuàng)記錄的低光學(xué)損耗,且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392334

一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路(光子芯片)技術(shù)

近日,瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)教授Tobias Kippenberg團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路(光子芯片)技術(shù),得到了創(chuàng)紀(jì)錄的低光學(xué)損耗,且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:384490

未來(lái)氮化鎵的價(jià)格很有可能大幅下降

料相比,氮化硅的導(dǎo)通電阻更低,電源開(kāi)關(guān)損耗也更低,電能的轉(zhuǎn)換效率也有所提升。在微波射頻領(lǐng)域,由于氮化鎵在電場(chǎng)下具有較高的電子速度,因此電流密度較高,加之氮化鎵又具有耐高壓的特性。因此,在微波射頻領(lǐng)域中使用氮化鎵對(duì)
2021-11-17 09:03:452804

鍺對(duì)氮化硅中紅外集成光子學(xué)的波導(dǎo)

在中紅外波長(zhǎng)下,演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對(duì)比度的鍺基平臺(tái)——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過(guò)首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上,然后通過(guò)層轉(zhuǎn)移方法獲得氮化硅上鍺結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)的,該結(jié)構(gòu)可擴(kuò)展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:571073

用磷酸揭示氮化硅對(duì)二氧化硅的選擇性蝕刻機(jī)理

關(guān)鍵詞:氮化硅,二氧化硅,磷酸,選擇性蝕刻,密度泛函理論,焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會(huì)帶來(lái)了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲(chǔ)密度,我們?nèi)A林科納使用淺溝槽隔離技術(shù)將半導(dǎo)體制造成無(wú)漏
2021-12-28 16:38:085460

用于CVD金剛石沉積的氮化硅表面預(yù)處理報(bào)告

氣相沉積裝置中分別進(jìn)行10min和6h。機(jī)械微缺陷樣品的成核密度(Nd1010cm-2在10min后)、薄膜均勻性和粒徑(6h后低于2um)的結(jié)果優(yōu)越,表明化學(xué)蝕刻(冷熱強(qiáng)酸、熔融堿或四氟化碳等離子體)對(duì)氮化硅上良好的CVD金剛石質(zhì)量并不重要。 介紹 氮化硅陶瓷被認(rèn)為是金
2022-01-21 15:02:04652

氮化鋁的研究歷史

氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價(jià)鍵化合物,晶格參數(shù)為a=3.114,c=4.986。純氮化鋁呈藍(lán)白色,通常為灰色或灰白色,是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2022-03-23 14:27:462292

一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法,該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液;(b)從硅源向等離子體提供硅;以及
2022-04-24 14:58:51979

晶片表面沉積氮化硅顆粒的沉積技術(shù)

評(píng)估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si,N4)顆粒,然后通過(guò)所需的清洗工藝處理晶片。國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn),該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242

淺談氮化鋁的主要應(yīng)用方向

氮化鋁除了是新一代散熱基板和電子器件封裝的理想材料,還可用于熱交換器、坩堝、保護(hù)管、澆注模具、半導(dǎo)體靜電卡盤(pán)、壓電陶瓷及薄膜、導(dǎo)熱填料等。
2022-08-04 17:06:244670

半導(dǎo)體行業(yè)——加熱工藝解析

硅局部氧化(LOCOS)的隔離效果比整面全區(qū)覆蓋式氧化效果好。LOCOS工藝使用一層很 薄的二氧化硅層200-500A作為襯墊層以緩沖LPCVD氮化硅的強(qiáng)張力。經(jīng)過(guò)氮化硅刻蝕、光 刻膠剝除和晶圓清洗后,沒(méi)有被氮化硅覆蓋的區(qū)域再生長(zhǎng)出一層厚度為3000?5000 A的氧化 層。
2022-08-12 11:18:057917

了解氮化鋁陶瓷基板的金屬化是否通過(guò)化學(xué)鍍銅方式

本文主要講解氮化鋁陶瓷基板的金屬化如何通過(guò)化學(xué)鍍銅方式。
2022-08-25 17:06:211364

磷酸的腐蝕特性及緩蝕劑 氮化硅濕法蝕刻中熱磷酸的蝕刻率

在半導(dǎo)體濕法蝕刻中, 熱磷酸廣泛地用于對(duì)氮化硅的去除工藝, 實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對(duì)氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā), 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個(gè)因素, 并通過(guò)
2022-08-30 16:41:592998

了解一下氮化硅陶瓷基板究竟有哪些特點(diǎn)?

材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比較均衡,也是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。因此,Si3N4氮化硅在電力電子器件陶瓷基板制造領(lǐng)域具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。 過(guò)去,電路基板是由分立元件或集成電路與分立元件組合而成的平面材料,以滿(mǎn)足整
2022-10-07 10:22:001544

氮化硅陶瓷基板有利于提高功率器件的可靠性及高導(dǎo)熱性

。但是,作為絕緣體安裝在陶瓷基板上的半導(dǎo)體元件是散熱還是冷卻,提高作為熱傳導(dǎo)介質(zhì)的氮化硅陶瓷基板的熱傳導(dǎo)性是主要問(wèn)題。
2022-10-13 16:29:58670

加熱工藝發(fā)展趨勢(shì)

RTCVD過(guò)程可以用來(lái)沉積多晶硅、氮化硅和二氧化硅,例如在淺溝槽隔離工藝中使用CVD氧化硅填充溝槽。
2022-11-08 09:52:20616

氮化硅陶瓷基板的5大應(yīng)用你知道嗎?

如今高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板因其優(yōu)異的機(jī)械性能和高導(dǎo)熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件,適用于復(fù)雜和極端環(huán)境中的應(yīng)用。在這里,我們概述了制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的最新進(jìn)展。
2022-11-10 10:01:332010

中國(guó)第3代半導(dǎo)體半導(dǎo)體理想封裝材料——高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板突破“卡脖子”難題

2022年9月,威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)規(guī)模,高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板各項(xiàng)理化指標(biāo)到了國(guó)際上行業(yè)領(lǐng)軍的質(zhì)量水平,突破了西方先進(jìn)國(guó)家在高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的技術(shù)保護(hù)和應(yīng)用產(chǎn)品對(duì)我國(guó)“卡脖子”難題。
2022-11-11 16:36:574150

高導(dǎo)熱率氮化硅散熱基板材料的研究進(jìn)展

針對(duì)越來(lái)越明顯的大功率電子元器件的散熱問(wèn)題,主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對(duì)影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述
2022-12-06 09:42:40820

如何提高氮化硅的實(shí)際熱導(dǎo)率實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的問(wèn)題解決

綜合上述研究可發(fā)現(xiàn),雖然燒結(jié)方式不一樣,但都可以制備出性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。在實(shí)現(xiàn)氮化硅陶瓷大規(guī)模生產(chǎn)時(shí),需要考慮成本、操作難易程度和生產(chǎn)周期等因素,因此找到一種快速、簡(jiǎn)便、低成本的燒結(jié)工藝是關(guān)鍵。
2022-12-06 10:30:392408

氮化硅氮化鋁陶瓷基板究竟有何區(qū)別?

等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電子器件封裝。 由于具有優(yōu)異的硬度、機(jī)械強(qiáng)度和散熱性,氮化硅陶瓷氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板,同時(shí)它們也具有不同的性能和優(yōu)勢(shì)。以下就是區(qū)別。 1、散熱差異 氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱
2022-12-09 17:18:241219

化硅氮化鎵器件的特點(diǎn)差異

  碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。在帶隙寬度中,硅為1.1eV,SiC為3.3eV,GaN為3.4eV,因此寬帶隙半導(dǎo)體具有更高的擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:341220

氮化工藝制造流程

、碳化硅和氧化物半導(dǎo)體材料,其中三族化合物半導(dǎo)體常見(jiàn)的有氮化鎵和氮化鋁;氧化物半導(dǎo)體材料主要有氧化鋅、氧化鎵和鈣鈦礦等。第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)
2023-02-05 15:01:485078

什么是硅基氮化氮化鎵和碳化硅的區(qū)別

 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中,由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)
2023-02-06 15:47:333197

氮化鋁陶瓷基板的金屬化工藝介紹

氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的電性能和熱性能,被認(rèn)為是最具有前途的高熱導(dǎo)陶瓷基片材料。為了封裝結(jié)構(gòu)的密封,元器件搭載及輸入、輸出端子的連接等目的,氮化鋁陶瓷基板表面及內(nèi)部均需要金屬化。
2023-02-07 10:01:061530

硅基氮化鎵是什么意思 硅基氮化鎵和碳化硅的區(qū)別

  硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù),它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度,從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:011046

氮化硅提供從研發(fā)進(jìn)展到量產(chǎn)的靈活性

現(xiàn)今,氮化硅(SiN)為光子集成提供了更多的途徑,包括新的200mm、高產(chǎn)量、汽車(chē)級(jí)CMOS生產(chǎn)線(xiàn)。在過(guò)去的幾年里,SiN緊隨確立已久的硅光子學(xué)之后,該材料平臺(tái)已經(jīng)成熟,并在光子集成電路(PIC)市場(chǎng)上,為那些需要非常低傳播損耗、可見(jiàn)波長(zhǎng)或高激光功率的應(yīng)用提供了新的機(jī)會(huì)。
2023-02-15 16:37:09878

氮化鋁AIN導(dǎo)熱界面填料和陶瓷電路板性能

它的是氮化鋁陶瓷電路板。氮化鋁陶瓷是以AlN氮化鋁為主要晶相的陶瓷。其機(jī)械性能好,抗彎強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷,可常壓燒結(jié)。氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的電性能(介電常數(shù)、介電損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度
2023-02-16 14:44:57924

用于紫外發(fā)光二極管的碳化硅上的氮化鋁

書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:用于紫外發(fā)光二極管的碳化硅上的氮化鋁鎵編號(hào):JFKJ-21-1173作者:華林科納 一直在使用碳化硅(碳化硅)襯底生長(zhǎng)氮化鋁(AlGaN)結(jié)構(gòu),針對(duì)278nm深紫
2023-02-21 09:21:581

國(guó)產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊,提升新能源汽車(chē)性能優(yōu)勢(shì)

國(guó)產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊,提升新能源汽車(chē)加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項(xiàng)性能優(yōu)勢(shì)
2023-03-15 17:22:551018

集成光學(xué)新賽道上的新“跨越”

氮化硅材料的引入,為人們提供了一個(gè)解決方案。氮化硅不僅具有多項(xiàng)優(yōu)異的光學(xué)特性,而且氮化硅片上集成光波導(dǎo)的加工也能完美兼容當(dāng)下標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅芯片制造工藝。目前,世界上僅少數(shù)幾個(gè)實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了0.01 dB每厘米甚至更低的光傳輸損耗。
2023-03-22 09:49:29506

高效率低能耗干法超細(xì)研磨與分散壓電陶瓷等硬質(zhì)礦物材料技術(shù)升級(jí)

氮化硅研磨環(huán)由于研磨環(huán)存在內(nèi)外氣壓差,可以在密閉的真空或者很濃密的場(chǎng)景中快速的上下運(yùn)動(dòng),氮化硅磨介圈在大的球磨機(jī)里不僅起到研磨粉碎的作用,更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環(huán)會(huì)發(fā)生共振現(xiàn)象,氮化硅
2023-03-31 11:40:35597

氮化硅陶瓷基板的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)和未來(lái)前景

氮化硅基板是一種新型的材料,具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。這使得氮化硅線(xiàn)路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場(chǎng)需求,正因?yàn)槿绱怂估ìF(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線(xiàn)路板。
2023-04-11 12:02:401364

誰(shuí)才是最有發(fā)展前途的封裝材料呢?

目前,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO)、碳化硅(SiC)等。那么,誰(shuí)才是最有發(fā)展前途的封裝材料呢?
2023-04-13 10:44:04801

多孔氮化硅陶瓷天線(xiàn)罩材料制備及性能研究

近日,上海玻璃鋼研究院有限公司的高級(jí)工程師趙中堅(jiān)沿著該思路,以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料,通過(guò)添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑,經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護(hù)無(wú)壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿(mǎn)足高性能導(dǎo)彈天線(xiàn)罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461279

國(guó)產(chǎn)氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊,國(guó)產(chǎn)新能源汽車(chē)開(kāi)啟性能狂飆模式

新能源電動(dòng)汽車(chē)爆發(fā)式增長(zhǎng)的勢(shì)頭不可阻擋,氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊,對(duì)提升新能源汽車(chē)加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項(xiàng)性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451170

氮化鋁陶瓷基板高導(dǎo)熱率的意義

隨著新能源汽車(chē)的快速發(fā)展。陶瓷基板,特別是氮化鋁陶瓷基板作為絕緣導(dǎo)熱材料得到了很大的應(yīng)用。目前市場(chǎng)以170w/m.k的材料為主,價(jià)格很貴,堪稱(chēng)陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價(jià)格就要實(shí)惠很多。那他們的散熱表現(xiàn)差別有多少?先說(shuō)結(jié)論:差別很小,考慮裝配應(yīng)用等因素外,基本可以忽略。
2023-05-04 12:11:36301

國(guó)瓷材料:DPC陶瓷基板國(guó)產(chǎn)化突破

氮化鋁為大功率半導(dǎo)體優(yōu)選基板材料。氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)、 氮化鋁(AlN)和氮化硅(Si3N4)4 種材料是已經(jīng)投入生產(chǎn)應(yīng)用的主要陶瓷基板 材料,其中氧化鋁技術(shù)成熟度最高、綜合性能好、性?xún)r(jià)比高,是功率器件最為常用 的陶瓷基板,市占率達(dá) 80%以上。
2023-05-31 15:58:35879

氮化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱性能在電子散熱中的應(yīng)用

氮化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱系數(shù)在170-230 W/mK之間,是氧化鋁陶瓷和硅基陶瓷的2-3倍,是鈦基板的10-20倍。這種高導(dǎo)熱系數(shù)的優(yōu)異性能是由于氮化鋁陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分決定的。其晶粒尺寸、晶格
2023-06-19 17:02:27511

案例分享第九期:氮化鋁陶瓷切割實(shí)例

氮化鋁陶瓷的特性大多數(shù)陶瓷是離子鍵或共價(jià)鍵極強(qiáng)的材料,具有較高的絕緣性能和優(yōu)異的高頻特性,同時(shí)線(xiàn)膨脹系數(shù)與電子元器件非常相近,化學(xué)性能非常穩(wěn)定且熱導(dǎo)率高,是電子封裝中常用的基板材料。長(zhǎng)期以來(lái)
2022-09-22 09:54:42967

高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板研究現(xiàn)狀

的要求,傳統(tǒng)的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺點(diǎn)也日益突出,如較低的理論熱導(dǎo)率和較差的力學(xué)性能等,嚴(yán)重阻礙了其發(fā)展。相比于傳統(tǒng)陶瓷基板材料,氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:121390

氮化鋁陶瓷基板高導(dǎo)熱率的意義

隨著新能源汽車(chē)的快速發(fā)展。陶瓷基板,特別是氮化鋁陶瓷基板作為絕緣導(dǎo)熱材料得到了很大的應(yīng)用。目前市場(chǎng)以170w/m.k的材料為主,價(jià)格很貴,堪稱(chēng)陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價(jià)格就要實(shí)惠
2023-05-07 13:13:16408

陶瓷基板制備工藝研究進(jìn)展

目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)和氧化鈹(BeO)等。隨著國(guó)家大力發(fā)展綠色環(huán)保方向,由于氧化鈹有毒性逐漸開(kāi)始退出歷史的舞臺(tái)。
2023-06-27 15:03:56544

電力電子新基石:氮化鋁陶瓷基板在IGBT模塊的應(yīng)用研究

氮化鋁陶瓷(AlN)因其優(yōu)越的熱、電性能,已成為電力電子器件如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的理想基板材料。本文對(duì)其應(yīng)用于IGBT模塊的研究進(jìn)行深入探討。
2023-07-01 11:08:40581

氮化硅陶瓷在四大領(lǐng)域的研究及應(yīng)用進(jìn)展

氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點(diǎn):密度低、耐高溫、自潤(rùn)滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力,氮化硅的低密度降低了高速旋轉(zhuǎn)體外圈上的離心應(yīng)力。
2023-07-05 10:37:061561

氮化硅是半導(dǎo)體材料嗎 氮化硅性能及用途

氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙(大約3.2電子伏特),并可通過(guò)摻雜來(lái)調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能,因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:433823

陶瓷散熱基板投資圖譜

陶瓷散熱基板中的“陶瓷”,并非我們通常認(rèn)知中的陶瓷,屬于電子陶瓷材料,主要用于陶瓷封裝殼體和陶瓷基板,主要成分包括氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化鈹(BeO)等。與傳統(tǒng)的陶瓷有個(gè)共性,主要化學(xué)成分都是硅、鋁、氧三種元素。
2023-08-23 15:07:30638

沉積氮化硅薄膜的重要制備工藝——PECVD鍍膜

PECVD作為太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的一種工藝,對(duì)其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽(yáng)能電池片的表面,從而有效提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測(cè)沉積后太陽(yáng)能電池
2023-09-27 08:35:491776

汽車(chē)功率模塊中AMB陶瓷基板的作用及優(yōu)勢(shì)

氮化硅(Si3N4) 基板在各項(xiàng)性能方面表現(xiàn)最佳,可以提供最佳的可靠性和高功率密度,例如在高級(jí)電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)逆變器中的應(yīng)用。
2023-10-23 12:27:13408

東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線(xiàn)

這是納米碳化硅模塊燒結(jié)工藝,使用銅鍵合技術(shù),高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱電阻現(xiàn)有工程相比改善了10%以上,工作溫度可達(dá)175igbt模塊相比損失大幅減少40%以上,車(chē)輛行駛距離5 - 8%提高了。
2023-11-02 11:19:18342

國(guó)科光芯實(shí)現(xiàn)傳輸損耗-0.1dB/cm(1550 nm波長(zhǎng))級(jí)別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)

據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道,經(jīng)過(guò)兩年、十余次的設(shè)計(jì)和工藝迭代,國(guó)科光芯(海寧)科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):國(guó)科光芯)在國(guó)內(nèi)首個(gè)8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺(tái),實(shí)現(xiàn)了傳輸損耗-0.1 dB/cm(1550 nm波長(zhǎng)
2023-11-17 09:04:54656

化硅氮化鎵哪個(gè)好

、結(jié)構(gòu)、制備方法、特性以及應(yīng)用方面存在著一些差異。以下將詳細(xì)介紹碳化硅氮化鎵的區(qū)別。 1. 物理性質(zhì) 碳化硅是由碳和硅元素組成的化合物,具有多種晶體結(jié)構(gòu),包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有較高的熔點(diǎn)、硬度、熱導(dǎo)率和
2023-12-08 11:28:51742

京瓷利用SN氮化硅材料研發(fā)高性能FTIR光源

京瓷株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)京瓷)成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅(Silicon Nitride,以下簡(jiǎn)稱(chēng)SN)高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234

氮化硅為什么能夠在芯片中扮演重要的地位?

在芯片制造中,有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色,那就是氮化硅(SiNx)。
2023-12-20 18:16:09511

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理

晶體管)結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成: 襯底:氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料,如氮化硅(Si3N4),以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層:氮化鎵襯底上生長(zhǎng)一層氮化鎵,形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大,由于
2024-01-09 18:06:41667

氮化鎵芯片生產(chǎn)工藝有哪些

氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由于其優(yōu)良的電學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中,主要包括以下幾個(gè)方面:材料準(zhǔn)備、芯片制備、工廠測(cè)試和封裝等。 首先,氮化鎵芯片
2024-01-10 10:09:41506

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